JP2002522927A - 電気的に安定化された薄膜高温超伝導体及びその製造方法 - Google Patents
電気的に安定化された薄膜高温超伝導体及びその製造方法Info
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
平らな金属基板（31）に被着された超伝導層（32）を有する電気的に安定化された薄膜高温超伝導体において、超伝導層（32）が基板（31）の表面全体にわたって分布した状態で基板と電気的に接触することにより良好な安定化が達成されている。
Description
【０００１】 〔技術分野〕 本発明は、高温超伝導体（ＨＴＳ）の技術的用途に関する。本発明は、平らな
金属基板に被着された超伝導層を有する電気的に安定化された薄膜高温超伝導体
に関する。かかる薄膜ＨＴＳは、例えば１９９６年１０月２１〜２４日に札幌で
開催された超伝導に関する国際シンポジウム（ＩＳＳ’９６）で発表されたK. H
asegawa 氏の論文“In-plane Aligned YBCO Thin Film Tape Fabricated by Pul
sed Laser Deposition ”（議事録７４５〜７４８頁）で知られている。
金属基板に被着された超伝導層を有する電気的に安定化された薄膜高温超伝導体
に関する。かかる薄膜ＨＴＳは、例えば１９９６年１０月２１〜２４日に札幌で
開催された超伝導に関する国際シンポジウム（ＩＳＳ’９６）で発表されたK. H
asegawa 氏の論文“In-plane Aligned YBCO Thin Film Tape Fabricated by Pul
sed Laser Deposition ”（議事録７４５〜７４８頁）で知られている。
【０００２】 本発明は又、かかるＨＴＳの製造方法に関する。
【０００３】 〔従来の技術〕 高温超伝導体（ＨＴＳ）を例えば故障電流制限器（ＦＣＬ）において信頼性を
もって高電力で適用するためには、製造に関連した材料の不均質性に起因して超
伝導体の急冷中に生じ、素子の機能を損なう場合のあるいわゆるホットスポット
（hot spot）の形成を阻止する信頼性のある電気バイパスを超伝導体に設けるこ
とが必要不可欠である。ＨＴＳ層に平らな層の形態で被着されるＡｕ又はＡｇの
層の形態のかかるバイパスは、応用超伝導に関するＩＥＥＥ議事録第７巻（８２
８〜８３１頁）所収のB. Gromoll氏等の論文“Resistive Current Limiter with
YBCO Films ”に記載されている。
もって高電力で適用するためには、製造に関連した材料の不均質性に起因して超
伝導体の急冷中に生じ、素子の機能を損なう場合のあるいわゆるホットスポット
（hot spot）の形成を阻止する信頼性のある電気バイパスを超伝導体に設けるこ
とが必要不可欠である。ＨＴＳ層に平らな層の形態で被着されるＡｕ又はＡｇの
層の形態のかかるバイパスは、応用超伝導に関するＩＥＥＥ議事録第７巻（８２
８〜８３１頁）所収のB. Gromoll氏等の論文“Resistive Current Limiter with
YBCO Films ”に記載されている。
【０００４】 バイパスは、ＨＴＳの急冷時に別の高電流経路として機能することにより電圧
分布を均一化させるようになっている。これにより、ホットスポットの形成を阻
止できる。かかるバイパスの最低条件は、（１）ＨＴＳとの電気的接触が良好で
あること、（２）温度上昇を制限する上で適当な熱容量があることである。
分布を均一化させるようになっている。これにより、ホットスポットの形成を阻
止できる。かかるバイパスの最低条件は、（１）ＨＴＳとの電気的接触が良好で
あること、（２）温度上昇を制限する上で適当な熱容量があることである。
【０００５】 上記印刷物では、長尺Ｙ−１２３（ＹＢＣＯ）の高品質薄膜をパルスレーザ蒸
着法（ＰＬＤ）によりどのようにすれば代表的な金属（例えば、ハステロイの）
基板に被着できるかについての方法が記載されている。しかしながら、この場合
、基板の酸化及び２つの層相互の化学反応を阻止するために例えばイットリウム
安定化二酸化ジルコニウム（ＹＳＺ）のバッファ層が基板とＨＴＳとの間に設け
られる。したがって、ＨＴＳとその下に位置する基板との間には、電気的バイパ
スとして好適な電気的接触は得られない。
着法（ＰＬＤ）によりどのようにすれば代表的な金属（例えば、ハステロイの）
基板に被着できるかについての方法が記載されている。しかしながら、この場合
、基板の酸化及び２つの層相互の化学反応を阻止するために例えばイットリウム
安定化二酸化ジルコニウム（ＹＳＺ）のバッファ層が基板とＨＴＳとの間に設け
られる。したがって、ＨＴＳとその下に位置する基板との間には、電気的バイパ
スとして好適な電気的接触は得られない。
【０００６】 〔発明の概要〕 したがって、本発明の目的は、支持基板が電気的バイパスとして用いられる電
気的に安定化された薄膜高温超伝導体を製造すること及びその製造方法を提供す
ることにある。
気的に安定化された薄膜高温超伝導体を製造すること及びその製造方法を提供す
ることにある。
【０００７】 最初に述べた形式のＨＴＳの場合、この目的は、超伝導層がこれに被着された
平らな導電層を介して基板の表面全体に分布されるような仕方で基板に電気的に
接触することにより達成される。ＨＴＳ層とその下に位置する金属基板との接触
が表面全体に分布して生じるので、任意の時点で素子の任意の箇所においてホッ
トスポットの形成を阻止できる多くの電流バイパス路が表面全体にわたり分布し
て得られる。
平らな導電層を介して基板の表面全体に分布されるような仕方で基板に電気的に
接触することにより達成される。ＨＴＳ層とその下に位置する金属基板との接触
が表面全体に分布して生じるので、任意の時点で素子の任意の箇所においてホッ
トスポットの形成を阻止できる多くの電流バイパス路が表面全体にわたり分布し
て得られる。
【０００８】 本発明による薄膜ＨＴＳの第１の、特に簡単な実施形態は、超伝導層が金属基
板に直接被着されることによって、差別化される。全領域に亘るＨＴＳ層と基板
との間のこのような直接的な接続は、材料の組み合わせに対する制約があるけれ
ども、最大のバイパス効果を生じ、２つの材料間の界面における劣化がない、或
いは少なくとも耐えうる製造方法を生じる。
板に直接被着されることによって、差別化される。全領域に亘るＨＴＳ層と基板
との間のこのような直接的な接続は、材料の組み合わせに対する制約があるけれ
ども、最大のバイパス効果を生じ、２つの材料間の界面における劣化がない、或
いは少なくとも耐えうる製造方法を生じる。
【０００９】 本発明による薄膜ＨＴＳの第２の実施形態は、超伝導層が、特にＡｇのような
貴金属からなるのが好ましい、電気的に導電性のバッファ層によって金属基板か
ら分離されることによって特徴付けられる。電気的に導電性のバッファ層のため
に、全領域の電気的接触を損なうことなく、ＨＴＳ層と基板との間の反応を止め
ることができる。
貴金属からなるのが好ましい、電気的に導電性のバッファ層によって金属基板か
ら分離されることによって特徴付けられる。電気的に導電性のバッファ層のため
に、全領域の電気的接触を損なうことなく、ＨＴＳ層と基板との間の反応を止め
ることができる。
【００１０】 さらなる好ましい実施形態は、超伝導層と電気的に接触する平らな導電性層が
、超伝導層に被着され、さらに導電性層は、領域に亘って分布した多数の箇所で
基板に電気的に導電して接続されることに基づく。これによって、従来技術から
すでに知られているように、基板のバイパスとしての機能を放棄することなく、
特に超伝導層と基板との間に絶縁バッファ層を構成するのが可能となる。
、超伝導層に被着され、さらに導電性層は、領域に亘って分布した多数の箇所で
基板に電気的に導電して接続されることに基づく。これによって、従来技術から
すでに知られているように、基板のバイパスとしての機能を放棄することなく、
特に超伝導層と基板との間に絶縁バッファ層を構成するのが可能となる。
【００１１】 この実施形態の第1のさらなる発展形態は、接触用開口が超伝導層及びその下
層のバッファ層の領域に亘って分布するように配置され、この開口が下層の基板
を露出させ、さらに導電性層が接触用開口の領域において露出した基板に接触導
通し、接触用開口は、超伝導層及び／又はバッファ層を除去することによって生
成されることによって特徴付けられる。電流を伝えるのに有効な断面を不必要に
減少させないで、バイパスとして作用する基板によって、ホットスポットが高信
頼度で阻止されるような仕方で在来のマスクエッチング方法によって、接触用開
口の数及び分布を最適化することができる。
層のバッファ層の領域に亘って分布するように配置され、この開口が下層の基板
を露出させ、さらに導電性層が接触用開口の領域において露出した基板に接触導
通し、接触用開口は、超伝導層及び／又はバッファ層を除去することによって生
成されることによって特徴付けられる。電流を伝えるのに有効な断面を不必要に
減少させないで、バイパスとして作用する基板によって、ホットスポットが高信
頼度で阻止されるような仕方で在来のマスクエッチング方法によって、接触用開
口の数及び分布を最適化することができる。
【００１２】 第2のさらなる好ましい発展形態は、接触用開口が、超伝導層及び／又はバッ
ファ層の被着中に、被覆或いはシャドウすることによって生じる点に特徴付けら
れる。この場合、接触用開口の生成中に追加のマスキング及びエッチング工程を
省略可能である。
ファ層の被着中に、被覆或いはシャドウすることによって生じる点に特徴付けら
れる。この場合、接触用開口の生成中に追加のマスキング及びエッチング工程を
省略可能である。
【００１３】 本発明による電気的に安定化された薄膜高温超伝導体を製造するための方法は
、超伝導層を平らに金属基板に被着し、さらに領域の種々の箇所において下層の
基板に電気的に導電して接続することによって、特徴付けられる。
、超伝導層を平らに金属基板に被着し、さらに領域の種々の箇所において下層の
基板に電気的に導電して接続することによって、特徴付けられる。
【００１４】 種々の実施形態によれば、第1の工程において、超伝導層を金属基板に直接的
に被着するか、或いは電気的に導電性のバッファ層を金属基板に被着し、第2の
工程において、超伝導層をバッファ層に被着する。
に被着するか、或いは電気的に導電性のバッファ層を金属基板に被着し、第2の
工程において、超伝導層をバッファ層に被着する。
【００１５】 別の好ましい実施形態は、第1の工程において、電気的絶縁バッファ層を金属
基板の全領域に被着し、第2の工程において、超伝導層を電気的に導電性のバッ
ファ層の全領域に被着し、第3の工程において、好ましくはマスクエッチング方
法によって接触用開口を領域の種々の箇所において２つの被着された層内に生成
し、この接触開口を通じて基板を上から自由にアクセス可能とし、第4の工程に
おいて、超伝導層の領域と接触し、且つ接触用開口を通じてこれを露出した基板
に接続する導電性層を全領域に被着する。
基板の全領域に被着し、第2の工程において、超伝導層を電気的に導電性のバッ
ファ層の全領域に被着し、第3の工程において、好ましくはマスクエッチング方
法によって接触用開口を領域の種々の箇所において２つの被着された層内に生成
し、この接触開口を通じて基板を上から自由にアクセス可能とし、第4の工程に
おいて、超伝導層の領域と接触し、且つ接触用開口を通じてこれを露出した基板
に接続する導電性層を全領域に被着する。
【００１６】 なお別の実施形態は、第1の工程において、シャドウイングのために溝の底が
部分的に被覆されていないままで接触用開口を形成するように選択される第1方
向からの直接的な被着によって、電気的絶縁バッファ層を基板の領域に被着し、
第2の工程において、第１方向からの直接的な被着によって超伝導層を電気的絶
縁バッファ層に被着し、第3の工程において、超伝導層の領域に接触し、これを
溝の底の接触用開口を通じて露出した基板に接続する導電性層を全領域に被着す
る。
部分的に被覆されていないままで接触用開口を形成するように選択される第1方
向からの直接的な被着によって、電気的絶縁バッファ層を基板の領域に被着し、
第2の工程において、第１方向からの直接的な被着によって超伝導層を電気的絶
縁バッファ層に被着し、第3の工程において、超伝導層の領域に接触し、これを
溝の底の接触用開口を通じて露出した基板に接続する導電性層を全領域に被着す
る。
【００１７】 さらなる実施形態は、従属クレームから得られる。
【００１８】 以下の説明において、本発明を例示の実施形態について図面を参照して詳細に
説明する。
説明する。
【００１９】 〔好ましい実施形態の説明〕 本発明によれば、HTS層と金属基質との間の領域に亘って分布する電気的接触
は、HTS層と基板とが、全領域に亘って違いに接続されていることによって起こ
り得る。HTS層と金属基質との間の直接的な接触領域を有する、本発明の第１実
施例を図１に示す（他のすべての図も同様であるが、超伝導体の一部を示す）。
この実施例では、電気的に安定化された薄膜高温超伝導体１０が、金属基板１１
に直接被着された超伝導層１２からなる。YBCOからなるのが好ましい層１２と基
板１１との間の反応を防止するためのバッファ層が省略されるので、基板１１及
び／または超伝導層１２のための材料を適切に選択することによって、反応を防
止しなければならない。かくして、反応を防止或いは妨害するために、たとえば
基板１１用に、基板Agのような貴金属を用いることが可能である。有利な要因は
、簡単な構造及び薄膜HTSの簡単な生産性にある。用いられる材料の選択におけ
る制約は、全体としてみれば、不利である。
は、HTS層と基板とが、全領域に亘って違いに接続されていることによって起こ
り得る。HTS層と金属基質との間の直接的な接触領域を有する、本発明の第１実
施例を図１に示す（他のすべての図も同様であるが、超伝導体の一部を示す）。
この実施例では、電気的に安定化された薄膜高温超伝導体１０が、金属基板１１
に直接被着された超伝導層１２からなる。YBCOからなるのが好ましい層１２と基
板１１との間の反応を防止するためのバッファ層が省略されるので、基板１１及
び／または超伝導層１２のための材料を適切に選択することによって、反応を防
止しなければならない。かくして、反応を防止或いは妨害するために、たとえば
基板１１用に、基板Agのような貴金属を用いることが可能である。有利な要因は
、簡単な構造及び薄膜HTSの簡単な生産性にある。用いられる材料の選択におけ
る制約は、全体としてみれば、不利である。
【００２０】 図2に示すような実施例によれば、このような材料の選択における制約は、HTS
層と基板との間の領域接触が、導電性バッファ層を介して伝えられるなら、除去
可能である。この場合、薄膜高温超伝導体２０は再び、金属基板２１に直接被着
されるのではなく、電気的な導電性バッファ層２３が介在する超伝導層２２を有
する。電気的な導電性バッファ層２３は、反応阻止金属、特にAgのような貴金属
からなる。これによって、超伝導層２２との反応能力に過度の注意をすることな
しに、金属基板２１用の材料の選択の余地が大きくなる。
層と基板との間の領域接触が、導電性バッファ層を介して伝えられるなら、除去
可能である。この場合、薄膜高温超伝導体２０は再び、金属基板２１に直接被着
されるのではなく、電気的な導電性バッファ層２３が介在する超伝導層２２を有
する。電気的な導電性バッファ層２３は、反応阻止金属、特にAgのような貴金属
からなる。これによって、超伝導層２２との反応能力に過度の注意をすることな
しに、金属基板２１用の材料の選択の余地が大きくなる。
【００２１】 しかしながら、例えば上記の非導電性のＹＳＺのような実証済のバッファ層を
、バイパスとして用いられる基板の利点を損なわないで利用できれば特に有利で
ある。かかる解決策の２つの例が図３Ａ〜３Ｆ及び図４Ａ〜図４Ｄに再現されて
おり、各ケースの個々の部分図は、これらの製造における或る工程を示している
。
、バイパスとして用いられる基板の利点を損なわないで利用できれば特に有利で
ある。かかる解決策の２つの例が図３Ａ〜３Ｆ及び図４Ａ〜図４Ｄに再現されて
おり、各ケースの個々の部分図は、これらの製造における或る工程を示している
。
【００２２】 図３の好ましい実施形態は、上記印刷物に記載された公知の方法を用いて、金
属基板３１の表面に次々にバッファ層３３（例えば、ＹＳＺ、ＣｅＯ又はＹ2 Ｏ 3 から成る）、実際の超伝導層３２（例えば、ＹＢＣＯから成る）を被着させた
ものである（図３Ａ）。その後、この順番で被着された層の上に、適当なフォト
レジスト等から成るマスク層３４を被着させ、次にマスク開口部をマスク層３４
にその表面全体に一様に分布した状態で設けることによってパターン付けする（
図３Ｃ）。
属基板３１の表面に次々にバッファ層３３（例えば、ＹＳＺ、ＣｅＯ又はＹ2 Ｏ 3 から成る）、実際の超伝導層３２（例えば、ＹＢＣＯから成る）を被着させた
ものである（図３Ａ）。その後、この順番で被着された層の上に、適当なフォト
レジスト等から成るマスク層３４を被着させ、次にマスク開口部をマスク層３４
にその表面全体に一様に分布した状態で設けることによってパターン付けする（
図３Ｃ）。
【００２３】 次に、従来型材料除去法、例えばスパッタエッチングを用いてこれらマスク開
口部３５を介して、２つの下に位置した層３２（超伝導層），３３（バッファ層
）を除去し、かくして基板３１の表面に自由に接近できるようにする接触用開口
部３６を生じさせる（図３Ｄ）。マスク層３４を除去した後（図３Ｅ）、導電層
３７（例えば、Ａｇ又はＡｕから成る）を表面全体に被着させて薄膜高温超伝導
体３０を完成させ（図３Ｆ）、この導電層は、接触用開口部３６の外で超伝導層
３２の表面全体に接触し、これを接触用開口部３６内の金属基板３１に導電接触
させる。当然のことながら、基板３１の適当な接触が得られるよう接触用開口部
３６のサイズを選択する必要がある。他方、点接触状態の基板３１による適当な
バイパス機能が超伝導層の各領域について確保されるように接触用開口部３６の
数及び分布状態を選択する必要がある。
口部３５を介して、２つの下に位置した層３２（超伝導層），３３（バッファ層
）を除去し、かくして基板３１の表面に自由に接近できるようにする接触用開口
部３６を生じさせる（図３Ｄ）。マスク層３４を除去した後（図３Ｅ）、導電層
３７（例えば、Ａｇ又はＡｕから成る）を表面全体に被着させて薄膜高温超伝導
体３０を完成させ（図３Ｆ）、この導電層は、接触用開口部３６の外で超伝導層
３２の表面全体に接触し、これを接触用開口部３６内の金属基板３１に導電接触
させる。当然のことながら、基板３１の適当な接触が得られるよう接触用開口部
３６のサイズを選択する必要がある。他方、点接触状態の基板３１による適当な
バイパス機能が超伝導層の各領域について確保されるように接触用開口部３６の
数及び分布状態を選択する必要がある。
【００２４】 点接触状態の基板は、図４の実施形態にも使用されている。このベースは、好
ましくは側壁を備えた溝４５の形態の凹みが被覆されるべき領域全体にわたって
一様に分布して配置された金属基板４１である（図４Ａ）。被覆が施されるべき
基板４１の表面上には、第１の工程において、第１の方向（図４Ａに矢印で示さ
れている）からの局部塗布により絶縁バッファ層４３が被着される。第１の方向
は、溝４５の底部が、側壁による遮蔽（shadowing ）に起因して部分的に覆われ
ないままで接触用開口部４６（図４Ａ）を形成するように選択される。
ましくは側壁を備えた溝４５の形態の凹みが被覆されるべき領域全体にわたって
一様に分布して配置された金属基板４１である（図４Ａ）。被覆が施されるべき
基板４１の表面上には、第１の工程において、第１の方向（図４Ａに矢印で示さ
れている）からの局部塗布により絶縁バッファ層４３が被着される。第１の方向
は、溝４５の底部が、側壁による遮蔽（shadowing ）に起因して部分的に覆われ
ないままで接触用開口部４６（図４Ａ）を形成するように選択される。
【００２５】 第２の工程（図４Ｂ）において、超伝導層４２を第１の方向からの局部塗布に
より絶縁バッファ層４３に被着させる。同じ遮蔽効果により、接触用開口部４６
は、この塗布工程中も自由な状態のままである。次いで、第３の工程において、
導電層４４を表面全体に被着させ、この導電層は、超伝導層４２の表面に接触し
、これを溝４５の底部上の接触用開口部４６を介してここに露出した金属基板４
１に導電接続させる。第３の工程中、第１の部分工程において、超伝導層４２を
覆って露出した接触用開口部４６（図４Ｃ）を本質的に後に残す第１の導電層４
４を好ましくは、第１の方向からの局部塗布により被着させるのがよい。次に、
第２の部分工程において（図４Ｄ）、第１の方向とは異なる第２の方向からの局
部塗布により完成状態の導電層４４になるよう第１の導電層４４′を補強し、そ
れと同時に接触用開口部４６を介して金属基板４１に導電接続させると、その結
果として、最終形態として薄膜高温超伝導体４０が得られる。
より絶縁バッファ層４３に被着させる。同じ遮蔽効果により、接触用開口部４６
は、この塗布工程中も自由な状態のままである。次いで、第３の工程において、
導電層４４を表面全体に被着させ、この導電層は、超伝導層４２の表面に接触し
、これを溝４５の底部上の接触用開口部４６を介してここに露出した金属基板４
１に導電接続させる。第３の工程中、第１の部分工程において、超伝導層４２を
覆って露出した接触用開口部４６（図４Ｃ）を本質的に後に残す第１の導電層４
４を好ましくは、第１の方向からの局部塗布により被着させるのがよい。次に、
第２の部分工程において（図４Ｄ）、第１の方向とは異なる第２の方向からの局
部塗布により完成状態の導電層４４になるよう第１の導電層４４′を補強し、そ
れと同時に接触用開口部４６を介して金属基板４１に導電接続させると、その結
果として、最終形態として薄膜高温超伝導体４０が得られる。
【００２６】 それぞれの接触用開口部３６、４６及び溝４５は、電流の方向と平行なトレン
チの形態で構成されるのが好ましい。
チの形態で構成されるのが好ましい。
【００２７】 図３及び図４の構成では、電流はかくして、図示の薄膜高温超伝導体の断面の
平面に垂直に流れる。
平面に垂直に流れる。
【００２８】 以上要するに、本発明により、電気的な安定化が得られるように金属基板を利
用すると共に最もばらつきのある材料を基板用として選択できるようにする電気
的に安定化された薄膜高温超伝導体が得られる。
用すると共に最もばらつきのある材料を基板用として選択できるようにする電気
的に安定化された薄膜高温超伝導体が得られる。
【図１】 ＨＴＳ層と金属基板との間の直接的な領域接触を示す、本発明の第１の好まし
い実施形態の薄膜ＨＴＳの構造の断面図である。
い実施形態の薄膜ＨＴＳの構造の断面図である。
【図２】 導電性バッファ層を介して伝えられる、ＨＴＳ層と基板との間の領域接触を示
す、本発明の第２の好ましい実施形態の薄膜ＨＴＳの構造図である。
す、本発明の第２の好ましい実施形態の薄膜ＨＴＳの構造図である。
【図３Ａ】 ＨＴＳ層と基板との接触が除去により得られた局部接触用開口部を介して生じ
る本発明の第３の好ましい実施形態の薄膜ＨＴＳの製造の一工程を示す図である
。
る本発明の第３の好ましい実施形態の薄膜ＨＴＳの製造の一工程を示す図である
。
【図３Ｂ】 ＨＴＳ層と基板との接触が除去により得られた局部接触用開口部を介して生じ
る本発明の第３の好ましい実施形態の薄膜ＨＴＳの製造の一工程を示す図である
。
る本発明の第３の好ましい実施形態の薄膜ＨＴＳの製造の一工程を示す図である
。
【図３Ｃ】 ＨＴＳ層と基板との接触が除去により得られた局部接触用開口部を介して生じ
る本発明の第３の好ましい実施形態の薄膜ＨＴＳの製造の一工程を示す図である
。
る本発明の第３の好ましい実施形態の薄膜ＨＴＳの製造の一工程を示す図である
。
【図３Ｄ】 ＨＴＳ層と基板との接触が除去により得られた局部接触用開口部を介して生じ
る本発明の第３の好ましい実施形態の薄膜ＨＴＳの製造の一工程を示す図である
。
る本発明の第３の好ましい実施形態の薄膜ＨＴＳの製造の一工程を示す図である
。
【図３Ｅ】 ＨＴＳ層と基板との接触が除去により得られた局部接触用開口部を介して生じ
る本発明の第３の好ましい実施形態の薄膜ＨＴＳの製造の一工程を示す図である
。
る本発明の第３の好ましい実施形態の薄膜ＨＴＳの製造の一工程を示す図である
。
【図３Ｆ】 ＨＴＳ層と基板との接触が除去により得られた局部接触用開口部を介して生じ
る本発明の第３の好ましい実施形態の薄膜ＨＴＳの製造の一工程を示す図である
。
る本発明の第３の好ましい実施形態の薄膜ＨＴＳの製造の一工程を示す図である
。
【図４Ａ】 ＨＴＳ層と基板との接触が非被覆又は遮蔽により得られた局部接触用開口部を
介して生じる本発明の第４の好ましい実施形態の薄膜ＨＴＳの製造の一工程を示
す図である。
介して生じる本発明の第４の好ましい実施形態の薄膜ＨＴＳの製造の一工程を示
す図である。
【図４Ｂ】 ＨＴＳ層と基板との接触が非被覆又は遮蔽により得られた局部接触用開口部を
介して生じる本発明の第４の好ましい実施形態の薄膜ＨＴＳの製造の一工程を示
す図である。
介して生じる本発明の第４の好ましい実施形態の薄膜ＨＴＳの製造の一工程を示
す図である。
【図４Ｃ】 ＨＴＳ層と基板との接触が非被覆又は遮蔽により得られた局部接触用開口部を
介して生じる本発明の第４の好ましい実施形態の薄膜ＨＴＳの製造の一工程を示
す図である。
介して生じる本発明の第４の好ましい実施形態の薄膜ＨＴＳの製造の一工程を示
す図である。
【図４Ｄ】 ＨＴＳ層と基板との接触が非被覆又は遮蔽により得られた局部接触用開口部を
介して生じる本発明の第４の好ましい実施形態の薄膜ＨＴＳの製造の一工程を示
す図である。
介して生じる本発明の第４の好ましい実施形態の薄膜ＨＴＳの製造の一工程を示
す図である。
３０，４０ 薄膜ＨＴＳ（電気的に安定化されている） ３１，４１ 金属基板 ３２，４２ ＳＬ層 ３３，４３ バッファ層 ３４ マスク層 ３５ マスク開口部 ３６，４６ 接触用開口部 ３７，４４，４４′ 導電層 ４５ 溝
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ，ＭＬ， ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，Ｋ Ｅ，ＬＳ，ＭＷ，ＳＤ，ＳＬ，ＳＺ，ＵＧ，ＺＷ)，Ｅ Ａ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ，ＴＪ ，ＴＭ)，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ，ＢＢ，ＢＧ ，ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＺ，ＤＫ，ＥＥ， ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＥ，ＨＵ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，Ｋ Ｇ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ ，ＬＶ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＮＯ， ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，Ｓ Ｉ，ＳＫ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＳ ，ＵＺ，ＶＮ
Claims (2)
- 【請求項１】 平らな金属基板（11、21、31、41）上に被着された超伝導層
（12、22、32、42）を有する電気的に安定化された薄膜高温超伝導体（10、20、
30、40）において、この超伝導層（12、22、32、42）は、前記基板（11、21、31
、41）の領域に亘って分布するような仕方で、前記基板（11、21、31、41）と電
気的に接触することを特徴とする薄膜超伝導体。 - 【請求項２】 請求項１に記載の電気的に安定化された薄膜高温超伝導体を
製造する方法であって、超伝導層（12、22、32、42）を金属基板（11、21、31、
41）の領域に被着し、領域の種々の箇所において、下層の基板（11、21、31、41
）に電気的に通電して接続する、ことを特徴とする方法。
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