JP3027549B2 - 超伝導体ヘテロ−エピタキシャルジョセフソン接合 - Google Patents

超伝導体ヘテロ−エピタキシャルジョセフソン接合

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JP3027549B2
JP3027549B2 JP9179455A JP17945597A JP3027549B2 JP 3027549 B2 JP3027549 B2 JP 3027549B2 JP 9179455 A JP9179455 A JP 9179455A JP 17945597 A JP17945597 A JP 17945597A JP 3027549 B2 JP3027549 B2 JP 3027549B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、一般に、高温超伝
導体ジョセフソン接合に係り、より詳細には、高温超伝
導体ヘテロ−エピタキシャルジョセフソン接合に係る。
【０００２】
【従来の技術】高速で且つ効率的な通信及び処理システ
ムが常に要求されるのに伴い、多くの製造者は、電力消
費が低く且つ動作速度が高いことから高温超伝導体（Ｈ
ＴＳ）部品を使用することを願っている。特に、ＨＴＳ
ジョセフソン接合、及びこのＨＴＳジョセフソン接合を
組み込んだ超伝導量子干渉デバイス（ＳＱＵＩＤ）は、
主として、単一束量子及び直列アレー干渉計ロジック回
路のような種々の回路群において能動的なデバイスとし
て使用されている。
【０００３】既存のＨＴＳジョセフソン接合は、基体又
は誘電体層上にエピタキシャルＣ軸ＨＴＳ及び誘電体二
重層(bilayer) を付着することにより形成される。これ
ら層をイオンミリングにより浅い角度でエッチングし
て、エッチングされたエッジを形成し、そしてそのエッ
チングされたエッジ上に薄いエピタキシャル非超伝導バ
リア及びＨＴＳ層を順次に成長させて、接合を形成す
る。接合特性は、バリアの組成及び厚みと、バリアフィ
ルムと２つのＨＴＳ層との間の界面とにより制御され
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、既存の
ＨＴＳジョセフソン接合には多数の欠点がある。１つの
欠点は、エッチングプロセスによるもので、下方のＹＢ
ＣＯ層のエッチングされたエッジにダメージを与えた
り、それを露出させて、汚染や、エンハンスされた酸素
の損失を招いたりする。エッチングされたエッジは、リ
ソ化学薬品、化学的浄化剤、イオンミリング中の再付
着、取扱及びウェハ移送中のガス吸収によって汚染され
る。エッチングされたプロファイルの変化、イオンミリ
ング又は他のエッチングによる物理的なダメージ、及び
エッジの汚染は、接合の電気的な品質、再現性及び収率
を著しく損なうことになる。
【０００５】既存のＨＴＳジョセフソン接合の別の欠点
は、その製造プロセスでは、健全な高性能回路の要求を
満たすように接合と他の回路素子を一体化できないこと
である。
【０００６】既存のＨＴＳジョセフソン接合の更に別の
欠点は、ＹＢＣＯのようなＨＴＳ材料の非等方性及び短
いコヒレンス長さによるもので、これは、ａ／ｂ結晶学
的方向の電流を用いて接合及び低抵抗接触を形成する上
で妨げとなる。一体化された抵抗及び入力／出力（Ｉ／
Ｏ）接触パッドに対してｃ軸ＨＴＳフィルムと抵抗性フ
ィルムとの間に良質なオーミック接触を形成することが
強く要望される。又、集積回路構造体の異なるｃ軸ＨＴ
Ｓフィルム間に良質の超伝導接触を形成することも望ま
れる。
【０００７】既存のＨＴＳジョセフソン接合の更に別の
欠点は、プレーナ化トポロジー接合の欠如である。プレ
ーナ接合は、処理を簡単化し、電気的性能を改善し、そ
して回路の健全さ及び収率を高める。
【０００８】それ故、高い電気的品質、再現性及び収率
を有するＨＴＳジョセフソン接合を形成する方法が要望
される。又、健全な高性能回路の要求を満たすように接
合を他の回路素子と一体化することのできる方法も要望
される。又、ａ／ｂ結晶学的方向の電流を用いることに
より接合及び低抵抗接触を容易に形成する方法も要望さ
れる。更に、プレーナＨＴＳジョセフソン接合、及びこ
のようなプレーナ接合を形成する方法も要望される。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、これらの要望
を満足する。本発明は、積層構造をもつジョセフソン接
合をしかるべき場所に形成する方法であって、（ａ）平
面基体をエッチングして、第１平面セグメント、第２平
面セグメント及び傾斜セグメントを形成し、傾斜セグメ
ントは、２つの平面セグメントをある角度で接続し、上
記基体は、第２平面セグメントの方が第１平面セグメン
トより薄く、そして上記基体は、傾斜セグメントにおい
て一定に減少する厚みを有し、（ｂ）上記基体に第１の
超伝導層を付着し、（ｃ）上記第１の超伝導層に非超伝
導層を付着し、そして（ｄ）上記非超伝導層に第２の超
伝導層を付着するという段階を備えた方法を提供する。
両超伝導層及び非超伝導層は、しかるべき場所に付着さ
れ、そして第１及び第２の平面セグメントの平面に実質
的に直角な方向においてｃ軸とエピタキシャルであり、
そして上記層は、３つのセグメントにおいて実質的に均
一な厚みである。
【００１０】好ましくは、上記エッチング段階は、平面
セグメントに対する傾斜セグメントの角度がせいぜい約
４５°となるように、そして更に好ましくは、約３０°
以下となるように、基体をエッチングすることを含む。
第１及び第２の超伝導層は、高温超伝導体であるのが好
ましい。この方法は、更に、第２の超伝導層を付着する
段階の後に積層構造体の第１及び／又は第２の平面セグ
メントを除去する段階を含むことができる。更に、この
方法は、第２の超伝導層を付着する段階の後に積層構造
体の第１及び／又は第２の平面セグメントにおける導電
率をディスエイブルして、積層構造体の傾斜セグメント
に導電率を実質的に閉じ込める段階を含むことができ
る。
【００１１】更に、本発明は、（ａ）基体と、（ｂ）上
記基体に付着された第１の超伝導層と、（ｃ）上記第１
の超伝導層に付着された非超伝導層と、（ｄ）上記非超
伝導層に付着された第２の超伝導層とを備えた積層構造
をもつジョセフソン接合も提供する。上記積層構造体
は、第１平面セグメントと、第２平面セグメントと、こ
れら２つの平面セグメントをある角度で接続する傾斜セ
グメントの３つのセグメントを有する。上記層は、３つ
のセグメントが実質的に均一な厚みであり、上記基体
は、第２平面セグメントの方が第１平面セグメントより
薄く、そして上記基体は、傾斜セグメントにおいて厚み
が一定に減少する。上記両超伝導層及び非超伝導層は、
第１及び第２の平面セグメントの平面に実質的に直角な
方向においてｃ軸とエピタキシャルである。好ましく
は、平面セグメントに対する傾斜セグメントの角度は、
せいぜい約４５°であり、そして更に好ましくは、約３
０°以下である。第１及び第２の超伝導層は、高温超伝
導体であるのが好ましい。
【００１２】本発明は、その別の特徴において、（ａ）
エピタキシャル基体を研磨して、実質的に均一厚みの平
面エピタキシャル基体を形成し、この平面基体は、平面
基体の平面の法線に対して鋭角のエピタキシャルｃ軸を
有し、（ｂ）上記平面基体に第１の超伝導層を付着し、
（ｃ）上記第１の超伝導層に非超伝導層を付着し、そし
て（ｄ）上記非超伝導層に第２の超伝導層を付着すると
いう段階を備えたジョセフソン接合を形成する方法を提
供する。上記両超伝導層及び非超伝導層は、上記平面基
体のｃ軸に実質的に平行な方向においてｃ軸とエピタキ
シャルである。上記第１の超伝導層、非超伝導層及び第
２の超伝導層は、実質的に均一な厚みであり、これによ
り、上記積層構造体は、実質的にプレーナである。
【００１３】好ましくは、平面基体のｃ軸、両超伝導層
及び非超伝導層は、平面基体の平面の法線に対しせいぜ
い約４５°の角度であり、そして更に好ましくは、約３
０°以下の角度である。好ましくは、第１及び第２の超
伝導層は、本質的に高温超伝導体より成るグループから
選択される。
【００１４】又、本発明は、（ａ）平面エピタキシャル
基体であって、その平面の法線に対して鋭角のｃ軸を有
し、そして実質的に均一な厚みである基体と、（ｂ）上
記基体に付着された第１の超伝導層と、（ｃ）上記第１
の超伝導層に付着された非超伝導層と、（ｄ）上記非超
伝導層に付着された第２の超伝導層とを備えた積層構造
をもつジョセフソン接合も提供する。上記両超伝導層及
び非超伝導層は、上記基体のｃ軸に実質的に平行な方向
においてｃ軸とエピタキシャルである。上記第１の超伝
導層、非超伝導層及び第２の超伝導層は、実質的に均一
な厚みであり、これにより、上記積層構造体は、実質的
にプレーナである。
【００１５】好ましくは、平面基体のｃ軸、両超伝導層
及び非超伝導層は、平面基体の平面の法線に対しせいぜ
い約４５°の角度であり、そして更に好ましくは、約３
０°以下の角度である。好ましくは、第１及び第２の超
伝導層は、本質的に高温超伝導体より成るグループから
選択される。
【００１６】本発明は、その更に別の特徴において、上
記方法により製造されたジョセフソン接合を提供する。
【００１７】
【発明の実施の形態】本発明のこれら及び他の特徴、並
びに効果は、添付図面を参照した以下の詳細な説明及び
特許請求の範囲から明らかとなろう。
【００１８】図１は、本発明により、図２ないし３に示
す積層構造をもつジョセフソン接合１０を形成する方法
を示している。この方法は、（ａ）平面基体１２をエッ
チングして、第１平面セグメント１４、第２平面セグメ
ント１６、及び傾斜セグメント１８を形成し、傾斜セグ
メント１８は、２つの平面セグメント１４及び１６を角
度θで接続し、基体１２は、第２平面セグメント１６の
方が第１平面セグメント１４よりも薄く、そして基体１
２は、傾斜セグメント１８において一定に減少する厚み
を有し、（ｂ）基体１２に第１の超伝導層２０を付着
し、（ｃ）この第１の超伝導層２０に非超伝導層２２を
付着し、そして（ｄ）この非超伝導層２２に第２の超伝
導層２４を付着するという段階を備えている。両超伝導
層２０及び２４と、非超伝導層２２は、しかるべき場所
に付着され、そして第１及び第２の平面セグメント１４
及び１６の平面に実質的に直角な方向においてｃ軸とエ
ピタキシャルであり、これらの層は、３つのセグメント
において実質的に均一な厚みである。
【００１９】図２を参照すれば、基体１２は、計画され
た位置において角度エッチングされて、接合を形成す
る。基体の準備中に基体層１２に他の層を付着するため
の先駆段階としてエッチングプロファイルが形成され
る。角度エッチングは、傾斜セグメント１８を形成する
もので、これは、基体、基体上のエピタキシャル誘電体
フィルム、又はＨＴＳ及び誘電体の更に別のフィルム上
のエピタキシャル誘電体フィルムにおいて直接行うこと
ができる。傾斜セグメントの角度プロファイルθはせい
ぜい約４５°であり、そして好ましくは、約３０°以下
である。
【００２０】図３を参照すれば、第１の超伝導層２０、
非超伝導層２２及び第２の非超伝導層２４は、基体１２
上にエピタキシャル三重層(trilayer)２６を形成する。
このエピタキシャル三重層２６は、しかるべき場所での
３つの順次の段階として基体１２全体に付着される。エ
ッチングプロセスは、第１の超伝導層２０ではなくて基
体１２上で行われるので、傾斜セグメント１８上の第１
の超伝導層２０は、好都合にも、エッチングプロセスに
よりダメージを受けず、汚染もされない。従って、接合
１０の電気的な品質、再現性及び収率が、実質的に改善
される。
【００２１】第１及び第２の超伝導層２０及び２４は、
好ましくは、約２０ｎｍの厚みであり、本質的に、高温
超伝導体、例えば、ＲＢＣＯ（ＲはＹのような希土類元
素）や、ビスマス系酸化銅化合物や、タリウム系酸化銅
化合物や、水銀酸化銅化合物より成るグループから選択
される。非超伝導層２２は、好ましくは、約１０ないし
約２０ｎｍの厚みであり、エピタキシャル成長のために
超伝導層と構造的に合致するＣｏ−ＹＢＣＯ、ＰｒＢＣ
Ｏ、エピタキシャル誘電体又は他のエピタキシャル材料
である。超伝導層及び非超伝導層の上記厚みは、単なる
例示に過ぎず、所与のプロセス、デバイス及び回路設計
の要求を満たすように変更することができる。
【００２２】基体１２の傾斜セグメント１８の三重層の
みが、ａ−ｂ平面導通接合を形成する。三重層２６の平
面セグメント１４及び１６は、コンダクタンスの非常に
小さなｃ軸接合２５及び２７である。図４に示すよう
に、コンダクタンスは、ｃ軸接合２５及び２７を除去又
はディスエイブルすることにより、ａ−ｂ平面導通接合
２９に閉じ込めることができる。ｃ軸接合２５及び２７
をディスエイブルすることは、イオンインプランテーシ
ョンにより、個別のａ−ｂ平面接合を残してｃ軸接合２
５及び２７にわたる導電率を禁止することにより達成で
きる。次いで、この接合の反対のＹＢＣＯフィルムを第
３の超伝導層により集積回路に「配線」することができ
る。
【００２３】上記方法により形成された接合は、実質的
に、直線的接合である。２００ｎｍ厚みの超伝導層及び
３０°の傾斜プロファイル角度の場合に、接合は、平面
図で４００ｎｍ巾となる。微細なリソグラフィーを用い
て、接合の巾を画成すると共に、ｃ方向の寄生導通を除
去することができる。禁止のためのイオンインプランテ
ーションを用いて、このような物理的サイズを得ると共
に、エピタキシャル配線を行うことができる。
【００２４】図５は、本発明の別の特徴により図６ない
し７に示されたジョセフソン接合を形成する方法を示
す。この方法は、（ａ）エピタキシャル基体を研磨し
て、実質的に均一厚みの平面エピタキシャル基体３０を
形成し、この平面基体は、平面基体の平面の法線３２に
対して鋭角のエピタキシャルｃ軸を有し、（ｂ）上記平
面基体３０に第１の超伝導層３４を付着し、（ｃ）この
第１の超伝導層３４に非超伝導層３６を付着し、そして
（ｄ）この非超伝導層３６に第２の超伝導層３８を付着
するという段階を備えている。両超伝導層３４及び３８
と、非超伝導層３６は、平面基体３０のｃ軸に実質的に
平行な方向においてｃ軸とエピタキシャルである。第１
の超伝導層３４、非超伝導層３６及び第２の超伝導層３
８は、実質的に均一な厚みであり、従って、上記積層構
造体は、実質的にプレーナとなる。
【００２５】基体は、これを切断し、そして基体３０の
平面の法線３２に対してせいぜい約４５°の角度θで基
体全体を研磨することにより準備される。約８００℃で
基体３０上のエピタキシャル成長を確保するために、好
ましくは、約３０°以下の角度が選択される。全基体の
角度切断により、第１の超伝導層３４の局部的なパター
ン化の問題が解消されると共に、エピタキシャルフィル
ム及び接合を成長するための均一な再現性のある表面が
形成される。
【００２６】図６を参照すれば、第１の超伝導層３４、
非超伝導層３６及び第２の超伝導層３８は、基体３０上
にエピタキシャル三重層４０を形成する。このエピタキ
シャル三重層４０は、非等方性エピタキシャル材料系に
おいて基体の全面にわたって均一な三重接合４２を形成
する３つの順次の段階として基体３０の全面のしかるべ
き場所に付着される。従って、好都合にも、接合は、処
理を簡単化し、電気的性能を改善し、そして回路の健全
さ及び収率を増大するプレーナ化トポロジーを有する。
【００２７】基体３０は、厚みが約１０ないし４０ミル
であるのが望ましい。超伝導層３４及び３８は、厚みが
約１００ないし２００ｎｍである。非超伝導層３６は、
厚みが約１０ないし２０ｎｍであるのが好ましい。超伝
導層及び非超伝導層の上記の厚みは、例示的なもので、
所与のプロセス、デバイス及び回路設計の要求に合致す
るように変更することができる。
【００２８】適当な基体は、ＨＴＳフィルムに化学的に
適合し、そしてエピタキシャルＨＴＳフィルムが付着さ
れる少なくとも７５０ないし８００°の温度までＨＴＳ
フィルムと反応しないものである。基体３０は、ＬａＡ
ｌＯ3 、ＳｒＴｉＯ3 、ＳｒＡｌＴａＯ又はＮｄＧａＯ
3 のようなエピタキシャルウェハである。超伝導層３４
及び３８は、本質的に、高温超伝導体、例えば、ＹＢＣ
Ｏや、ビスマス系酸化銅化合物や、タリウム系酸化銅化
合物や、水銀酸化銅化合物より成るグループから選択す
ることができる。非超伝導層３６は、エピタキシャル成
長のために超伝導層と構造的に適合するＣｏ−ＹＢＣ
Ｏ、ＰｒＢＣＯ、エピタキシャル誘電体又は他のエピタ
キシャル材料である。
【００２９】図７を参照すれば、接合４２は、導電率を
禁止するための禁止用イオンインプランテーション又は
イオンミリングによってパターン化することができる。
禁止用イオンインプランテーションは、平らなエピタキ
シャル結晶面を配線層として残す。イオンミリングは、
配線層の前に絶縁性誘電体フィルムの付着を必要とす
る。
【００３０】第１の超伝導層３４に加えて、非超伝導層
３６を付着する前に、超伝導フィルム、誘電体フィルム
又はイオンインプラントのような他の層を、基体の結晶
方向と整列したエピタキシャルｃ軸フィルムの成長によ
り、指定のＩＣプロセスに対して必要に応じて基体上に
付着することができる。このような層は、基体の結晶方
向に基づき、約３５ないし４０°以下のｃ軸角度で成長
することができる。更に、配線用の超伝導層４４を第２
の超伝導層３０に付着することができる。
【００３１】本発明の方法は、リソグラフィー及び回路
設計の事柄に合致して必要とされるように接合を整形す
る方法である。禁止用イオンインプランテーションは、
自動的に自己整列されそして平面式であり、且つ複雑な
プレーナ技術及び／又は内部接点の形成を必要としない
ので、細線リソグラフィーに効果的である。本発明の方
法は、非制御界面を伴わない導体、半導体及び絶縁バリ
アの形成に使用して、過剰減衰及び過少減衰接合のよう
な異なる接合形式を形成することができる。
【００３２】又、本発明の方法は、接合のａ−ｂ平面へ
の接触を形成することにより低抵抗のオーミック接触を
形成するのにも使用できる。例えば、禁止用イオンイン
プランテーションパターン化と共にアングルカット基体
を使用して、接触されるべき超伝導層の表面が、次のフ
ィルムに対してある角度でａ−ｂ平面の導電性小面を露
出させる。接触コンダクタンスは、ａ−ｂ面の露出を増
大する櫛形接触を形成するように超伝導フィルムの面を
エッチングすることにより更に改善することができる。
しかるべき場所で超伝導層の付着との通常の導体接触を
行うことにより高導電性のａ−ｂ平面への高コンダクタ
ンス接触を得ることができる。
【００３３】配線及び相互接続のために異なる超伝導フ
ィルム間に高い臨界電流容量で小さな超伝導接触を形成
するために、絶縁フィルムの経路を通してプラグ接触を
使用することができる。プラグは、介在する超伝導フィ
ルムを禁止イオンインプランテーションして接触プラグ
を形成し、次いで、第２の超伝導配線フィルムを付着す
ることにより、形成することができる。超伝導フィルム
を、露出されたａ−ｂ平面の面と共に積層することによ
り、接触面積当たりの超電流の量を改善することができ
る。
【００３４】禁止イオンインプランテーションは、ＨＴ
Ｓフィルムの結晶構造に最小限の影響しか与えずに超伝
導率及び通常の伝導率を禁止するエネルギー及びドーズ
レベルでイオンをインプランテーションする。フィルム
をアモルファスにするドーズレベルは、本発明により意
図されない。
【００３５】以上、好ましい実施形態について本発明を
詳細に説明したが、他の形態も考えられる。それ故、本
発明は、上記の好ましい実施形態に限定されず、特許請
求の範囲のみによって限定されるものとする。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明によりジョセフソン接合を形成する段階
を示す図である。
【図２】図１の段階によりエッチングされた基体を示す
図である。
【図３】図１の段階により製造されたジョセフソン接合
を示す図である。
【図４】図１の段階により製造されたジョセフソン接合
への配線接続を示す図である。
【図５】本発明の別の特徴によりジョセフソン接合を形
成する段階を示す図である。
【図６】図５の段階により形成されたジョセフソン接合
を示す図である。
【図７】図５の段階により反応性イオンインプランテー
ションプロセスによって配線された接合の縦断面を示す
図である。
【符号の説明】
１０ ジョセフソン接合 １２ 基体 １４ 第１平面セグメント １６ 第２平面セグメント １８ 傾斜区分 ２０ 第１の超伝導層 ２２ 非超伝導層 ２４ 第２の超伝導層 ２５、２７ ｃ軸接合 ２６ エピタキシャル三重層 ２９ ａ−ｂ平面導通接合
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−310183（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−45874（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−273182（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−74404（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 39/22 H01L 39/24 H01L 39/00

Claims (9)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 積層構造をもつジョセフソン接合を形成
    する方法において、 （ａ）平面基体をエッチングして、第１平面セグメン
    ト、第２平面セグメント及び傾斜セグメントを形成し、
    傾斜セグメントは、２つの平面セグメントをある角度で
    接続し、上記基体は、第２平面セグメントの方が第１平
    面セグメントより薄く、そして上記基体は、傾斜セグメ
    ントにおいて一定に減少する厚みを有し、 （ｂ）上記基体に第１の超伝導層を付着し、 （ｃ）上記第１の超伝導層に非超伝導層を付着し、そし
    て （ｄ）上記非超伝導層に第２の超伝導層を付着する、 という段階を備え、 上記両超伝導層及び非超伝導層は、しかるべき場所に付
    着され、そして上記第１及び第２の平面セグメントの平
    面に実質的に直角な方向においてｃ軸とエピタキシャル
    であり、そして上記層は、３つのセグメントにおいて実
    質的に均一な厚みであることを特徴とする方法。
  2. 【請求項２】 上記エッチング段階は、平面セグメント
    に対する傾斜セグメントの角度がせいぜい約４５°とな
    るように基体をエッチングすることを含む請求項１に記
    載の方法。
  3. 【請求項３】 （ａ）第１の超伝導層を付着する上記段
    階は、本質的に高温超伝導体より成るグループから第１
    の超伝導層を選択することを含み、そして （ｂ）第２の超伝導層を付着する上記段階は、本質的に
    高温超伝導体より成るグループから第２の超伝導層を選
    択することを含む請求項１に記載の方法。
  4. 【請求項４】 第２の超伝導層を付着する段階の後に積
    層構造体の第１平面セグメントにおける導電率をディス
    エイブルして、積層構造体の傾斜セグメントに導電率を
    実質的に閉じ込める段階を更に備えた請求項１に記載の
    方法。
  5. 【請求項５】 積層構造をもつジョセフソン接合を形成
    する方法において、 （ａ）平面基体をエッチングして、第１平面セグメン
    ト、第２平面セグメント及び傾斜セグメントを形成し、
    傾斜セグメントは、２つの平面セグメントをせいぜい約
    ４５°の角度で接続し、上記基体は、第２平面セグメン
    トの方が第１平面セグメントより薄く、そして上記基体
    は、傾斜セグメントにおいて一定に減少する厚みを有
    し、 （ｂ）上記基体に第１の高温超伝導層を付着し、 （ｃ）上記第１の超伝導層に非超伝導層を付着し、 （ｄ）上記非超伝導層に第２の高温超伝導層を付着し、
    そして （ｅ）上記積層構造体の傾斜セグメントに導電率を閉じ
    込める、 という段階を備え、 上記両超伝導層及び非超伝導層は、上記第１及び第２の
    平面セグメントの平面に実質的に直角な方向においてｃ
    軸とエピタキシャルであり、そして上記層は、３つのセ
    グメントにおいて実質的に均一な厚みであることを特徴
    とする方法。
  6. 【請求項６】 上記第２の超伝導層に第３の超伝導層を
    付着して、接合との電気的接触を与える段階を更に備え
    た請求項５に記載の方法。
  7. 【請求項７】 積層構造をもつジョセフソン接合におい
    て、 （ａ）基体と、 （ｂ）上記基体に付着された第１の超伝導層と、 （ｃ）上記第１の超伝導層に付着された非超伝導層と、 （ｄ）上記非超伝導層に付着された第２の超伝導層とを
    備え、 上記積層構造体は、第１平面セグメントと、第２平面セ
    グメントと、これら２つの平面セグメントをある角度で
    接続する傾斜セグメントの３つのセグメントを有し、 上記層は、３つのセグメントが実質的に均一な厚みであ
    り、上記基体は、第２平面セグメントの方が第１平面セ
    グメントより薄く、そして上記基体は、傾斜セグメント
    において厚みが一定に減少し、そして上記両超伝導層及
    び非超伝導層は、しかるべき場所に付着され、そして上
    記第１及び第２の平面セグメントの平面に実質的に直角
    な方向においてｃ軸とエピタキシャルであることを特徴
    とするジョセフソン接合。
  8. 【請求項８】 積層構造をもつジョセフソン接合におい
    て、 （ａ）基体と、 （ｂ）上記基体上の第１の高温超伝導層と、 （ｃ）上記第１の超伝導層上の非超伝導層と、 （ｄ）上記非超伝導層上の第２の高温超伝導層とを備
    え、 上記積層構造体は、第１平面セグメントと、第２平面セ
    グメントと、これら２つの平面セグメントをせいぜい約
    ４５°の角度で接続する傾斜セグメントの３つのセグメ
    ントを有し、 上記層は、３つのセグメントが実質的に均一な厚みであ
    り、上記基体は、第２平面セグメントの方が第１平面セ
    グメントより薄く、そして上記基体は、傾斜セグメント
    において厚みが一定に減少し、そして上記両超伝導層及
    び非超伝導層は、しかるべき場所に付着され、そして上
    記第１及び第２の平面セグメントの平面に実質的に直角
    な方向においてｃ軸とエピタキシャルであることを特徴
    とするジョセフソン接合。
  9. 【請求項９】 積層構造をもつジョセフソン接合におい
    て、 （ａ）せいぜい約４５°の上昇角をもつ平面傾斜セグメ
    ントを有する基体であって、この傾斜セグメントにおい
    て厚みが一定に減少するような基体と、 （ｂ）上記基体の傾斜セグメントに付着された実質的に
    均一厚みの第１の超伝導層と、 （ｃ）上記第１の超伝導層に付着された実質的に均一厚
    みの非超伝導層と、 （ｄ）上記非超伝導層に付着された実質的に均一厚みの
    第２の超伝導層とを備え、 上記両超伝導層及び非超伝導層は、しかるべき場所に付
    着され、そして上記基体の傾斜セグメントの平面の法線
    に対して約３０°の方向においてｃ軸とエピタキシャル
    であることを特徴とするジョセフソン接合。
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