JPH0548166A - 弱結合形ジヨセフソン接合素子の製造方法 - Google Patents
弱結合形ジヨセフソン接合素子の製造方法Info
- Publication number
- JPH0548166A JPH0548166A JP3223311A JP22331191A JPH0548166A JP H0548166 A JPH0548166 A JP H0548166A JP 3223311 A JP3223311 A JP 3223311A JP 22331191 A JP22331191 A JP 22331191A JP H0548166 A JPH0548166 A JP H0548166A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- superconductor
- superconducting layer
- weak
- superconducting
- oxide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 この発明の目的は、弱結合形ジョセフソン素
子において、素子インピーダンスを向上させた素子を再
現性よく製造する方法を提供することにある。 【構成】 この発明は、基板上１に酸化物超電導体を構
成する一部元素または、その酸化物からなる非超電導層
２を選択的に設ける。この非超電導層２に酸化物超電導
体３を積層形成した後、熱処理を施すことにより、非超
電導層２と超電導体２間を相互拡散させて超電導体３に
弱結合部分を形成する。
子において、素子インピーダンスを向上させた素子を再
現性よく製造する方法を提供することにある。 【構成】 この発明は、基板上１に酸化物超電導体を構
成する一部元素または、その酸化物からなる非超電導層
２を選択的に設ける。この非超電導層２に酸化物超電導
体３を積層形成した後、熱処理を施すことにより、非超
電導層２と超電導体２間を相互拡散させて超電導体３に
弱結合部分を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、超電導体に部分的に
形成される弱結合を利用したジョセフソン素子の製造方
法に関する。
形成される弱結合を利用したジョセフソン素子の製造方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】超電導体特有の現象であるジョセフソン
効果や準粒子トンネル効果を利用した超電導電磁波セン
サや超電導電磁波ミキサは早くから研究がなされてい
る。特にジョセフソン素子の研究においては、超電導体
／絶縁体／超電導体の積層構造を持つ、いわゆるＳＩＳ
接合素子が中心になり、超電導ミキサの研究もＳＩＳ準
粒子ミキサに関するものが中心となっている（特公昭６
０ー３７９７号公報、特開昭６１ー７３５９１号公
報）。
効果や準粒子トンネル効果を利用した超電導電磁波セン
サや超電導電磁波ミキサは早くから研究がなされてい
る。特にジョセフソン素子の研究においては、超電導体
／絶縁体／超電導体の積層構造を持つ、いわゆるＳＩＳ
接合素子が中心になり、超電導ミキサの研究もＳＩＳ準
粒子ミキサに関するものが中心となっている（特公昭６
０ー３７９７号公報、特開昭６１ー７３５９１号公
報）。
【０００３】昨今の電気通信技術の発達に伴い通信衛星
等を利用した情報通信分野においては、より高い周波数
帯域の需要が大きく、それに伴いミリ波、サブミリ波帯
における受信機、すなわち超電導体／絶縁体／超電導体
の積層構造のものに比べ、キャパシタンスが極めて低い
ため、高周波応答に優れるジョセフソンミキサの重要性
が見直されてきている。
等を利用した情報通信分野においては、より高い周波数
帯域の需要が大きく、それに伴いミリ波、サブミリ波帯
における受信機、すなわち超電導体／絶縁体／超電導体
の積層構造のものに比べ、キャパシタンスが極めて低い
ため、高周波応答に優れるジョセフソンミキサの重要性
が見直されてきている。
【０００４】従来、Ｎｂ等の金属系超電導体において作
成されたジセフソンミキサは実験室レベルにおいては、
点接触型の素子でその特性が得られている。しかし、点
接触型素子の欠点である接触部における表面酸化、ヒー
トサイクルにおける特性の劣化、再現性が得られない等
の問題からその実用化が難しい。また、高温酸化物超電
導体を用いるものとしても、ＧｄーＢａーＣｕーＯ系
（臨界温度Ｔｃ≒９０Ｋ）を用いて点接触素子を作製す
るものが提案されている（Ｈ．Ｋ．Ｏｌｓｓｏｎｅｔ．
ａｌ；Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．６２（１２）．１９８
７）。しかし、この提案のものは、接触部の表面劣化に
より臨界温度Ｔｃは５１Ｋと低くなり、またミキシング
中間周波出力も３０Ｋで１０ｄＢの低下（４．２Ｋを基
準）となり、更に点接触構造自身に由来する欠点を持
つ。
成されたジセフソンミキサは実験室レベルにおいては、
点接触型の素子でその特性が得られている。しかし、点
接触型素子の欠点である接触部における表面酸化、ヒー
トサイクルにおける特性の劣化、再現性が得られない等
の問題からその実用化が難しい。また、高温酸化物超電
導体を用いるものとしても、ＧｄーＢａーＣｕーＯ系
（臨界温度Ｔｃ≒９０Ｋ）を用いて点接触素子を作製す
るものが提案されている（Ｈ．Ｋ．Ｏｌｓｓｏｎｅｔ．
ａｌ；Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．６２（１２）．１９８
７）。しかし、この提案のものは、接触部の表面劣化に
より臨界温度Ｔｃは５１Ｋと低くなり、またミキシング
中間周波出力も３０Ｋで１０ｄＢの低下（４．２Ｋを基
準）となり、更に点接触構造自身に由来する欠点を持
つ。
【０００５】一方、これらの問題点が比較的少ないマイ
クロブリッジ型に代表される弱結合形ジョセフソン素子
に関しては、Ｎｂ系においてその素子抵抗が０．１Ω以
下と低いため、素子を複数個直列接続したチップなどを
作製するものが提案されている（Ｚ．Ｗａｎｇ ｅｔ．
ａｔ；Ｅｌｅｃ．Ｃｏｎｆ．，ＩＳＥＣ’８９ｄｉｇｅ
ｓｔ．Ｐ．１７５，１９８９）。しかし、この提案のも
のは、検出マイクロ波の波長と検出素子面積（チップ面
積）、接続素子個々の特性の均一性及び動作安定性等の
点で作成が容易ではなく、再現性も低い。又、高温酸化
物超電導体を用いるものにおいてもマイクロブリッジを
薄膜型で作成するものが提案されている（Ｔ．Ｍａｔｓ
ｕｉ ｅｔ．ａｌ；２ｎｄ Ｗｏｒｋｓｈｏｐ ｏｎＨ
ｉｇｈ−Ｔｃ ＦＥＤ，Ｐ．２３５，１９８９）。しか
し、この提案のものではジョセフソン効果によるシャピ
ロ（定電圧）ステップが確認されているが、ジョセフソ
ンミキシングが確認されておらず、又作成の再現性も報
告されていない。
クロブリッジ型に代表される弱結合形ジョセフソン素子
に関しては、Ｎｂ系においてその素子抵抗が０．１Ω以
下と低いため、素子を複数個直列接続したチップなどを
作製するものが提案されている（Ｚ．Ｗａｎｇ ｅｔ．
ａｔ；Ｅｌｅｃ．Ｃｏｎｆ．，ＩＳＥＣ’８９ｄｉｇｅ
ｓｔ．Ｐ．１７５，１９８９）。しかし、この提案のも
のは、検出マイクロ波の波長と検出素子面積（チップ面
積）、接続素子個々の特性の均一性及び動作安定性等の
点で作成が容易ではなく、再現性も低い。又、高温酸化
物超電導体を用いるものにおいてもマイクロブリッジを
薄膜型で作成するものが提案されている（Ｔ．Ｍａｔｓ
ｕｉ ｅｔ．ａｌ；２ｎｄ Ｗｏｒｋｓｈｏｐ ｏｎＨ
ｉｇｈ−Ｔｃ ＦＥＤ，Ｐ．２３５，１９８９）。しか
し、この提案のものではジョセフソン効果によるシャピ
ロ（定電圧）ステップが確認されているが、ジョセフソ
ンミキシングが確認されておらず、又作成の再現性も報
告されていない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、点接触
型素子が有する問題点が比較的少ない弱結合型素子にお
いても、高温酸化物超電導体によりマイクロブリッジを
形成するものにおいては、高温酸化物超電導体を構成す
る粒子の大きさが不均一で各粒界ジョセフソン接合がコ
ヒーレントに動作しなかったり、ブリッジが大きすぎた
りすると、ジョセフソン電流以外の電流が流れ、また並
列の粒界接合因子等の影響のため、電磁波検出やミキシ
ングの際に、ジョセフソン効果が再現性良く現れず、ジ
ョセフソン効果による高周波応答及び高感度という本来
の能力が発揮されない。また、素子インピーダンスが
０．１Ω以下であり、電磁波とのインピーダンス整合が
悪く、十分に電磁波が吸収されず実用的ではない。
型素子が有する問題点が比較的少ない弱結合型素子にお
いても、高温酸化物超電導体によりマイクロブリッジを
形成するものにおいては、高温酸化物超電導体を構成す
る粒子の大きさが不均一で各粒界ジョセフソン接合がコ
ヒーレントに動作しなかったり、ブリッジが大きすぎた
りすると、ジョセフソン電流以外の電流が流れ、また並
列の粒界接合因子等の影響のため、電磁波検出やミキシ
ングの際に、ジョセフソン効果が再現性良く現れず、ジ
ョセフソン効果による高周波応答及び高感度という本来
の能力が発揮されない。また、素子インピーダンスが
０．１Ω以下であり、電磁波とのインピーダンス整合が
悪く、十分に電磁波が吸収されず実用的ではない。
【０００７】この発明は上述した従来の問題点に鑑み、
弱結合形ジョセフソン素子において、素子インピーダン
スを向上させた素子を再現性よく製造する方法を提供す
ることを課題とする。
弱結合形ジョセフソン素子において、素子インピーダン
スを向上させた素子を再現性よく製造する方法を提供す
ることを課題とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明の弱結合形ジョ
セフソン接合素子の製造方法は、基板上に酸化物超電導
体を構成する一部元素または、その酸化物からなる非超
電導層を選択的に設け、この非超電導層に酸化物超電導
体を積層形成した後、熱処理を施すことにより、非超電
層と超電導体間を相互拡散させて超電導体に弱結合部分
を形成することを特徴とする。
セフソン接合素子の製造方法は、基板上に酸化物超電導
体を構成する一部元素または、その酸化物からなる非超
電導層を選択的に設け、この非超電導層に酸化物超電導
体を積層形成した後、熱処理を施すことにより、非超電
層と超電導体間を相互拡散させて超電導体に弱結合部分
を形成することを特徴とする。
【０００９】また、この発明の弱結合形ジョセフソン接
合素子の製造方法は、基板上に酸化物超電導体層を形成
すると共に、弱結合を形成する箇所の前記酸化物超電導
体層に、酸化物超電導体を構成する一部元素または、そ
の酸化物からなる非超電導層を設けた後、これらに熱処
理を施すことにより、非超電導層と超電導層間を相互拡
散させて超電導体に弱結合部分を形成することを特徴と
する。
合素子の製造方法は、基板上に酸化物超電導体層を形成
すると共に、弱結合を形成する箇所の前記酸化物超電導
体層に、酸化物超電導体を構成する一部元素または、そ
の酸化物からなる非超電導層を設けた後、これらに熱処
理を施すことにより、非超電導層と超電導層間を相互拡
散させて超電導体に弱結合部分を形成することを特徴と
する。
【００１０】
【作用】この発明によれば、非超電導層の物質の種類、
形状及び相互拡散のための熱処理条件を制御することに
より、素子インピーダンス（Ｒｎ）を向上させることが
できる。
形状及び相互拡散のための熱処理条件を制御することに
より、素子インピーダンス（Ｒｎ）を向上させることが
できる。
【００１１】
【実施例】この発明の実施例を図面に従い説明する。
尚、この実施例では超電導体として、Ｙ1Ｂａ2Ｃｕ3Ｏx
系の酸化物超電導体を使用した。
尚、この実施例では超電導体として、Ｙ1Ｂａ2Ｃｕ3Ｏx
系の酸化物超電導体を使用した。
【００１２】図１及び図２は、この発明による弱結合形
ジョセフソン接合素子の製造方法の第１の実施例におけ
る各工程を示す断面図。図３は、この発明による弱結合
形ジョセフソン接合素子を用いた電磁波検出素子の斜視
図である。
ジョセフソン接合素子の製造方法の第１の実施例におけ
る各工程を示す断面図。図３は、この発明による弱結合
形ジョセフソン接合素子を用いた電磁波検出素子の斜視
図である。
【００１３】図１に示すように、ＭｇＯ等の絶縁性単結
晶基板１に、酸化物超電導体を構成する一部の元素又は
その酸化物、例えば、ＣｕＯ、ＢａＣｕＯ、Ｙ0.5Ｂａ2
Ｃｕ3Ｏx等からなる非超電導層２を選択的に形成する。
晶基板１に、酸化物超電導体を構成する一部の元素又は
その酸化物、例えば、ＣｕＯ、ＢａＣｕＯ、Ｙ0.5Ｂａ2
Ｃｕ3Ｏx等からなる非超電導層２を選択的に形成する。
【００１４】この非超電導層２は電磁波検出素子として
のブリッジ部分に相当する箇所にイオンビームスパッタ
リングにより設けられる。
のブリッジ部分に相当する箇所にイオンビームスパッタ
リングにより設けられる。
【００１５】そして、この非超電物層３を含んで基板１
上イオンビームスパッタリングによって、Ｙ1Ｂａ2Ｃｕ
3Ｏxの超電導薄膜３をマスクプロセスによってブリッジ
形状に成膜する。この図３に示すように、ブリッジ部３
０の下方に非超電物層が位置するように夫々形成され
る。
上イオンビームスパッタリングによって、Ｙ1Ｂａ2Ｃｕ
3Ｏxの超電導薄膜３をマスクプロセスによってブリッジ
形状に成膜する。この図３に示すように、ブリッジ部３
０の下方に非超電物層が位置するように夫々形成され
る。
【００１６】尚、この実施例において、ブリッジ部３０
の形状は幅１０μｍ、長さ３０μｍ、厚さ１μｍであ
る。また、非超電物層２の形状は幅１０μｍ、長さ１０
ｎｍ、厚さ０．５μｍである。
の形状は幅１０μｍ、長さ３０μｍ、厚さ１μｍであ
る。また、非超電物層２の形状は幅１０μｍ、長さ１０
ｎｍ、厚さ０．５μｍである。
【００１７】そして、この非超電物層２はブリッジ部３
０の中央部に設けられる。尚、図３において、４は電極
を示す。
０の中央部に設けられる。尚、図３において、４は電極
を示す。
【００１８】続いて、９００℃程度の温度で酸素ガス
（Ｏ2）を１．５リットル／分流して２〜３時間熱処理
を施す。この熱処理により、図２に示すように、超電導
薄膜３と非超電導層２との間で相互拡散が行なわれ、ブ
リッジ部３０に弱結合が形成される。
（Ｏ2）を１．５リットル／分流して２〜３時間熱処理
を施す。この熱処理により、図２に示すように、超電導
薄膜３と非超電導層２との間で相互拡散が行なわれ、ブ
リッジ部３０に弱結合が形成される。
【００１９】この発明においては、非超電導層２の物質
の種類、形状、熱処理条件を制御することにより、Ｉ
ｃ、Ｒｎなど種々の特性を有する弱結合形ジョセフソン
接合素子を提供することができる。
の種類、形状、熱処理条件を制御することにより、Ｉ
ｃ、Ｒｎなど種々の特性を有する弱結合形ジョセフソン
接合素子を提供することができる。
【００２０】図４及び図５は、この発明による弱結合形
ジョセフソン接合素子の製造方法の第２の実施例におけ
る各工程を示す断面図である。この第２の実施例におい
ては、図４に示すように、ＭｇＯの絶縁性基板１上にイ
オンビームスパッタリングによって、Ｙ1Ｂａ2Ｃｕ3Ｏx
の超電導薄膜３をマスクプロセスにてブリッジ形状に成
膜する。
ジョセフソン接合素子の製造方法の第２の実施例におけ
る各工程を示す断面図である。この第２の実施例におい
ては、図４に示すように、ＭｇＯの絶縁性基板１上にイ
オンビームスパッタリングによって、Ｙ1Ｂａ2Ｃｕ3Ｏx
の超電導薄膜３をマスクプロセスにてブリッジ形状に成
膜する。
【００２１】続いて、この超電導薄膜３のブリッジ部３
０にＣｕＯ、ＢａＣｕＯ、Ｙ0.5Ｂａ2Ｃｕ3Ｏx等の非超
電導層２を形成する。
０にＣｕＯ、ＢａＣｕＯ、Ｙ0.5Ｂａ2Ｃｕ3Ｏx等の非超
電導層２を形成する。
【００２２】そして、第１の実施例に同様に熱処理を施
して、図５に示すように、非超電層２と超電導薄膜３と
の間で相互拡散を行いブリッジ部に弱結合を形成する。
して、図５に示すように、非超電層２と超電導薄膜３と
の間で相互拡散を行いブリッジ部に弱結合を形成する。
【００２３】尚、この第２の実施例においては、熱処理
時に非超電導層の物質の蒸発等により、弱結合部のＲｎ
が第１の実施例のものより低くなる。
時に非超電導層の物質の蒸発等により、弱結合部のＲｎ
が第１の実施例のものより低くなる。
【００２４】次に、前述したブリッジ部３０の寸法形状
の超電導薄膜３を形成し、第１及び第２の実施例により
弱結合部を作成し、また比較のために非超電層２を設け
ずに、同じ形状の超電導薄膜３のみの比較例を作成し、
夫々のＲｎを測定した。
の超電導薄膜３を形成し、第１及び第２の実施例により
弱結合部を作成し、また比較のために非超電層２を設け
ずに、同じ形状の超電導薄膜３のみの比較例を作成し、
夫々のＲｎを測定した。
【００２５】超電導薄膜３としてはＹ1Ｂａ2Ｃｕ3Ｏxを
成膜し、熱処理は９２０℃で３時間酸素ガスフロー
（１．５リットル／分）中で行なった。
成膜し、熱処理は９２０℃で３時間酸素ガスフロー
（１．５リットル／分）中で行なった。
【００２６】非超電導層としては、ＣｕＯ、ＢａＣｕ
Ｏ、Ｙ0.5Ｂａ2Ｃｕ3Ｏxの３種類を用いた。これら物質
はいずれも単体としては強いｐ形半導体又は絶縁体特性
を示す。
Ｏ、Ｙ0.5Ｂａ2Ｃｕ3Ｏxの３種類を用いた。これら物質
はいずれも単体としては強いｐ形半導体又は絶縁体特性
を示す。
【００２７】表１は、上記各サンプルを５０Ｋにおける
Ｉ−Ｖ特性により測定した結果である。
Ｉ−Ｖ特性により測定した結果である。
【００２８】
【表１】
【００２９】表１より、非超電層２を有さない比較例に
比し、この発明の実施例のものでは、１桁以上のＲｎの
向上が見られる。
比し、この発明の実施例のものでは、１桁以上のＲｎの
向上が見られる。
【００３０】また、全てのサンプルにおいて、５０Ｋで
１０ＧＨｚの電磁波の照射に対し、ジョセフソン接合に
特徴的なシャピロ（定電圧）ステップが観測され、ジョ
セフソン接合素子として動作していることを確認した。
１０ＧＨｚの電磁波の照射に対し、ジョセフソン接合に
特徴的なシャピロ（定電圧）ステップが観測され、ジョ
セフソン接合素子として動作していることを確認した。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれば
電磁波検出素子として用いた場合ブリッジ部分の超電導
特性を示す断面積の減少及び粒界への非超電導物質の拡
散により、大幅にＲｎを向上させることができる。
電磁波検出素子として用いた場合ブリッジ部分の超電導
特性を示す断面積の減少及び粒界への非超電導物質の拡
散により、大幅にＲｎを向上させることができる。
【図１】この発明の第１の実施例を示す断面図である。
【図２】この発明の第１の実施例を示す断面図である。
【図３】この発明による弱結合形ジョセフソン接合素子
を用いた電磁波検出素子の斜視図である。
を用いた電磁波検出素子の斜視図である。
【図４】この発明の第２の実施例を示す断面図である。
【図５】この発明の第２の実施例を示す断面図である。
１ 基板 ２ 非超電導層 ３ 超電導薄膜
Claims (2)
- 【請求項１】 基板上に酸化物超電導体を構成する一部
元素または、その酸化物からなる非超電導層を選択的に
設け、この非超電導層に酸化物超電導体を積層形成した
後、熱処理を施すことにより、非超電層と超電導体間を
相互拡散させて超電導体に弱結合部分を形成することを
特徴とする弱結合形ジョセフソン接合素子の製造方法。 - 【請求項２】 基板上に酸化物超電導体層を形成すると
共に、弱結合を形成する箇所の前記酸化物超電導体層上
に、酸化物超電導体を構成する一部元素または、その酸
化物からなる非超電導層を設けた後、これらに熱処理を
施すことにより、非超電導層と超電導層間を相互拡散さ
せて超電導体に弱結合部分を形成することを特徴とする
弱結合形ジョセフソン接合素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3223311A JPH0548166A (ja) | 1991-08-08 | 1991-08-08 | 弱結合形ジヨセフソン接合素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3223311A JPH0548166A (ja) | 1991-08-08 | 1991-08-08 | 弱結合形ジヨセフソン接合素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0548166A true JPH0548166A (ja) | 1993-02-26 |
Family
ID=16796164
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3223311A Pending JPH0548166A (ja) | 1991-08-08 | 1991-08-08 | 弱結合形ジヨセフソン接合素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0548166A (ja) |
-
1991
- 1991-08-08 JP JP3223311A patent/JPH0548166A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR910002311B1 (ko) | 초전도 디바이스 | |
| JPH0582845A (ja) | 段付きエツジ間のＳＮＳ接合を用いる高Ｔｃマイクロブリツジ超電導体装置 | |
| JP3278638B2 (ja) | 高温超伝導ジョセフソン接合およびその製造方法 | |
| JP2963614B2 (ja) | 酸化物超電導体接合素子の製造方法 | |
| RU2598405C1 (ru) | Сверхпроводниковый джозефсоновский прибор с композитной магнитоактивной прослойкой | |
| Wire et al. | Proximity-coupled weak links in YBCO films | |
| JPH07235700A (ja) | 超伝導超格子結晶デバイス | |
| JPH0548166A (ja) | 弱結合形ジヨセフソン接合素子の製造方法 | |
| JPH0714079B2 (ja) | 酸化物超電導三端子素子 | |
| JP3379533B2 (ja) | 超電導デバイスの製造方法 | |
| JPH0272685A (ja) | 超伝導弱結合部の形成方法 | |
| JP2679610B2 (ja) | 超電導素子の製造方法 | |
| JP2768276B2 (ja) | 酸化物超電導接合素子 | |
| JP2955407B2 (ja) | 超電導素子 | |
| JP3301090B2 (ja) | 非線形超伝導素子 | |
| JP3076503B2 (ja) | 超電導素子およびその製造方法 | |
| Kohjiro et al. | Fabrication of niobium-carbonitride Josephson junctions on magnesium-oxide substrates using chemical-mechanical polishing | |
| Martens et al. | Superconducting electronics in the Tl Ca Ba Cu O System | |
| JP3085492B2 (ja) | マイクロブリッジ型ジョセフソン素子及び積層型ジョセフソン素子 | |
| JPH0669555A (ja) | ジョセフソン接合素子 | |
| JP3570418B2 (ja) | 超伝導デバイス | |
| Rosenthal | TJSAF, AFM&— | |
| JPH03171685A (ja) | 超電導素子 | |
| JPH1126822A (ja) | 高温超伝導ジョセフソン素子およびその製造方法 | |
| Maezawa et al. | An Nb-based waveguide SIS distributed mixer employing coplanar inductor loaded microstrip transformer for the 800 GHz frequency band |