JPH04317360A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- JPH04317360A JPH04317360A JP11240591A JP11240591A JPH04317360A JP H04317360 A JPH04317360 A JP H04317360A JP 11240591 A JP11240591 A JP 11240591A JP 11240591 A JP11240591 A JP 11240591A JP H04317360 A JPH04317360 A JP H04317360A
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- 239000011347 resin Substances 0.000 title claims abstract description 48
- 229920005989 resin Polymers 0.000 title claims abstract description 48
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 32
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 abstract description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 5
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
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-
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、樹脂封止型半導体装置
、特にダイパッド上に半導体チップをボンディングし、
該半導体チップの電極とそれに対応とするリードとの間
を電気的に接続し、該半導体チップを樹脂封止した樹脂
封止型半導体装置に関する。
、特にダイパッド上に半導体チップをボンディングし、
該半導体チップの電極とそれに対応とするリードとの間
を電気的に接続し、該半導体チップを樹脂封止した樹脂
封止型半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】樹脂封止型半導体装置は、一般に、ダイ
パッド上に半導体チップをボンディングし、半導体チッ
プの電極とそれに対応とするリードとの間をコネクトワ
イヤを介して接続し、該半導体チップを樹脂封止してな
り、図６に示すように半導体チップの全周囲が封止樹脂
により覆われた構造を有していた。同図において、ａは
半導体チップ、ｂは半導体チップａを支持するダイパッ
ド、ｃ、ｃはリード、ｄは該リードｃと半導体チップａ
の電極パッドとの間を接続するワイヤ、ｅは封止樹脂で
ある。
パッド上に半導体チップをボンディングし、半導体チッ
プの電極とそれに対応とするリードとの間をコネクトワ
イヤを介して接続し、該半導体チップを樹脂封止してな
り、図６に示すように半導体チップの全周囲が封止樹脂
により覆われた構造を有していた。同図において、ａは
半導体チップ、ｂは半導体チップａを支持するダイパッ
ド、ｃ、ｃはリード、ｄは該リードｃと半導体チップａ
の電極パッドとの間を接続するワイヤ、ｅは封止樹脂で
ある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、図６に示す
ような従来の樹脂封止型半導体装置には次のような問題
点があった。第１に半導体チップａの全周囲が封止樹脂
ｅによって覆われているので、半導体チップａで発生し
た熱の放散性が悪いという問題があった。特に、半導体
チップ、樹脂封止型半導体装置全体の小型化、薄型化が
進むに従って動作中に半導体チップが昇温し、内部の集
積回路が正常に動作しないということが起き易くなって
いる。
ような従来の樹脂封止型半導体装置には次のような問題
点があった。第１に半導体チップａの全周囲が封止樹脂
ｅによって覆われているので、半導体チップａで発生し
た熱の放散性が悪いという問題があった。特に、半導体
チップ、樹脂封止型半導体装置全体の小型化、薄型化が
進むに従って動作中に半導体チップが昇温し、内部の集
積回路が正常に動作しないということが起き易くなって
いる。
【０００４】第２に、半導体チップａの全周囲が封止樹
脂ｅによって覆われ、従ってダイパッドｂの裏面側にも
封止樹脂ｅが存在しているので、樹脂パッケージを薄く
することに限界があった。これは樹脂封止型半導体装置
の薄型化が強く要求される昨今において看過できない問
題点である。第３に、完成した樹脂封止型半導体装置を
回路基板に実装すべく半田リフローするときに、ダイパ
ッドｂ下の封止樹脂ｅに亀裂が生じるという問題があっ
た。この問題について詳しく説明すると次のとおりであ
る。即ち、半導体チップａを封止する封止樹脂ｅは、ダ
イパッドｂとの接着力が弱く、樹脂に吸湿された水分が
ダイパッドｂ裏面に貯り易い。そして、半田リフローす
ると、それによる急激な温度上昇によって樹脂中の水分
が気化し、そのときの圧力、即ち水蒸気圧により亀裂が
生じることがある。そのため、半導体装置の裏面にダイ
パッド裏面に達する貫通孔を形成して水蒸気圧を積極的
に逃すことも試みられたが、充分な亀裂防止効果は得ら
れていないのが実状である。
脂ｅによって覆われ、従ってダイパッドｂの裏面側にも
封止樹脂ｅが存在しているので、樹脂パッケージを薄く
することに限界があった。これは樹脂封止型半導体装置
の薄型化が強く要求される昨今において看過できない問
題点である。第３に、完成した樹脂封止型半導体装置を
回路基板に実装すべく半田リフローするときに、ダイパ
ッドｂ下の封止樹脂ｅに亀裂が生じるという問題があっ
た。この問題について詳しく説明すると次のとおりであ
る。即ち、半導体チップａを封止する封止樹脂ｅは、ダ
イパッドｂとの接着力が弱く、樹脂に吸湿された水分が
ダイパッドｂ裏面に貯り易い。そして、半田リフローす
ると、それによる急激な温度上昇によって樹脂中の水分
が気化し、そのときの圧力、即ち水蒸気圧により亀裂が
生じることがある。そのため、半導体装置の裏面にダイ
パッド裏面に達する貫通孔を形成して水蒸気圧を積極的
に逃すことも試みられたが、充分な亀裂防止効果は得ら
れていないのが実状である。
【０００５】本発明はこのような問題点を解決すべく為
されたものであり、一つの目的は樹脂封止型半導体装置
の放熱性を高めることにあり、他の目的は樹脂封止型半
導体装置の薄型化を図ることにあり、更に他の目的は実
装のためのリフロー処理時に封止樹脂に亀裂が入る虞れ
をなくすことにある。
されたものであり、一つの目的は樹脂封止型半導体装置
の放熱性を高めることにあり、他の目的は樹脂封止型半
導体装置の薄型化を図ることにあり、更に他の目的は実
装のためのリフロー処理時に封止樹脂に亀裂が入る虞れ
をなくすことにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明樹脂封止型半導体
装置は、封止樹脂の裏面をダイパッドの反半導体チップ
側の面と略同一平面上に位置させて該ダイパッドの反半
導体チップ側の面を露出させてなることを特徴とする。
装置は、封止樹脂の裏面をダイパッドの反半導体チップ
側の面と略同一平面上に位置させて該ダイパッドの反半
導体チップ側の面を露出させてなることを特徴とする。
【０００７】
【実施例】以下、本発明樹脂封止型半導体装置を図示実
施例に従って詳細に説明する。図１乃至図３は本発明樹
脂封止型半導体装置の一つの実施例を示すもので、図１
は断面図［図２（Ａ）の１−１線視断面図］、図２（Ａ
）、（Ｂ）は樹脂封止型半導体装置を異なる向きにして
視た斜視図で、（Ａ）は樹脂封止型半導体装置を下向き
にして斜め上から視たもの、（Ｂ）は樹脂封止型半導体
装置を上向きにして斜め上から視たもの、図３は図２（
Ａ）の３−３線視断面図である。
施例に従って詳細に説明する。図１乃至図３は本発明樹
脂封止型半導体装置の一つの実施例を示すもので、図１
は断面図［図２（Ａ）の１−１線視断面図］、図２（Ａ
）、（Ｂ）は樹脂封止型半導体装置を異なる向きにして
視た斜視図で、（Ａ）は樹脂封止型半導体装置を下向き
にして斜め上から視たもの、（Ｂ）は樹脂封止型半導体
装置を上向きにして斜め上から視たもの、図３は図２（
Ａ）の３−３線視断面図である。
【０００８】図面において、１は半導体チップ、２は該
半導体チップ１がダイボンディングされたダイパッド、
３、３、…はリード、４、４、…はダイパッド２の電極
パッドとそれに対応するリード３、３、…との間を接続
するワイヤ、５は半導体チップ１を封止する封止樹脂で
ある。
半導体チップ１がダイボンディングされたダイパッド、
３、３、…はリード、４、４、…はダイパッド２の電極
パッドとそれに対応するリード３、３、…との間を接続
するワイヤ、５は半導体チップ１を封止する封止樹脂で
ある。
【０００９】上記封止樹脂５はその裏面５ａがダイパッ
ド２の裏面２ａと同一平面上に位置するように形成され
ており、従って、ダイパッド２の裏面２ａは樹脂５で覆
われておらず、外部に露出している。６、６、６、６は
封止樹脂５に生じた孔であり、樹脂封止時にダイパッド
２を上型の押えピン（ガイドピン）で押えていたために
そのピンの部分に生じたものである。
ド２の裏面２ａと同一平面上に位置するように形成され
ており、従って、ダイパッド２の裏面２ａは樹脂５で覆
われておらず、外部に露出している。６、６、６、６は
封止樹脂５に生じた孔であり、樹脂封止時にダイパッド
２を上型の押えピン（ガイドピン）で押えていたために
そのピンの部分に生じたものである。
【００１０】即ち、本発明においては、封止樹脂５の裏
面５ａとダイパッド２の裏面２ａとを同一平面上に位置
させ該裏面２ａが露出するようにすることが不可欠であ
り、そのためには樹脂封止時にダイパッド２の裏面２ａ
と金型（下型）との間に隙間ができないようにダイパッ
ド２を金型（下型）に押えておくことが必要である。さ
もないと、その隙間に樹脂が入り込んでしまい、ダイパ
ッド２の裏面２ａが樹脂で覆われてしまうことになるか
らである。そこで、半導体チップ１の外側においてダイ
パッド２のサポートバーを上型の押えピンによって押え
ることによりダイパッド２を金型（下型）に押しつけ、
その状態で樹脂封止するのであるが、その押えピンの部
分が樹脂の埋まらない孔６となる。７、７、７、７はダ
イパッド２のサポートバーの付け根部分である。
面５ａとダイパッド２の裏面２ａとを同一平面上に位置
させ該裏面２ａが露出するようにすることが不可欠であ
り、そのためには樹脂封止時にダイパッド２の裏面２ａ
と金型（下型）との間に隙間ができないようにダイパッ
ド２を金型（下型）に押えておくことが必要である。さ
もないと、その隙間に樹脂が入り込んでしまい、ダイパ
ッド２の裏面２ａが樹脂で覆われてしまうことになるか
らである。そこで、半導体チップ１の外側においてダイ
パッド２のサポートバーを上型の押えピンによって押え
ることによりダイパッド２を金型（下型）に押しつけ、
その状態で樹脂封止するのであるが、その押えピンの部
分が樹脂の埋まらない孔６となる。７、７、７、７はダ
イパッド２のサポートバーの付け根部分である。
【００１１】図４は図１乃至図３に示す樹脂封止型半導
体装置の製造に用いたリードフレームの平面図である。 尚、図４において、２点鎖線は半導体チップ１が配置さ
れる部分を、破線は樹脂封止される部分を示し、８、８
、８、８は樹脂封止時に押えピンにより押えられる部分
を示す。
体装置の製造に用いたリードフレームの平面図である。 尚、図４において、２点鎖線は半導体チップ１が配置さ
れる部分を、破線は樹脂封止される部分を示し、８、８
、８、８は樹脂封止時に押えピンにより押えられる部分
を示す。
【００１２】このような樹脂封止型半導体装置によれば
、ダイパッド２の裏面２ａが露出しているので半導体チ
ップ１で発生した熱はそのほとんどが直接ダイパッド２
から外部に放散され、放熱性がきわめて高くなる。そし
て、封止樹脂５の裏面５ａがダイパッド２の裏面５ａと
同一平面上に位置されている［即ち、面一（ツライチ）
にされている］ので樹脂パッケージの薄型化を図ること
ができる。
、ダイパッド２の裏面２ａが露出しているので半導体チ
ップ１で発生した熱はそのほとんどが直接ダイパッド２
から外部に放散され、放熱性がきわめて高くなる。そし
て、封止樹脂５の裏面５ａがダイパッド２の裏面５ａと
同一平面上に位置されている［即ち、面一（ツライチ）
にされている］ので樹脂パッケージの薄型化を図ること
ができる。
【００１３】また、図５に示すように樹脂封止型半導体
装置の裏面側、即ちダイパッドの露出面側を上にして回
路基板９に取り付ける場合には更に次の効果が生じる。 第１に、ダイパッド２が半導体チップ１への外部光の入
射を阻むので、寄生フォトトランジスタ、寄生フォトダ
イオードに外部光による光電流が流れ、リーク電流とな
るという虞れがなくなる。
装置の裏面側、即ちダイパッドの露出面側を上にして回
路基板９に取り付ける場合には更に次の効果が生じる。 第１に、ダイパッド２が半導体チップ１への外部光の入
射を阻むので、寄生フォトトランジスタ、寄生フォトダ
イオードに外部光による光電流が流れ、リーク電流とな
るという虞れがなくなる。
【００１４】即ち、樹脂封止型半導体装置においては封
止樹脂５が半導体チップ１への外部光の入射を阻んでい
るけれども薄型化の要請によって封止樹脂５を薄くする
と半導体チップ１への外部光の入射を阻みきれなくなる
。そして、外部光が半導体チップ１の例えば逆バイアス
を受けている接合に入射するとその接合は一種のフォト
ダイオードとなり光電流が流れることになる。これはリ
ーク電流の増大を招くので好ましくない。従って、樹脂
封止型半導体装置の薄型化を図るには半導体チップへの
外部光の入射を阻むことが必要となるのである。しかる
に、図５に示すような方法で樹脂封止型半導体装置を使
用する場合には、ダイパッド２が外部光の半導体チップ
１への入射を阻むので寄生フォトダイオード、寄生フォ
トトランジスタによるリーク電流が生じる虞れがなくな
る。
止樹脂５が半導体チップ１への外部光の入射を阻んでい
るけれども薄型化の要請によって封止樹脂５を薄くする
と半導体チップ１への外部光の入射を阻みきれなくなる
。そして、外部光が半導体チップ１の例えば逆バイアス
を受けている接合に入射するとその接合は一種のフォト
ダイオードとなり光電流が流れることになる。これはリ
ーク電流の増大を招くので好ましくない。従って、樹脂
封止型半導体装置の薄型化を図るには半導体チップへの
外部光の入射を阻むことが必要となるのである。しかる
に、図５に示すような方法で樹脂封止型半導体装置を使
用する場合には、ダイパッド２が外部光の半導体チップ
１への入射を阻むので寄生フォトダイオード、寄生フォ
トトランジスタによるリーク電流が生じる虞れがなくな
る。
【００１５】第２に、回路基板９に樹脂封止型半導体装
置を実装するための半田リフロー時に封止樹脂５の急激
な温度上昇をダイパッド２によって阻むことができ、延
いては封止樹脂５の亀裂の発生を防止することができる
。即ち、前述のとおり半田リフローは赤外線により加熱
することにより行われるが、炉に入れられた樹脂封止型
半導体装置は赤外線照射を受け始めると急激に温度上昇
する。すると、封止樹脂５の水分が蒸発し、その蒸気圧
により封止樹脂５に亀裂が生じるという問題があった。 しかるに、図５に示すような方法で使用すれば、ダイパ
ッド２が半導体チップ１の上側に位置して赤外線に対す
る反射板となるので、樹脂封止型半導体装置内部の昇温
は緩やかなものとなり、封止樹脂５に亀裂が生じにくく
なる。
置を実装するための半田リフロー時に封止樹脂５の急激
な温度上昇をダイパッド２によって阻むことができ、延
いては封止樹脂５の亀裂の発生を防止することができる
。即ち、前述のとおり半田リフローは赤外線により加熱
することにより行われるが、炉に入れられた樹脂封止型
半導体装置は赤外線照射を受け始めると急激に温度上昇
する。すると、封止樹脂５の水分が蒸発し、その蒸気圧
により封止樹脂５に亀裂が生じるという問題があった。 しかるに、図５に示すような方法で使用すれば、ダイパ
ッド２が半導体チップ１の上側に位置して赤外線に対す
る反射板となるので、樹脂封止型半導体装置内部の昇温
は緩やかなものとなり、封止樹脂５に亀裂が生じにくく
なる。
【００１６】尚、樹脂封止型半導体装置は図５に示すよ
うに使用しても良いし、あるいは普通の向きで、即ちダ
イパッドが半導体チップの下側になる向きで使用しても
良い。この普通の向きで使用した場合には、ダイパッド
２の裏面２ａと回路基板９とを接触させることによりよ
り放熱性を高めることができるという効果がある。但し
、ダイパッド２により外部光を阻むという効果は期待で
きない。
うに使用しても良いし、あるいは普通の向きで、即ちダ
イパッドが半導体チップの下側になる向きで使用しても
良い。この普通の向きで使用した場合には、ダイパッド
２の裏面２ａと回路基板９とを接触させることによりよ
り放熱性を高めることができるという効果がある。但し
、ダイパッド２により外部光を阻むという効果は期待で
きない。
【００１７】
【発明の効果】本発明樹脂封止型半導体装置は、ダイパ
ッド上に半導体チップをボンディングし、半導体チップ
の電極とそれに対応とするリードとの間を電気的に接続
し、該半導体チップを樹脂封止した樹脂封止型半導体装
置において、封止樹脂の裏面を上記ダイパッドの反半導
体チップ側の面と略同一平面上に位置させて該ダイパッ
ドの反半導体チップ側の面を露出させてなることを特徴
とするものである。従って、本発明樹脂封止型半導体装
置によれば、ダイパッドが露出しているので放熱性が良
くなり、封止樹脂の裏面がダイパッドの裏面と同一平面
なので樹脂パッケージを薄くすることができ、薄型化の
要請に応えることができる。そして、樹脂封止型半導体
装置の向きを変えることによってダイパッドにより外部
光の半導体チップ内への入射を阻むように使用すれば、
外部光により半導体チップ内部の寄生トランジスタ、寄
生フォトダイオードに光電流が流れリーク電流が増大す
るということを防止できるという効果も得られる。また
、樹脂封止型半導体装置の回路基板への実装のための半
田リフロー時に赤外線をダイパッドにより反射させて樹
脂封止型半導体装置の急激な昇温を防止し、もって封止
樹脂の亀裂の発生を防止することも出来得る。
ッド上に半導体チップをボンディングし、半導体チップ
の電極とそれに対応とするリードとの間を電気的に接続
し、該半導体チップを樹脂封止した樹脂封止型半導体装
置において、封止樹脂の裏面を上記ダイパッドの反半導
体チップ側の面と略同一平面上に位置させて該ダイパッ
ドの反半導体チップ側の面を露出させてなることを特徴
とするものである。従って、本発明樹脂封止型半導体装
置によれば、ダイパッドが露出しているので放熱性が良
くなり、封止樹脂の裏面がダイパッドの裏面と同一平面
なので樹脂パッケージを薄くすることができ、薄型化の
要請に応えることができる。そして、樹脂封止型半導体
装置の向きを変えることによってダイパッドにより外部
光の半導体チップ内への入射を阻むように使用すれば、
外部光により半導体チップ内部の寄生トランジスタ、寄
生フォトダイオードに光電流が流れリーク電流が増大す
るということを防止できるという効果も得られる。また
、樹脂封止型半導体装置の回路基板への実装のための半
田リフロー時に赤外線をダイパッドにより反射させて樹
脂封止型半導体装置の急激な昇温を防止し、もって封止
樹脂の亀裂の発生を防止することも出来得る。
【図１】本発明樹脂封止型半導体装置の一つの実施例を
示す断面図［図２（Ａ）の１−１線視断面図］である。
示す断面図［図２（Ａ）の１−１線視断面図］である。
【図２】（Ａ）、（Ｂ）は上記実施例を異なる向きにし
て視た斜視図で、（Ａ）は下向きにして斜め上から視た
もの、（Ｂ）は上向きにして斜め上から視たものである
。
て視た斜視図で、（Ａ）は下向きにして斜め上から視た
もの、（Ｂ）は上向きにして斜め上から視たものである
。
【図３】図２（Ａ）の３−３線視断面図である。
【図４】上記実施例の製造に使用するリードフレームの
平面図である。
平面図である。
【図５】図１に示す樹脂封止型半導体装置の一つの使用
例を示す断面図である。
例を示す断面図である。
【図６】従来例を示す断面図である。
１ 半導体チップ
２ ダイパッド
２ａ ダイパッドの裏面
３ リード
５ 封止樹脂
５ａ 封止樹脂の裏面
Claims (1)
- 【請求項１】 ダイパッド上に半導体チップをボンデ
ィングし、該半導体チップの電極とそれに対応とするリ
ードとの間を電気的に接続し、該半導体チップを樹脂封
止した樹脂封止型半導体装置において、封止樹脂の裏面
を上記ダイパッドの反半導体チップ側の面と略同一平面
上に位置させて該ダイパッドの反半導体チップ側の面を
露出させてなることを特徴とする樹脂封止型半導体装置
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11240591A JPH04317360A (ja) | 1991-04-16 | 1991-04-16 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11240591A JPH04317360A (ja) | 1991-04-16 | 1991-04-16 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04317360A true JPH04317360A (ja) | 1992-11-09 |
Family
ID=14585832
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11240591A Pending JPH04317360A (ja) | 1991-04-16 | 1991-04-16 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04317360A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0712159A2 (en) | 1994-11-08 | 1996-05-15 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Structure of resin molded type semiconductor |
| FR2779868A1 (fr) * | 1998-06-10 | 1999-12-17 | Sgs Thomson Microelectronics | Boitier de puissance a montage en surface |
| US6501160B1 (en) | 1999-01-29 | 2002-12-31 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device and a method of manufacturing the same and a mount structure |
-
1991
- 1991-04-16 JP JP11240591A patent/JPH04317360A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| EP0712159A2 (en) | 1994-11-08 | 1996-05-15 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Structure of resin molded type semiconductor |
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| FR2779868A1 (fr) * | 1998-06-10 | 1999-12-17 | Sgs Thomson Microelectronics | Boitier de puissance a montage en surface |
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