JPH04317214A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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Publication number
JPH04317214A
JPH04317214A JP8516791A JP8516791A JPH04317214A JP H04317214 A JPH04317214 A JP H04317214A JP 8516791 A JP8516791 A JP 8516791A JP 8516791 A JP8516791 A JP 8516791A JP H04317214 A JPH04317214 A JP H04317214A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
switch means
state
inverter
turned
output
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP8516791A
Other languages
English (en)
Inventor
Tsunehiro Koyama
恒弘 小山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP8516791A priority Critical patent/JPH04317214A/ja
Publication of JPH04317214A publication Critical patent/JPH04317214A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置に関し、
特にアナログ−ディジタル(AD)コンバータに使用さ
れるチョッパ型コンパレータに関するものである。
【0002】
【従来の技術】図5は、例えばアイ・イー・イー・イー
  ジャーナル  オブ  ソリッドステート  サー
キット  SC21巻  6号  1986年12月 
 976頁〜982頁(IEEE JOURNAL O
F SOLIDSTATE CIRCUITS, VO
L. SC−21, NO.6, DECEMBER 
1986,pp.976 〜982)に記載の従来のチ
ョッパ型コンパレータの結線図であり、比較基準電圧端
子1及び比較対象電圧端子2にそれぞれトランスミッシ
ョンゲート等からなる第1のスイッチ手段3及び第2の
スイッチ手段4の一端が接続されると共に、第1のスイ
ッチ手段3と第2のスイッチ手段4の他端が互いに接続
され、第1のスイッチ手段3の他端にコンデンサ5aを
介してインバータ6aの入力端子が接続され、インバー
タ6aの入,出力端子間に第3のスイッチ手段7aが設
けられ、これらコンデンサ5a,インバータ6a及び第
3のスイッチ手段7aからなる回路と同様にコンデンサ
5b,インバータ6b,第3のスイッチ手段7bからな
る回路が直列に接続されて主回路部8が構成されており
、さらにインバータ6bの出力端子にインバータ9の入
力端子が接続され、インバータ9の出力端子が比較出力
端子10に接続され、チョッパ型コンパレータが構成さ
れている。
【0003】このとき、各スイッチ手段3,4,7a,
7bは図外のクロック発生手段によるクロックφ,φバ
ーによって制御され、第1のスイッチ手段3及び第3の
スイッチ手段7a,7bはクロックφにより、第2のス
イッチ手段4はこれと逆位相のクロックφバーによりオ
ン,オフされる。
【0004】ところで、この種のコンパレータをCMO
Sで構成した場合、インバータ6a及び第3のスイッチ
手段7aの構成は図6に示すようになり、PチャネルM
OSトランジスタ11とNチャネルMOSトランジスタ
12が高電位電源端子13と低電位電源端子14との間
に設けられ、両MOSトランジスタ11,12のゲート
がインバータ6aの入力端子INとして互いに接続され
ると共にドレインがインバータ6aの出力端子OUTと
して互いに接続され、両MOSトランジスタ11,12
のゲートとドレインとの間に第3のスイッチ手段7aが
接続されており、インバータ6b及び第3のスイッチ手
段7bの場合も同様である。
【0005】このとき、第3のスイッチ手段7aがオン
すると、インバータ6aの入,出力端子IN,OUTは
短絡されて同電位、即ちインバータ6aのしきい値電圧
Vt となり、MOSトランジスタ11,12は導通状
態となって電源電流が常時流れることになる。
【0006】つぎに、図5に示すコンパレータの動作に
ついて説明する。
【0007】いま、クロックφにより第1のスイッチ手
段3,第3のスイッチ手段7a,7bが図7(a)に示
すようにオンすると、第2のスイッチ手段4はクロック
φバーにより図7(b)に示すようにオフ状態となり、
第1のスイッチ手段3,第3のスイッチ手段7a,7b
のオンにより基準電圧Vr が比較基準電圧端子1を通
じてコンデンサ5a,5bに供給されて充電され、オー
トバランス状態となり、図7(c),(d)にそれぞれ
示すように、コンデンサ5aの一端及び他端であるノー
ドA,Bの電位がそれぞれVr ,Vt1となる。
【0008】ここで、Vt1はインバータ6aのしきい
値電圧であり、後述するVt2, Vt3はそれぞれイ
ンバータ6b,9のしきい値電圧である。
【0009】そして、図7(e),(f)にそれぞれ示
すように、コンデンサ5bの一端及び他端であるノード
C,Dの電位はそれぞれVt1,Vt2となり、図7(
g)に示すように、インバータ6bの出力端子であるノ
ードEの電位はVt2となり、図7(h)に示すように
、比較出力端子10の電位はVt3となる。
【0010】つぎに、図7(a)に示すように、クロッ
クφにより第1のスイッチ手段3,第3のスイッチ手段
7a,7bがオフすると、図7(b)に示すように、ク
ロックφバーにより第2のスイッチ手段4がオンしてサ
ンプリング状態となり、第2のスイッチ手段4のオンに
より対象電圧Va が比較対象電圧端子2を通じてコン
デンサ5に供給され、このとき対象電圧Va が基準電
圧Vr よりも低いときには、図7(c)に示すように
、ノードAの電位がVa となり、図7(d)に示すよ
うに、ノードBの電位がローレベル(以下Lという)と
なってインバータ6aの出力がハイレベル(以下Hとい
う)となり、図7(e)に示すように、ノードCの電位
がHとなる。
【0011】さらに、図7(f)に示すように、ノード
Dの電位もHとなり、インバータ6bの出力がLとなり
、図7(g)に示すように、ノードEの電位がLとなり
、図7(h)に示すように、比較出力端子10の電位が
Hとなり、対象電圧Va が基準電圧Vr より低いと
きのコンパレータの出力はHとなり、対象電圧Va が
基準電圧Vr より高いときには、上記の動作中の電位
の高低が逆となり、コンパレータの出力はLとなる。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】従来の場合、オートバ
ランス状態においては、インバータ9を通じて大きな電
源電流が流れ、消費電力が増大し、また、オートバラン
ス状態からサンプリング状態への過渡期においては、イ
ンバータ6bとインバータ9のしきい値電圧の不整合や
、スイッチ変化時のクロックの誘導ノイズにより、図7
(g),(h)中の破線に示すように、インバータ6b
,9の出力の状態が安定せず、インバータ9の出力の電
位がしきい値電圧Vt3を横切るたびに、高電位電源と
低電位電源との間に貫通電流が流れるという問題点があ
った。
【0013】また、インバータ9の出力の不安定状態が
比較出力端子10より後段の回路に伝達されると、後段
回路の状態も不安定となり、高,低電位電源間に多大な
貫通電流が流れるという問題点もあった。
【0014】この発明は、上記のような問題点を解消す
るためになされたもので、オートバランス状態における
電源電流、消費電力の減少を図り、また、オートバラン
ス状態からサンプリング状態への過渡期においては、比
較出力端子から後段回路に安定して状態を伝達するよう
にし、ノイズの少ない半導体装置を提供できるようにす
ることを目的とする。
【0015】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体装
置は、一端がそれぞれ比較基準電圧端子及び比較対象電
圧端子に接続され他端が互いに接続された第1のスイッ
チ手段及び第2のスイッチ手段と、比較出力端子に接続
されたラッチ回路と、コンデンサ,インバータ及び該イ
ンバータの入,出力端子間に設けられた第3のスイッチ
手段からなる回路が前記第1,第2のスイッチ手段の他
端と前記ラッチ回路との間に1又は直列に2以上設けら
れてなる主回路部と、前記主回路部と前記ラッチ回路と
の間に設けられ前記第3のスイッチ手段がオフからオン
へ変化する直前に所定時間オンする第4のスイッチ手段
とを備えたことを特徴としている。
【0016】
【作用】この発明においては、第3のスイッチ手段がオ
フ(サンプリング状態)からオン(オートバランス状態
)へ変化する直前に、所定時間第4のスイッチ手段がオ
ンするため、オートバランス状態では第4のスイッチ手
段がオフしてラッチ回路はラッチ状態にあり、従来のよ
うにオートバランス状態において電源電流が流れること
がなく、消費電力の低減が図れ、オートバランス状態か
らサンプリング状態への過渡期には、比較出力端子から
後段回路に安定してラッチ回路の出力状態の伝達が行わ
れ、しかもノイズの影響が抑制される。
【0017】
【実施例】図1はこの発明に係る半導体装置の一実施例
の結線図である。
【0018】図1において、図5と同一符号は同一また
は相当部分を示しており、図5と相違するのは、インバ
ータ9に代えてインバータ15,16からなるラッチ回
路17の出力端子を比較出力端子10に接続し、インバ
ータ6aの出力端子とラッチ回路17の入力端子との間
に、トランスミッションゲート等からなり第3のスイッ
チ手段7a,7bがオフからオンへ変化する直前に所定
時間オンする第4のスイッチ手段18を設けたことであ
る。
【0019】このとき、第4のスイッチ手段18がオン
する時間はラッチ回路17に比較結果であるインバータ
6bの出力を伝達するのに十分な時間に設定される。
【0020】ところで、このように各スイッチ手段3,
4,7a,7b,18を制御するための回路の一例とし
て、図2に示すように16進カウンタ19を用いること
が考えられ、外部又は内部の発振回路20からの発振出
力信号をカウンタ19に入力し、16分周したQ4 及
びQ4 バー出力をクロックφ,φバーとし、Q4 出
力により第1のスイッチ手段3,第3のスイッチ手段7
a,7bを制御し、Q4 バー出力により第2のスイッ
チ手段4を制御し、さらにカウンタ19のBR(ボロー
)出力により第4のスイッチ手段18を制御する。
【0021】ここで、図2に示す制御回路のタイムチャ
ートは図3に示すようになり、図2(a)に示す発振回
路20の出力に対し、カウンタ19のQ1 ,Q2 ,
Q3 ,Q4 ,BRの各出力はそれぞれ図2(b)〜
(f)に示すようになる。
【0022】つぎに、コンパレータの動作について説明
する。
【0023】いま、クロックφにより第1のスイッチ手
段3,第3のスイッチ手段7a,7bが図4(a)に示
すようにオンすると、第2のスイッチ手段4はクロック
φバーによりオフ状態となり、第1のスイッチ手段3,
第3のスイッチ手段7a,7bのオンにより基準電圧V
r が比較基準電圧端子1を通じてコンデンサ5a,5
bに供給されて充電され、オートバランス状態になり、
図5の場合と同様に、図4(c),(d),(e),(
f),(g)にそれぞれ示すように、ノードA,B,C
,D,Eの電位はそれぞれVr ,Vt1,Vt1, 
Vt2, Vt2となる。
【0024】ただし、Vt1, Vt2は、上記したよ
うにCMOS構成のインバータ6a,6bのしきい値電
圧であり、後述するVt4はインバータ15のしきい値
電圧である。
【0025】ところで、オートバランス状態では、図4
(b)に示すように、第4のスイッチ手段18はオフ状
態にあるため、図4(h)に示すように、ラッチ回路1
7の入力端子であるノードFの電位はVt4となり、図
4(i)に示すように、比較出力端子10の電位はHと
なり、ラッチ回路17はラッチ状態を保持している。
【0026】つぎに、図4(a)に示すように、クロッ
クφにより第1のスイッチ手段3,第3のスイッチ手段
7a,7bがオフすると、クロックφバーにより第2の
スイッチ手段4がオンしてサンプリング状態となり、第
2のスイッチ手段4のオンにより対象電圧Va が比較
対象電圧端子2を通じてコンデンサ5に供給され、この
とき対象電圧Va が基準電圧Vr よりも低ければ、
図4(c)〜(g)にそれぞれ示すように、ノードA〜
Eの電位はそれぞれVa ,L,H,H,Lとなる。
【0027】そして、サンプリング状態からオートバラ
ンス状態に移行する直前までは、図4(b)に示すよう
に、第4のスイッチ手段18はオフ状態にあるため、ラ
ッチ回路17はラッチ状態にあるが、図4(b)に示す
ように、クロックφ4 によって第4のスイッチ手段1
8がオンすると、オン状態の第4のスイッチ手段18を
介してノードFに比較結果であるノードEの状態が伝わ
り、このときノードEの電位がLであるため、図4(h
),(i)にそれぞれ示すように、ノードF及び比較出
力端子10の電位はそれぞれL,Hとなり、対象電圧V
a が基準電圧Vr より低いときのコンパレータの出
力はHとなり、このH出力が比較出力端子10の後段の
回路に伝達される。
【0028】一方、対象電圧Va が基準電圧Vr よ
り高いときには、上記の動作中の電位の高低が逆となり
、コンパレータの出力はLとなり、このL出力が比較出
力端子10の後段の回路に伝達される。
【0029】ところで、オートバランス状態においては
、第4のスイッチ手段18はオフしているため、ラッチ
回路17はラッチ状態にあり、電源電流は流れない。
【0030】また、インバータ6bの出力がLに安定し
たタイミングで第4のスイッチ手段18をオン,オフす
るため、ラッチ回路17のインバータ15のゲートの電
位、即ちノードFの電位が安定しており、確実にラッチ
回路17の出力状態が後段に伝達され、従来のような貫
通電流が流れることはない。
【0031】さらに、インバータ6bの出力がLになる
過渡的な状態で第4のスイッチ手段18がオンした場合
でも、第4のスイッチ手段18がオフしているときのイ
ンバータ14のゲートの電位は電源電圧と同等なレベル
で安定しており、図4(h)中の破線のように第4のス
イッチ手段18のオン時にノイズが入っても、ノイズレ
ベルがしきい値電圧に達しにくい。
【0032】従って、サンプリング状態からオートバラ
ンス状態へ変化する直前に、インバータ6bの出力をラ
ッチ回路17に伝達するのに十分な時間だけ第4のスイ
ッチ手段18をオンするようにしたため、オートバラン
ス状態における電源電流,消費電力の減少を図ることが
でき、オートバランス状態からサンプリング状態への過
渡期においては、ラッチ回路17の出力を比較結果とし
て比較出力端子10の後段回路に安定した状態で伝達す
ることができる。
【0033】また、従来のようなノイズによるインバー
タの出力の不安定を防止でき、ノイズの少ないチョッパ
型コンパレータを提供することができる。
【0034】なお、上記実施例ではコンデンサ5a,イ
ンバータ6a及び第3のスイッチ手段7aの回路と同様
の構成の回路を2段直列に接続して主回路部8を構成し
た場合について説明したが、1段又は直列に3段接続し
て主回路部8を構成してもよい。
【0035】また、各スイッチ手段3,4,7a,7b
の制御回路は、図2の構成に限定されるものではない。
【0036】
【発明の効果】以上のように、この発明の半導体装置に
よれば、第3のスイッチ手段がオフ(サンプリング状態
)からオン(オートバランス状態)へ変化する直前に、
所定時間第4のスイッチ手段がオンするため、従来のよ
うにオートバランス状態において電源電流が流れること
がなく、消費電力の低減を図ることができ、オートバラ
ンス状態からサンプリング状態への過渡期に、ラッチ回
路の出力状態を比較出力端子から後段回路に安定して伝
達することができ、ノイズの影響を防止でき、チョッパ
型コンパレータとして好適である。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の半導体装置の一実施例の結線図であ
る。
【図2】図1の一部にクロックを与える制御回路のブロ
ック構成図である。
【図3】図2の動作説明用の信号波形図である。
【図4】図1の動作説明用の信号波形図である。
【図5】従来の半導体装置の結線図である。
【図6】図5の一部の結線図である。
【図7】図5の動作説明用の信号波形図である。
【符号の説明】
1    比較基準電圧端子 2    比較対象電圧端子 3    第1のスイッチ手段 4    第2のスイッチ手段 5a,5b    コンデンサ 6a,6b    インバータ 7a,7b    第3のスイッチ手段8    主回
路部 10    比較出力端子 17    ラッチ回路 18    第4のスイッチ手段

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  一端がそれぞれ比較基準電圧端子及び
    比較対象電圧端子に接続され他端が互いに接続された第
    1のスイッチ手段及び第2のスイッチ手段と、比較出力
    端子に接続されたラッチ回路と、コンデンサ,インバー
    タ及び該インバータの入,出力端子間に設けられた第3
    のスイッチ手段からなる回路が前記第1,第2のスイッ
    チ手段の他端と前記ラッチ回路との間に1又は直列に2
    以上設けられてなる主回路部と、前記主回路部と前記ラ
    ッチ回路との間に設けられ前記第3のスイッチ手段がオ
    フからオンへ変化する直前に所定時間オンする第4のス
    イッチ手段とを備えたことを特徴とする半導体装置。
JP8516791A 1991-04-17 1991-04-17 半導体装置 Pending JPH04317214A (ja)

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JP8516791A JPH04317214A (ja) 1991-04-17 1991-04-17 半導体装置

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