JPH04314857A - スパッタリング装置用バッキングプレート - Google Patents
スパッタリング装置用バッキングプレートInfo
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- JPH04314857A JPH04314857A JP8248791A JP8248791A JPH04314857A JP H04314857 A JPH04314857 A JP H04314857A JP 8248791 A JP8248791 A JP 8248791A JP 8248791 A JP8248791 A JP 8248791A JP H04314857 A JPH04314857 A JP H04314857A
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- backing plate
- target
- magnet
- sputtering
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- Pending
Links
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 title claims description 12
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 claims description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 3
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 abstract 1
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 6
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical group [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BGPVFRJUHWVFKM-UHFFFAOYSA-N N1=C2C=CC=CC2=[N+]([O-])C1(CC1)CCC21N=C1C=CC=CC1=[N+]2[O-] Chemical compound N1=C2C=CC=CC2=[N+]([O-])C1(CC1)CCC21N=C1C=CC=CC1=[N+]2[O-] BGPVFRJUHWVFKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- GXDVEXJTVGRLNW-UHFFFAOYSA-N [Cr].[Cu] Chemical compound [Cr].[Cu] GXDVEXJTVGRLNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000788 chromium alloy Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- -1 but usually Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、スパッタリング用ター
ゲットを保持してスパッタリング装置に取付け、作動時
にターゲットを冷却する役をなすバッキングプレートに
関するものである。詳しくは、磁場効率（スパッタリン
グ効率）に優れ、変形が小さいマグネトロン型スパッタ
リング装置用のバッキングプレートに関する。
ゲットを保持してスパッタリング装置に取付け、作動時
にターゲットを冷却する役をなすバッキングプレートに
関するものである。詳しくは、磁場効率（スパッタリン
グ効率）に優れ、変形が小さいマグネトロン型スパッタ
リング装置用のバッキングプレートに関する。
【０００２】
【従来技術】スパッタリングは高真空下に、アルミ板、
高分子フィルム等の基材とスパッタリング用ターゲット
とを対向させて行われる。スパッタリング用ターゲット
としては、光磁気ディスク用の希土類金属合金や透明導
電性フィルム用の酸化インジウム−錫等のような脆い材
料が多く使用されている。
高分子フィルム等の基材とスパッタリング用ターゲット
とを対向させて行われる。スパッタリング用ターゲット
としては、光磁気ディスク用の希土類金属合金や透明導
電性フィルム用の酸化インジウム−錫等のような脆い材
料が多く使用されている。
【０００３】スパッタリング用ターゲットは、熱伝導性
のよい銅製の冷却・保持板、すなわちバッキングプレー
トにロー付け等により接着して使用されている。ターゲ
ットはスパッタリングに際し、温度が上昇するのでバッ
キングプレートのターゲット付設面の内部には冷却水用
通路が設けられ、ターゲット付設面の反対面にはマグネ
ットが設けられる。
のよい銅製の冷却・保持板、すなわちバッキングプレー
トにロー付け等により接着して使用されている。ターゲ
ットはスパッタリングに際し、温度が上昇するのでバッ
キングプレートのターゲット付設面の内部には冷却水用
通路が設けられ、ターゲット付設面の反対面にはマグネ
ットが設けられる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】近年のマグネトロン型
スパッタリング装置においては、大電力の投入によりス
パッタリング膜の生成速度が増大可能となっている。そ
れに伴ってスパッタリング用ターゲットの温度上昇も大
きくなり、効率的な冷却技術が要求されている。また、
スパッタリングさせるに必要な磁場を効率的に供給する
ことも要求されている。
スパッタリング装置においては、大電力の投入によりス
パッタリング膜の生成速度が増大可能となっている。そ
れに伴ってスパッタリング用ターゲットの温度上昇も大
きくなり、効率的な冷却技術が要求されている。また、
スパッタリングさせるに必要な磁場を効率的に供給する
ことも要求されている。
【０００５】これを解決する手段としてバッキングプレ
ートの厚みを薄くすることが試みられている。従来のバ
ッキングプレートは、熱伝導性のよい銅製の平板の一面
にターゲットを接着し、内部に冷却水の通路を設けた構
造のものである。冷却水の入口および出口は、通常ター
ゲットの付設面と反対面に開設される。また、ターゲッ
ト付設面と反対面にはマグネットが付設される。しかし
ながら、このような構造のバッキングプレートはターゲ
ット接着面が高真空下であり、マグネット付設面が通常
、大気圧下に設けられるため、バッキングプレートに変
形が起こり、ターゲットの割れ、破損、剥離等を生じる
ことがあった。
ートの厚みを薄くすることが試みられている。従来のバ
ッキングプレートは、熱伝導性のよい銅製の平板の一面
にターゲットを接着し、内部に冷却水の通路を設けた構
造のものである。冷却水の入口および出口は、通常ター
ゲットの付設面と反対面に開設される。また、ターゲッ
ト付設面と反対面にはマグネットが付設される。しかし
ながら、このような構造のバッキングプレートはターゲ
ット接着面が高真空下であり、マグネット付設面が通常
、大気圧下に設けられるため、バッキングプレートに変
形が起こり、ターゲットの割れ、破損、剥離等を生じる
ことがあった。
【０００６】これを防ぐ目的でバッキングプレートを厚
くするとマグネットとターゲットとの間隔が広くなり、
ターゲットに強い磁場を与えることが困難となる問題が
あった。近年、マグネトロン型スパッタリング装置は、
生産性および磁場効率向上のため、ますます大型化され
つつあるが前記問題点が障害となっており、この改善が
強く望まれている。
くするとマグネットとターゲットとの間隔が広くなり、
ターゲットに強い磁場を与えることが困難となる問題が
あった。近年、マグネトロン型スパッタリング装置は、
生産性および磁場効率向上のため、ますます大型化され
つつあるが前記問題点が障害となっており、この改善が
強く望まれている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者らは上記問題点
を解決すべく鋭意検討を行った結果、内部に冷却水通路
を有する金属製板状体からなり、一面をターゲット付設
面とし、他面をマグネット付設面としてなり、該マグネ
ット付設面のマグネット付設部にマグネットが受け入れ
られる凹部を形成したことを特徴とするスパッタリング
装置用バッキングプレートにより磁場効率を損なうこと
なく、充分な耐変形性を有することを見出し本発明に到
達した。
を解決すべく鋭意検討を行った結果、内部に冷却水通路
を有する金属製板状体からなり、一面をターゲット付設
面とし、他面をマグネット付設面としてなり、該マグネ
ット付設面のマグネット付設部にマグネットが受け入れ
られる凹部を形成したことを特徴とするスパッタリング
装置用バッキングプレートにより磁場効率を損なうこと
なく、充分な耐変形性を有することを見出し本発明に到
達した。
【０００８】以下、本発明を図面を用いて更に詳細に説
明する。図１、図２は本発明のバッキングプレートの一
例の断面図である。図中１はバッキングプレート、２は
凹部、３は冷却水通路、４はターゲット、５はマグネッ
トをそれぞれ示す。バッキングプレート１の材質として
は、非磁性体金属であれば特に限定されないが、通常、
無酸素銅、銅−クロム合金、等の銅または銅合金が好ま
しく用いられる。
明する。図１、図２は本発明のバッキングプレートの一
例の断面図である。図中１はバッキングプレート、２は
凹部、３は冷却水通路、４はターゲット、５はマグネッ
トをそれぞれ示す。バッキングプレート１の材質として
は、非磁性体金属であれば特に限定されないが、通常、
無酸素銅、銅−クロム合金、等の銅または銅合金が好ま
しく用いられる。
【０００９】図１、図２は本発明のバッキングプレート
の一例である。バッキングプレートの一面にはターゲッ
ト４が接着される。接着はハンダ付け等の周知の方法に
より行われる。ターゲット接着面の反対面にはマグネッ
ト５が付設される。このマグネット５の付設面にはマグ
ネット５を受け入れる凹部２が設けられる。該凹部の幅
（１個所についての幅）と板状体の幅との比は０．０２
〜０．５程度とされる。
の一例である。バッキングプレートの一面にはターゲッ
ト４が接着される。接着はハンダ付け等の周知の方法に
より行われる。ターゲット接着面の反対面にはマグネッ
ト５が付設される。このマグネット５の付設面にはマグ
ネット５を受け入れる凹部２が設けられる。該凹部の幅
（１個所についての幅）と板状体の幅との比は０．０２
〜０．５程度とされる。
【００１０】凹部が設けられることにより凹部と凹部の
間は補強リブの構造となる。該補強リブの幅と板状体の
幅との比は０．１〜０．８程度である。マグネット５は
凹部内に設けられるのでターゲット４に近いので磁場の
効率が低下することはなく、バッキングプレートの変形
は補強リブにより防止される。強度が不足の場合は補強
リブの厚さ（高さ）を増し、補強する。リブは通常一体
的に形成されるが後付けでも良い。
間は補強リブの構造となる。該補強リブの幅と板状体の
幅との比は０．１〜０．８程度である。マグネット５は
凹部内に設けられるのでターゲット４に近いので磁場の
効率が低下することはなく、バッキングプレートの変形
は補強リブにより防止される。強度が不足の場合は補強
リブの厚さ（高さ）を増し、補強する。リブは通常一体
的に形成されるが後付けでも良い。
【００１１】本発明のバッキングプレートは、特に比較
的大きなターゲット（例えば５×２０ １０×３０ｉ
ｎｃｈ）を用いるとき、優れた効果を発揮する。
的大きなターゲット（例えば５×２０ １０×３０ｉ
ｎｃｈ）を用いるとき、優れた効果を発揮する。
【００１２】
【実施例】以下、本発明を実施例により更に詳細に説明
するが、本発明はその要旨を越えない限り実施例により
限定されるものではない。 実施例１ 図１のような５×２０インチターゲットを付設したバッ
キングプレート（Ｌ＝５６０ｍｍ，Ｗ＝１８０ｍｍ，ｔ
１＝５．５ｍｍ，ｔ２＝１３．５ｍｍ）を、有限要素法
にて応力解析を行った。物性値として、ヤング率＝１２
０００ｋｇ／ｍｍ２ 、ポアソン比＝０．３を与え、タ
ーゲット付設面に真空１ｋｇ／ｍｍ２ の条件を与えて
応力・変位値を求めた。最大応力は３．１ｋｇ／ｍｍ２
、最大変位は０．１２ｍｍであった。 比較例１ バッキングプレートに凹部を設けず、厚みをｔ＝６．０
ｍｍ一定としたこと以外は実施例１と同様にして解析を
行い、応力・変位値を求めた。最大応力は５．６ｋｇ／
ｍｍ２ 、最大変位は０．４３ｍｍであった。
するが、本発明はその要旨を越えない限り実施例により
限定されるものではない。 実施例１ 図１のような５×２０インチターゲットを付設したバッ
キングプレート（Ｌ＝５６０ｍｍ，Ｗ＝１８０ｍｍ，ｔ
１＝５．５ｍｍ，ｔ２＝１３．５ｍｍ）を、有限要素法
にて応力解析を行った。物性値として、ヤング率＝１２
０００ｋｇ／ｍｍ２ 、ポアソン比＝０．３を与え、タ
ーゲット付設面に真空１ｋｇ／ｍｍ２ の条件を与えて
応力・変位値を求めた。最大応力は３．１ｋｇ／ｍｍ２
、最大変位は０．１２ｍｍであった。 比較例１ バッキングプレートに凹部を設けず、厚みをｔ＝６．０
ｍｍ一定としたこと以外は実施例１と同様にして解析を
行い、応力・変位値を求めた。最大応力は５．６ｋｇ／
ｍｍ２ 、最大変位は０．４３ｍｍであった。
【００１３】本発明の形状のバッキングプレートは応力
・変位値が小さく、耐変形性に優れていることが明らか
である。また、実施例１と同じ寸法で、材質が銅−クロ
ム合金であるバッキングプレートにターゲットを付設し
て、繰り返し応力をかけてテストを行ったところ、ター
ゲットに破損や剥離はまったく起こらなかった。
・変位値が小さく、耐変形性に優れていることが明らか
である。また、実施例１と同じ寸法で、材質が銅−クロ
ム合金であるバッキングプレートにターゲットを付設し
て、繰り返し応力をかけてテストを行ったところ、ター
ゲットに破損や剥離はまったく起こらなかった。
【００１４】
【発明の効果】本発明のバッキングプレートは、充分な
耐変形性を有するので、スパッタリング用ターゲットの
破損や剥離が起こらない。すなわち、冷却効率磁力線効
率が向上し、スパッタリングの生産性も向上できるため
工業的に有用である。
耐変形性を有するので、スパッタリング用ターゲットの
破損や剥離が起こらない。すなわち、冷却効率磁力線効
率が向上し、スパッタリングの生産性も向上できるため
工業的に有用である。
【図１】本発明のバッキングプレートの一例の断面図。
【図２】本発明のバッキングプレートの一例の断面図。
１ バッキングプレート
２ 凹部
３ 冷却水通路
４ ターゲット
５ マグネット
Claims (1)
- 【請求項１】 内部に冷却水通路を有する金属性板状
体からなり、一面をターゲット付設面とし、他面をマグ
ネット付設面としてなり、該マグネット付設面のマグネ
ット付設部にマグネットが受け入れられる凹部を形成し
たことを特徴とするスパッタリング装置用バッキングプ
レート。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8248791A JPH04314857A (ja) | 1991-04-15 | 1991-04-15 | スパッタリング装置用バッキングプレート |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8248791A JPH04314857A (ja) | 1991-04-15 | 1991-04-15 | スパッタリング装置用バッキングプレート |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04314857A true JPH04314857A (ja) | 1992-11-06 |
Family
ID=13775868
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8248791A Pending JPH04314857A (ja) | 1991-04-15 | 1991-04-15 | スパッタリング装置用バッキングプレート |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04314857A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010255071A (ja) * | 2009-04-28 | 2010-11-11 | Panasonic Corp | スパッタリング装置 |
| JP2011219824A (ja) * | 2010-04-09 | 2011-11-04 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 成膜装置およびターゲット装置 |
| JP2014508222A (ja) * | 2011-02-09 | 2014-04-03 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 保護されたバッキングプレートを有するｐｖｄスパッタリングターゲット |
-
1991
- 1991-04-15 JP JP8248791A patent/JPH04314857A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010255071A (ja) * | 2009-04-28 | 2010-11-11 | Panasonic Corp | スパッタリング装置 |
| JP2011219824A (ja) * | 2010-04-09 | 2011-11-04 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 成膜装置およびターゲット装置 |
| JP2014508222A (ja) * | 2011-02-09 | 2014-04-03 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 保護されたバッキングプレートを有するｐｖｄスパッタリングターゲット |
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