JPH04313912A - 出力保護回路 - Google Patents
出力保護回路Info
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- JPH04313912A JPH04313912A JP22923791A JP22923791A JPH04313912A JP H04313912 A JPH04313912 A JP H04313912A JP 22923791 A JP22923791 A JP 22923791A JP 22923791 A JP22923791 A JP 22923791A JP H04313912 A JPH04313912 A JP H04313912A
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 6
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 abstract description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はIC等への供給電流をし
ゃ断する出力保護回路、特にしゃ断電流の温度特性を良
好にした出力保護回路に関する。なお以下各図において
同一の符号は同一もしくは相当部分を示す。
ゃ断する出力保護回路、特にしゃ断電流の温度特性を良
好にした出力保護回路に関する。なお以下各図において
同一の符号は同一もしくは相当部分を示す。
【0002】
【従来の技術】図2は従来のこの種の出力保護回路を示
す。同図においてINはこの出力保護回路の入力端子、
OUTは同じく出力端子、LDはこの出力端子OUTを
介してこの出力保護回路から電流を供給される外部のI
Cなどの負荷である。またQ1,Q3はこの出力保護回
路を構成するトランジスタ、R3は同じく抵抗、I1は
同じく定電流源である。次に図2の動作を説明すると、
常時、出力トランジスタQ1は入力端子INを介して図
外の駆動回路からベース電流を供給されてONしており
、これにより負荷LDには直流電源VDD→トランジス
タQ1→抵抗R3→出力端子OUT→負荷LD→グラン
ドGNDの経路で負荷電流が供給されている。また同時
に抵抗R3の下端から定電流源I1を介してグランドG
NDへ定電流源I1が流れる。次に例えば負荷LDが短
絡したものとすると、電源VDDからQ1,R3を通し
てグランドGNDに接続されたことになり、出力トラン
ジスタQ1に大きな電流が流れ、抵抗R3の電圧降下は
大きくなる。ここでR3の電圧降下,すなわちトランジ
スタQ3のベース・エミッタ電圧VBE3が約0.7V
を越えると、Q3がONし、Q1のベース電流を出力端
子OUTにバイパスすることになり、出力トランジスタ
Q1はOFFし、出力電流(負荷電流)が制限され、か
つ出力トランジスタQ1の破壊が防止される。
す。同図においてINはこの出力保護回路の入力端子、
OUTは同じく出力端子、LDはこの出力端子OUTを
介してこの出力保護回路から電流を供給される外部のI
Cなどの負荷である。またQ1,Q3はこの出力保護回
路を構成するトランジスタ、R3は同じく抵抗、I1は
同じく定電流源である。次に図2の動作を説明すると、
常時、出力トランジスタQ1は入力端子INを介して図
外の駆動回路からベース電流を供給されてONしており
、これにより負荷LDには直流電源VDD→トランジス
タQ1→抵抗R3→出力端子OUT→負荷LD→グラン
ドGNDの経路で負荷電流が供給されている。また同時
に抵抗R3の下端から定電流源I1を介してグランドG
NDへ定電流源I1が流れる。次に例えば負荷LDが短
絡したものとすると、電源VDDからQ1,R3を通し
てグランドGNDに接続されたことになり、出力トラン
ジスタQ1に大きな電流が流れ、抵抗R3の電圧降下は
大きくなる。ここでR3の電圧降下,すなわちトランジ
スタQ3のベース・エミッタ電圧VBE3が約0.7V
を越えると、Q3がONし、Q1のベース電流を出力端
子OUTにバイパスすることになり、出力トランジスタ
Q1はOFFし、出力電流(負荷電流)が制限され、か
つ出力トランジスタQ1の破壊が防止される。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】図2においては、出力
トランジスタQ1を保護するためのしゃ断電流値ISは
IS=(VBE3/R3)−I1 から求められる。このしゃ断電流値ISは、この出力保
護回路を半導体ICで構成した場合、VBE3が負の温
度特性、R3が正の温度特性であるため、温度が上昇す
るに伴い、しゃ断電流値はかなり小さくなり、温度が下
降するに伴い、かなり大きくなるという問題があった。 そこでこの発明の課題は温度変化に対して安定したしゃ
断電流値が得られる出力保護回路を提供することにある
。
トランジスタQ1を保護するためのしゃ断電流値ISは
IS=(VBE3/R3)−I1 から求められる。このしゃ断電流値ISは、この出力保
護回路を半導体ICで構成した場合、VBE3が負の温
度特性、R3が正の温度特性であるため、温度が上昇す
るに伴い、しゃ断電流値はかなり小さくなり、温度が下
降するに伴い、かなり大きくなるという問題があった。 そこでこの発明の課題は温度変化に対して安定したしゃ
断電流値が得られる出力保護回路を提供することにある
。
【0004】
【課題を解決するための手段】前記の課題を解決するた
めに請求項1の出力保護回路は、直流電源(VDDなど
)の一端に、温度係数が等しくかつ互に同温度となるよ
うに配置された第1,第2の2つの抵抗(R1,R2な
ど)のそれぞれの一端を接続し、前記第1の抵抗の他端
に第1のトランジスタ(出力トランジスタQ1など)の
主回路の一端を接続し、前記第2の抵抗の他端と前記直
流電源の他端との間に温度係数の小さい第1の定電流源
(I2など)を接続し、(入力端子INなどを介し)前
記第1のトランジスタのベースを駆動して、このトラン
ジスタの前記主回路の他端から(出力端子OUTなどを
介し)外部(の負荷LDなど)に負荷電流を供給するよ
うにした出力保護回路であって、前記第1の抵抗の電圧
降下が前記第2の抵抗の電圧降下を越えたことを判別し
て前記第1のトランジスタをオフするしゃ断手段をを備
えたものとし、
めに請求項1の出力保護回路は、直流電源(VDDなど
)の一端に、温度係数が等しくかつ互に同温度となるよ
うに配置された第1,第2の2つの抵抗(R1,R2な
ど)のそれぞれの一端を接続し、前記第1の抵抗の他端
に第1のトランジスタ(出力トランジスタQ1など)の
主回路の一端を接続し、前記第2の抵抗の他端と前記直
流電源の他端との間に温度係数の小さい第1の定電流源
(I2など)を接続し、(入力端子INなどを介し)前
記第1のトランジスタのベースを駆動して、このトラン
ジスタの前記主回路の他端から(出力端子OUTなどを
介し)外部(の負荷LDなど)に負荷電流を供給するよ
うにした出力保護回路であって、前記第1の抵抗の電圧
降下が前記第2の抵抗の電圧降下を越えたことを判別し
て前記第1のトランジスタをオフするしゃ断手段をを備
えたものとし、
【0005】請求項2の主段保護回路では、請求項1の
出力保護回路において、前記しゃ断手段は、前記第1,
第2の抵抗のそれぞれの他端の電位を比較するコンパレ
ータ(CMPなど)と、前記第1の抵抗の電圧降下が前
記第2の抵抗の電圧降下を越えたときの前記コンパレー
タの出力によってオンされ前記第1のトランジスタのベ
ース電流をバイパスする第2のトランジスタ(Q2)と
を備えたものとし、
出力保護回路において、前記しゃ断手段は、前記第1,
第2の抵抗のそれぞれの他端の電位を比較するコンパレ
ータ(CMPなど)と、前記第1の抵抗の電圧降下が前
記第2の抵抗の電圧降下を越えたときの前記コンパレー
タの出力によってオンされ前記第1のトランジスタのベ
ース電流をバイパスする第2のトランジスタ(Q2)と
を備えたものとし、
【0006】請求項3の出力保護回路は、請求項1また
は請求項2の出力保護回路において、前記第1のトラン
ジスタの他端と前記直流電源の他端との間に温度係数の
小さい第2の定電流源(I1など)を接続したものとし
、
は請求項2の出力保護回路において、前記第1のトラン
ジスタの他端と前記直流電源の他端との間に温度係数の
小さい第2の定電流源(I1など)を接続したものとし
、
【0007】請求項4の出力保護回路は、互いに同形状
で、同温度となるように配置され、かつコレクタ同志お
よびベース同志が接続されてなる第1,第2の2つのト
ランジスタ(Q1,Q4など)の前記共通のコレクタを
直流電源の一端(VDDなど)に、前記共通のベースを
駆動入力端子(INなど)に夫々接続し、前記第1のト
ランジスタのエミッタと前記直流電源の他端との間に温
度係数の小さい第1の定電流源(I1など)を接続し、
前記第2のトランジスタのエミッタと前記直流電源の他
端との間に温度係数が小さく、かつ前記第1の定電流源
より電流値の大きい第2の定電流源(I2など)を接続
し、前記第1のトランジスタのエミッタから(出力端子
OUTなどを介し)外部に負荷電流を供給するようにし
た出力保護回路であって、前記第1のトランジスタのベ
ース・エミッタ電圧が、前記第2のトランジスタのベー
ス・エミッタ電圧を上回ったことを検出して前記第1の
トランジスタをオフするしゃ断手段を備えたものとし、
また
で、同温度となるように配置され、かつコレクタ同志お
よびベース同志が接続されてなる第1,第2の2つのト
ランジスタ(Q1,Q4など)の前記共通のコレクタを
直流電源の一端(VDDなど)に、前記共通のベースを
駆動入力端子(INなど)に夫々接続し、前記第1のト
ランジスタのエミッタと前記直流電源の他端との間に温
度係数の小さい第1の定電流源(I1など)を接続し、
前記第2のトランジスタのエミッタと前記直流電源の他
端との間に温度係数が小さく、かつ前記第1の定電流源
より電流値の大きい第2の定電流源(I2など)を接続
し、前記第1のトランジスタのエミッタから(出力端子
OUTなどを介し)外部に負荷電流を供給するようにし
た出力保護回路であって、前記第1のトランジスタのベ
ース・エミッタ電圧が、前記第2のトランジスタのベー
ス・エミッタ電圧を上回ったことを検出して前記第1の
トランジスタをオフするしゃ断手段を備えたものとし、
また
【0008】請求項5の出力保護回路では、請求項4に
記載の出力保護回路において、前記しゃ断手段は、前記
第1,第2のトランジスタの夫々のエミッタ電位を比較
して前記の検出を行うコンパレータ(CMPなど)と、
このコンパレータの検出出力によって前記駆動入力端子
と前記直流電源の他端との間を短絡する第3のトランジ
スタ(Q2など)とを備えたものとする。
記載の出力保護回路において、前記しゃ断手段は、前記
第1,第2のトランジスタの夫々のエミッタ電位を比較
して前記の検出を行うコンパレータ(CMPなど)と、
このコンパレータの検出出力によって前記駆動入力端子
と前記直流電源の他端との間を短絡する第3のトランジ
スタ(Q2など)とを備えたものとする。
【0009】
【作用】(1)請求項1ないし3に関わる発明について
:等しい温度係数を持ち同温となるように配置された2
つの抵抗R1,R2の一方の抵抗R1にはトランジスタ
Q1を介し負荷電流を流し、他方の抵抗R2には温度係
数の小さい定電流源I2を介して安定な定電流を流し、
抵抗R1,R2の電圧降下をコンパレータCMPで比較
し、抵抗R1の電圧降下が抵抗R2の電圧降下を越えた
ときのコンパレータCMPの出力でトランジスタQ2を
ONし、トランジスタQ1のベース電流をバイパスさせ
、Q1をOFFすることで、負荷のしゃ断電流ISが抵
抗温度係数に依存せず、小さい温度係数の定電流I2の
みに依存するようにする。
:等しい温度係数を持ち同温となるように配置された2
つの抵抗R1,R2の一方の抵抗R1にはトランジスタ
Q1を介し負荷電流を流し、他方の抵抗R2には温度係
数の小さい定電流源I2を介して安定な定電流を流し、
抵抗R1,R2の電圧降下をコンパレータCMPで比較
し、抵抗R1の電圧降下が抵抗R2の電圧降下を越えた
ときのコンパレータCMPの出力でトランジスタQ2を
ONし、トランジスタQ1のベース電流をバイパスさせ
、Q1をOFFすることで、負荷のしゃ断電流ISが抵
抗温度係数に依存せず、小さい温度係数の定電流I2の
みに依存するようにする。
【0010】(2)請求項4および5に関わる発明につ
いて:互いに同形状で、同温度となるように配置され、
かつコレクタ同志およびベース同志が接続されてなる2
つのトランジスタQ1,Q4の前記共通のコレクタを直
流電源(VDDなど)の一端に、前記共通のベースを駆
動入力端子INに夫々接続し、前記トランジスタQ1の
エミッタと前記直流電源の他端との間に温度係数の小さ
い定電流源I1を接続し、前記トランジスタQ4のエミ
ッタと前記直流電源の他端との間に温度係数が小さく、
かつ前記定電流源I1より電流値の大きい定電流源I2
を接続し、前記トランジスタQ1のエミッタから出力端
子OUTを介し外部に負荷電流を供給するようにし、前
記トランジスタQ1のベース・エミッタ電圧が、前記ト
ランジスタQ4のベース・エミッタ電圧を上回ったこと
をコンパレータCMPで検出して前記トランジスタQ2
をONし、前記トランジスタQ1のベース電流をバイパ
スさせQ1をオフするように構成することで、負荷電流
経路に抵抗が入らないようにし、出力電流の振幅拡大を
可能とし、かつ応答性の改善を計る。
いて:互いに同形状で、同温度となるように配置され、
かつコレクタ同志およびベース同志が接続されてなる2
つのトランジスタQ1,Q4の前記共通のコレクタを直
流電源(VDDなど)の一端に、前記共通のベースを駆
動入力端子INに夫々接続し、前記トランジスタQ1の
エミッタと前記直流電源の他端との間に温度係数の小さ
い定電流源I1を接続し、前記トランジスタQ4のエミ
ッタと前記直流電源の他端との間に温度係数が小さく、
かつ前記定電流源I1より電流値の大きい定電流源I2
を接続し、前記トランジスタQ1のエミッタから出力端
子OUTを介し外部に負荷電流を供給するようにし、前
記トランジスタQ1のベース・エミッタ電圧が、前記ト
ランジスタQ4のベース・エミッタ電圧を上回ったこと
をコンパレータCMPで検出して前記トランジスタQ2
をONし、前記トランジスタQ1のベース電流をバイパ
スさせQ1をオフするように構成することで、負荷電流
経路に抵抗が入らないようにし、出力電流の振幅拡大を
可能とし、かつ応答性の改善を計る。
【0011】
【実施例】図1は請求項1ないし3に関わる発明の実施
例を示す。同図においてQ1,Q2はトランジスタ、R
1,R2は抵抗、I1,I2は定電流源、CMPはコン
パレータである。ここでR1,R2は同じ温度係数を持
ち、かつ同温度となるように互いに近接して配置された
抵抗、I1,I2は温度特性(つまり温度変化)の小さ
い定電流源である。
例を示す。同図においてQ1,Q2はトランジスタ、R
1,R2は抵抗、I1,I2は定電流源、CMPはコン
パレータである。ここでR1,R2は同じ温度係数を持
ち、かつ同温度となるように互いに近接して配置された
抵抗、I1,I2は温度特性(つまり温度変化)の小さ
い定電流源である。
【0012】本回路の動作について説明すると、常時は
出力トランジスタQ1は入力端子INからのベース電流
供給によりONし、負荷LDには直流電源VDD→抵抗
R1→トランジスタQ1→出力端子OUT→負荷LD→
グランドGNDの経路で負荷電流が供給され、同時に出
力トランジスタQ1のエミッタから定電流源I1を介し
てグランドGNDへ定電流I1が流れる。また電源VD
Dからは抵抗R2→定電流源I2→グランドGNDの経
路で定電流I2が流れている。この正常な状態では抵抗
R1の電圧降下は抵抗R2の電圧降下より小さくなるよ
うに構成されている。従ってこのときコンパレータCM
Pの出力はLOWとなっており、これによりトランジス
タQ2はOFF状態にある。
出力トランジスタQ1は入力端子INからのベース電流
供給によりONし、負荷LDには直流電源VDD→抵抗
R1→トランジスタQ1→出力端子OUT→負荷LD→
グランドGNDの経路で負荷電流が供給され、同時に出
力トランジスタQ1のエミッタから定電流源I1を介し
てグランドGNDへ定電流I1が流れる。また電源VD
Dからは抵抗R2→定電流源I2→グランドGNDの経
路で定電流I2が流れている。この正常な状態では抵抗
R1の電圧降下は抵抗R2の電圧降下より小さくなるよ
うに構成されている。従ってこのときコンパレータCM
Pの出力はLOWとなっており、これによりトランジス
タQ2はOFF状態にある。
【0013】次に例えば負荷LDが短絡したものとする
と、抵抗R1の電圧降下が大きくなり、R2の電圧降下
(=R2×I2)を越えたところで、コンパレータCM
Pの出力がLOWからHighとなり、トランジスタQ
2がONし、出力トランジスタQ1のベース電流をグラ
ンドGNDにバイパスさせ、出力トランジスタQ1をO
FFさせてその破壊を防止する。
と、抵抗R1の電圧降下が大きくなり、R2の電圧降下
(=R2×I2)を越えたところで、コンパレータCM
Pの出力がLOWからHighとなり、トランジスタQ
2がONし、出力トランジスタQ1のベース電流をグラ
ンドGNDにバイパスさせ、出力トランジスタQ1をO
FFさせてその破壊を防止する。
【0014】ところでこのときのしゃ断電流値をISと
すると、抵抗R1を流れる電流は(I1+IS)となる
ことから、 R2×I2=R1(I1+IS)
(1) の関係が
成立する。従ってしゃ断電流値ISは次式(2)で与え
られる。 IS=(R2/R1)I2−I1
(2) ここで抵
抗R1,R2は、 R1=R10(1+αt)
(3) R
2=R20(1+αt)
(4)但し R1
0:基準温度での抵抗R1の抵抗値R20:基準温度で
の抵抗R2の抵抗値α :抵抗温度係数 t :基準温度からの温度上昇値であることから
、式(3),(4)の関係を式(2)に与えることによ
り、下記(3)式を得る。 IS=(R20/R10)I2−I1
(5)従って抵
抗R1,R2の温度特性はキャンセルされ、しゃ断電流
値ISは定電流源I1,I2の小さい温度特性のみによ
り決定される。
すると、抵抗R1を流れる電流は(I1+IS)となる
ことから、 R2×I2=R1(I1+IS)
(1) の関係が
成立する。従ってしゃ断電流値ISは次式(2)で与え
られる。 IS=(R2/R1)I2−I1
(2) ここで抵
抗R1,R2は、 R1=R10(1+αt)
(3) R
2=R20(1+αt)
(4)但し R1
0:基準温度での抵抗R1の抵抗値R20:基準温度で
の抵抗R2の抵抗値α :抵抗温度係数 t :基準温度からの温度上昇値であることから
、式(3),(4)の関係を式(2)に与えることによ
り、下記(3)式を得る。 IS=(R20/R10)I2−I1
(5)従って抵
抗R1,R2の温度特性はキャンセルされ、しゃ断電流
値ISは定電流源I1,I2の小さい温度特性のみによ
り決定される。
【0015】なお図1において定電流源I1を省略(開
放)しても前述の効果は変らず、本発明に含まれる。
放)しても前述の効果は変らず、本発明に含まれる。
【0016】図3は請求項4および5に関わる発明の実
施例を示す。図1の出力保護回路では出力電流の経路に
抵抗R1を入れ電流値を検出している。しかしこの抵抗
を入れたことにより、出力振幅が大きくとれない,応答
性が悪いなどの問題がある。そこで図3の回路では出力
電流経路に抵抗を入れずに出力保護を行うようにしたも
のである。即ち図3では図1に対し抵抗R1,R2が省
略されて、抵抗R2に代わりトランジスタQ1と同形状
でベースが共通のトランジスタQ4が設けられ、さらに
コンパレータCMPはトランジスタQ1とQ4の電圧降
下を比較するように構成されている。なお前記のトラン
ジスタQ1とQ4は同温度となるように互に近接して配
置されている。なおこの図3においては定電流源I2は
、 I2=I1+IS とする。ここで、 I1:定電流 IS:しゃ断電流値 である。
施例を示す。図1の出力保護回路では出力電流の経路に
抵抗R1を入れ電流値を検出している。しかしこの抵抗
を入れたことにより、出力振幅が大きくとれない,応答
性が悪いなどの問題がある。そこで図3の回路では出力
電流経路に抵抗を入れずに出力保護を行うようにしたも
のである。即ち図3では図1に対し抵抗R1,R2が省
略されて、抵抗R2に代わりトランジスタQ1と同形状
でベースが共通のトランジスタQ4が設けられ、さらに
コンパレータCMPはトランジスタQ1とQ4の電圧降
下を比較するように構成されている。なお前記のトラン
ジスタQ1とQ4は同温度となるように互に近接して配
置されている。なおこの図3においては定電流源I2は
、 I2=I1+IS とする。ここで、 I1:定電流 IS:しゃ断電流値 である。
【0017】本実施例はコンパレータCMPを介しトラ
ンジスタQ1,Q4に流れる電流を、それぞれのベース
・エミッタ間電圧VBE1,VBE4によって検出して
いる。この回路の動作を説明すると、出力端子OUTが
グランドGNDに短絡された場合、トランジスタQ1に
流れる電流が増加し、それに伴いQ1のベース・エミッ
タ電圧VBE1も増加する。ここでトランジスタQ4に
はしゃ断電流値IS+I1の電流が流れており、コンパ
レータCMPはこのQ4のベース・エミッタ電圧VBE
4とVBE1とを比較し、VBE4よりVBE1が大き
くなった場合、換言すればトランジスタQ1を流れる電
流がトランジスタQ4を流れる電流I2=I1+ISを
越え、従って出力端子OUTを流れる電流がIS=I2
−I1を越えた場合、トランジスタQ2をONし、トラ
ンジスタQ1,Q4のベース電流をグランドGNDにバ
イパスさせ、出力トランジスタQ1を保護している。こ
の場合、当然ながらトランジスタQ1とQ4は同形状,
同温度であることからベース・エミッタ電圧VBE1,
VBE4のしきい値や動作抵抗はトランジスタQ1,Q
4の温度に関わらず互に等しく、しゃ断電流値ISは小
さな温度係数の定電流I1,I2のみによって定まるの
で、その温度変化は僅少となる。
ンジスタQ1,Q4に流れる電流を、それぞれのベース
・エミッタ間電圧VBE1,VBE4によって検出して
いる。この回路の動作を説明すると、出力端子OUTが
グランドGNDに短絡された場合、トランジスタQ1に
流れる電流が増加し、それに伴いQ1のベース・エミッ
タ電圧VBE1も増加する。ここでトランジスタQ4に
はしゃ断電流値IS+I1の電流が流れており、コンパ
レータCMPはこのQ4のベース・エミッタ電圧VBE
4とVBE1とを比較し、VBE4よりVBE1が大き
くなった場合、換言すればトランジスタQ1を流れる電
流がトランジスタQ4を流れる電流I2=I1+ISを
越え、従って出力端子OUTを流れる電流がIS=I2
−I1を越えた場合、トランジスタQ2をONし、トラ
ンジスタQ1,Q4のベース電流をグランドGNDにバ
イパスさせ、出力トランジスタQ1を保護している。こ
の場合、当然ながらトランジスタQ1とQ4は同形状,
同温度であることからベース・エミッタ電圧VBE1,
VBE4のしきい値や動作抵抗はトランジスタQ1,Q
4の温度に関わらず互に等しく、しゃ断電流値ISは小
さな温度係数の定電流I1,I2のみによって定まるの
で、その温度変化は僅少となる。
【0018】
【発明の効果】請求項1に関わる発明によれば、直流電
源VDDの一端(正極)に、温度係数が等しくかつ互に
同温度となるように配置された2つの抵抗R1,R2の
それぞれの一端を接続し、前記抵抗R1の他端に出力ト
ランジスタQ1の主回路の一端(コレクタ)を接続し、
前記抵抗R2の他端と前記直流電源VDDの他端(負極
:グランドGND)との間に温度係数の小さい定電流源
I2を接続し、入力端子INを介し前記トランジスタQ
1のベースを駆動して、このトランジスタQ1の前記主
回路の他端(エミッタ)から出力端子OUTを介し外部
(の負荷LDに)に負荷電流を供給するようにした出力
保護回路であって、前記抵抗R1の電圧降下が前記抵抗
R2の電圧降下を越えたことを判別してトランジスタQ
1をオフするしゃ断手段を備えたものとし、
源VDDの一端(正極)に、温度係数が等しくかつ互に
同温度となるように配置された2つの抵抗R1,R2の
それぞれの一端を接続し、前記抵抗R1の他端に出力ト
ランジスタQ1の主回路の一端(コレクタ)を接続し、
前記抵抗R2の他端と前記直流電源VDDの他端(負極
:グランドGND)との間に温度係数の小さい定電流源
I2を接続し、入力端子INを介し前記トランジスタQ
1のベースを駆動して、このトランジスタQ1の前記主
回路の他端(エミッタ)から出力端子OUTを介し外部
(の負荷LDに)に負荷電流を供給するようにした出力
保護回路であって、前記抵抗R1の電圧降下が前記抵抗
R2の電圧降下を越えたことを判別してトランジスタQ
1をオフするしゃ断手段を備えたものとし、
【0019
】請求項2に関わる発明によれば、前記しゃ断手段は、
前記抵抗R1,R2のそれぞれの他端の電位を比較する
コンパレータCMPと、前記抵抗R1の電圧降下が前記
抵抗R2の電圧降下を越えたときの前記コンパレータC
MPの出力によってオンされ前記トランジスタQ1のベ
ース電流をバイパスするトランジスタQ2とを備えたも
のとしたので、負荷のしゃ断電流値は抵抗温度係数に依
存せず、低い温度係数の定電流源のみに依存することと
なり、温度特性の小さいしゃ断電流値を持つ出力保護回
路を供給することができる。
】請求項2に関わる発明によれば、前記しゃ断手段は、
前記抵抗R1,R2のそれぞれの他端の電位を比較する
コンパレータCMPと、前記抵抗R1の電圧降下が前記
抵抗R2の電圧降下を越えたときの前記コンパレータC
MPの出力によってオンされ前記トランジスタQ1のベ
ース電流をバイパスするトランジスタQ2とを備えたも
のとしたので、負荷のしゃ断電流値は抵抗温度係数に依
存せず、低い温度係数の定電流源のみに依存することと
なり、温度特性の小さいしゃ断電流値を持つ出力保護回
路を供給することができる。
【0020】また請求項4に関わる発明によれば、互い
に同形状で、同温度となるように配置され、かつコレク
タ同志およびベース同志が接続されてなる2つのトラン
ジスタQ1,Q4の前記共通のコレクタを直流電源VD
Dの一端に、前記共通のベースを駆動入力端子INに夫
々接続し、前記トランジスタQ1のエミッタと前記直流
電源の他端との間に温度係数の小さい定電流源I1を接
続し、前記トランジスタQ4のエミッタと前記直流電源
の他端との間に温度係数が小さく、かつ前記定電流源I
1より電源値の大きい定電流源I2を接続し、前記トラ
ンジスタQ1のエミッタから出力端子OUTを介し外部
に負荷電流を供給するようにした出力保護回路であって
、前記トランジスタQ1のベース・エミッタ電圧が、前
記トランジスタQ4のベース・エミッタ電圧を上回った
ことを検出して前記トランジスタQ1をオフするしゃ断
手段を備えたものとし、
に同形状で、同温度となるように配置され、かつコレク
タ同志およびベース同志が接続されてなる2つのトラン
ジスタQ1,Q4の前記共通のコレクタを直流電源VD
Dの一端に、前記共通のベースを駆動入力端子INに夫
々接続し、前記トランジスタQ1のエミッタと前記直流
電源の他端との間に温度係数の小さい定電流源I1を接
続し、前記トランジスタQ4のエミッタと前記直流電源
の他端との間に温度係数が小さく、かつ前記定電流源I
1より電源値の大きい定電流源I2を接続し、前記トラ
ンジスタQ1のエミッタから出力端子OUTを介し外部
に負荷電流を供給するようにした出力保護回路であって
、前記トランジスタQ1のベース・エミッタ電圧が、前
記トランジスタQ4のベース・エミッタ電圧を上回った
ことを検出して前記トランジスタQ1をオフするしゃ断
手段を備えたものとし、
【0021】請求項5に関わる発明によれば、請求項4
に記載の出力保護回路において、前記しゃ断手段は、前
記トランジスタQ1,Q4の夫々のエミッタ電位を比較
して前記の検出を行うコンパレータCMPと、このコン
パレータの検出出力によって前記駆動入力端子INと前
記直流電源の他端との間を短絡するトランジスタQ3と
を備えたものとしたので、負荷電流経路に抵抗を含まぬ
ことから、出力振幅や応答性について影響を与えない出
力保護回路を提供できる。
に記載の出力保護回路において、前記しゃ断手段は、前
記トランジスタQ1,Q4の夫々のエミッタ電位を比較
して前記の検出を行うコンパレータCMPと、このコン
パレータの検出出力によって前記駆動入力端子INと前
記直流電源の他端との間を短絡するトランジスタQ3と
を備えたものとしたので、負荷電流経路に抵抗を含まぬ
ことから、出力振幅や応答性について影響を与えない出
力保護回路を提供できる。
【図1】本発明の一実施例としての構成を示す回路図
【
図2】図1に対応する従来の回路図
図2】図1に対応する従来の回路図
【図3】本発明の他の実施例としての構成を示す回路図
VDD 直流電源
R1,R2 抵抗
Q1,Q2,Q4 トランジスタ
I1,I2 定電流源
CMP コンパレータ
IN 入力端子
OUT 出力端子
IS しゃ断電流値
Claims (5)
- 【請求項1】直流電源の一端に、温度係数が等しくかつ
互いに同温度となるように配置された第1,第2の2つ
の抵抗のそれぞれの一端を接続し、前記第1の抵抗の他
端に第1のトランジスタの主回路の一端を接続し、前記
第2の抵抗の他端と前記直流電源の他端との間に温度係
数の小さい第1の定電流源を接続し、前記第1のトラン
ジスタのベースを駆動して、このトランジスタの前記主
回路の他端から外部に負荷電流を供給するようにした出
力保護回路であって、前記第1の抵抗の電圧降下が前記
第2の抵抗の電圧降下を越えたことを判別して前記第1
のトランジスタをオフするしゃ断手段を備えたことを特
徴とする出力保護回路。 - 【請求項2】請求項1に記載の出力保護回路において、
前記しゃ断手段は、前記第1,第2の抵抗のそれぞれの
他端の電位を比較するコンパレータと、前記第1の抵抗
の電圧降下が前記第2の抵抗の電圧降下を越えたときの
前記コンパレータの出力によってオンされ前記第1のト
ランジスタのベース電流をバイパスする第2のトランジ
スタとを備えたことを特徴とする出力保護回路。 - 【請求項3】請求項1または請求項2に記載の出力保護
回路において、前記第1のトランジスタの他端と前記直
流電源の他端との間に温度係数の小さい第2の定電流源
を接続したことを特徴とする出力保護回路。 - 【請求項4】互いに同形状で、同温度となるように配置
され、かつコレクタ同志およびベース同志が接続されて
なる第1,第2の2つのトランジスタの前記共通のコレ
クタを直流電源の一端に、前記共通のベースを駆動入力
端子に夫々接続し、前記第1のトランジスタのエミッタ
と前記直流電源の他端との間に温度係数の小さい第1の
定電流源を接続し、前記第2のトランジスタのエミッタ
と前記直流電源の他端との間に温度係数が小さく、かつ
前記第1の定電流源より電流値の大きい第2の定電流源
を接続し、前記第1のトランジスタのエミッタから外部
に負荷電流を供給するようにした出力保護回路であって
、前記第1のトランジスタのベース・エミッタ電圧が、
前記第2のトランジスタのベース・エミッタ電圧を上回
ったことを検出して前記第1のトランジスタをオフする
しゃ断手段を備えたことを特徴とする出力保護回路。 - 【請求項5】請求項4に記載の出力保護回路において、
前記しゃ断手段は、前記第1,第2のトランジスタの夫
々のエミッタ電位を比較して前記の検出を行うコンパレ
ータと、このコンパレータの検出出力によって前記駆動
入力端子と前記直流電源の他端との間を短絡する第3の
トランジスタとを備えたことを特徴とする出力保護回路
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22923791A JPH04313912A (ja) | 1991-02-18 | 1991-09-10 | 出力保護回路 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3-6397 | 1991-02-18 | ||
JP639791 | 1991-02-18 | ||
JP22923791A JPH04313912A (ja) | 1991-02-18 | 1991-09-10 | 出力保護回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04313912A true JPH04313912A (ja) | 1992-11-05 |
Family
ID=26340524
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP22923791A Pending JPH04313912A (ja) | 1991-02-18 | 1991-09-10 | 出力保護回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04313912A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013066085A (ja) * | 2011-09-19 | 2013-04-11 | Denso Corp | 過電流保護回路 |
-
1991
- 1991-09-10 JP JP22923791A patent/JPH04313912A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013066085A (ja) * | 2011-09-19 | 2013-04-11 | Denso Corp | 過電流保護回路 |
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