JPH04313020A - 半導体センサ及びその調整方法 - Google Patents
半導体センサ及びその調整方法Info
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- JPH04313020A JPH04313020A JP3064640A JP6464091A JPH04313020A JP H04313020 A JPH04313020 A JP H04313020A JP 3064640 A JP3064640 A JP 3064640A JP 6464091 A JP6464091 A JP 6464091A JP H04313020 A JPH04313020 A JP H04313020A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 37
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 18
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims abstract description 72
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims abstract description 72
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 50
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 claims description 18
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
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- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
- Indication And Recording Devices For Special Purposes And Tariff Metering Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は応力及び磁束等の検出対
象の物理量を検出する半導体センサに関する。
象の物理量を検出する半導体センサに関する。
【０００２】
【従来の技術】図３は従来の半導体センサの構成を示す
模式的ブロック図である。図中１は応力及び磁束等の検
出対象の物理量を電気信号に変換する検出部であり、検
出部１の検出信号は、その増幅率を調整する増幅率調整
用可変抵抗２０を備えた増幅部２に与えられる。増幅部
２に与えられた検出信号は前記増幅率分増幅されて出力
端子３から出力される。また、増幅部２には、そのオフ
セット出力を調整するオフセット調節用可変抵抗４０を
備えたオフセット印加部４から、検出部１の零点出力（
検出対象の物理量が零のときの出力）を補整するための
オフセット出力が印加されるようになっている。このよ
うに構成された半導体センサにおいては、その検出出力
特性を調整する場合、オフセット調節用可変抵抗４０に
てオフセット出力を調節して零点出力を補整した後、増
幅率調整用可変抵抗２０にて増幅率を調整することによ
り検出部１の感度を補整していた。
模式的ブロック図である。図中１は応力及び磁束等の検
出対象の物理量を電気信号に変換する検出部であり、検
出部１の検出信号は、その増幅率を調整する増幅率調整
用可変抵抗２０を備えた増幅部２に与えられる。増幅部
２に与えられた検出信号は前記増幅率分増幅されて出力
端子３から出力される。また、増幅部２には、そのオフ
セット出力を調整するオフセット調節用可変抵抗４０を
備えたオフセット印加部４から、検出部１の零点出力（
検出対象の物理量が零のときの出力）を補整するための
オフセット出力が印加されるようになっている。このよ
うに構成された半導体センサにおいては、その検出出力
特性を調整する場合、オフセット調節用可変抵抗４０に
てオフセット出力を調節して零点出力を補整した後、増
幅率調整用可変抵抗２０にて増幅率を調整することによ
り検出部１の感度を補整していた。
【０００３】図４は従来の半導体センサの検出出力特性
の調整方法を示すフローチャートである。まず、ステッ
プＳ１１ で被測定物の物理量を零にする。ステップＳ
１２ で半導体センサの出力端子３の出力レベルをモニ
タ計測する。このときの検出部１の出力レベルが零点出
力である。次に、ステップＳ１３ でオフセット調節用
可変抵抗４０の抵抗値を調節し、ステップＳ１４ で出
力端子３の出力レベルが、予め定められた零点出力の目
標値になっているか否かを判定する。
の調整方法を示すフローチャートである。まず、ステッ
プＳ１１ で被測定物の物理量を零にする。ステップＳ
１２ で半導体センサの出力端子３の出力レベルをモニ
タ計測する。このときの検出部１の出力レベルが零点出
力である。次に、ステップＳ１３ でオフセット調節用
可変抵抗４０の抵抗値を調節し、ステップＳ１４ で出
力端子３の出力レベルが、予め定められた零点出力の目
標値になっているか否かを判定する。
【０００４】ステップＳ１４ において、出力端子３の
出力レベルが零点出力の目標値になっていないと判定さ
れた場合は、ステップＳ１２ に戻り、ステップＳ１２
〜ステップＳ１４の処理を繰り返す。
出力レベルが零点出力の目標値になっていないと判定さ
れた場合は、ステップＳ１２ に戻り、ステップＳ１２
〜ステップＳ１４の処理を繰り返す。
【０００５】一方、ステップＳ１４ において、出力端
子３の出力レベルが前記目標値になっていると判定され
た場合は、ステップＳ１５ に進み、検出対象の物理量
を、検出部１の感度を調整できるような所定値に設定す
る。次に、ステップＳ１６ で出力端子３の出力レベル
をモニタ計測し、ステップＳ１７ で増幅率調整用可変
抵抗２０の抵抗値を調節する。そして、ステップＳ１８
で出力端子３の出力レベルが予め定められた感度の目
標値になっているか否かを判定する。
子３の出力レベルが前記目標値になっていると判定され
た場合は、ステップＳ１５ に進み、検出対象の物理量
を、検出部１の感度を調整できるような所定値に設定す
る。次に、ステップＳ１６ で出力端子３の出力レベル
をモニタ計測し、ステップＳ１７ で増幅率調整用可変
抵抗２０の抵抗値を調節する。そして、ステップＳ１８
で出力端子３の出力レベルが予め定められた感度の目
標値になっているか否かを判定する。
【０００６】ステップＳ１８ において、出力端子３の
出力レベルが感度の目標値になっていないと判定された
場合は、ステップＳ１６ に戻り、ステップＳ１６ 〜
ステップＳ１８ の処理を繰り返す。一方、ステップＳ
１８ において、出力端子３の出力レベルが感度の目標
値になっていると判定された場合は、半導体センサの検
出出力特性の調整を終了する。
出力レベルが感度の目標値になっていないと判定された
場合は、ステップＳ１６ に戻り、ステップＳ１６ 〜
ステップＳ１８ の処理を繰り返す。一方、ステップＳ
１８ において、出力端子３の出力レベルが感度の目標
値になっていると判定された場合は、半導体センサの検
出出力特性の調整を終了する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところが、前述の如き
検出出力特性の調整を行う従来の半導体センサでは、零
点出力及び感度が夫々の目標値に達するまで出力端子３
の出力のモニタ計測と、その判定とを繰り返す必要があ
るので、検出出力特性の調整に長時間を要するという問
題があった。
検出出力特性の調整を行う従来の半導体センサでは、零
点出力及び感度が夫々の目標値に達するまで出力端子３
の出力のモニタ計測と、その判定とを繰り返す必要があ
るので、検出出力特性の調整に長時間を要するという問
題があった。
【０００８】本発明は、このような問題点を解消するた
めになされたもので、短時間で検出出力特性の調整をす
ることが可能となる半導体センサ及びその調整方法を提
供することを目的とする。
めになされたもので、短時間で検出出力特性の調整をす
ることが可能となる半導体センサ及びその調整方法を提
供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体セン
サは、検出対象の物理量を検出し、これを電気信号に変
換する検出手段と、前記物理量が零の場合のオフセット
を補整するオフセット出力を印加するオフセット印加手
段と、前記検出手段の出力を増幅する増幅手段と、該増
幅手段の増幅率を調整するための第１のディジタルデー
タを記憶する第１の記憶手段と、前記オフセット出力を
調節するための第２のディジタルデータを記憶する第２
の記憶手段とを設け、第１の記憶手段に記憶された第１
のディジタルデータに基づいて前記増幅手段の増幅率を
調整し、第２の記憶手段に記憶された第２のディジタル
データに基づいて前記オフセット印加手段のオフセット
出力を調整することによってその検出出力特性を調整す
る。
サは、検出対象の物理量を検出し、これを電気信号に変
換する検出手段と、前記物理量が零の場合のオフセット
を補整するオフセット出力を印加するオフセット印加手
段と、前記検出手段の出力を増幅する増幅手段と、該増
幅手段の増幅率を調整するための第１のディジタルデー
タを記憶する第１の記憶手段と、前記オフセット出力を
調節するための第２のディジタルデータを記憶する第２
の記憶手段とを設け、第１の記憶手段に記憶された第１
のディジタルデータに基づいて前記増幅手段の増幅率を
調整し、第２の記憶手段に記憶された第２のディジタル
データに基づいて前記オフセット印加手段のオフセット
出力を調整することによってその検出出力特性を調整す
る。
【００１０】本発明に係る半導体センサの調整方法は、
請求項１記載の半導体センサを用いてその検出出力特性
を調整する場合、検出対象の物理量が零の場合の増幅手
段の出力レベルと、検出対象の物理量が零以外の所定値
である場合の増幅手段の出力レベルとを計測し、これら
の計測結果に基づいて、増幅率を調整するための第１の
ディジタルデータ及びオフセット出力を調整するための
第２のディジタルデータを求め、求めた第１のディジタ
ルデータを第１の記憶手段に記憶させると共に求めた第
２のディジタルデータを第２の記憶手段に記憶させる。 増幅手段の増幅率は第１の記憶手段に記憶された第１の
ディジタルデータに基づいて調整され、オフセット印加
手段のオフセット出力は第２の記憶手段に記憶された第
２のディジタルデータに基づいて調整される。これによ
って、その検出出力特性が調整される。
請求項１記載の半導体センサを用いてその検出出力特性
を調整する場合、検出対象の物理量が零の場合の増幅手
段の出力レベルと、検出対象の物理量が零以外の所定値
である場合の増幅手段の出力レベルとを計測し、これら
の計測結果に基づいて、増幅率を調整するための第１の
ディジタルデータ及びオフセット出力を調整するための
第２のディジタルデータを求め、求めた第１のディジタ
ルデータを第１の記憶手段に記憶させると共に求めた第
２のディジタルデータを第２の記憶手段に記憶させる。 増幅手段の増幅率は第１の記憶手段に記憶された第１の
ディジタルデータに基づいて調整され、オフセット印加
手段のオフセット出力は第２の記憶手段に記憶された第
２のディジタルデータに基づいて調整される。これによ
って、その検出出力特性が調整される。
【００１１】
【作用】本発明に係る半導体センサでは、第１の記憶手
段に記憶された第１のディジタルデータに基づいて増幅
手段の増幅率が調整され、第２の記憶手段に記憶された
第２のディジタルデータに基づいてオフセット印加手段
のオフセット出力が調整されるようになっているので、
第１の記憶手段及び第２の記憶手段に第１のディジタル
データ及び第２のディジタルデータの適正な値を記憶さ
せるだけでその検出感度及びオフセット等の検出出力特
性が適正に調整される。
段に記憶された第１のディジタルデータに基づいて増幅
手段の増幅率が調整され、第２の記憶手段に記憶された
第２のディジタルデータに基づいてオフセット印加手段
のオフセット出力が調整されるようになっているので、
第１の記憶手段及び第２の記憶手段に第１のディジタル
データ及び第２のディジタルデータの適正な値を記憶さ
せるだけでその検出感度及びオフセット等の検出出力特
性が適正に調整される。
【００１２】本発明に係る半導体センサの調整方法では
、検出対象の物理量が零の場合の増幅手段の出力レベル
と、検出対象の物理量が零以外の所定値である場合の増
幅手段の出力レベルとを計測すると、調整前の検出感度
及びオフセット量が得られるので、これらの計測結果に
基づいて、増幅手段の増幅率を、所定の検出感度を得る
ことができる増幅率に調整するための第１のディジタル
データが、所定の演算によって求められると共に、オフ
セット印加手段のオフセット出力を、所定のオフセット
を得ることができるオフセット出力に調整する第２のデ
ィジタルデータが、所定の演算によって求められる。 このように求められた第１のディジタルデータ及び第２
のディジタルデータを第１の記憶手段及び第２の記憶手
段に記憶させると、増幅手段の増幅率が第１のディジタ
ルデータに基づいて適正な値に調整され、オフセット印
加手段のオフセット出力が第２の記憶手段に記憶された
第２のディジタルデータに基づいて適正な値に調整され
る。
、検出対象の物理量が零の場合の増幅手段の出力レベル
と、検出対象の物理量が零以外の所定値である場合の増
幅手段の出力レベルとを計測すると、調整前の検出感度
及びオフセット量が得られるので、これらの計測結果に
基づいて、増幅手段の増幅率を、所定の検出感度を得る
ことができる増幅率に調整するための第１のディジタル
データが、所定の演算によって求められると共に、オフ
セット印加手段のオフセット出力を、所定のオフセット
を得ることができるオフセット出力に調整する第２のデ
ィジタルデータが、所定の演算によって求められる。 このように求められた第１のディジタルデータ及び第２
のディジタルデータを第１の記憶手段及び第２の記憶手
段に記憶させると、増幅手段の増幅率が第１のディジタ
ルデータに基づいて適正な値に調整され、オフセット印
加手段のオフセット出力が第２の記憶手段に記憶された
第２のディジタルデータに基づいて適正な値に調整され
る。
【００１３】
【実施例】以下、本発明をその実施例を示す図面に基づ
き具体的に説明する。図１は本発明に係る半導体センサ
の構成を示す模式的ブロック図である。
き具体的に説明する。図１は本発明に係る半導体センサ
の構成を示す模式的ブロック図である。
【００１４】図中１は応力及び磁束等の検出対象の物理
量を電気信号に変換する検出部であり、検出部１の検出
信号は、その増幅率を後述するディジタルデータに基づ
いて調整する増幅部２に与えられる。増幅部２に与えら
れた検出信号は前記増幅率分増幅されて出力端子３から
出力される。また、増幅部２には、そのオフセット出力
を後述するディジタルデータに基づいて調整するオフセ
ット印加部４から、検出部１の零点出力（検出対象の物
理量が零のときの出力）を補整するためのオフセット出
力が印加されるようになっている。前記増幅部２の増幅
率の適正な調整量を表す増幅率調整ディジタルデータは
不揮発性メモリよりなる記憶部５の第１記憶領域５１に
記憶されるようになっており、オフセット印加部４のオ
フセット出力の適正な調整量を表すオフセット調整ディ
ジタルデータは、前記記憶部５の第２記憶領域５２に記
憶されるようになっている。記憶部５の第１記憶領域５
１に記憶された増幅率調整ディジタルデータ及び記憶部
５の第２記憶領域５２に記憶されたオフセット調整ディ
ジタルデータは、夫々、データバス６，６を介して増幅
部２及びオフセット印加部４に与えられるようになって
いる。
量を電気信号に変換する検出部であり、検出部１の検出
信号は、その増幅率を後述するディジタルデータに基づ
いて調整する増幅部２に与えられる。増幅部２に与えら
れた検出信号は前記増幅率分増幅されて出力端子３から
出力される。また、増幅部２には、そのオフセット出力
を後述するディジタルデータに基づいて調整するオフセ
ット印加部４から、検出部１の零点出力（検出対象の物
理量が零のときの出力）を補整するためのオフセット出
力が印加されるようになっている。前記増幅部２の増幅
率の適正な調整量を表す増幅率調整ディジタルデータは
不揮発性メモリよりなる記憶部５の第１記憶領域５１に
記憶されるようになっており、オフセット印加部４のオ
フセット出力の適正な調整量を表すオフセット調整ディ
ジタルデータは、前記記憶部５の第２記憶領域５２に記
憶されるようになっている。記憶部５の第１記憶領域５
１に記憶された増幅率調整ディジタルデータ及び記憶部
５の第２記憶領域５２に記憶されたオフセット調整ディ
ジタルデータは、夫々、データバス６，６を介して増幅
部２及びオフセット印加部４に与えられるようになって
いる。
【００１５】このように構成された半導体センサにおい
ては、その検出出力特性を調整する場合、検出対象の物
理量が零の場合の出力端子３の出力及び検出対象の物理
量が零以外の所定値の場合の出力端子３の出力をモニタ
計測し、これらの値に基づいて増幅率調整ディジタルデ
ータ及びオフセット調整ディジタルデータを求め、その
求めた結果を記憶部５に記憶させる。そして、増幅部２
は、記憶部５の第１記憶領域５１に記憶された増幅率調
整ディジタルデータに従ってその増幅率が調整され、オ
フセット印加部４は、記憶部５の第２記憶領域５２に記
憶されたオフセット調整ディジタルデータに従ってその
増幅率が調整される。
ては、その検出出力特性を調整する場合、検出対象の物
理量が零の場合の出力端子３の出力及び検出対象の物理
量が零以外の所定値の場合の出力端子３の出力をモニタ
計測し、これらの値に基づいて増幅率調整ディジタルデ
ータ及びオフセット調整ディジタルデータを求め、その
求めた結果を記憶部５に記憶させる。そして、増幅部２
は、記憶部５の第１記憶領域５１に記憶された増幅率調
整ディジタルデータに従ってその増幅率が調整され、オ
フセット印加部４は、記憶部５の第２記憶領域５２に記
憶されたオフセット調整ディジタルデータに従ってその
増幅率が調整される。
【００１６】図２は本発明に係る半導体センサの検出出
力特性の調整方法を示すフローチャートである。まず、
ステップＳ１で検出対象の物理量を零にする。ステップ
Ｓ２で半導体センサの出力端子３の出力レベルをモニタ
計測する。このときの検出部１の出力が零点出力である
。次に、ステップＳ３で出力端子３の出力レベルの計測
値（以下、零出力計測値という） を、所定の検出特性
調整値演算装置に記憶させる。
力特性の調整方法を示すフローチャートである。まず、
ステップＳ１で検出対象の物理量を零にする。ステップ
Ｓ２で半導体センサの出力端子３の出力レベルをモニタ
計測する。このときの検出部１の出力が零点出力である
。次に、ステップＳ３で出力端子３の出力レベルの計測
値（以下、零出力計測値という） を、所定の検出特性
調整値演算装置に記憶させる。
【００１７】次いで、ステップＳ４で検出対象の物理量
を、検出部１の感度調整用に定めた所定値にする。そし
て、ステップＳ５で、出力端子３の出力レベルをモニタ
計測し、ステップＳ６で、出力端子３の出力レベルの計
測値（ 以下、所定出力計測値という） を前記検出特
性調整値演算装置に記憶させる。
を、検出部１の感度調整用に定めた所定値にする。そし
て、ステップＳ５で、出力端子３の出力レベルをモニタ
計測し、ステップＳ６で、出力端子３の出力レベルの計
測値（ 以下、所定出力計測値という） を前記検出特
性調整値演算装置に記憶させる。
【００１８】次に、ステップＳ７で、前述の如き方法で
検出特性調整値演算装置に記憶させた零出力計測値及び
所定出力計測値を用いて以下に示す如き演算を行い、増
幅率調整ディジタルデータ及びオフセット調整ディジタ
ルデータを算出する。増幅率調整ディジタルデータは、
次のように求める。所定出力計測値をＶＳ ， 零出力
計測値をＶ０ ， 物理量の既定値をＰとすれば、半導
体センサの調整前の感度Ｓ１ は下記（１） 式に示す
如く求められる。
検出特性調整値演算装置に記憶させた零出力計測値及び
所定出力計測値を用いて以下に示す如き演算を行い、増
幅率調整ディジタルデータ及びオフセット調整ディジタ
ルデータを算出する。増幅率調整ディジタルデータは、
次のように求める。所定出力計測値をＶＳ ， 零出力
計測値をＶ０ ， 物理量の既定値をＰとすれば、半導
体センサの調整前の感度Ｓ１ は下記（１） 式に示す
如く求められる。
【００１９】Ｓ１ ＝（ＶＳ −Ｖ０ ）／Ｐ …（
１）
１）
【００２０】そして、増幅率調整ディジタルデータ
は、このように求められる半導体センサの調整前の感度
Ｓ１ と、予め定められた半導体センサの目標感度Ｓ２
との比Ｓ２ ／Ｓ１ として求める。また、オフセッ
ト調整ディジタルデータは、零出力計測値Ｖ０ と、半
導体センサの調整前の感度Ｓ１ との比Ｖ０ ／Ｓ１
として求める。
は、このように求められる半導体センサの調整前の感度
Ｓ１ と、予め定められた半導体センサの目標感度Ｓ２
との比Ｓ２ ／Ｓ１ として求める。また、オフセッ
ト調整ディジタルデータは、零出力計測値Ｖ０ と、半
導体センサの調整前の感度Ｓ１ との比Ｖ０ ／Ｓ１
として求める。
【００２１】このようにして、増幅率調整ディジタルデ
ータ及びオフセット調整ディジタルデータが求められる
と、ステップＳ８で、前述の如く求めた増幅率調整ディ
ジタルデータ及びオフセット調整ディジタルデータを記
憶部５にインプットし、ステップＳ８でこれらのデータ
を記憶部５の第１記憶領域５１及び第２記憶領域５２に
焼き付けて記憶させて検出出力特性の調整を終了する。
ータ及びオフセット調整ディジタルデータが求められる
と、ステップＳ８で、前述の如く求めた増幅率調整ディ
ジタルデータ及びオフセット調整ディジタルデータを記
憶部５にインプットし、ステップＳ８でこれらのデータ
を記憶部５の第１記憶領域５１及び第２記憶領域５２に
焼き付けて記憶させて検出出力特性の調整を終了する。
【００２２】このように記憶部５第１記憶領域５１及び
第２記憶領域５２に増幅率調整ディジタルデータ及びオ
フセット調整ディジタルデータが記憶させられると、増
幅率調整ディジタルデータはデータバス６を介して増幅
部２に与えられ、増幅部２の増幅率は増幅率調整ディジ
タルデータに基づいて適正な値に調整される。また、オ
フセット調整ディジタルデータはデータバス６を介して
オフセット印加部４に与えられ、オフセット印加部４の
オフセット出力はオフセット調整ディジタルデータに基
づいて適正な値に調整される。このようにして、検出出
力特性は適正な値に調整される。
第２記憶領域５２に増幅率調整ディジタルデータ及びオ
フセット調整ディジタルデータが記憶させられると、増
幅率調整ディジタルデータはデータバス６を介して増幅
部２に与えられ、増幅部２の増幅率は増幅率調整ディジ
タルデータに基づいて適正な値に調整される。また、オ
フセット調整ディジタルデータはデータバス６を介して
オフセット印加部４に与えられ、オフセット印加部４の
オフセット出力はオフセット調整ディジタルデータに基
づいて適正な値に調整される。このようにして、検出出
力特性は適正な値に調整される。
【００２３】本発明にあっては、前述した如き調整方法
によって半導体センサの検出出力特性は、ステップＳ１
〜ステップＳ９の処理を１回実行するだけで、適正な値
に調整されることになる。
によって半導体センサの検出出力特性は、ステップＳ１
〜ステップＳ９の処理を１回実行するだけで、適正な値
に調整されることになる。
【００２４】また、温度特性について調整する必要があ
る場合は、温度特性を補正する回路を半導体センサに設
け、温度特性補正用のディジタルデータを記憶部５に記
憶させ、記憶させた温度特性補正用のディジタルデータ
に基づいて温度特性を補正するようにしても良い。
る場合は、温度特性を補正する回路を半導体センサに設
け、温度特性補正用のディジタルデータを記憶部５に記
憶させ、記憶させた温度特性補正用のディジタルデータ
に基づいて温度特性を補正するようにしても良い。
【００２５】
【発明の効果】以上述べたように、本発明に係る半導体
センサでは、第１の記憶手段に記憶された第１のディジ
タルデータに基づいて増幅手段の増幅率が調整され、第
２の記憶手段に記憶された第２のディジタルデータに基
づいてオフセット印加手段のオフセット出力が調整され
るようになっているので、第１の記憶手段及び第２の記
憶手段に第１のディジタルデータ及び第２のディジタル
データの適正な値を記憶させるだけでその検出感度及び
オフセット等の検出出力特性が適正に調整でき、また、
本発明に係る半導体センサの調整方法では、検出物の物
理量が零の場合の増幅手段の出力レベルと、被測定物の
物理量が零以外の既定値である場合の増幅手段の出力レ
ベルとの計測結果に基づいて、増幅手段の増幅率を、所
定の検出感度を得ることができる増幅率に調整するため
の第１のディジタルデータが、所定の演算によって求め
られると共に、オフセット印加手段のオフセット出力を
、所定のオフセットを得ることができるオフセット出力
に調整する第２のディジタルデータが、所定の演算によ
って求められる。このように求められた第１のディジタ
ルデータ及び第２のディジタルデータを第１の記憶手段
及び第２の記憶手段に記憶させると、増幅手段の増幅率
が第１のディジタルデータに基づいて適正な値に調整さ
れ、オフセット印加手段のオフセット出力が第２の記憶
手段に記憶された第２のディジタルデータに基づいて適
正な値に調整され、その検出感度及びオフセット等の検
出出力特性が適正に調整できる。このように本発明にお
いては、増幅手段の適正な増幅率及びオフセット印加手
段の適正なオフセット出力値を第１の記憶手段及び第２
の記憶手段に記憶させるだけで検出出力特性が調整でき
るので、短時間で検出出力特性の調整をすることが可能
となる等、優れた効果を奏する。
センサでは、第１の記憶手段に記憶された第１のディジ
タルデータに基づいて増幅手段の増幅率が調整され、第
２の記憶手段に記憶された第２のディジタルデータに基
づいてオフセット印加手段のオフセット出力が調整され
るようになっているので、第１の記憶手段及び第２の記
憶手段に第１のディジタルデータ及び第２のディジタル
データの適正な値を記憶させるだけでその検出感度及び
オフセット等の検出出力特性が適正に調整でき、また、
本発明に係る半導体センサの調整方法では、検出物の物
理量が零の場合の増幅手段の出力レベルと、被測定物の
物理量が零以外の既定値である場合の増幅手段の出力レ
ベルとの計測結果に基づいて、増幅手段の増幅率を、所
定の検出感度を得ることができる増幅率に調整するため
の第１のディジタルデータが、所定の演算によって求め
られると共に、オフセット印加手段のオフセット出力を
、所定のオフセットを得ることができるオフセット出力
に調整する第２のディジタルデータが、所定の演算によ
って求められる。このように求められた第１のディジタ
ルデータ及び第２のディジタルデータを第１の記憶手段
及び第２の記憶手段に記憶させると、増幅手段の増幅率
が第１のディジタルデータに基づいて適正な値に調整さ
れ、オフセット印加手段のオフセット出力が第２の記憶
手段に記憶された第２のディジタルデータに基づいて適
正な値に調整され、その検出感度及びオフセット等の検
出出力特性が適正に調整できる。このように本発明にお
いては、増幅手段の適正な増幅率及びオフセット印加手
段の適正なオフセット出力値を第１の記憶手段及び第２
の記憶手段に記憶させるだけで検出出力特性が調整でき
るので、短時間で検出出力特性の調整をすることが可能
となる等、優れた効果を奏する。
【図１】本発明に係る半導体センサの構成を示す模式的
ブロック図である。
ブロック図である。
【図２】本発明に係る半導体センサの検出出力特性の調
整方法を示すフローチャートである。
整方法を示すフローチャートである。
【図３】従来の半導体センサの構成を示す模式的ブロッ
ク図である。
ク図である。
【図４】従来の半導体センサの検出出力特性の調整方法
を示すフローチャートである。
を示すフローチャートである。
１ 検出部
２ 増幅部
３ 出力端子
４ オフセット印加部
５ 記憶部
６ データバス
５１ 第１記憶領域
５２ 第２記憶領域
Claims (2)
- 【請求項１】 検出対象の物理量を検出し、これを電
気信号に変換する検出手段と、前記物理量が零の場合の
オフセットを補整するオフセット出力を印加するオフセ
ット印加手段と、前記検出手段の出力を増幅する増幅手
段とを備え、前記増幅手段の増幅率及び前記オフセット
印加手段のオフセット出力を調整することにより、その
検出出力特性を調整するようにしてある半導体センサに
おいて、前記増幅率を調整するための第１のディジタル
データを記憶する第１の記憶手段と前記オフセット出力
を調整するための第２のディジタルデータを記憶する第
２の記憶手段とを備え、第１の記憶手段に記憶された第
１のディジタルデータに基づいて前記増幅手段の増幅率
を調整し、第２の記憶手段に記憶された第２のディジタ
ルデータに基づいて前記オフセット印加手段のオフセッ
ト出力を調整するようにしてあることを特徴とする半導
体センサ。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体センサを用いて
その検出出力特性を調整する半導体センサの調整方法で
あって、検出対象の物理量が零の場合の増幅手段の出力
レベルと、検出対象の物理量が零以外の所定値である場
合の増幅手段の出力レベルとを計測し、これらの計測結
果に基づいて、所定の検出感度が得られる第１のディジ
タルデータ及び所定のオフセットが得られる第２のディ
ジタルデータを求め、求めた第１のディジタルデータを
第１の記憶手段に記憶させると共に求めた第２のディジ
タルデータを第２の記憶手段に記憶させることを特徴と
する半導体センサの調整方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3064640A JP2678528B2 (ja) | 1991-03-28 | 1991-03-28 | 半導体センサ及びその調整方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3064640A JP2678528B2 (ja) | 1991-03-28 | 1991-03-28 | 半導体センサ及びその調整方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04313020A true JPH04313020A (ja) | 1992-11-05 |
| JP2678528B2 JP2678528B2 (ja) | 1997-11-17 |
Family
ID=13264072
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3064640A Expired - Lifetime JP2678528B2 (ja) | 1991-03-28 | 1991-03-28 | 半導体センサ及びその調整方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2678528B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6456954B1 (en) | 1999-02-24 | 2002-09-24 | Denso Corporation | Sensing apparatus for detecting a physical quantity, including memory circuits storing characteristics adjusting data |
| JP2009053110A (ja) * | 2007-08-28 | 2009-03-12 | Toshiba Corp | センサ装置 |
| US7716000B2 (en) | 2007-08-28 | 2010-05-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Sensor apparatus having sensor element |
| WO2022209544A1 (ja) * | 2021-04-01 | 2022-10-06 | ローム株式会社 | 半導体装置、温度検出システム及び車両 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0266406A (ja) * | 1988-09-01 | 1990-03-06 | Tokyo Keiki Co Ltd | 自動較正機能付計測装置 |
-
1991
- 1991-03-28 JP JP3064640A patent/JP2678528B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0266406A (ja) * | 1988-09-01 | 1990-03-06 | Tokyo Keiki Co Ltd | 自動較正機能付計測装置 |
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|---|---|---|---|---|
| US6456954B1 (en) | 1999-02-24 | 2002-09-24 | Denso Corporation | Sensing apparatus for detecting a physical quantity, including memory circuits storing characteristics adjusting data |
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| US7716000B2 (en) | 2007-08-28 | 2010-05-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Sensor apparatus having sensor element |
| WO2022209544A1 (ja) * | 2021-04-01 | 2022-10-06 | ローム株式会社 | 半導体装置、温度検出システム及び車両 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2678528B2 (ja) | 1997-11-17 |
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