JPH04311837A - 光ディスク原盤の現像方法 - Google Patents
光ディスク原盤の現像方法Info
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- JPH04311837A JPH04311837A JP10472791A JP10472791A JPH04311837A JP H04311837 A JPH04311837 A JP H04311837A JP 10472791 A JP10472791 A JP 10472791A JP 10472791 A JP10472791 A JP 10472791A JP H04311837 A JPH04311837 A JP H04311837A
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Landscapes
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、光ディスク原盤の現像
方法に関する。
方法に関する。
【0002】
【従来の技術】光ディスク原盤を製造するには、まずス
タンパ作製時の基板(原板)となる例えば円板状ガラス
板を平坦面に研磨し、この研磨面をスクラブ処理し洗浄
した後、フォトレジスト層を形成する。そして、このフ
ォトレジスト層に例えばレーザビームを照射して、光デ
ィスクのグルーブおよび/またはピット転写用のスタン
パパターンに対応する母型パターンを露光し、露光後の
フォトレジスト層を現像処理して母型パターン(原盤パ
ターン)を形成する。
タンパ作製時の基板(原板)となる例えば円板状ガラス
板を平坦面に研磨し、この研磨面をスクラブ処理し洗浄
した後、フォトレジスト層を形成する。そして、このフ
ォトレジスト層に例えばレーザビームを照射して、光デ
ィスクのグルーブおよび/またはピット転写用のスタン
パパターンに対応する母型パターンを露光し、露光後の
フォトレジスト層を現像処理して母型パターン(原盤パ
ターン)を形成する。
【0003】このような場合、現像処理においては、原
盤を回転させながら、カッティング記録後のレジスト膜
に、現像液をシャワーしたり、スプレーしたりする。こ
の際、レジスト膜に、モニタ用のレーザー光を照射して
おき、現像の進行とともに変化するグルーブの回折格子
作用の変化を利用して、回折光の強度比をモニタしなが
ら、現像の終了時点を判断する。そして、所定の線幅な
いし深さに達した時点で現像液の供給を停止するととも
に、水を付与し、その後これを振り切って、現像を終了
している。
盤を回転させながら、カッティング記録後のレジスト膜
に、現像液をシャワーしたり、スプレーしたりする。こ
の際、レジスト膜に、モニタ用のレーザー光を照射して
おき、現像の進行とともに変化するグルーブの回折格子
作用の変化を利用して、回折光の強度比をモニタしなが
ら、現像の終了時点を判断する。そして、所定の線幅な
いし深さに達した時点で現像液の供給を停止するととも
に、水を付与し、その後これを振り切って、現像を終了
している。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしこのような水の
付与のみでは現像は完全には停止せず、グルーブやピッ
トの寸法は、幅で±20nm、深さで±10nm程度の
制御しかできない。
付与のみでは現像は完全には停止せず、グルーブやピッ
トの寸法は、幅で±20nm、深さで±10nm程度の
制御しかできない。
【0005】本発明の目的は、現像の停止時間の制御を
精密に行うことができ、グルーブやピットの寸法が極め
て精密に制御できる光ディスク原盤の現像方法を提供す
ることにある。
精密に行うことができ、グルーブやピットの寸法が極め
て精密に制御できる光ディスク原盤の現像方法を提供す
ることにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】このような目的は下記(
1)〜(4)の本発明により達成される。
1)〜(4)の本発明により達成される。
【0007】(1) 光ディスク原盤のフォトレジス
ト膜をパターン露光し、露光後のフォトレジスト膜を現
像処理した後、水洗液により洗浄する光ディスク原盤の
現像方法において、現像液を槽中に満たし、前記光ディ
スク原盤を前記槽中に浸漬して現像処理した後、前記光
ディスク原盤を現像液外に出し、前記水洗液を付与する
ことを特徴とする光ディスク原盤の現像方法。
ト膜をパターン露光し、露光後のフォトレジスト膜を現
像処理した後、水洗液により洗浄する光ディスク原盤の
現像方法において、現像液を槽中に満たし、前記光ディ
スク原盤を前記槽中に浸漬して現像処理した後、前記光
ディスク原盤を現像液外に出し、前記水洗液を付与する
ことを特徴とする光ディスク原盤の現像方法。
【0008】(2) 前記現像処理後、前記光ディス
ク原盤を前記槽上に上昇させたのち、前記フォトレジス
ト膜に前記水洗液をシャワーまたはスプレーする上記(
1)に記載の光ディスク原盤の現像方法。
ク原盤を前記槽上に上昇させたのち、前記フォトレジス
ト膜に前記水洗液をシャワーまたはスプレーする上記(
1)に記載の光ディスク原盤の現像方法。
【0009】(3) 現像処理中、槽中に現像液を補
充しない上記(1)または(2)に記載の光ディスク原
盤の現像方法。
充しない上記(1)または(2)に記載の光ディスク原
盤の現像方法。
【0010】(4) 前記水洗液が酸を含有する上記
(1)ないし(3)のいずれかに記載の光ディスク原盤
の現像方法。
(1)ないし(3)のいずれかに記載の光ディスク原盤
の現像方法。
【0011】
【作用】本発明においては、カッティング後の光ディス
ク原盤の現像を、槽中に満たした現像液中にディスクを
浸漬することにより行う。現像の進行は槽外から照射す
るモニタ用レーザの回折光の変化によってモニタし、現
像停止時点で光ディスク原盤を槽中から引き上げ水洗液
を付与する。
ク原盤の現像を、槽中に満たした現像液中にディスクを
浸漬することにより行う。現像の進行は槽外から照射す
るモニタ用レーザの回折光の変化によってモニタし、現
像停止時点で光ディスク原盤を槽中から引き上げ水洗液
を付与する。
【0012】現像の進行とともに、現像液は疲幣してく
るので、槽中に満たす現像液の量を所定のものとすれば
、現像後期の現像の進行は緩やかなものとなる。そこで
、原盤を槽外に取り出して、水洗液を付与すれば、図3
中、曲線aで示されるように、現像は瞬時に停止し、現
像停止を極めて精密に制御できるので、グルーブやピッ
トの幅を、設定値の±10nm、深さを設定値の±5n
mの精度で制御することができる。
るので、槽中に満たす現像液の量を所定のものとすれば
、現像後期の現像の進行は緩やかなものとなる。そこで
、原盤を槽外に取り出して、水洗液を付与すれば、図3
中、曲線aで示されるように、現像は瞬時に停止し、現
像停止を極めて精密に制御できるので、グルーブやピッ
トの幅を、設定値の±10nm、深さを設定値の±5n
mの精度で制御することができる。
【0013】これに対し、従来のシャワーないしスプレ
ー法による現像処理では、新鮮な現像液で常に処理され
るので、図3中、曲線bで示されるように、現像の進行
とともに現像速度が早まり、現像停止後直ちに水洗液の
付与を行っても、現像の進行は停止せず、寸法精度が低
下する。
ー法による現像処理では、新鮮な現像液で常に処理され
るので、図3中、曲線bで示されるように、現像の進行
とともに現像速度が早まり、現像停止後直ちに水洗液の
付与を行っても、現像の進行は停止せず、寸法精度が低
下する。
【0014】
【実施例】以下、本発明の光ディスク原盤の現像方法の
一例を説明する。
一例を説明する。
【0015】1)先ず、作製すべきスタンパの原母型(
原盤)の基板(原板)となる例えば円板状のガラス板を
準備する。
原盤)の基板(原板)となる例えば円板状のガラス板を
準備する。
【0016】2)この円板状ガラス板の被研磨面を研磨
する。研磨面のRaは10nm以下、特に5nm以下に
することが出来る。
する。研磨面のRaは10nm以下、特に5nm以下に
することが出来る。
【0017】3)研磨面を、例えばスポンジ等の柔軟な
払拭材でスクラブ処理する。
払拭材でスクラブ処理する。
【0018】4)スクラブ処理後の研磨面の洗浄を行い
、次いで、乾燥する。
、次いで、乾燥する。
【0019】5)洗浄工程後のガラス板の研磨面に、必
要に応じプライマー膜をスピンコート法によって塗布し
、乾燥する。
要に応じプライマー膜をスピンコート法によって塗布し
、乾燥する。
【0020】6)プライマー膜面に、フォトレジスト膜
をスピンコート法によって形成する。
をスピンコート法によって形成する。
【0021】この場合、使用するレジスト材料としては
、ポジ型のものでもネガ型のものでもよいが、ポジ型の
ものが好ましく、特にナフトキノンジアジド誘導体とノ
ボラックとを組み合わせた、アルカリ現像タイプのもの
が好ましい。フォトレジスト膜は500〜5000A
、特に800〜3000A の膜厚に設層する。これは
、目的とするピットやグルーブ深さと、転写率を考えて
のことである。
、ポジ型のものでもネガ型のものでもよいが、ポジ型の
ものが好ましく、特にナフトキノンジアジド誘導体とノ
ボラックとを組み合わせた、アルカリ現像タイプのもの
が好ましい。フォトレジスト膜は500〜5000A
、特に800〜3000A の膜厚に設層する。これは
、目的とするピットやグルーブ深さと、転写率を考えて
のことである。
【0022】7)このフォトレジスト膜にレーザビーム
の収束光を照射して、公知のISO等のフォーマットに
従い、グルーブや、ピットの転写用の裏型パターンに応
じた母型パターンを露光する。
の収束光を照射して、公知のISO等のフォーマットに
従い、グルーブや、ピットの転写用の裏型パターンに応
じた母型パターンを露光する。
【0023】この際同時に、記録領域外の箇所に、レー
ザビームを照射して、現像時間制御用のモニタパターン
を露光することが好ましい。この場合、モニタパターン
は、例えばグルーブまたはピットとして、前述の母型パ
ターンのグルーブやピットと同条件で露光されることに
なる。このレーザビーム収束光の照射については、公知
の照射条件、走査条件を利用して、公知のレーザカッテ
ィング装置を用いて実施する。なお、露光は電子線によ
ってもよい。
ザビームを照射して、現像時間制御用のモニタパターン
を露光することが好ましい。この場合、モニタパターン
は、例えばグルーブまたはピットとして、前述の母型パ
ターンのグルーブやピットと同条件で露光されることに
なる。このレーザビーム収束光の照射については、公知
の照射条件、走査条件を利用して、公知のレーザカッテ
ィング装置を用いて実施する。なお、露光は電子線によ
ってもよい。
【0024】8)露光後のフォトレジスト膜を現像処理
することによって、母型パターンおよびモニタパターン
の露光部(ネガ型レジストの場合には末露光部)をそれ
ぞれ除去する。
することによって、母型パターンおよびモニタパターン
の露光部(ネガ型レジストの場合には末露光部)をそれ
ぞれ除去する。
【0025】この場合の現像処理は、例えば図1に示さ
れるような現像装置6を用いて実施する。この現像装置
6は、ガラス板1を載置可能で、所定の速度で回転する
ターンテーブル61を有する。このターンテーブル61
の下方位置には、排出口21を底部に有する槽2が設け
られ、ターンテーブル61およびガラス板1が槽中に浸
漬できるようにする。
れるような現像装置6を用いて実施する。この現像装置
6は、ガラス板1を載置可能で、所定の速度で回転する
ターンテーブル61を有する。このターンテーブル61
の下方位置には、排出口21を底部に有する槽2が設け
られ、ターンテーブル61およびガラス板1が槽中に浸
漬できるようにする。
【0026】この際、ターンテーブル61の回転軸は、
槽2の底壁に、液密に、回転および上下動できるように
接している。ターンテーブル61の回転数は、30〜6
0rpm とすることが好ましい。回転数が小さすぎる
と1枚の盤内で、初期に現像液と接触する時間が若干変
わってしまい、現像ムラが生じやすい。また大きすぎる
と水流が乱れ、ビームが散乱されるため正確なモニタリ
ングができなくなる。
槽2の底壁に、液密に、回転および上下動できるように
接している。ターンテーブル61の回転数は、30〜6
0rpm とすることが好ましい。回転数が小さすぎる
と1枚の盤内で、初期に現像液と接触する時間が若干変
わってしまい、現像ムラが生じやすい。また大きすぎる
と水流が乱れ、ビームが散乱されるため正確なモニタリ
ングができなくなる。
【0027】槽2中には、現像液4が満たされる。現像
液4の量は、レジスト膜3の1cm2あたり、5×10
−6〜1.5×10−5ml程度とすることが好ましい
。これにより現像後期の現像の進行を遅くすることがで
きる。
液4の量は、レジスト膜3の1cm2あたり、5×10
−6〜1.5×10−5ml程度とすることが好ましい
。これにより現像後期の現像の進行を遅くすることがで
きる。
【0028】このような構成にて、ターンテーブル61
を槽2上へ上昇させた状態で、現像液供給手段62から
、所定量の現像液4を、槽2中に導入し、槽2を現像液
4で満たす。
を槽2上へ上昇させた状態で、現像液供給手段62から
、所定量の現像液4を、槽2中に導入し、槽2を現像液
4で満たす。
【0029】そして、露光後のガラス板1を、フォトレ
ジスト膜3が上向きの状態で、ターンテーブル61上に
載置し、ターンテーブル駆動手段70により、ターンテ
ーブル61を槽2中へ下降させる。現像液供給手段62
から一定量の現像液を槽2中に満たし、同時に所定の速
度でターンテーブル61を回転させて、記録領域内外に
露光された露光部の現像処理を実施する。現像処理中は
、通常、現像液4の補充は行わない。
ジスト膜3が上向きの状態で、ターンテーブル61上に
載置し、ターンテーブル駆動手段70により、ターンテ
ーブル61を槽2中へ下降させる。現像液供給手段62
から一定量の現像液を槽2中に満たし、同時に所定の速
度でターンテーブル61を回転させて、記録領域内外に
露光された露光部の現像処理を実施する。現像処理中は
、通常、現像液4の補充は行わない。
【0030】この際、現像装置6には、現像制御用のレ
ーザビームを出射するレーザ63を配置し、このレーザ
ビームを、プリズム64により屈折し、現像モニタ用グ
ルーブ55にガラス板1の例えば裏面側から照射する。 レーザビームは、ターンテーブル61の回転速度が数1
0rpm と遅いので、現像液4によって擾乱されるこ
とはない。そして、レーザビームのグルーブ55による
0次回折光81、1次回折光82および2次回折光83
をそれぞれ検出する0次光検出手段65、1次光検出手
段66および2次光検出手段67を配置し、これらの出
力信号を演算手段68に入力する。
ーザビームを出射するレーザ63を配置し、このレーザ
ビームを、プリズム64により屈折し、現像モニタ用グ
ルーブ55にガラス板1の例えば裏面側から照射する。 レーザビームは、ターンテーブル61の回転速度が数1
0rpm と遅いので、現像液4によって擾乱されるこ
とはない。そして、レーザビームのグルーブ55による
0次回折光81、1次回折光82および2次回折光83
をそれぞれ検出する0次光検出手段65、1次光検出手
段66および2次光検出手段67を配置し、これらの出
力信号を演算手段68に入力する。
【0031】このように、母型パターンのグルーブ51
および/またはピットの深さおよび幅の寸法管理に際し
て、現像処理中に、ガラス板1の裏面側から現像制御用
レーザビームをモニタ用グルーブ55の露光部に入射す
ると、現像の進行に従い、回折光強度が変化する。そこ
で、公知の方法に従い、モニタ用のグルーブ55の露光
部を透過したレーザビームの0次回折光81と、1次回
折光82や2次回折光83とを検出して制御する。
および/またはピットの深さおよび幅の寸法管理に際し
て、現像処理中に、ガラス板1の裏面側から現像制御用
レーザビームをモニタ用グルーブ55の露光部に入射す
ると、現像の進行に従い、回折光強度が変化する。そこ
で、公知の方法に従い、モニタ用のグルーブ55の露光
部を透過したレーザビームの0次回折光81と、1次回
折光82や2次回折光83とを検出して制御する。
【0032】より具体的には、0次回折光と、1次ない
し2次回折光との強度比は、溝の深さや幅と相関するの
で、この強度比を演算手段68にて演算したのち、比較
手段71にて、記憶手段72に記憶された所定の強度比
となったことを現像終了信号として出力して、現像を終
了させればよい。現像終了は、例えば、図1に示される
ように、比較手段71の出力を制御手段75に入力し、
これをターンテーブル駆動手段70に出力し、図2に示
されるように、ガラス板1を槽2中から上昇させればよ
い。これと同時に、バルブ23を開として、排出口21
から現像液4を排出する。このように、現像終了後、現
像液4を、光ディスク原盤1枚の現像毎に排出口21か
ら排出すると、現像液4の使用量は一定量であり、しか
も通常のシャワー法やスプレー法と比較して少量である
。しかも、現像後期の現像速度を遅くして、現像終了を
厳密に制御できる。
し2次回折光との強度比は、溝の深さや幅と相関するの
で、この強度比を演算手段68にて演算したのち、比較
手段71にて、記憶手段72に記憶された所定の強度比
となったことを現像終了信号として出力して、現像を終
了させればよい。現像終了は、例えば、図1に示される
ように、比較手段71の出力を制御手段75に入力し、
これをターンテーブル駆動手段70に出力し、図2に示
されるように、ガラス板1を槽2中から上昇させればよ
い。これと同時に、バルブ23を開として、排出口21
から現像液4を排出する。このように、現像終了後、現
像液4を、光ディスク原盤1枚の現像毎に排出口21か
ら排出すると、現像液4の使用量は一定量であり、しか
も通常のシャワー法やスプレー法と比較して少量である
。しかも、現像後期の現像速度を遅くして、現像終了を
厳密に制御できる。
【0033】これらの場合、用いる現像液4としては、
SHIPLEY社製マイクロポジット351/450、
352/452、353/453、354/454、3
55/455デベロッパー、HOECHST社製AZ、
AZ312MIF、AZ351、AZ400Kデベロッ
パー、東京応化社製OFPR現像液等公知のアルカリ水
溶液が好適である。
SHIPLEY社製マイクロポジット351/450、
352/452、353/453、354/454、3
55/455デベロッパー、HOECHST社製AZ、
AZ312MIF、AZ351、AZ400Kデベロッ
パー、東京応化社製OFPR現像液等公知のアルカリ水
溶液が好適である。
【0034】そして、現像温度は15〜25℃程度、現
像時間は45〜90sec 程度とすればよい。なお、
現像制御用レーザビームとしては、He−Neレーザ、
各種半導体レーザ等を用いればよい。
像時間は45〜90sec 程度とすればよい。なお、
現像制御用レーザビームとしては、He−Neレーザ、
各種半導体レーザ等を用いればよい。
【0035】次いで、槽2中よりガラス板1を取り出し
た後、フォトレジスト膜3に水洗液供給手段69から水
をかけてそれを振り切り、フォトレジスト膜3の反応の
進行を完全に停止させる。
た後、フォトレジスト膜3に水洗液供給手段69から水
をかけてそれを振り切り、フォトレジスト膜3の反応の
進行を完全に停止させる。
【0036】水は、純水を用いることが好ましく、この
純水には酸を含有させることが好ましい。酸としては、
鉱酸を用いることが好ましいが、このうち特に塩酸が好
ましい。
純水には酸を含有させることが好ましい。酸としては、
鉱酸を用いることが好ましいが、このうち特に塩酸が好
ましい。
【0037】水洗液のpHは1〜2であることが好まし
い。pHが2より大であると現像の停止が不完全となる
。 このように酸を含有する水洗液を用いることにより、現
像の停止は瞬時に行われる。
い。pHが2より大であると現像の停止が不完全となる
。 このように酸を含有する水洗液を用いることにより、現
像の停止は瞬時に行われる。
【0038】また、水洗液はスプレー法、スピン法のい
ずれで付与してもよい。水付与時間は20〜60sec
程度とすればよい。このように光ディスク原盤を槽2
から上昇させると同時に水洗液をシャワーまたはスプレ
ーすることにより、現像の停止は瞬時に行われる。なお
、水付与前の現像の停止は、現像液4を槽2から排出す
ることによってもよい。
ずれで付与してもよい。水付与時間は20〜60sec
程度とすればよい。このように光ディスク原盤を槽2
から上昇させると同時に水洗液をシャワーまたはスプレ
ーすることにより、現像の停止は瞬時に行われる。なお
、水付与前の現像の停止は、現像液4を槽2から排出す
ることによってもよい。
【0039】従来のシャワーないしスプレー法による現
像処理および水洗を実施する場合に、例えば1次回折光
/0次回折光強度比(I1 /I0 )を用いて寸法管
理を行うと、図3中、曲線bとして示されるように、t
1 〜t2 の水洗時間中、現像が進行し、溝の深さが
深くなっていく。しかし、本発明の現像法を用いれば、
図3中、曲線aのように、現像後期の現像の進行が遅く
なるとともに、t1 での水洗開始後直ちに現像が停止
し、寸法精度はより一層向上する。
像処理および水洗を実施する場合に、例えば1次回折光
/0次回折光強度比(I1 /I0 )を用いて寸法管
理を行うと、図3中、曲線bとして示されるように、t
1 〜t2 の水洗時間中、現像が進行し、溝の深さが
深くなっていく。しかし、本発明の現像法を用いれば、
図3中、曲線aのように、現像後期の現像の進行が遅く
なるとともに、t1 での水洗開始後直ちに現像が停止
し、寸法精度はより一層向上する。
【0040】この場合、シャワー現像および水洗では、
30sec 程度の水洗時間で、現像の緩慢な進行によ
り、グルーブ深さ等が増大し、例えばI1 /I0 は
6%程度上昇してしまう。これに対し、本発明の浸漬現
像および水洗では、例えばI1 /I0の上昇は2%以
下である。
30sec 程度の水洗時間で、現像の緩慢な進行によ
り、グルーブ深さ等が増大し、例えばI1 /I0 は
6%程度上昇してしまう。これに対し、本発明の浸漬現
像および水洗では、例えばI1 /I0の上昇は2%以
下である。
【0041】このようにしてグルーブないしピットの深
さを設定値の±5nm、幅を設定値の±10nmの精度
にて制御することができ、これらのばらつきは、通常の
シャワーまたはスプレーによる現像方法の1/2以下と
なる。停止時間や、休止時間等を予め記憶させておくこ
とによって、容易に自動制御することができる。そして
、水洗液に酸を含有させれば、寸法精度はより一層向上
する。
さを設定値の±5nm、幅を設定値の±10nmの精度
にて制御することができ、これらのばらつきは、通常の
シャワーまたはスプレーによる現像方法の1/2以下と
なる。停止時間や、休止時間等を予め記憶させておくこ
とによって、容易に自動制御することができる。そして
、水洗液に酸を含有させれば、寸法精度はより一層向上
する。
【0042】9)現像水洗終了後、乾燥を行なう。
【0043】10)この後、公知の方法に従い、スタン
パを作製し、ディスク基板を作製する。
パを作製し、ディスク基板を作製する。
【0044】
【発明の効果】本発明によれば、現像の終了をきわめて
精密に制御でき、パターンの寸法精度が格段と向上する
。
精密に制御でき、パターンの寸法精度が格段と向上する
。
【0045】
【図1】露光後のフォトレジスト膜の現像処理を説明す
るための模式説明図である。
るための模式説明図である。
【図2】現像後の水洗処理を説明するための模式説明図
である。
である。
【図3】現像処理および水洗処理の時間経過に伴うモニ
タ用グルーブからの1次回折光と0次回折光の強度比の
関係を示すグラフである。
タ用グルーブからの1次回折光と0次回折光の強度比の
関係を示すグラフである。
【0046】
1 ガラス板
2 槽
21 現像液排出口
3 フォトレジスト膜
4 現像液
51 グルーブ
55 現像モニタ用グルーブ
6 現像装置
61 ターンテーブル
62 現像液供給手段
63 レーザ
64 プリズム
65 0次光検出手段
66 1次光検出手段
67 2次光検出手段
68 演算手段
69 水洗液供給手段
70 ターンテーブル駆動手段
71 比較手段
72 記憶手段
75 制御手段
81 0次回折光
82 1次回折光
83 2次回折光
Claims (4)
- 【請求項1】 光ディスク原盤のフォトレジスト膜を
パターン露光し、露光後のフォトレジスト膜を現像処理
した後、水洗液により洗浄する光ディスク原盤の現像方
法において、現像液を槽中に満たし、前記光ディスク原
盤を前記槽中に浸漬して現像処理した後、前記光ディス
ク原盤を現像液外に出し、前記水洗液を付与することを
特徴とする光ディスク原盤の現像方法。 - 【請求項2】 前記現像処理後、前記光ディスク原盤
を前記槽上に上昇させたのち、前記フォトレジスト膜に
前記水洗液をシャワーまたはスプレーする請求項1に記
載の光ディスク原盤の現像方法。 - 【請求項3】 現像処理中、槽中に現像液を補充しな
い請求項1または2に記載の光ディスク原盤の現像方法
。 - 【請求項4】 前記水洗液が酸を含有する請求項1な
いし3のいずれかに記載の光ディスク原盤の現像方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10472791A JPH04311837A (ja) | 1991-04-10 | 1991-04-10 | 光ディスク原盤の現像方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10472791A JPH04311837A (ja) | 1991-04-10 | 1991-04-10 | 光ディスク原盤の現像方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04311837A true JPH04311837A (ja) | 1992-11-04 |
Family
ID=14388532
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10472791A Pending JPH04311837A (ja) | 1991-04-10 | 1991-04-10 | 光ディスク原盤の現像方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04311837A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1994023343A1 (en) * | 1993-04-07 | 1994-10-13 | Nimbus Communications International Limited | Method and apparatus for process control |
US6025118A (en) * | 1998-05-12 | 2000-02-15 | Sony Corporation | Glassmastering photoresist read after write method and system |
-
1991
- 1991-04-10 JP JP10472791A patent/JPH04311837A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1994023343A1 (en) * | 1993-04-07 | 1994-10-13 | Nimbus Communications International Limited | Method and apparatus for process control |
AU675125B2 (en) * | 1993-04-07 | 1997-01-23 | Nimbus Communications International Limited | Method and apparatus for process control |
US6025118A (en) * | 1998-05-12 | 2000-02-15 | Sony Corporation | Glassmastering photoresist read after write method and system |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20010403 |