JPH04311053A - 欠陥判定器 - Google Patents
欠陥判定器Info
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- JPH04311053A JPH04311053A JP3076663A JP7666391A JPH04311053A JP H04311053 A JPH04311053 A JP H04311053A JP 3076663 A JP3076663 A JP 3076663A JP 7666391 A JP7666391 A JP 7666391A JP H04311053 A JPH04311053 A JP H04311053A
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims abstract description 9
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
- 238000010422 painting Methods 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 23
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- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 6
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- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
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- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は欠陥判定器、特に、半導
体ウェハやプリント基板の、パターン比較検査に適用し
うる欠陥判定器に関する。
体ウェハやプリント基板の、パターン比較検査に適用し
うる欠陥判定器に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の技術としては、例えば、特願昭６
３−３３０３６７号公報に記載されているような欠陥判
定器がある。
３−３３０３６７号公報に記載されているような欠陥判
定器がある。
【０００３】従来の欠陥判定器は、隣接の同一パターン
どうしを比較し、比較結果画像信号を出力する比較結果
画像部と、前記比較結果画像信号を拡大し、拡大信号を
出力する拡大器と、前記拡大器の拡大画素数を設定する
設定器と、前記パターンのエッジをもとめ、エッジ画像
信号を出力するエッジ画像部と、前記拡大信号と前記エ
ッジ画像信号との論理積をもとめ、論理積信号を出力す
る論理積回路と、前記比較結果画像部からの画像情報と
前記論理積信号にもとづいて、前記パターンの欠陥を検
出する検出部とを含んで構成される。
どうしを比較し、比較結果画像信号を出力する比較結果
画像部と、前記比較結果画像信号を拡大し、拡大信号を
出力する拡大器と、前記拡大器の拡大画素数を設定する
設定器と、前記パターンのエッジをもとめ、エッジ画像
信号を出力するエッジ画像部と、前記拡大信号と前記エ
ッジ画像信号との論理積をもとめ、論理積信号を出力す
る論理積回路と、前記比較結果画像部からの画像情報と
前記論理積信号にもとづいて、前記パターンの欠陥を検
出する検出部とを含んで構成される。
【０００４】図８は従来の一例を示すブロック図である
。図８に示す欠陥判定器は、隣接のパターンどうしを比
較し、比較結果画像信号ｇを出力する比較結果画像部１
０と、比較結果信号ｇを拡大し、拡大信号ｈを出力する
拡大器１１と、拡大器１１に接続され、拡大器１１の拡
大画素数を設定する設定器１２と、複数パターンのエッ
ジをもとめ、エッジ画像信号ｉを出力するエッジ画像部
１３と、拡大信号ｈとエッジ画像信号ｉとの論理積をも
とめ、論理積信号ｅを出力する論理積回路５と、比較結
果画像部１０からの画像情報信号ｊと論理積信号ｅとに
もとづいて撮像パターンの欠陥を検出する検出部７とを
含んでいる。
。図８に示す欠陥判定器は、隣接のパターンどうしを比
較し、比較結果画像信号ｇを出力する比較結果画像部１
０と、比較結果信号ｇを拡大し、拡大信号ｈを出力する
拡大器１１と、拡大器１１に接続され、拡大器１１の拡
大画素数を設定する設定器１２と、複数パターンのエッ
ジをもとめ、エッジ画像信号ｉを出力するエッジ画像部
１３と、拡大信号ｈとエッジ画像信号ｉとの論理積をも
とめ、論理積信号ｅを出力する論理積回路５と、比較結
果画像部１０からの画像情報信号ｊと論理積信号ｅとに
もとづいて撮像パターンの欠陥を検出する検出部７とを
含んでいる。
【０００５】図９は比較結果画像信号ｇの一例を示す模
式図である。ここで、欠陥１４ａ〜１４ｅは、比較結果
得られた欠陥を示している。欠陥１４ａ〜１４ｅは、そ
の大きさや他の正常パターンとの位置関係を計測して良
否を決める必要がある。
式図である。ここで、欠陥１４ａ〜１４ｅは、比較結果
得られた欠陥を示している。欠陥１４ａ〜１４ｅは、そ
の大きさや他の正常パターンとの位置関係を計測して良
否を決める必要がある。
【０００６】図１０は、拡大信号ｈを示す模式図である
。ここで、欠陥の拡大画像１４ａａ〜１４ｅｅは、図８
の欠陥１４ａ〜１４ｅの拡大結果である。
。ここで、欠陥の拡大画像１４ａａ〜１４ｅｅは、図８
の欠陥１４ａ〜１４ｅの拡大結果である。
【０００７】図１１は、論理積信号ｅを示す模式図であ
る。論理積信号ｅは、撮像パターンの、欠陥を含まない
エッジ画像となる。
る。論理積信号ｅは、撮像パターンの、欠陥を含まない
エッジ画像となる。
【０００８】図１２は、図１０と図１１を合成した模式
図である。まず、比較結果画像信号ｇに対して、良否判
定基準の画素数を設定器１２に設定し、拡大器１１によ
り比較結果画像信号ｇを設定画素数だけ拡大して、拡大
信号ｈを得る。次に、論理積回路５により、拡大信号ｈ
とエッジ画像信号ｉとの論理積をもとめ、これから、検
出部７で、エッジ画像信号ｉと拡大画像信号ｈとの重な
る欠陥の拡大画像１４ａａ，１４ｂｂ，１４ｅｅを検出
する。この結果、比較結果画像信号ｇの欠陥１４ａ，１
４ｂ，１４ｅが、正常パターンに近接している不良欠陥
として判定される。
図である。まず、比較結果画像信号ｇに対して、良否判
定基準の画素数を設定器１２に設定し、拡大器１１によ
り比較結果画像信号ｇを設定画素数だけ拡大して、拡大
信号ｈを得る。次に、論理積回路５により、拡大信号ｈ
とエッジ画像信号ｉとの論理積をもとめ、これから、検
出部７で、エッジ画像信号ｉと拡大画像信号ｈとの重な
る欠陥の拡大画像１４ａａ，１４ｂｂ，１４ｅｅを検出
する。この結果、比較結果画像信号ｇの欠陥１４ａ，１
４ｂ，１４ｅが、正常パターンに近接している不良欠陥
として判定される。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の欠陥判
定器は、比較検査で得られた欠陥を拡大し、それと原画
像のエッジ画像との重なりをもとめて、重なりのある欠
陥を不良と判定するため、パターンから離れた箇所にあ
る不良欠陥は検出されず、また、ボンディングパット等
のような、比較する隣接パターン間での形成状態に差が
発生するパターンでは、その差を不良欠陥として誤検出
してしまう、という欠点があった。
定器は、比較検査で得られた欠陥を拡大し、それと原画
像のエッジ画像との重なりをもとめて、重なりのある欠
陥を不良と判定するため、パターンから離れた箇所にあ
る不良欠陥は検出されず、また、ボンディングパット等
のような、比較する隣接パターン間での形成状態に差が
発生するパターンでは、その差を不良欠陥として誤検出
してしまう、という欠点があった。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の欠陥判定器は、
明視野照明により撮像した隣接の同一パターンどうしを
比較し明視野比較結果画像信号を絶対値で出力する明視
野比較結果画像部と、前記明視野比較結果画像信号を２
値化し“Ｈ”と“Ｌ”レベルの明視野２値画像信号を出
力する２値化回路と、比較した隣接パターンのいづれか
一方を暗視野照明により撮像した暗視野画像信号を出力
する暗視野画像部と、前記暗視野画像信号のうちあらか
じめ設定されたマスクを使用して該マスク領域が全て一
定以上のレベルを有する場合に該マスクで囲まれた内部
を全て“Ｈ”レベルにし他を“Ｌ”レベルにした暗視野
塗り込み画像信号を出力する塗り込み回路と、前記明視
野２値画像信号と前記暗視野塗り込み画像信号との論理
積をもとめ論理積信号を出力する論理積回路と、前記明
視野２値画像信号と前記論理積信号との排他的論理和を
もとめ排他的論理和信号を出力する排他的論理和回路と
、前記排他的論理和信号にもとづいて前記パターンの欠
陥を検出する検出部とを含んで構成される。
明視野照明により撮像した隣接の同一パターンどうしを
比較し明視野比較結果画像信号を絶対値で出力する明視
野比較結果画像部と、前記明視野比較結果画像信号を２
値化し“Ｈ”と“Ｌ”レベルの明視野２値画像信号を出
力する２値化回路と、比較した隣接パターンのいづれか
一方を暗視野照明により撮像した暗視野画像信号を出力
する暗視野画像部と、前記暗視野画像信号のうちあらか
じめ設定されたマスクを使用して該マスク領域が全て一
定以上のレベルを有する場合に該マスクで囲まれた内部
を全て“Ｈ”レベルにし他を“Ｌ”レベルにした暗視野
塗り込み画像信号を出力する塗り込み回路と、前記明視
野２値画像信号と前記暗視野塗り込み画像信号との論理
積をもとめ論理積信号を出力する論理積回路と、前記明
視野２値画像信号と前記論理積信号との排他的論理和を
もとめ排他的論理和信号を出力する排他的論理和回路と
、前記排他的論理和信号にもとづいて前記パターンの欠
陥を検出する検出部とを含んで構成される。
【００１１】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て詳細に説明する。図１は本発明の一実施例を示すブロ
ック図である。
て詳細に説明する。図１は本発明の一実施例を示すブロ
ック図である。
【００１２】図１に示す欠陥判定器は、明視野照明によ
り撮像した隣接の同一パターンどうしを比較し、明視野
比較結果画像信号ａを絶対値で出力する明視野比較結果
画像部１と、明視野比較結果画像信号ａを２値化し、“
Ｈ”と“Ｌ”レベルの明視野２値画像信号ｂを出力する
２値化回路２と、比較した隣接パターンのいづれか一方
を暗視野照明により撮像した暗視野画像信号ｃを出力す
る暗視野画像部３と、暗視野画像信号ｃのうち、あらか
じめ設定されたマスクを使用して、該マスク領域が全て
一定以上のレベルを有する場合に該マスクで囲まれた内
部を全て“Ｈ”レベルにし、他を“Ｌ”レベルにした暗
視野塗り込み画像信号ｄを出力する塗り込み回路４と、
明視野２値画像信号ｂと、暗視野塗り込み画像信号ｄと
の論理積をもとめ、論理積信号ｅを出力する論理積回路
５と、明視野２値画像信号ｂと論理積信号ｅとの排他的
論理和をもとめ、排他的論理和信号ｆを出力する排他的
論理和回路６と、排他的論理和信号ｆにもとづいて、撮
像したパターンの欠陥を検出する検出部７とを含んで構
成される。
り撮像した隣接の同一パターンどうしを比較し、明視野
比較結果画像信号ａを絶対値で出力する明視野比較結果
画像部１と、明視野比較結果画像信号ａを２値化し、“
Ｈ”と“Ｌ”レベルの明視野２値画像信号ｂを出力する
２値化回路２と、比較した隣接パターンのいづれか一方
を暗視野照明により撮像した暗視野画像信号ｃを出力す
る暗視野画像部３と、暗視野画像信号ｃのうち、あらか
じめ設定されたマスクを使用して、該マスク領域が全て
一定以上のレベルを有する場合に該マスクで囲まれた内
部を全て“Ｈ”レベルにし、他を“Ｌ”レベルにした暗
視野塗り込み画像信号ｄを出力する塗り込み回路４と、
明視野２値画像信号ｂと、暗視野塗り込み画像信号ｄと
の論理積をもとめ、論理積信号ｅを出力する論理積回路
５と、明視野２値画像信号ｂと論理積信号ｅとの排他的
論理和をもとめ、排他的論理和信号ｆを出力する排他的
論理和回路６と、排他的論理和信号ｆにもとづいて、撮
像したパターンの欠陥を検出する検出部７とを含んで構
成される。
【００１３】図２は、検査対象として、例えばボンディ
ングパット部分を撮像した場合の明視野２値画像信号ｂ
の一例を示す模式図、図３は図２と原画像パターンとを
合成して示した模式図である。ここで、欠陥８ａ〜８ｅ
は、比較と２値化の結果検出された欠陥をしめしており
、パターン９ａ，９ｂはボンディングパットである。 このうち、８ａ，８ｂ，８ｃは、比較した２つのパター
ン間で、ボンディングパットの形成状態にパターンの性
能上影響の無い程度ではあるが、差が発生しているため
に検出されたもので、不良欠陥ではない。８ｄ，８ｅは
不良欠陥である。
ングパット部分を撮像した場合の明視野２値画像信号ｂ
の一例を示す模式図、図３は図２と原画像パターンとを
合成して示した模式図である。ここで、欠陥８ａ〜８ｅ
は、比較と２値化の結果検出された欠陥をしめしており
、パターン９ａ，９ｂはボンディングパットである。 このうち、８ａ，８ｂ，８ｃは、比較した２つのパター
ン間で、ボンディングパットの形成状態にパターンの性
能上影響の無い程度ではあるが、差が発生しているため
に検出されたもので、不良欠陥ではない。８ｄ，８ｅは
不良欠陥である。
【００１４】図４は暗視野画像信号ｃを示す模式図であ
る。ここで、斜線部は、パターンの立ち上がり部であり
、暗視野画像信号ｃでは信号レベルの大きい部分である
。図５はボンディングパット内部領域を“Ｈ”レベル、
他を“Ｌ”レベルとした、暗視野塗り込み画像信号ｄを
示す模式図である。図６は、論理積信号ｅを示す模式図
、図７は排他的論理和信号ｆを示す模式図である。
る。ここで、斜線部は、パターンの立ち上がり部であり
、暗視野画像信号ｃでは信号レベルの大きい部分である
。図５はボンディングパット内部領域を“Ｈ”レベル、
他を“Ｌ”レベルとした、暗視野塗り込み画像信号ｄを
示す模式図である。図６は、論理積信号ｅを示す模式図
、図７は排他的論理和信号ｆを示す模式図である。
【００１５】まず、明視野比較結果信号ａを２値化回路
２で２値化し、欠陥８ａ〜８ｅを“Ｈ”レベルとして検
出した明視野２値画像信号ｂを得る。次に、暗視野画像
信号ｃに対し、塗り込み回路４で、ボンディングパット
に対応したマスクを使用し、ボンディングパット内部領
域を“Ｈ”レベル、他を“Ｌ”レベルとした、暗視野塗
り込み画像信号ｄを得る。次に、論理積回路５により明
視野２値画像信号ｂと暗視野塗り込み画像信号ｄとの論
理積をもとめ、論理積信号ｅを出力する。
２で２値化し、欠陥８ａ〜８ｅを“Ｈ”レベルとして検
出した明視野２値画像信号ｂを得る。次に、暗視野画像
信号ｃに対し、塗り込み回路４で、ボンディングパット
に対応したマスクを使用し、ボンディングパット内部領
域を“Ｈ”レベル、他を“Ｌ”レベルとした、暗視野塗
り込み画像信号ｄを得る。次に、論理積回路５により明
視野２値画像信号ｂと暗視野塗り込み画像信号ｄとの論
理積をもとめ、論理積信号ｅを出力する。
【００１６】論理積ｅには、図６のように、ボンディン
グパット内部領域にある欠陥８ａ，８ｂ，８ｃのみが含
まれる。次に、排他的論理和回路６により明視野２値画
像信号ｂと論理積信号ｅとの排他的論理和をもとめ、排
他的論理和信号ｆにもとづき、検出部７で欠陥８ｄ，ｅ
を検出する。この結果、欠陥８ｄ，８ｅがボンディング
パット外部にある不良欠陥として判定される。
グパット内部領域にある欠陥８ａ，８ｂ，８ｃのみが含
まれる。次に、排他的論理和回路６により明視野２値画
像信号ｂと論理積信号ｅとの排他的論理和をもとめ、排
他的論理和信号ｆにもとづき、検出部７で欠陥８ｄ，ｅ
を検出する。この結果、欠陥８ｄ，８ｅがボンディング
パット外部にある不良欠陥として判定される。
【００１７】
【発明の効果】本発明の欠陥判定器は、比較検査結果を
拡大し、原画像のエッジ画像との重なりをもとめて、重
なりのある欠陥を不良と判定する代わりに、明視野照明
による撮画像の比較検査結果と、暗視野照明による撮画
像の所定の領域を塗り込みした画像との重なりをもとめ
て、重なりのある欠陥を除去することで不良欠陥を判定
するため、パターンから離れた箇所にある不良欠陥を検
出でき、また、ボンディングパット等のような、比較す
る隣接パターン間でのパターン形成状態に差が発生する
パターンでも、その差を不良欠陥として誤検出すること
がない、という効果がある。
拡大し、原画像のエッジ画像との重なりをもとめて、重
なりのある欠陥を不良と判定する代わりに、明視野照明
による撮画像の比較検査結果と、暗視野照明による撮画
像の所定の領域を塗り込みした画像との重なりをもとめ
て、重なりのある欠陥を除去することで不良欠陥を判定
するため、パターンから離れた箇所にある不良欠陥を検
出でき、また、ボンディングパット等のような、比較す
る隣接パターン間でのパターン形成状態に差が発生する
パターンでも、その差を不良欠陥として誤検出すること
がない、という効果がある。
【図１】本発明の一実施例を示すブロック図である。
【図２】明視野２値画像信号ｂの一例を示す模式図であ
る。
る。
【図３】図２と原画像パターンとを合成して示した模式
図である。
図である。
【図４】明視野画像信号ｃを示す模式図である。
【図５】塗り込み画像信号ｄを示す模式図である。
【図６】論理積信号ｅを示す模式図である。
【図７】排他的論理和信号ｆを示す模式図である。
【図８】従来の一例を示すブロック図である。
【図９】比較結果画像信号ｇの一例を示す模式図である
。
。
【図１０】拡大信号ｈを示す模式図である。
【図１１】論理積信号ｅを示す模式図である。
【図１２】図１０と図１１を合成した模式図である。
１ 明視野比較結果画像部
２ ２値化回路
３ 暗視野画像部
４ 塗り込み回路
５ 論理積回路
６ 排他的論理和回路
７ 検出部
８ａ〜８ｅ 欠陥
９ａ，９ｂ パターン
１０ 比較結果画像部
１１ 拡大器
１２ 設定器
１３ エッジ画像部
１４ａ〜１４ｅ 欠陥
ａ 明視野比較結果画像信号
ｂ 明視野２値画像信号
ｃ 暗視野画像信号
ｄ 暗視野塗り込み画像信号
ｅ 論理積信号
ｆ 排他的論理和信号
ｇ 比較結果画像信号
ｈ 拡大信号
ｉ エッジ画像信号
ｊ 画像情報信号
Claims (1)
- 【請求項１】 明視野照明により撮像した隣接の同一
パターンどうしを比較し明視野比較結果画像信号を絶対
値で出力する明視野比較結果画像部と、前記明視野比較
結果画像信号を２値化し“Ｈ”と“Ｌ”レベルの明視野
２値画像信号を出力する２値化回路と、比較した隣接パ
ターンのいづれか一方を暗視野照明により撮像した暗視
野画像信号を出力する暗視野画像部と、前記暗視野画像
信号のうちあらかじめ設定されたマスクを使用して該マ
スク領域が全て一定以上のレベルを有する場合に該マス
クで囲まれた内部を全て“Ｈ”レベルにし他を“Ｌ”レ
ベルにした暗視野塗り込み画像信号を出力する塗り込み
回路と、前記明視野２値画像信号と前記暗視野塗り込み
画像信号との論理積をもとめ論理積信号を出力する論理
積回路と、前記明視野２値画像信号と前記論理積信号と
の排他的論理和をもとめ排他的論理和信号を出力する排
他的論理和回路と、前記排他的論理和信号にもとづいて
前記パターンの欠陥を検出する検出部とを含むことを特
徴とする欠陥判定器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3076663A JPH04311053A (ja) | 1991-04-10 | 1991-04-10 | 欠陥判定器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3076663A JPH04311053A (ja) | 1991-04-10 | 1991-04-10 | 欠陥判定器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04311053A true JPH04311053A (ja) | 1992-11-02 |
Family
ID=13611654
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3076663A Pending JPH04311053A (ja) | 1991-04-10 | 1991-04-10 | 欠陥判定器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04311053A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6263099B1 (en) | 1994-10-07 | 2001-07-17 | Hitachi, Ltd. | Manufacturing method of semiconductor substrate and method and apparatus for inspecting defects of patterns of an object to be inspected |
| CN102959385A (zh) * | 2011-11-08 | 2013-03-06 | 玛机统丽公司 | 印刷电路板的检查装置 |
-
1991
- 1991-04-10 JP JP3076663A patent/JPH04311053A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6263099B1 (en) | 1994-10-07 | 2001-07-17 | Hitachi, Ltd. | Manufacturing method of semiconductor substrate and method and apparatus for inspecting defects of patterns of an object to be inspected |
| US6404498B1 (en) | 1994-10-07 | 2002-06-11 | Hitachi, Ltd. | Manufacturing method of semiconductor substrate and method and apparatus for inspecting defects of patterns on an object to be inspected |
| US7061600B2 (en) | 1994-10-07 | 2006-06-13 | Renesas Technology Corp. | Manufacturing method of semiconductor substrate and method and apparatus for inspecting defects of patterns on an object to be inspected |
| US7180584B2 (en) | 1994-10-07 | 2007-02-20 | Renesas Technology Corp. | Manufacturing method of semiconductor substrate and method and apparatus for inspecting defects of patterns of an object to be inspected |
| US7460220B2 (en) | 1994-10-07 | 2008-12-02 | Renesas Technology Corporation | Manufacturing method of semiconductor substrate and method and apparatus for inspecting defects of patterns of an object to be inspected |
| CN102959385A (zh) * | 2011-11-08 | 2013-03-06 | 玛机统丽公司 | 印刷电路板的检查装置 |
| WO2013069100A1 (ja) * | 2011-11-08 | 2013-05-16 | 株式会社メガトレード | プリント基板の検査装置 |
| JPWO2013069100A1 (ja) * | 2011-11-08 | 2015-04-02 | 株式会社メガトレード | プリント基板の検査装置 |
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