JPH04311043A - 半導体集積回路素子の開封装置 - Google Patents
半導体集積回路素子の開封装置Info
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- JPH04311043A JPH04311043A JP10381991A JP10381991A JPH04311043A JP H04311043 A JPH04311043 A JP H04311043A JP 10381991 A JP10381991 A JP 10381991A JP 10381991 A JP10381991 A JP 10381991A JP H04311043 A JPH04311043 A JP H04311043A
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- sulfuric acid
- nitric acid
- integrated circuit
- semiconductor integrated
- acid tank
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 54
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 204
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 91
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims abstract description 65
- 239000002699 waste material Substances 0.000 claims abstract description 42
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims abstract description 33
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims abstract description 33
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims abstract description 27
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 claims abstract description 27
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 12
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 125000003158 alcohol group Chemical group 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000008642 heat stress Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000003472 neutralizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路素子を
開封する装置に関する。
開封する装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路素子のテストには、モー
ルド樹脂を開封して行うものがある。この場合に、モー
ルド樹脂の開封を行う半導体集積回路素子の開封装置に
は、硫酸を使用するタイプと、発煙硝酸を使用するタイ
プとがある。
ルド樹脂を開封して行うものがある。この場合に、モー
ルド樹脂の開封を行う半導体集積回路素子の開封装置に
は、硫酸を使用するタイプと、発煙硝酸を使用するタイ
プとがある。
【０００３】硫酸を使用する装置では、２００ 〜２８
０ ℃に加熱した硫酸をモールド樹脂たるエポキシ系樹
脂に噴射することで開封を行う。この場合、ＩＣチップ
の上にポリイミド系樹脂がコートされている半導体集積
回路素子であっても、硫酸でポリイミド系樹脂をも溶解
させる。
０ ℃に加熱した硫酸をモールド樹脂たるエポキシ系樹
脂に噴射することで開封を行う。この場合、ＩＣチップ
の上にポリイミド系樹脂がコートされている半導体集積
回路素子であっても、硫酸でポリイミド系樹脂をも溶解
させる。
【０００４】一方、図６に示すように、発煙硝酸１４０
を使用するタイプでは、ヒータ１４１ によって５０
〜７０℃に加熱した発煙硝酸１４０ を、ブロック１１
０ の凹部１１１ 上に固定した半導体集積回路素子２
００ のエポキシ系樹脂２３０ に硝酸用噴射孔１１４
を介して噴射して、エポキシ系樹脂２３０ を溶解さ
せる。しかし、ＩＣチップ２１０ の上にコートされた
ポリイミド系樹脂２２０ は発煙硝酸１４０ では溶解
しにくいので、ブロック１１０ から取り外して、ポリ
イミド系樹脂２２０ を１００ ℃に加熱した硫酸で溶
解する別工程が必要になる。
を使用するタイプでは、ヒータ１４１ によって５０
〜７０℃に加熱した発煙硝酸１４０ を、ブロック１１
０ の凹部１１１ 上に固定した半導体集積回路素子２
００ のエポキシ系樹脂２３０ に硝酸用噴射孔１１４
を介して噴射して、エポキシ系樹脂２３０ を溶解さ
せる。しかし、ＩＣチップ２１０ の上にコートされた
ポリイミド系樹脂２２０ は発煙硝酸１４０ では溶解
しにくいので、ブロック１１０ から取り外して、ポリ
イミド系樹脂２２０ を１００ ℃に加熱した硫酸で溶
解する別工程が必要になる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た２つのタイプの半導体集積回路素子の開封装置には以
下のような問題点がある。すなわち、硫酸でエポキシ系
樹脂及びポリイミド系樹脂を溶解するタイプでは、２０
０ 〜２８０ ℃に加熱した硫酸を使用するため、ＩＣ
チップに熱ストレスが加わり、開封後に正常に作動をし
ないことがある。また、開封後にＩＣチップを純水で洗
浄し、アルコールで乾燥させるため、ＩＣチップのアル
ミニウム配線が腐食することがある。
た２つのタイプの半導体集積回路素子の開封装置には以
下のような問題点がある。すなわち、硫酸でエポキシ系
樹脂及びポリイミド系樹脂を溶解するタイプでは、２０
０ 〜２８０ ℃に加熱した硫酸を使用するため、ＩＣ
チップに熱ストレスが加わり、開封後に正常に作動をし
ないことがある。また、開封後にＩＣチップを純水で洗
浄し、アルコールで乾燥させるため、ＩＣチップのアル
ミニウム配線が腐食することがある。
【０００６】また、発煙硝酸でエポキシ系樹脂を溶解し
た後に、硫酸でポリイミド系樹脂を溶解すると、硫酸に
よるポリイミド系樹脂の溶解中にエポキシ系樹脂が過剰
に溶解されるため、開封後に半導体集積回路素子が作動
しなくなることがある。
た後に、硫酸でポリイミド系樹脂を溶解すると、硫酸に
よるポリイミド系樹脂の溶解中にエポキシ系樹脂が過剰
に溶解されるため、開封後に半導体集積回路素子が作動
しなくなることがある。
【０００７】本発明は上記事情に鑑みて創案されたもの
で、ポリイミド系樹脂でＩＣチップがコートされた半導
体集積回路素子であっても、動作状態を維持したまま開
封することができる半導体集積回路素子の開封装置を提
供することを目的としている。
で、ポリイミド系樹脂でＩＣチップがコートされた半導
体集積回路素子であっても、動作状態を維持したまま開
封することができる半導体集積回路素子の開封装置を提
供することを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体集積
回路素子の開封装置は、ＩＣチップがポリイミド系樹脂
でコートされ、その上からエポキシ系樹脂でモールドさ
れた半導体集積回路素子を開封する半導体集積回路素子
の開封装置であって、開封すべき半導体集積回路素子が
凹部に臨むように固定されるブロックと、前記凹部と連
通した硫酸タンクと、この硫酸タンクに貯溜された硫酸
を加熱するヒータと、前記凹部を介して硫酸タンクと連
通する廃硫酸タンクと、この廃硫酸タンク内を減圧する
硫酸側減圧ポンプと、前記凹部と連通した硝酸タンクと
、この硝酸タンクに貯溜された発煙硝酸を加熱するヒー
タと、前記凹部を介して硝酸タンクと連通する廃硝酸タ
ンクと、この廃硝酸タンク内を減圧する硝酸側減圧ポン
プとを備えており、廃硝酸タンク内を減圧することによ
って硝酸タンク内の発煙硝酸を凹部に導き、当該発煙硝
酸でエポキシ系樹脂を溶解し、エポキシ系樹脂の溶解が
完了したならば、廃硫酸タンク内を減圧することによっ
て硫酸タンク内の硫酸を凹部に導き、当該硫酸でポリイ
ミド系樹脂を溶解させるように構成されている。
回路素子の開封装置は、ＩＣチップがポリイミド系樹脂
でコートされ、その上からエポキシ系樹脂でモールドさ
れた半導体集積回路素子を開封する半導体集積回路素子
の開封装置であって、開封すべき半導体集積回路素子が
凹部に臨むように固定されるブロックと、前記凹部と連
通した硫酸タンクと、この硫酸タンクに貯溜された硫酸
を加熱するヒータと、前記凹部を介して硫酸タンクと連
通する廃硫酸タンクと、この廃硫酸タンク内を減圧する
硫酸側減圧ポンプと、前記凹部と連通した硝酸タンクと
、この硝酸タンクに貯溜された発煙硝酸を加熱するヒー
タと、前記凹部を介して硝酸タンクと連通する廃硝酸タ
ンクと、この廃硝酸タンク内を減圧する硝酸側減圧ポン
プとを備えており、廃硝酸タンク内を減圧することによ
って硝酸タンク内の発煙硝酸を凹部に導き、当該発煙硝
酸でエポキシ系樹脂を溶解し、エポキシ系樹脂の溶解が
完了したならば、廃硫酸タンク内を減圧することによっ
て硫酸タンク内の硫酸を凹部に導き、当該硫酸でポリイ
ミド系樹脂を溶解させるように構成されている。
【０００９】
【実施例】図１は本発明の一実施例に係る半導体集積回
路素子の開封装置の概略的構成図、図２は開封前の半導
体集積回路素子の断面図、図３はエポキシ系樹脂をある
程度研磨した半導体集積回路素子の断面図、図４はエポ
キシ系樹脂が溶解された半導体集積回路素子の断面図、
図５はポリイミド系樹脂が溶解された半導体集積回路素
子の断面図である。なお、図面では説明の都合上、ＩＣ
チップは半導体集積回路素子の全体に対してかなり大き
く示している。
路素子の開封装置の概略的構成図、図２は開封前の半導
体集積回路素子の断面図、図３はエポキシ系樹脂をある
程度研磨した半導体集積回路素子の断面図、図４はエポ
キシ系樹脂が溶解された半導体集積回路素子の断面図、
図５はポリイミド系樹脂が溶解された半導体集積回路素
子の断面図である。なお、図面では説明の都合上、ＩＣ
チップは半導体集積回路素子の全体に対してかなり大き
く示している。
【００１０】本実施例に係る半導体集積回路素子の開封
装置は、ＩＣチップ２１０ がポリイミド系樹脂２２０
でコートされ、その上からエポキシ系樹脂２３０ で
モールドされた半導体集積回路素子２００ を開封する
半導体集積回路素子の開封装置であって、開封すべき半
導体集積回路素子２００ が凹部１１１ に臨むように
固定されるブロック１１０と、前記凹部１１１ と連通
した硫酸タンク１２０ と、この硫酸タンク１２０ に
貯溜された硫酸３００ を加熱するヒータ１２１ と、
前記凹部１１１ を介して硫酸タンク１２０ と連通す
る廃硫酸タンク１３０ と、この廃硫酸タンク１３０
内を減圧する硫酸側減圧ポンプ１３１ と、前記凹部１
１１ と連通した硝酸タンク１４０ と、この硝酸タン
ク１４０ に貯溜された発煙硝酸４００ を加熱するヒ
ータ１４１ と、前記凹部１１１ を介して硝酸タンク
１４０ と連通する廃硝酸タンク１５０ と、この廃硝
酸タンク１５０ 内を減圧する硝酸側減圧ポンプ１５１
とを有している。
装置は、ＩＣチップ２１０ がポリイミド系樹脂２２０
でコートされ、その上からエポキシ系樹脂２３０ で
モールドされた半導体集積回路素子２００ を開封する
半導体集積回路素子の開封装置であって、開封すべき半
導体集積回路素子２００ が凹部１１１ に臨むように
固定されるブロック１１０と、前記凹部１１１ と連通
した硫酸タンク１２０ と、この硫酸タンク１２０ に
貯溜された硫酸３００ を加熱するヒータ１２１ と、
前記凹部１１１ を介して硫酸タンク１２０ と連通す
る廃硫酸タンク１３０ と、この廃硫酸タンク１３０
内を減圧する硫酸側減圧ポンプ１３１ と、前記凹部１
１１ と連通した硝酸タンク１４０ と、この硝酸タン
ク１４０ に貯溜された発煙硝酸４００ を加熱するヒ
ータ１４１ と、前記凹部１１１ を介して硝酸タンク
１４０ と連通する廃硝酸タンク１５０ と、この廃硝
酸タンク１５０ 内を減圧する硝酸側減圧ポンプ１５１
とを有している。
【００１１】この半導体集積回路素子の開封装置で開封
される半導体集積回路素子２００ は、図２に示すよう
に、リードフレーム２４０ のアイランド２４１ にＩ
Ｃチップ２１０ がダイボンディングされ、かつＩＣチ
ップ２１０ のパッドがリードフレーム２４０ のリー
ド２４２ にボンディングワイヤ２５０ でワイヤボン
ディングされており、前記ＩＣチップ２１０ の上にポ
リイミド系樹脂２２０ でコートされ、エポキシ系樹脂
２３０ で全体をモールドされている。
される半導体集積回路素子２００ は、図２に示すよう
に、リードフレーム２４０ のアイランド２４１ にＩ
Ｃチップ２１０ がダイボンディングされ、かつＩＣチ
ップ２１０ のパッドがリードフレーム２４０ のリー
ド２４２ にボンディングワイヤ２５０ でワイヤボン
ディングされており、前記ＩＣチップ２１０ の上にポ
リイミド系樹脂２２０ でコートされ、エポキシ系樹脂
２３０ で全体をモールドされている。
【００１２】前記ブロック１１０ は、硫酸３００ 及
び発煙硝酸４００ によって溶解されることがない材質
、例えばテフロンによって形成されている。当該ブロッ
ク１１０ には、凹部１１１ が形成されている。この
凹部１１１ は、半導体集積回路素子２００ に開封す
べき穴の大きさ、形状に対応するように設定されている
。なお、当該ブロック１１０は、発煙硝酸４００ から
生ずるＮＯ２ からオペレーターを守るために、換気機
能を有するフード （図示省略） によって覆われてい
る。さらに、当該ブロック１１０ の上方には、半導体
集積回路素子２００ をブロック１１０ に対して固定
するための固定治具 （図示省略） が設けられている
。
び発煙硝酸４００ によって溶解されることがない材質
、例えばテフロンによって形成されている。当該ブロッ
ク１１０ には、凹部１１１ が形成されている。この
凹部１１１ は、半導体集積回路素子２００ に開封す
べき穴の大きさ、形状に対応するように設定されている
。なお、当該ブロック１１０は、発煙硝酸４００ から
生ずるＮＯ２ からオペレーターを守るために、換気機
能を有するフード （図示省略） によって覆われてい
る。さらに、当該ブロック１１０ の上方には、半導体
集積回路素子２００ をブロック１１０ に対して固定
するための固定治具 （図示省略） が設けられている
。
【００１３】硝酸タンク１４０ は、硝酸４００ を貯
溜するものであって、底面裏には硝酸４００ を加熱す
るヒータ１４１ が設けられている。この硝酸タンク１
４０ と前記凹部１１１ との間には硝酸タンク１４０
に貯溜された発煙硝酸４００ を凹部１１１ にまで
導く硝酸導入パイプ１４２ が設けられている。さらに
、当該硝酸導入パイプ１４２ の途中には、硝酸導入パ
イプ１４２ を開閉するコック１４３ が設けられてい
る。なお、図面中１４４ は、ヒータ１４１ を制御す
るための熱電対を示している。
溜するものであって、底面裏には硝酸４００ を加熱す
るヒータ１４１ が設けられている。この硝酸タンク１
４０ と前記凹部１１１ との間には硝酸タンク１４０
に貯溜された発煙硝酸４００ を凹部１１１ にまで
導く硝酸導入パイプ１４２ が設けられている。さらに
、当該硝酸導入パイプ１４２ の途中には、硝酸導入パ
イプ１４２ を開閉するコック１４３ が設けられてい
る。なお、図面中１４４ は、ヒータ１４１ を制御す
るための熱電対を示している。
【００１４】前記硝酸導入パイプ１４２ の先端は、ブ
ロック１１０に穿設された硝酸噴射孔１１４に連通して
いる。この硝酸噴射孔１１４は、ブロック１１０ に固
定された半導体集積回路素子２００ の真下になるよう
に設定されている。
ロック１１０に穿設された硝酸噴射孔１１４に連通して
いる。この硝酸噴射孔１１４は、ブロック１１０ に固
定された半導体集積回路素子２００ の真下になるよう
に設定されている。
【００１５】一方、廃硝酸タンク１５０ は、エポキシ
系樹脂２３０の溶解に用いられた後の廃硝酸４１０ を
貯溜するものであり、前記凹部１１１ との間には、廃
硝酸吸引パイプ１５２が設けられている。この廃硝酸吸
引パイプ１５２ は、ブロック１１０ に穿設された硝
酸吸引孔１１５ に連通している。また、当該廃硝酸吸
引パイプ１５２ の途中には、廃硝酸吸引パイプ１５２
を開閉するコック１５３ が設けられている。また、
廃硝酸タンク１５０ には、硝酸側減圧ポンプ１５１
が設けられている。
系樹脂２３０の溶解に用いられた後の廃硝酸４１０ を
貯溜するものであり、前記凹部１１１ との間には、廃
硝酸吸引パイプ１５２が設けられている。この廃硝酸吸
引パイプ１５２ は、ブロック１１０ に穿設された硝
酸吸引孔１１５ に連通している。また、当該廃硝酸吸
引パイプ１５２ の途中には、廃硝酸吸引パイプ１５２
を開閉するコック１５３ が設けられている。また、
廃硝酸タンク１５０ には、硝酸側減圧ポンプ１５１
が設けられている。
【００１６】硫酸タンク１２０ は、硫酸３００ を貯
溜するものであって、底面裏には硫酸３００ を加熱す
るヒータ１２１ が設けられている。この硫酸タンク１
２０ と前記凹部１１１ との間には、硫酸タンク１２
０ に貯溜された硫酸を凹部１１１ にまで導く硫酸導
入パイプ１２２ が設けられている。さらに、当該硫酸
導入パイプ１２２ の途中には、硫酸導入パイプ１２２
を開閉するコック１２３ が設けられている。なお、
図面中１２４ は前記ヒータ１２１ をコントロールす
るための熱電対を示している。
溜するものであって、底面裏には硫酸３００ を加熱す
るヒータ１２１ が設けられている。この硫酸タンク１
２０ と前記凹部１１１ との間には、硫酸タンク１２
０ に貯溜された硫酸を凹部１１１ にまで導く硫酸導
入パイプ１２２ が設けられている。さらに、当該硫酸
導入パイプ１２２ の途中には、硫酸導入パイプ１２２
を開閉するコック１２３ が設けられている。なお、
図面中１２４ は前記ヒータ１２１ をコントロールす
るための熱電対を示している。
【００１７】硫酸導入パイプ１２２ の終端は、ブロッ
ク１１０ に穿設された硫酸噴射孔１１２ に連通して
いる。この硫酸噴射孔１１２は、ブロック１１０ に固
定された半導体集積回路素子２００ の真下、すなわち
前記硝酸噴射孔１１４ に隣あって凹部１１１ に開口
しており、硫酸導入パイプ１２２ からの硫酸３００
が半導体集積回路素子２００ のポリイミド系樹脂２２
０ に直接吹きつけられるようになっている。
ク１１０ に穿設された硫酸噴射孔１１２ に連通して
いる。この硫酸噴射孔１１２は、ブロック１１０ に固
定された半導体集積回路素子２００ の真下、すなわち
前記硝酸噴射孔１１４ に隣あって凹部１１１ に開口
しており、硫酸導入パイプ１２２ からの硫酸３００
が半導体集積回路素子２００ のポリイミド系樹脂２２
０ に直接吹きつけられるようになっている。
【００１８】一方、廃硫酸タンク１３０ は、ポリイミ
ド系樹脂２２０ の溶解に用いられた後の廃硫酸３１０
を貯溜するものである。この廃硫酸タンク１３０ と
前記凹部１１１ との間には、廃硫酸吸引パイプ１３２
が設けられている。この廃硫酸吸引パイプ１３２ は
、凹部１１１ に臨むようにブロック１１０ に穿設さ
れた硫酸吸引孔１１３ に連通しており、その途中には
廃硫酸吸引パイプ１３２ を開閉するコック１３３ が
設けられている。また、廃硫酸タンク１３０ には、硫
酸側減圧ポンプ１３１ が設けられている。
ド系樹脂２２０ の溶解に用いられた後の廃硫酸３１０
を貯溜するものである。この廃硫酸タンク１３０ と
前記凹部１１１ との間には、廃硫酸吸引パイプ１３２
が設けられている。この廃硫酸吸引パイプ１３２ は
、凹部１１１ に臨むようにブロック１１０ に穿設さ
れた硫酸吸引孔１１３ に連通しており、その途中には
廃硫酸吸引パイプ１３２ を開閉するコック１３３ が
設けられている。また、廃硫酸タンク１３０ には、硫
酸側減圧ポンプ１３１ が設けられている。
【００１９】次に、上述した半導体集積回路素子の開封
装置の動作について図２〜図５を参照しつつ説明する。 エポキシ系樹脂２３０ がある程度研磨された半導体集
積回路素子２００（図３参照）を、研磨面を下にしてブ
ロック１１０ に固定する。この際、図外の固定治具が
半導体集積回路素子２００ をブロック１１０ に対し
て密着させる。
装置の動作について図２〜図５を参照しつつ説明する。 エポキシ系樹脂２３０ がある程度研磨された半導体集
積回路素子２００（図３参照）を、研磨面を下にしてブ
ロック１１０ に固定する。この際、図外の固定治具が
半導体集積回路素子２００ をブロック１１０ に対し
て密着させる。
【００２０】コック１４３ 及び１５３ を開状態に、
コック１２３ 及び１３３ 閉状態にして硝酸側減圧ポ
ンプ１５１ を作動させる。すると、発煙硝酸４００
は、硝酸導入パイプ１４２ を介して硝酸噴射孔１１４
から半導体集積回路素子２００ のエポキシ系樹脂２
３０ に向かって噴射される。なお、この発煙硝酸４０
０ は、ヒータ１４１ によって５０〜７０℃に加熱さ
れている。噴射された後の発煙硝酸、すなわちエポキシ
系樹脂２３０ の溶解に用いられた発煙硝酸たる廃硝酸
４１０ は、廃硝酸吸引孔１１５ と廃硝酸吸引パイプ
１５２ とを介して廃硝酸タンク１５０ へと導かれる
。発煙硝酸４００によってエポキシ系樹脂２３０ が溶
解され、ポリイミド系樹脂２２０がコートされた状態の
ＩＣチップ２１０ が露出したならば、硝酸側減圧ポン
プ１５１ の作動を停止させる。なお、廃硝酸タンク１
５０ 内に予め中和剤を投入しておけば、安全性がより
向上する。
コック１２３ 及び１３３ 閉状態にして硝酸側減圧ポ
ンプ１５１ を作動させる。すると、発煙硝酸４００
は、硝酸導入パイプ１４２ を介して硝酸噴射孔１１４
から半導体集積回路素子２００ のエポキシ系樹脂２
３０ に向かって噴射される。なお、この発煙硝酸４０
０ は、ヒータ１４１ によって５０〜７０℃に加熱さ
れている。噴射された後の発煙硝酸、すなわちエポキシ
系樹脂２３０ の溶解に用いられた発煙硝酸たる廃硝酸
４１０ は、廃硝酸吸引孔１１５ と廃硝酸吸引パイプ
１５２ とを介して廃硝酸タンク１５０ へと導かれる
。発煙硝酸４００によってエポキシ系樹脂２３０ が溶
解され、ポリイミド系樹脂２２０がコートされた状態の
ＩＣチップ２１０ が露出したならば、硝酸側減圧ポン
プ１５１ の作動を停止させる。なお、廃硝酸タンク１
５０ 内に予め中和剤を投入しておけば、安全性がより
向上する。
【００２１】次に、コック１４３ 及び１５３ を閉じ
るとともに、コック１２３ 及び１３３ を開けて、硫
酸側減圧ポンプ１３１ を作動させる。これにより、硫
酸タンク１２０ の硫酸３００ が硫酸導入パイプ１２
２ を介して硫酸噴射孔１１２ から半導体集積回路素
子２００ のＩＣチップ２１０ の上のポリイミド系樹
脂２２０ に対して噴射される。なお、この際の硫酸３
００ は、ヒータ１２１ によって約１００ ℃に加熱
されている。この硫酸３００ の噴射によりポリイミド
系樹脂２２０ が溶解されたならば、硫酸側減圧ポンプ
１３１ を停止させ、コック１２３ 、コック１３３
の順番で閉じる。
るとともに、コック１２３ 及び１３３ を開けて、硫
酸側減圧ポンプ１３１ を作動させる。これにより、硫
酸タンク１２０ の硫酸３００ が硫酸導入パイプ１２
２ を介して硫酸噴射孔１１２ から半導体集積回路素
子２００ のＩＣチップ２１０ の上のポリイミド系樹
脂２２０ に対して噴射される。なお、この際の硫酸３
００ は、ヒータ１２１ によって約１００ ℃に加熱
されている。この硫酸３００ の噴射によりポリイミド
系樹脂２２０ が溶解されたならば、硫酸側減圧ポンプ
１３１ を停止させ、コック１２３ 、コック１３３
の順番で閉じる。
【００２２】例えば、発煙硝酸４００ でエポキシ系樹
脂２３０ を溶解している最中に、エポキシ系樹脂２３
０ が過度に溶解されたとすると、その部分から外気が
凹部１１１ に導入されるので、硝酸噴射孔１１４ か
らの発煙硝酸４００ の噴出は自動的に停止される。硫
酸３００の場合も同様である。
脂２３０ を溶解している最中に、エポキシ系樹脂２３
０ が過度に溶解されたとすると、その部分から外気が
凹部１１１ に導入されるので、硝酸噴射孔１１４ か
らの発煙硝酸４００ の噴出は自動的に停止される。硫
酸３００の場合も同様である。
【００２３】開封された半導体集積回路素子２００ を
取り外し、純水で洗浄した後にアルコールで置換して乾
燥させる。この状態で各種のテストを行う。
取り外し、純水で洗浄した後にアルコールで置換して乾
燥させる。この状態で各種のテストを行う。
【００２４】なお、上述した実施例では、各コック１２
３ 、１３３、１４３ 及び１５３ は、オペレーター
が手動で開閉するように説明したが、コック１２３ 及
び１３３ が開いている場合にはコック１４３ 及び１
５３ は必ず閉じ、コック１４３ 及び１５３ が開い
ている場合にはコック１２３ 及び１３３ は必ず閉じ
ているように図外の制御部でコントロールするようにし
てもよいことは勿論である。
３ 、１３３、１４３ 及び１５３ は、オペレーター
が手動で開閉するように説明したが、コック１２３ 及
び１３３ が開いている場合にはコック１４３ 及び１
５３ は必ず閉じ、コック１４３ 及び１５３ が開い
ている場合にはコック１２３ 及び１３３ は必ず閉じ
ているように図外の制御部でコントロールするようにし
てもよいことは勿論である。
【００２５】
【発明の効果】本発明に係る半導体集積回路素子の開封
装置は、ＩＣチップがポリイミド系樹脂でコートされ、
その上からエポキシ系樹脂でモールドされた半導体集積
回路素子を開封する半導体集積回路素子の開封装置であ
って、開封すべき半導体集積回路素子が凹部に臨むよう
に固定されるブロックと、前記凹部と連通した硫酸タン
クと、この硫酸タンクに貯溜された硫酸を加熱するヒー
タと、前記凹部を介して硫酸タンクと連通する廃硫酸タ
ンクと、この廃硫酸タンク内を減圧する硫酸側減圧ポン
プと、前記凹部と連通した硝酸タンクと、この硝酸タン
クに貯溜された発煙硝酸を加熱するヒータと、前記凹部
を介して硝酸タンクと連通する廃硝酸タンクと、この廃
硝酸タンク内を減圧する硝酸側減圧ポンプとを備えてお
り、廃硝酸タンク内を減圧することによって硝酸タンク
内の発煙硝酸を凹部に導き、当該発煙硝酸でエポキシ系
樹脂を溶解し、エポキシ系樹脂の溶解が完了したならば
、廃硫酸タンク内を減圧することによって硫酸タンク内
の硫酸を凹部に導き、当該硫酸でポリイミド系樹脂を溶
解させるように構成されている。従って、ポリイミド系
樹脂でＩＣチップがコートされた半導体集積回路素子で
あっても、動作状態を維持したまま開封することができ
る。
装置は、ＩＣチップがポリイミド系樹脂でコートされ、
その上からエポキシ系樹脂でモールドされた半導体集積
回路素子を開封する半導体集積回路素子の開封装置であ
って、開封すべき半導体集積回路素子が凹部に臨むよう
に固定されるブロックと、前記凹部と連通した硫酸タン
クと、この硫酸タンクに貯溜された硫酸を加熱するヒー
タと、前記凹部を介して硫酸タンクと連通する廃硫酸タ
ンクと、この廃硫酸タンク内を減圧する硫酸側減圧ポン
プと、前記凹部と連通した硝酸タンクと、この硝酸タン
クに貯溜された発煙硝酸を加熱するヒータと、前記凹部
を介して硝酸タンクと連通する廃硝酸タンクと、この廃
硝酸タンク内を減圧する硝酸側減圧ポンプとを備えてお
り、廃硝酸タンク内を減圧することによって硝酸タンク
内の発煙硝酸を凹部に導き、当該発煙硝酸でエポキシ系
樹脂を溶解し、エポキシ系樹脂の溶解が完了したならば
、廃硫酸タンク内を減圧することによって硫酸タンク内
の硫酸を凹部に導き、当該硫酸でポリイミド系樹脂を溶
解させるように構成されている。従って、ポリイミド系
樹脂でＩＣチップがコートされた半導体集積回路素子で
あっても、動作状態を維持したまま開封することができ
る。
【図１】本発明の一実施例に係る半導体集積回路素子の
開封装置の概略的構成図である。
開封装置の概略的構成図である。
【図２】開封前の半導体集積回路素子の断面図である。
【図３】エポキシ系樹脂をある程度研磨した半導体集積
回路素子の断面図である。
回路素子の断面図である。
【図４】エポキシ系樹脂が溶解された半導体集積回路素
子の断面図である。
子の断面図である。
【図５】ポリイミド系樹脂が溶解された半導体集積回路
素子の断面図である。
素子の断面図である。
【図６】従来の半導体集積回路素子の開封装置の概略的
構成図である。
構成図である。
１００ 半導体集積回路素子の開封装置１１０
ブロック １１１ 凹部 １２０ 硫酸タンク １２１ ヒータ １３０ 廃硫酸タンク １３１ 硫酸側減圧ポンプ １４０ 硝酸タンク １４１ ヒータ １５０ 廃硝酸タンク １５１ 硝酸側減圧ポンプ ２００ 半導体集積回路素子 ２１０ ＩＣチップ ２２０ ポリイミド系樹脂 ２３０ エポキシ系樹脂 ３００ 硫酸 ４００ 発煙硝酸
ブロック １１１ 凹部 １２０ 硫酸タンク １２１ ヒータ １３０ 廃硫酸タンク １３１ 硫酸側減圧ポンプ １４０ 硝酸タンク １４１ ヒータ １５０ 廃硝酸タンク １５１ 硝酸側減圧ポンプ ２００ 半導体集積回路素子 ２１０ ＩＣチップ ２２０ ポリイミド系樹脂 ２３０ エポキシ系樹脂 ３００ 硫酸 ４００ 発煙硝酸
Claims (1)
- 【請求項１】 ＩＣチップがポリイミド系樹脂でコー
トされ、その上からエポキシ系樹脂でモールドされた半
導体集積回路素子を開封する半導体集積回路素子の開封
装置において、開封すべき半導体集積回路素子が凹部に
臨むように固定されるブロックと、前記凹部と連通した
硫酸タンクと、この硫酸タンクに貯溜された硫酸を加熱
するヒータと、前記凹部を介して硫酸タンクと連通する
廃硫酸タンクと、この廃硫酸タンク内を減圧する硫酸側
減圧ポンプと、前記凹部と連通した硝酸タンクと、この
硝酸タンクに貯溜された発煙硝酸を加熱するヒータと、
前記凹部を介して硝酸タンクと連通する廃硝酸タンクと
、この廃硝酸タンク内を減圧する硝酸側減圧ポンプとを
具備しており、廃硝酸タンク内を減圧することによって
硝酸タンク内の発煙硝酸を凹部に導き、当該発煙硝酸で
エポキシ系樹脂を溶解し、エポキシ系樹脂の溶解が完了
したならば、廃硫酸タンク内を減圧することによって硫
酸タンク内の硫酸を凹部に導き、当該硫酸でポリイミド
系樹脂を溶解させることを特徴とする半導体集積回路素
子の開封装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10381991A JPH04311043A (ja) | 1991-04-08 | 1991-04-08 | 半導体集積回路素子の開封装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10381991A JPH04311043A (ja) | 1991-04-08 | 1991-04-08 | 半導体集積回路素子の開封装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04311043A true JPH04311043A (ja) | 1992-11-02 |
Family
ID=14364022
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10381991A Pending JPH04311043A (ja) | 1991-04-08 | 1991-04-08 | 半導体集積回路素子の開封装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04311043A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07183319A (ja) * | 1993-12-22 | 1995-07-21 | Nec Corp | 樹脂封止半導体装置の開封方法 |
| US6231717B1 (en) | 1998-05-26 | 2001-05-15 | Nippon Scientific Co., Ltd. | Plastic molding unsealing apparatus |
| CN106771949A (zh) * | 2016-12-19 | 2017-05-31 | 广东威创视讯科技股份有限公司 | 一种led数码管开封工艺 |
| CN109950156A (zh) * | 2017-12-20 | 2019-06-28 | 海太半导体（无锡）有限公司 | 一种芯片倒装开封方法 |
-
1991
- 1991-04-08 JP JP10381991A patent/JPH04311043A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07183319A (ja) * | 1993-12-22 | 1995-07-21 | Nec Corp | 樹脂封止半導体装置の開封方法 |
| US6231717B1 (en) | 1998-05-26 | 2001-05-15 | Nippon Scientific Co., Ltd. | Plastic molding unsealing apparatus |
| CN106771949A (zh) * | 2016-12-19 | 2017-05-31 | 广东威创视讯科技股份有限公司 | 一种led数码管开封工艺 |
| CN106771949B (zh) * | 2016-12-19 | 2019-06-14 | 广东威创视讯科技股份有限公司 | 一种led数码管开封工艺 |
| CN109950156A (zh) * | 2017-12-20 | 2019-06-28 | 海太半导体（无锡）有限公司 | 一种芯片倒装开封方法 |
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