JPH07183319A - 樹脂封止半導体装置の開封方法 - Google Patents
樹脂封止半導体装置の開封方法Info
- Publication number
- JPH07183319A JPH07183319A JP5323593A JP32359393A JPH07183319A JP H07183319 A JPH07183319 A JP H07183319A JP 5323593 A JP5323593 A JP 5323593A JP 32359393 A JP32359393 A JP 32359393A JP H07183319 A JPH07183319 A JP H07183319A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- semiconductor device
- nitric acid
- semiconductor element
- sealing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】TCP半導体装置開封時における封止樹脂の溶
解と内部リード保護による内部半導体素子の露出及び動
作可能状態の維持。 【構成】TCP半導体装置の保護マスク5による半導体
素子1及び封止樹脂3以外の密封化による外部リード2
の保護を行なった試料を作成し(b)開封フロチャート
より無加熱の発煙硝酸の濃硫酸の混合液の使用による樹
脂溶解工程と、ポリイミドの除去工程の濃硝酸単独液内
浸漬を実施する事により、内部半導体素子の露出とリー
ド断線保護による動作可能状態の維持を目的とした開封
方法。
解と内部リード保護による内部半導体素子の露出及び動
作可能状態の維持。 【構成】TCP半導体装置の保護マスク5による半導体
素子1及び封止樹脂3以外の密封化による外部リード2
の保護を行なった試料を作成し(b)開封フロチャート
より無加熱の発煙硝酸の濃硫酸の混合液の使用による樹
脂溶解工程と、ポリイミドの除去工程の濃硝酸単独液内
浸漬を実施する事により、内部半導体素子の露出とリー
ド断線保護による動作可能状態の維持を目的とした開封
方法。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は樹脂封止半導体装置の開
封方法に関し、特にテープ型形状を有するTCPタイプ
の半導体装置の開封方法に関する。
封方法に関し、特にテープ型形状を有するTCPタイプ
の半導体装置の開封方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、半導体装置の半導体素子部の封止
樹脂の開封方法においては、図3に示すように試料第6
上に固定した樹脂モールドIC(試料)7に開口部8か
ら加熱発煙硝酸をそそぎ込み樹脂部分へ接触させ溶解す
る。溶解させた樹脂を開口部9より発煙硝酸と共に排出
させる事で開封が完了する方法があった(例えば特開平
1−218030号公報)。
樹脂の開封方法においては、図3に示すように試料第6
上に固定した樹脂モールドIC(試料)7に開口部8か
ら加熱発煙硝酸をそそぎ込み樹脂部分へ接触させ溶解す
る。溶解させた樹脂を開口部9より発煙硝酸と共に排出
させる事で開封が完了する方法があった(例えば特開平
1−218030号公報)。
【0003】又、樹脂溶解と同時に発生するリード溶解
による断線防止策として、従来では発煙硝酸のみの樹脂
溶解液を発煙硝酸と濃硫酸との混合液を使用する事によ
り、リード部の溶解速度を減速させ、損傷を低減させる
方法があった(特開平2−301144号公報,特開平
1−305529号公報)。
による断線防止策として、従来では発煙硝酸のみの樹脂
溶解液を発煙硝酸と濃硫酸との混合液を使用する事によ
り、リード部の溶解速度を減速させ、損傷を低減させる
方法があった(特開平2−301144号公報,特開平
1−305529号公報)。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】この従来の樹脂開封方
法では、加熱した発煙硝酸を溶解液として使用するた
め、溶解速度が速く、樹脂のみならず、リード部分まで
も溶解し断線させる問題があった。
法では、加熱した発煙硝酸を溶解液として使用するた
め、溶解速度が速く、樹脂のみならず、リード部分まで
も溶解し断線させる問題があった。
【0005】又、発煙硝酸と濃硫酸の混合液を使用した
場合溶解力が弱く長時間薬品に浸漬させなければ半導体
素子上のポリイミドまで溶解できないが、同時にリード
の溶解による断線が発生するという問題があった。
場合溶解力が弱く長時間薬品に浸漬させなければ半導体
素子上のポリイミドまで溶解できないが、同時にリード
の溶解による断線が発生するという問題があった。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置開封
方法は樹脂封止部以外を密封し無加熱の発煙硝酸と濃硫
酸の混合液内に浸漬して樹脂溶解工程を行なう。次に濃
硫酸学独液内に浸漬するポリイミドの除去工程をもうけ
た2段階からなる開封方法である。
方法は樹脂封止部以外を密封し無加熱の発煙硝酸と濃硫
酸の混合液内に浸漬して樹脂溶解工程を行なう。次に濃
硫酸学独液内に浸漬するポリイミドの除去工程をもうけ
た2段階からなる開封方法である。
【0007】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【0008】図1に本発明の一実施例を説明する。
(a)は試料外形図平面図、(b)は開封工程のフロー
である。
(a)は試料外形図平面図、(b)は開封工程のフロー
である。
【0009】図1(a)においてTCPタイプの半導体
装置の半導体素子1部分を封止した樹脂3及び外部リー
ド2の周囲部を密封材4により表裏共におおい保護マス
ク5により密封する。この試料を半導体素子1を封止し
た樹脂3部のみ露出した状態にする。
装置の半導体素子1部分を封止した樹脂3及び外部リー
ド2の周囲部を密封材4により表裏共におおい保護マス
ク5により密封する。この試料を半導体素子1を封止し
た樹脂3部のみ露出した状態にする。
【0010】次に図1(b)の開封方法フローチャート
において、前記マスク付試料作成後、樹脂溶解工程によ
り無加熱の発煙硝酸と濃硫酸の混合液(体積比1:1.
5)内に放置する。なお樹脂溶解にあたっては樹脂の厚
さ(材質の種類によって、溶解速度が異なる為素子表面
の樹脂残りの状態と内部リードの溶解の状態を確認しな
がら行なうと良い。ここで混合液において、発煙硝酸と
濃硫酸の体積比を変えて溶解の実験をしたところ、1:
0.5,1:1ではリードの溶解を押さえる効果が少な
く、又1:2では半導体素子上の樹脂及びポリイミドが
完全に溶解せず残る場合がある。
において、前記マスク付試料作成後、樹脂溶解工程によ
り無加熱の発煙硝酸と濃硫酸の混合液(体積比1:1.
5)内に放置する。なお樹脂溶解にあたっては樹脂の厚
さ(材質の種類によって、溶解速度が異なる為素子表面
の樹脂残りの状態と内部リードの溶解の状態を確認しな
がら行なうと良い。ここで混合液において、発煙硝酸と
濃硫酸の体積比を変えて溶解の実験をしたところ、1:
0.5,1:1ではリードの溶解を押さえる効果が少な
く、又1:2では半導体素子上の樹脂及びポリイミドが
完全に溶解せず残る場合がある。
【0011】次にポリイミド除去の工程では試料を無加
熱の濃硫酸単独の液内に放置するこで除去が可能であ
る。この工程によって半導体素子表面が露出し、内部解
析の精度を高める事ができる。しかも、リードの溶解速
度は遅いためリード自体の損傷は少ない。
熱の濃硫酸単独の液内に放置するこで除去が可能であ
る。この工程によって半導体素子表面が露出し、内部解
析の精度を高める事ができる。しかも、リードの溶解速
度は遅いためリード自体の損傷は少ない。
【0012】本発明の第2の実施例を図2に示す。この
方法では、ポリイミドの除去工程をプラズマエッチング
法で実施例する。この方法によると第1の実施例に比べ
内部リードの損傷が小さくなる利点がある。
方法では、ポリイミドの除去工程をプラズマエッチング
法で実施例する。この方法によると第1の実施例に比べ
内部リードの損傷が小さくなる利点がある。
【0013】
【発明の効果】以上説明したように本発明は発煙硝酸と
濃硫酸の混合液の使用による樹脂溶解を別にポリイミド
の除去工程を実施することにより、内部リードへの損傷
を低減し、試料の動作可能状態の維持と半導体素子部の
露出による内部解析可能である。
濃硫酸の混合液の使用による樹脂溶解を別にポリイミド
の除去工程を実施することにより、内部リードへの損傷
を低減し、試料の動作可能状態の維持と半導体素子部の
露出による内部解析可能である。
【図1】本発明の一実施例を示し、(a)試料平面図、
(b)開封フローチャート。
(b)開封フローチャート。
【図2】本発明の第2の実施例の開封フローチャート。
【図3】従来技術モールドIC開封技術。
1 半導体素子 2 外部リード 3 封止樹脂 4 密封材 5 保護マスク 6 試料台 7 試料 8 開口部(噴出用) 9 開口部(吸引用)
Claims (1)
- 【請求項1】 半導体素子を銅箔パターンの成形された
絶縁フィルムに内部リードにより接続し樹脂により封止
した構造を有するTCP(Tope Carrier
Package)タイプの半導体装置において、前記半
導体装置の半導体素子部以外をマスクで密封し封止樹脂
のみを発煙硝酸と濃硫酸の混合液を使用し溶解させる樹
脂溶解工程とポリイミド除去工程を有する事を特徴とす
る半導体装置の開封方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5323593A JPH07183319A (ja) | 1993-12-22 | 1993-12-22 | 樹脂封止半導体装置の開封方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5323593A JPH07183319A (ja) | 1993-12-22 | 1993-12-22 | 樹脂封止半導体装置の開封方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07183319A true JPH07183319A (ja) | 1995-07-21 |
Family
ID=18156443
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5323593A Pending JPH07183319A (ja) | 1993-12-22 | 1993-12-22 | 樹脂封止半導体装置の開封方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH07183319A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6231717B1 (en) | 1998-05-26 | 2001-05-15 | Nippon Scientific Co., Ltd. | Plastic molding unsealing apparatus |
CN103545171A (zh) * | 2012-07-17 | 2014-01-29 | 北大方正集团有限公司 | 一种大功率器件表面保护材料去除方法 |
CN110146503A (zh) * | 2019-05-28 | 2019-08-20 | 青岛歌尔微电子研究院有限公司 | 介面金属共化物的覆盖率检测方法 |
CN111261533A (zh) * | 2020-01-21 | 2020-06-09 | 宜特(上海)检测技术有限公司 | 一种驱动ic取芯片的方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6059742A (ja) * | 1983-09-13 | 1985-04-06 | Mitsubishi Electric Corp | 樹脂モ−ルド部品の樹脂溶解方法 |
JPH04311043A (ja) * | 1991-04-08 | 1992-11-02 | Sharp Corp | 半導体集積回路素子の開封装置 |
-
1993
- 1993-12-22 JP JP5323593A patent/JPH07183319A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6059742A (ja) * | 1983-09-13 | 1985-04-06 | Mitsubishi Electric Corp | 樹脂モ−ルド部品の樹脂溶解方法 |
JPH04311043A (ja) * | 1991-04-08 | 1992-11-02 | Sharp Corp | 半導体集積回路素子の開封装置 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6231717B1 (en) | 1998-05-26 | 2001-05-15 | Nippon Scientific Co., Ltd. | Plastic molding unsealing apparatus |
CN103545171A (zh) * | 2012-07-17 | 2014-01-29 | 北大方正集团有限公司 | 一种大功率器件表面保护材料去除方法 |
CN110146503A (zh) * | 2019-05-28 | 2019-08-20 | 青岛歌尔微电子研究院有限公司 | 介面金属共化物的覆盖率检测方法 |
CN110146503B (zh) * | 2019-05-28 | 2022-02-25 | 青岛歌尔微电子研究院有限公司 | 介面金属共化物的覆盖率检测方法 |
CN111261533A (zh) * | 2020-01-21 | 2020-06-09 | 宜特(上海)检测技术有限公司 | 一种驱动ic取芯片的方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US3978578A (en) | Method for packaging semiconductor devices | |
TW526598B (en) | Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device | |
US20020170897A1 (en) | Methods for preparing ball grid array substrates via use of a laser | |
JP2000188353A (ja) | ボールグリッドアレイ型半導体装置及びその製造方法 | |
JP2000040775A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JPH07183319A (ja) | 樹脂封止半導体装置の開封方法 | |
KR100790450B1 (ko) | Fbga 패키지의 재가공 방법 | |
WO2005112102A2 (en) | Chemical-enhanced package singulation process | |
JPH0621130A (ja) | 樹脂封止型半導体装置の樹脂開封方法 | |
US3876461A (en) | Semiconductor process | |
JPH05251490A (ja) | 樹脂封止型パッケージの開封方法 | |
JP2546431B2 (ja) | フィルムキャリアテープ | |
JP2001077142A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JPH1117054A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2704128B2 (ja) | 半導体装置用リードフレームおよびその製造方法 | |
JPH02301144A (ja) | 外郭体樹脂剥離方法 | |
KR19990011139A (ko) | 비지에이 반도체 리이드프레임과 그 제조방법 | |
JPH0661286A (ja) | 部分的樹脂開封方法 | |
JPH02253626A (ja) | 半導体チップの実装方法 | |
JPH05235073A (ja) | 半導体装置の樹脂封止方法 | |
JPH0661374A (ja) | 半導体装置 | |
JPH05190719A (ja) | 多ピンリードフレームの製造方法 | |
JPH03233945A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
KR20000051352A (ko) | 실장된 반도체 기판 | |
CN108447828A (zh) | 封装结构与基板接合方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19970204 |