CN109950156A - 一种芯片倒装开封方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种芯片倒装开封方法，其特征是，所开封方法包括如下步骤：(1)用X射线检查器件正面和侧面结构，得到芯片及芯片焊点版图，并测量基板厚度；(2)用打磨的方式去除基板材料，露出胶水层；(3)将产品加热至90～100℃；(4)用滴管吸取发烟硝酸滴在基板表面，刻蚀掉芯片表面的胶水及PIQ；(5)清水冲洗芯片后再次重复多次上述步骤；(6)用滴管吸取氢氟酸滴在芯片表面，反应10～15S,反应结束后用清水冲洗；(7)芯片表面进行干燥。本发明提高开封速率，有效去除胶水层及PIQ层，为后期产品工序提高品质保证。
Description
技术领域
本发明主要涉及半导体领域，尤其涉及一种芯片倒装开封方法。
背景技术
现有产品大部分采用芯片倒装结构，芯片表面上方被胶水和基板覆盖，完全开封时，在时间和温度的共同作用下，胶水和芯片表面的 PIQ层被完全融化，芯片和基板分离，可以得到干净的芯片表面，但是孔开盖进行时，由于时间较短，温度也无法达到，胶水和芯片表面的PIQ无法完全融化，残留在芯片表面，影响样品的观察。
已公开中国发明专利：半导体硅平板芯片台面旋转腐蚀酸及台面旋转腐蚀工艺，申请号：CN201410538163.5，申请日：20141013，公开了一种半导体硅平板芯片台面旋转腐蚀酸及台面旋转腐蚀工艺，旋转腐蚀酸由发烟硝酸、氢氟酸、冰乙酸按比例混合而成，工艺使用旋转腐蚀机进行旋转腐蚀。本发明成功取得了一种半导体硅平板功率芯片台面旋转腐蚀工艺技术,运用该技术具有较好的环保等社会效益及良好的经济效益。
由于发烟硝酸和胶水及PIQ的反应比较慢，短暂的滴酸无法干净地腐蚀胶水和PIQ，但是又不能长时间进行，因为发烟硝酸和芯片下方EMC的反应非常快，EMC完全腐蚀后镊子会碰到样品表面，造成人为损伤。
发明内容
本发明提供一种芯片倒装开封方法，针对现有技术的上述缺陷，提供一种芯片倒装开封方法，其特征是所述的开封方法包括如下步骤：
(1)用X射线检查器件正面和侧面结构，得到芯片及芯片焊点版图，并测量基板厚度；
(2)用打磨的方式去除基板材料，露出胶水层；
(3)将产品加热至90～100℃；
(4)用滴管吸取发烟硝酸滴在基板表面，刻蚀掉芯片表面的胶水及PIQ；
(5)清水冲洗芯片后再次重复多次上述步骤；
(6)用滴管吸取氢氟酸滴在芯片表面，反应10～15S,反应结束后用清水冲洗；
(7)芯片表面进行干燥。
优选的，所述产品加热至90℃。
优选的，所述氢氟酸滴在芯片表面的容量为0.1～0.2ml。
优选的，所述氢氟酸反应时间为12S。
优选的，所述X射线定位芯片的位置、数量及芯片焊点的版图。
优选的，所述打磨基板通过砂纸完成。
优选的，所述芯片滴氢氟酸后，应在2～3秒内将样品芯片朝下放入丙酮溶液中进行超声清洗。
本发明的有益效果：提高开封速率，有效去除胶水层及PIQ层，为后期产品工序提高品质保证。
具体实施方式
本发明的目的在于提供一种芯片倒装开封方法，是这样来实现的，其特征是所述的开封方法包括如下步骤：
(1)用X射线检查器件正面和侧面结构，得到芯片及芯片焊点版图，并测量基板厚度；
(2)用打磨的方式去除基板材料，露出胶水层；
(3)将产品加热至90～100℃；
(4)用滴管吸取发烟硝酸滴在基板表面，刻蚀掉芯片表面的胶水及PIQ；
(5)清水冲洗芯片后再次重复多次上述步骤；
(6)用滴管吸取氢氟酸滴在芯片表面，反应10～15S,反应结束后用清水冲洗；
(7)芯片表面进行干燥。
氢氟酸具有极强的腐蚀性，可以强烈地腐蚀金属，玻璃和含硅的物体，PIQ层是一层致密保护膜，用来增强器件的密封性，屏蔽外界杂质，离子电荷，水汽等对电器的有害影响。
在本实施中优选的，所述产品加热至90℃。
在本实施中优选的，所述氢氟酸滴在芯片表面的容量为0.1～0.2ml。
在本实施中优选的，所述氢氟酸反应时间为12S；其中氢氟酸的腐蚀性太强，与PIQ的反应时间不能超过15S,否则会对芯片造成损伤。
在本实施中优选的，所述X射线定位芯片的位置、数量及芯片焊点的版图。
在本实施中优选的，所述打磨基板通过砂纸完成；其中砂纸打磨时尽可能多打磨一点，只保留非常薄的胶水层，这样能尽量腐蚀胶水层，露出芯片表面的PIQ层。
在本实施中优选的，所述芯片滴氢氟酸后，应在2～3秒内将样品芯片朝下放入丙酮溶液中进行超声清洗。
本发明针对的是芯片的PIQ层，PIQ层只要是是SiO2膜，利用氢氟酸和硅的反应，可以轻松去除PIQ层，露出非常干净的表面。
上述实施例仅例示性说明本专利申请的原理及其功效，而非用于限制本专利申请。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本专利申请的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本专利申请所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本专利请的权利要求所涵盖。
Claims (7)
1.一种芯片倒装开封方法，其特征是：所述的开封方法包括如下步骤：
(1)用X射线检查器件正面和侧面结构，得到芯片及芯片焊点版图，并测量基板厚度；
(2)用打磨的方式去除基板材料，露出胶水层；
(3)将产品加热至90～100℃；
(4)用滴管吸取发烟硝酸滴在基板表面，刻蚀掉芯片表面的胶水及PIQ；
(5)清水冲洗芯片后再次重复多次上述步骤；
(6)用滴管吸取氢氟酸滴在芯片表面，反应10～15S,反应结束后用清水冲洗；
(7)芯片表面进行干燥。
2.根据权利要求1所述的一种芯片倒装开封方法，其特征在于：所述产品加热至90℃。
3.根据权利要求2所述的一种芯片倒装开封方法，其特征在于：所述氢氟酸滴在芯片表面的容量为0.1～0.2ml。
4.根据权利要求3所述的一种芯片倒装开封方法，其特征在于：所述氢氟酸反应时间为12S。
5.根据权利要求4所述的一种芯片倒装开封方法，其特征在于：所述X射线定位芯片的位置、数量及芯片焊点的版图。
6.根据权利要求5所述的一种芯片倒装开封方法，其特征在于：所述打磨基板通过砂纸完成。
7.根据权利要求6所述的一种芯片倒装开封方法，其特征在于：所述芯片滴氢氟酸后，应在2～3秒内将样品芯片朝下放入丙酮溶液中进行超声清洗。
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