JPH04311026A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPH04311026A JPH04311026A JP3075461A JP7546191A JPH04311026A JP H04311026 A JPH04311026 A JP H04311026A JP 3075461 A JP3075461 A JP 3075461A JP 7546191 A JP7546191 A JP 7546191A JP H04311026 A JPH04311026 A JP H04311026A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- section
- loader
- polyimide
- semiconductor wafers
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 71
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims abstract description 37
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims abstract description 26
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 15
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 11
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 57
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 15
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 17
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OEYIOHPDSNJKLS-UHFFFAOYSA-N choline Chemical compound C[N+](C)(C)CCO OEYIOHPDSNJKLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960001231 choline Drugs 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920005575 poly(amic acid) Polymers 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 230000002040 relaxant effect Effects 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】［発明の目的］
【０００２】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子の製造に係
わり、特にポリイミドの塗布、露光後の現像、エッチン
グ及びレジスト剥離などに適用する製造装置の改良に適
するものである。
わり、特にポリイミドの塗布、露光後の現像、エッチン
グ及びレジスト剥離などに適用する製造装置の改良に適
するものである。
【０００３】
【従来の技術】集積回路素子や個別半導体素子などの半
導体素子にあっては、耐湿性向上や外囲器用樹脂の応力
緩和を目指して素子表面をポリイミド樹脂で被覆する技
術が知られており、ポリイミド樹脂には、非常に高価な
感光性樹脂と非感光性のものがある。
導体素子にあっては、耐湿性向上や外囲器用樹脂の応力
緩和を目指して素子表面をポリイミド樹脂で被覆する技
術が知られており、ポリイミド樹脂には、非常に高価な
感光性樹脂と非感光性のものがある。
【０００４】非感光性ポリイミド樹脂の使用に当たって
は、レジストを利用するフォトリソグラフィ技術による
パターニング後エッチング処理を行って使用するのが通
常であるが、非感光性ポリイミド樹脂を半導体素子に形
成するには、ポリアミック酸を所定の位置に塗布してか
ら３００℃以上の高温ベーキングによりポリイミド化す
る方法が採られている。
は、レジストを利用するフォトリソグラフィ技術による
パターニング後エッチング処理を行って使用するのが通
常であるが、非感光性ポリイミド樹脂を半導体素子に形
成するには、ポリアミック酸を所定の位置に塗布してか
ら３００℃以上の高温ベーキングによりポリイミド化す
る方法が採られている。
【０００５】しかし、近年充分にベーキングを行わず、
１５０℃前後のベーキング処理後レジスト塗布工程と露
光工程を経てから、アルカリ性現像液でレジスト現像と
ポリイミド層のエッチングを同時に行う方法が知られて
いる。
１５０℃前後のベーキング処理後レジスト塗布工程と露
光工程を経てから、アルカリ性現像液でレジスト現像と
ポリイミド層のエッチングを同時に行う方法が知られて
いる。
【０００６】しかも、ポリイミド樹脂の処理に使用する
レジスト現像とポリイミド樹脂のエッチングを同一の装
置で行い、図１に明らかにしたように別のブース１でア
セトン、メチルエチルケトン、酢酸ブチルなどの処理溶
液槽内に被処理半導体ウエーハを浸し、次にブース２に
おいてイソプロピルアルコール槽及び水洗槽への浸漬を
行ってからリンサードライヤー３で乾燥する方式が採ら
れている。
レジスト現像とポリイミド樹脂のエッチングを同一の装
置で行い、図１に明らかにしたように別のブース１でア
セトン、メチルエチルケトン、酢酸ブチルなどの処理溶
液槽内に被処理半導体ウエーハを浸し、次にブース２に
おいてイソプロピルアルコール槽及び水洗槽への浸漬を
行ってからリンサードライヤー３で乾燥する方式が採ら
れている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】このようなレジスト剥
離、イソプロピルアルコールリンス、水洗、及び乾燥工
程には、バッチ処理方式が採られているために大きなス
ペースが必要となる他に、一連性がない別の装置が必要
となって、製造に多くの時間が要ると共に装置間の移動
にはマニュアル操作が必要となる。
離、イソプロピルアルコールリンス、水洗、及び乾燥工
程には、バッチ処理方式が採られているために大きなス
ペースが必要となる他に、一連性がない別の装置が必要
となって、製造に多くの時間が要ると共に装置間の移動
にはマニュアル操作が必要となる。
【０００８】一方、集積度の一層の増大が進められてい
る半導体素子の製造においては、半導体ウエーハにデバ
イスや回路を造り込むいわゆる前処理段階にもコンピュ
ータ処理を導入して自動化を実施しており、ゴミの最大
の発生源であるマニュアル操作の排除を目指す目的に合
致しない。
る半導体素子の製造においては、半導体ウエーハにデバ
イスや回路を造り込むいわゆる前処理段階にもコンピュ
ータ処理を導入して自動化を実施しており、ゴミの最大
の発生源であるマニュアル操作の排除を目指す目的に合
致しない。
【０００９】本発明はこのような事情により成されるも
ので、特に、製造時間の短縮、省力化を行って低製造コ
ストの素子を提供することを目的とするものである。
ので、特に、製造時間の短縮、省力化を行って低製造コ
ストの素子を提供することを目的とするものである。
【００１０】［発明の構成］
【００１１】
【課題を解決するための手段】第１の発明は、半導体ウ
エーハ用搬送路を備える第１レーンと、前記第１レーン
に配置し、半導体ウエーハをロットとして集める第１ロ
ーダと，前記第１ローダに連続して形成する枚葉の半導
体ウエーハ用スピンコート部及び加熱部と，前記加熱部
に連続して形成し枚葉の半導体ウエーハをロットとして
集める第２ローダ部と，前記第１ローダに隣接する第２
レーンに設置し別の露光装置により処理した半導体ウエ
ーハをロットとして集める第３ローダと，これに連続し
て一体に形成する枚葉の半導体ウエーハ用レジスト現像
部ならびにポリイミドエッチング部と，これに連続して
一体に形成する枚葉の半導体ウエーハ用ポリイミド処理
部と，前記ポリイミド処理部に連続して一体に形成し、
半導体ウエーハをロットとして集める第３ローダを具備
する半導体製造装置に特徴がある。
エーハ用搬送路を備える第１レーンと、前記第１レーン
に配置し、半導体ウエーハをロットとして集める第１ロ
ーダと，前記第１ローダに連続して形成する枚葉の半導
体ウエーハ用スピンコート部及び加熱部と，前記加熱部
に連続して形成し枚葉の半導体ウエーハをロットとして
集める第２ローダ部と，前記第１ローダに隣接する第２
レーンに設置し別の露光装置により処理した半導体ウエ
ーハをロットとして集める第３ローダと，これに連続し
て一体に形成する枚葉の半導体ウエーハ用レジスト現像
部ならびにポリイミドエッチング部と，これに連続して
一体に形成する枚葉の半導体ウエーハ用ポリイミド処理
部と，前記ポリイミド処理部に連続して一体に形成し、
半導体ウエーハをロットとして集める第３ローダを具備
する半導体製造装置に特徴がある。
【００１２】更に、第２の発明は、半導体ウエーハ用搬
送路を備える第１レーンと、前記第１レーン端末に配置
する露光部と，前記露光部に接続し半導体ウエーハ用搬
送路に接続かつ並列に配置する半導体ウエーハ用搬送路
を備える第２レーンと、前記第１レーンの他の端末に配
置し半導体ウエーハをロットとして集める第１ローダと
，前記第１ローダに連続して一体に形成する枚葉の半導
体ウエーハ用のポリイミド塗布部、第１加熱部、レジス
ト塗布部と，前記露光部に搬送する枚葉の半導体ウエー
ハ用の第１の待機部と，前記露光部から搬送する枚葉の
半導体ウエーハ用のレジスト現像部、ポリイミドエッチ
ング部及びポリイミド処理部と，前記ポリイミド処理部
に連続して形成する第２加熱部と，前記第２加熱部に連
続して一体に形成し搬送する枚葉の半導体ウエーハをロ
ットとして集める第１ローダを具備する半導体製造装置
に特徴がある。
送路を備える第１レーンと、前記第１レーン端末に配置
する露光部と，前記露光部に接続し半導体ウエーハ用搬
送路に接続かつ並列に配置する半導体ウエーハ用搬送路
を備える第２レーンと、前記第１レーンの他の端末に配
置し半導体ウエーハをロットとして集める第１ローダと
，前記第１ローダに連続して一体に形成する枚葉の半導
体ウエーハ用のポリイミド塗布部、第１加熱部、レジス
ト塗布部と，前記露光部に搬送する枚葉の半導体ウエー
ハ用の第１の待機部と，前記露光部から搬送する枚葉の
半導体ウエーハ用のレジスト現像部、ポリイミドエッチ
ング部及びポリイミド処理部と，前記ポリイミド処理部
に連続して形成する第２加熱部と，前記第２加熱部に連
続して一体に形成し搬送する枚葉の半導体ウエーハをロ
ットとして集める第１ローダを具備する半導体製造装置
に特徴がある。
【００１３】
【作用】近年半導体素子の集積度は向上の一途をたどっ
ており、最近では微細化が進み配線間の距離が１μｍ以
下のものも開発される状況にあるので、いわゆるクリー
ンルーム内の清浄度が歩留りに影響する程度も厳しくな
っている。
ており、最近では微細化が進み配線間の距離が１μｍ以
下のものも開発される状況にあるので、いわゆるクリー
ンルーム内の清浄度が歩留りに影響する程度も厳しくな
っている。
【００１４】従って、半導体素子の製造は、デバイスや
回路を造り込むいわゆる前処理工程と共に後続の組立工
程をもスルー（Ｔｈｒｏｕｇｈ）して、ゴミの最大の発
生源であるマニュアル操作を避けるべく自動化している
。
回路を造り込むいわゆる前処理工程と共に後続の組立工
程をもスルー（Ｔｈｒｏｕｇｈ）して、ゴミの最大の発
生源であるマニュアル操作を避けるべく自動化している
。
【００１５】本発明は、前記剥離工程、洗浄工程を同一
の容器内で自動的に行なえるとの事実に基ずいて完成し
たもので、製造装置をコンパクト（Ｃｏｍｐａｃｔ）に
する他に、マニュアル操作をなくしかつ枚葉方式で処理
することにより、歩留りが向上できかつ廉価な製造コス
トで半導体素子を製造できるものである。
の容器内で自動的に行なえるとの事実に基ずいて完成し
たもので、製造装置をコンパクト（Ｃｏｍｐａｃｔ）に
する他に、マニュアル操作をなくしかつ枚葉方式で処理
することにより、歩留りが向上できかつ廉価な製造コス
トで半導体素子を製造できるものである。
【００１６】
【実施例】本発明に係わる実施例を図２及び図３の配置
図を参照して説明する。
図を参照して説明する。
【００１７】即ち、図２の半導体製造装置では、互いに
並列に配置しかつ半導体素子の搬送路（図示せず）を備
えたた第１レーン１と第２レーン２で構成し、ここに処
理工程用の各製造装置を連続配置することにより一体と
する。
並列に配置しかつ半導体素子の搬送路（図示せず）を備
えたた第１レーン１と第２レーン２で構成し、ここに処
理工程用の各製造装置を連続配置することにより一体と
する。
【００１８】この一体機の最初に配置する第１ローダ３
には、被処理半導体ウエーハをロットとして例えば２５
枚集めてから、枚葉の半導体ウエーハを搬送路３〜４間
を介してポリイミドのスピンコート部５に移動し、半導
体ウエーハの必要な場所にポリイミド膜を所定の厚さに
塗布する。次いで回転により生ずる遠心力により均一の
厚さとしてからホットプレートで構成する第１加熱部５
に送って塗布したポリイミド膜を約１５０℃で乾燥する
。
には、被処理半導体ウエーハをロットとして例えば２５
枚集めてから、枚葉の半導体ウエーハを搬送路３〜４間
を介してポリイミドのスピンコート部５に移動し、半導
体ウエーハの必要な場所にポリイミド膜を所定の厚さに
塗布する。次いで回転により生ずる遠心力により均一の
厚さとしてからホットプレートで構成する第１加熱部５
に送って塗布したポリイミド膜を約１５０℃で乾燥する
。
【００１９】ここで枚葉の半導体ウエーハを第２ローダ
６に搬送路５〜６間により搬送して、再びロットとして
集めて待機させ、本発明に係わる半導体製造装置と別の
レジストコータと露光装置により所定の紫外線で露光工
程を施してから、再度第３ローダ１１にポリイミド膜を
所定の厚さに塗布した半導体ウエーハを例えば２５枚即
ちロットとして集めて後続工程に対して待機させる。次
にレジスト現像及びポリイミドエッチング部１０に搬送
路１０〜１１間を利用して移動する。
６に搬送路５〜６間により搬送して、再びロットとして
集めて待機させ、本発明に係わる半導体製造装置と別の
レジストコータと露光装置により所定の紫外線で露光工
程を施してから、再度第３ローダ１１にポリイミド膜を
所定の厚さに塗布した半導体ウエーハを例えば２５枚即
ちロットとして集めて後続工程に対して待機させる。次
にレジスト現像及びポリイミドエッチング部１０に搬送
路１０〜１１間を利用して移動する。
【００２０】レジスト現像及びポリイミドエッチング部
１０では、搬送路４により枚葉で搬送した半導体ウエー
ハを図示しない真空チャックにより固定後、コリンまた
はトラメチルアンモニゥムハイドロオキサイド（ＴＭＡ
Ｈ）から成る現像液を、レジスト現像及びポリイミドエ
ッチング部１０に取付けたノズル（Ｎｏｚｚｌｅ）から
噴射してレジストの現像とポリイミド膜のエッチングを
行う。
１０では、搬送路４により枚葉で搬送した半導体ウエー
ハを図示しない真空チャックにより固定後、コリンまた
はトラメチルアンモニゥムハイドロオキサイド（ＴＭＡ
Ｈ）から成る現像液を、レジスト現像及びポリイミドエ
ッチング部１０に取付けたノズル（Ｎｏｚｚｌｅ）から
噴射してレジストの現像とポリイミド膜のエッチングを
行う。
【００２１】更にまた、レジスト剥離部９に搬送路１０
〜１１間により搬送した枚葉半導体ウエーハは、図示し
ない真空チャックにより固定した上で、前記と同じくレ
ジスト剥離部１０に設置したノズルからアセトン、メチ
ルエチルケトン及び酢酸ブチルなどの溶液を噴射して半
導体ウエーハに被着したレジストのみを剥離する。次に
別のノズルからイソプロピルアルコールを噴射して洗浄
後高速回転して乾燥する。更にホットプレートで構成す
る加熱部８でレジスト剥離を終えたウエーハを約１５０
℃で乾燥させアンローダ７に例えば２５枚即ちロットと
して集めて後続工程に対して待機させる。
〜１１間により搬送した枚葉半導体ウエーハは、図示し
ない真空チャックにより固定した上で、前記と同じくレ
ジスト剥離部１０に設置したノズルからアセトン、メチ
ルエチルケトン及び酢酸ブチルなどの溶液を噴射して半
導体ウエーハに被着したレジストのみを剥離する。次に
別のノズルからイソプロピルアルコールを噴射して洗浄
後高速回転して乾燥する。更にホットプレートで構成す
る加熱部８でレジスト剥離を終えたウエーハを約１５０
℃で乾燥させアンローダ７に例えば２５枚即ちロットと
して集めて後続工程に対して待機させる。
【００２２】引続き図３を参照して第２実施例を説明す
るが、本実施例では露光部を第１レーン１２とこれに平
行な第２レーン１３の端に設置して半導体ウエーハの処
理をこの半導体装置だけで実施する点が第１実施例と相
違しており、第１ローダ部３、ポリイミド塗布部４、第
１加熱部５までは全く同様な配置である。
るが、本実施例では露光部を第１レーン１２とこれに平
行な第２レーン１３の端に設置して半導体ウエーハの処
理をこの半導体装置だけで実施する点が第１実施例と相
違しており、第１ローダ部３、ポリイミド塗布部４、第
１加熱部５までは全く同様な配置である。
【００２３】しかし、露光部１６の設置に伴い第１加熱
部５に続いてレジスト塗布部１４及びプリベーク（９０
〜１１０℃）１５を設置して感光及び露光工程に備える
。また、露光部１６に出入する枚葉の半導体ウエーハを
一旦待機する第２及び第３のローダ部１５（待機を兼ね
る）と１７を設置する。また第３のローダ部１５と１７
以降は第１実施例と全く同様なので説明を省略するが（
ウエーハの流れは図面上逆になる）、番号は露光部１６
を受けて、１８、１９、２０ならびに２１とした。
部５に続いてレジスト塗布部１４及びプリベーク（９０
〜１１０℃）１５を設置して感光及び露光工程に備える
。また、露光部１６に出入する枚葉の半導体ウエーハを
一旦待機する第２及び第３のローダ部１５（待機を兼ね
る）と１７を設置する。また第３のローダ部１５と１７
以降は第１実施例と全く同様なので説明を省略するが（
ウエーハの流れは図面上逆になる）、番号は露光部１６
を受けて、１８、１９、２０ならびに２１とした。
【００２４】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように本発明に
係わる半導体製造装置は、互いに平行な２レーン構造で
コンパクトな一体機であるために省スペースとなり、し
かも枚葉方式で工程順で処理されるために、従来１ロッ
ト分のポリイミドエッチングを終えてからレジスト剥離
を行う工程より時間が大幅に短縮される上に、工程間移
動に必要な人員が一人省略できる。
係わる半導体製造装置は、互いに平行な２レーン構造で
コンパクトな一体機であるために省スペースとなり、し
かも枚葉方式で工程順で処理されるために、従来１ロッ
ト分のポリイミドエッチングを終えてからレジスト剥離
を行う工程より時間が大幅に短縮される上に、工程間移
動に必要な人員が一人省略できる。
【００２５】しかも、コンパクトな装置を使用して枚葉
の半導体ウエーハを処理するために歩留りが向上する利
点もある。
の半導体ウエーハを処理するために歩留りが向上する利
点もある。
【図１】従来のレジスト剥離装置の配置図である。
【図２】本発明に係わる半導体製造装置の各ユニットの
配置図である。
配置図である。
【図３】本発明の他の実施例の各各ユニットの配置図で
ある。
ある。
３、６、７、１１、１５、１７、２１：ローダ部、４：
ポリイミド塗布部、 ５、８、２０：加熱部、 １４：レジスト塗布部、 １０、１８：レジスト現像及びポリイミドエッチング部
、 ９、１９：レジスト剥離部、 １６：露光部。
ポリイミド塗布部、 ５、８、２０：加熱部、 １４：レジスト塗布部、 １０、１８：レジスト現像及びポリイミドエッチング部
、 ９、１９：レジスト剥離部、 １６：露光部。
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体ウエーハ用搬送路を備える第１
レーンと，前記第１レーンに配置し、半導体ウエーハを
ロットとして集める第１ローダと，前記第１ローダに連
続して一体に形成する枚葉の半導体ウエーハ用スピンコ
ート部及び加熱部と，前記加熱部に連続して形成し枚葉
の半導体ウエーハをロットとして集める第２ローダと，
前記第１レーンに連続しかつ並列に配置する半導体ウエ
ーハ用搬送路を備える第２レーンと，前記第１ローダに
隣接する第２レーンに設置し別の露光装置により処理し
た半導体ウエーハをロットとして集める第３ローダと、
前記第３ローダに連続して一体に形成する枚葉の半導体
ウエーハ用レジスト現像部ならびにポリイミドエッチン
グ部と，前記レジスト現像部ならびにポリイミドエッチ
ング部に連続して一体に形成する枚葉の半導体ウエーハ
用ポリイミド処理部と，前記ポリイミド処理部に連続し
て一体に形成し、半導体ウエーハをロットとして集める
第４ローダを具備することを特徴とする半導体製造装置
- 【請求項２】 半導体ウエーハ用搬送路を備える第１
レーンと、前記第１レーン端末に配置する露光部と，前
記露光部に接続し半導体ウエーハ用搬送路に接続かつ並
列に配置する半導体ウエーハ用搬送路を備える第２レー
ンと，前記第１レーンの他の端末に配置し半導体ウエー
ハをロットとして集める第１ローダと，前記第１ローダ
に連続して一体に形成する枚葉の半導体ウエーハ用のポ
リイミド塗布部、第１加熱部、レジスト塗布部と，前記
露光部に搬送する枚葉の半導体ウエーハ用の第１の待機
部と，前記露光部から搬送する枚葉の半導体ウエーハ用
の第２の待機部と，前記第２の待機部に連続して一体に
形成する枚葉の半導体ウエーハ用のレジスト現像部、ポ
リイミドエッチング部及びポリイミド処理部と，前記ポ
リイミド処理部に連続して一体に形成する第２加熱部と
，前記第２加熱部に連続して一体に形成し搬送する枚葉
の半導体ウエーハをロットとして集める第２ローダを具
備することを特徴とする半導体製造装置
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3075461A JPH04311026A (ja) | 1991-04-09 | 1991-04-09 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3075461A JPH04311026A (ja) | 1991-04-09 | 1991-04-09 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04311026A true JPH04311026A (ja) | 1992-11-02 |
Family
ID=13576966
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3075461A Pending JPH04311026A (ja) | 1991-04-09 | 1991-04-09 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04311026A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011525712A (ja) * | 2008-06-27 | 2011-09-22 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 処理システム及び処理システムを運転する方法 |
-
1991
- 1991-04-09 JP JP3075461A patent/JPH04311026A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011525712A (ja) * | 2008-06-27 | 2011-09-22 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 処理システム及び処理システムを運転する方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4771816B2 (ja) | 基板処理装置 | |
| US6027262A (en) | Resist process method and system | |
| KR19990008372A (ko) | 집적 반도체 웨이퍼 처리 시스템 | |
| US20040216770A1 (en) | Process for rinsing and drying substrates | |
| JP2007189138A (ja) | 基板処理装置 | |
| CN101458462B (zh) | 降低半导体制造中光刻胶显影缺陷的光刻显影方法 | |
| TW201726256A (zh) | 顯影裝置以及利用該顯影裝置對晶圓上的光阻進行顯影的方法 | |
| JPH04311026A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP2003218015A (ja) | 基板処理装置 | |
| TW200532749A (en) | Rinse nozzle and method | |
| US6405094B1 (en) | Apparatus and method of collecting substrates abnormally processed or processed previous to ordinary processing | |
| JP2000150627A (ja) | 液塗布装置 | |
| JP2000340632A (ja) | 基板の化学的処理装置および基板の化学的処理方法 | |
| JP3234594U (ja) | 金属リフトオフプロセスを用いた半導体素子 | |
| TWI792260B (zh) | 利用金屬掀離製程的半導體元件製造方法及其製成之半導體元件 | |
| JPS58124241A (ja) | 半導体基板現像装置 | |
| KR100622809B1 (ko) | 반도체 소자의 세정 방법 | |
| JP2611372B2 (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH03268419A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH1116804A (ja) | 液処理方法 | |
| KR100641538B1 (ko) | 반도체 제조용 현상 방법 | |
| JP2000294531A (ja) | 枚葉化学処理装置とその運転方法 | |
| KR0161449B1 (ko) | 반도체 공정용 세척장치 | |
| KR100618768B1 (ko) | 반도체 소자의 제조 방법 | |
| KR100735606B1 (ko) | 반도체장치 사진공정설비 및 그 방법 |