JPH04309242A - ダイボンディング方法 - Google Patents
ダイボンディング方法Info
- Publication number
- JPH04309242A JPH04309242A JP3073461A JP7346191A JPH04309242A JP H04309242 A JPH04309242 A JP H04309242A JP 3073461 A JP3073461 A JP 3073461A JP 7346191 A JP7346191 A JP 7346191A JP H04309242 A JPH04309242 A JP H04309242A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pellet
- collet
- die bonding
- semiconductor element
- bonding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- 238000005201 scrubbing Methods 0.000 claims description 3
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 claims 1
- 239000008188 pellet Substances 0.000 abstract description 59
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 10
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 abstract description 10
- 239000004332 silver Substances 0.000 abstract description 10
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 5
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 abstract 3
- OFLYIWITHZJFLS-UHFFFAOYSA-N [Si].[Au] Chemical compound [Si].[Au] OFLYIWITHZJFLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000006023 eutectic alloy Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
- H01L2224/7525—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/753—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
- H01L2224/75301—Bonding head
- H01L2224/75302—Shape
- H01L2224/75303—Shape of the pressing surface
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8338—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
- H01L2224/83385—Shape, e.g. interlocking features
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/0132—Binary Alloys
- H01L2924/01322—Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Die Bonding (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体素子(以下ペレッ
トと呼ぶ)をリードフレームの半導体素子取付部(以下
アイランドと呼ぶ)に取り付けるダイボンディング方法
に関する。
トと呼ぶ)をリードフレームの半導体素子取付部(以下
アイランドと呼ぶ)に取り付けるダイボンディング方法
に関する。
【0002】
【従来の技術】従来のダイボンディング方法は、半導体
ウェハーをウェハーシートに貼り付け、個々のペレット
に分割(ダイシング)した後に、ダイボンディング装置
においてペレットを個々に確認位置決めし、コレットで
真空吸着により保持し、同時にウェハーシート裏面より
針で突上げてウェハーシートよりペレットを引き剥がし
、あらかじめマウント材(接着剤)を供給し、搬送、位
置決めしたリードフレームのアイランドへ転送し、コレ
ットでペレットをマウント材に押し付け、±0.1〜0
.2mm程度の振幅でスクラブし、マウント材をペレッ
ト裏面全体に均一に広げ、あるいは金−シリコン共晶合
金反応をさせて、リードフレームのアイランドにペレッ
トを取り付けていた。
ウェハーをウェハーシートに貼り付け、個々のペレット
に分割(ダイシング)した後に、ダイボンディング装置
においてペレットを個々に確認位置決めし、コレットで
真空吸着により保持し、同時にウェハーシート裏面より
針で突上げてウェハーシートよりペレットを引き剥がし
、あらかじめマウント材(接着剤)を供給し、搬送、位
置決めしたリードフレームのアイランドへ転送し、コレ
ットでペレットをマウント材に押し付け、±0.1〜0
.2mm程度の振幅でスクラブし、マウント材をペレッ
ト裏面全体に均一に広げ、あるいは金−シリコン共晶合
金反応をさせて、リードフレームのアイランドにペレッ
トを取り付けていた。
【0003】ここで、コレットの種類には、樹脂やゴム
を用い、ペレットの表面に直接接触させて真空吸着で保
持する表面コレットと、超硬合金材などを用い、ペレッ
トのエッジをテーパー部に接触させて真空吸引して保持
するコレットとがあり、後者はペレットのスクラブ方向
だけを保持するタイプの2面コレットと、ペレットの4
方向すべてを保持するタイプの角錐コレット(または4
面コレット)とがある。また、マウント材としては、金
テープあるいは金−シリコンテープと銀ペーストなどの
樹脂接着剤が一般的であり、最近は銀ペーストが最も一
般的に用いられている。
を用い、ペレットの表面に直接接触させて真空吸着で保
持する表面コレットと、超硬合金材などを用い、ペレッ
トのエッジをテーパー部に接触させて真空吸引して保持
するコレットとがあり、後者はペレットのスクラブ方向
だけを保持するタイプの2面コレットと、ペレットの4
方向すべてを保持するタイプの角錐コレット(または4
面コレット)とがある。また、マウント材としては、金
テープあるいは金−シリコンテープと銀ペーストなどの
樹脂接着剤が一般的であり、最近は銀ペーストが最も一
般的に用いられている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】最近、ペレットの高集
積化に伴ない、ペレットサイズが15mm×15mm程
度と大型化する一方、ワイヤーボンディング技術の進歩
によるボンディングパッドの小型化及び小ピッチ化によ
り、同一ペレットサイズにおけるワイヤーボンディング
可能本数、つまり、1個のペレットを配線するのに必要
なボンディングワイヤーの本数が増加した(例えば15
mm×15mmのペレットで約500本)。また、プリ
ント基板上での占有率を小さくし、高密度実装させるた
めに半導体装置のパッケージサイズは小型化され、それ
に反してペレットはできるだけ大型化(高集積化)、高
性能化するため、半導体装置中に占めるペレットの割合
が増加してきた(例えば、約17mm×7.5mmのパ
ッケージで、従来約11.5mm×4.5mmのペレッ
トに対し約15.5mm×6mmのペレットが用いられ
るようになった)。
積化に伴ない、ペレットサイズが15mm×15mm程
度と大型化する一方、ワイヤーボンディング技術の進歩
によるボンディングパッドの小型化及び小ピッチ化によ
り、同一ペレットサイズにおけるワイヤーボンディング
可能本数、つまり、1個のペレットを配線するのに必要
なボンディングワイヤーの本数が増加した(例えば15
mm×15mmのペレットで約500本)。また、プリ
ント基板上での占有率を小さくし、高密度実装させるた
めに半導体装置のパッケージサイズは小型化され、それ
に反してペレットはできるだけ大型化(高集積化)、高
性能化するため、半導体装置中に占めるペレットの割合
が増加してきた(例えば、約17mm×7.5mmのパ
ッケージで、従来約11.5mm×4.5mmのペレッ
トに対し約15.5mm×6mmのペレットが用いられ
るようになった)。
【0005】そのため、ペレットの位置ずれや傾きによ
り、ワイヤーボンディングできなかったり、ボンディン
グ後のボンディングワイヤーの形状(ループ形状)が不
均一となり、エッジタッチやショートなどの不良となっ
たり、ボンディングワイヤーどうしの間隔が狭くなり不
良となりやすくなるなど、問題が発生しやすくなったた
め、ペレットの取り付け位置精度(±50μm)が要求
されるようになってきた。しかしながら、従来のダイボ
ンディング方法では、大型ペレット(8mm×8mm程
度以上)をウェハーシートから剥がす際、ウェハーシー
トの剥がれ方が均一でないため、ペレットが引っ張られ
てコレット内で傾いたり、ずれたりしやすい傾向があり
、ペレットの取り付け位置精度が±100μm程度とな
り要求を満足できなかった。
り、ワイヤーボンディングできなかったり、ボンディン
グ後のボンディングワイヤーの形状(ループ形状)が不
均一となり、エッジタッチやショートなどの不良となっ
たり、ボンディングワイヤーどうしの間隔が狭くなり不
良となりやすくなるなど、問題が発生しやすくなったた
め、ペレットの取り付け位置精度(±50μm)が要求
されるようになってきた。しかしながら、従来のダイボ
ンディング方法では、大型ペレット(8mm×8mm程
度以上)をウェハーシートから剥がす際、ウェハーシー
トの剥がれ方が均一でないため、ペレットが引っ張られ
てコレット内で傾いたり、ずれたりしやすい傾向があり
、ペレットの取り付け位置精度が±100μm程度とな
り要求を満足できなかった。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明のダイボンディン
グ方法は、リードフレームの半導体素子取付部にマウン
ト材を介してスクラブによるダイボンディング中に、コ
レットに保持されているペレットの位置を認識装置によ
り直接確認し、半導体素子をコレットで保持したままボ
ンディングアームを移動させ、ペレットの位置修正を行
なう方法である。
グ方法は、リードフレームの半導体素子取付部にマウン
ト材を介してスクラブによるダイボンディング中に、コ
レットに保持されているペレットの位置を認識装置によ
り直接確認し、半導体素子をコレットで保持したままボ
ンディングアームを移動させ、ペレットの位置修正を行
なう方法である。
【0007】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明する
。図1は本発明の第1実施例の概略断面図、図2は本発
明の第1実施例に用いるリードフレームのアイランドの
詳細図である。ダイボンディング装置のダイボンディン
グ部において、リードフレーム1aを載置するブロック
に透明なガラス6を用い、下方にカメラ7を設けている
。ガラス6は耐熱ガラスを使用する。リードフレーム1
aのアイランド2aには、下方よりペレット4の位置が
確認できるよう長円形の穴3が設けられており、図示し
ない銀ペースト供給部から銀ペースト8が供給される。
。図1は本発明の第1実施例の概略断面図、図2は本発
明の第1実施例に用いるリードフレームのアイランドの
詳細図である。ダイボンディング装置のダイボンディン
グ部において、リードフレーム1aを載置するブロック
に透明なガラス6を用い、下方にカメラ7を設けている
。ガラス6は耐熱ガラスを使用する。リードフレーム1
aのアイランド2aには、下方よりペレット4の位置が
確認できるよう長円形の穴3が設けられており、図示し
ない銀ペースト供給部から銀ペースト8が供給される。
【0008】リードフレーム1aに銀ペースト8を供給
後、図示しない搬送機構により搬送し、ダイボンディン
グ部に位置決め固定した後に、図示しないペレット供給
部からコレット5aに吸着保持されたペレット4を銀ペ
ースト8の上より押し付け、振幅±0.1mmのスクラ
ブを行ない、銀ペースト8をペレット4の裏面に均一に
(ただし、穴3のまわりにはこないように)広げる。こ
の時、カメラ7によりペレット4とアイランド2aの相
対位置を穴3を通して確認し、もしペレット4が基準以
上(±50μm以上)ずれていた場合には、ペレット4
を位置修正するようにコレット5a、すなわちボンディ
ングアームを動作させてペレット取り付けを終了する。 なお、ボンディングアームの動作は、カメラ7からの信
号により制御される通常の認識動作と同じである。
後、図示しない搬送機構により搬送し、ダイボンディン
グ部に位置決め固定した後に、図示しないペレット供給
部からコレット5aに吸着保持されたペレット4を銀ペ
ースト8の上より押し付け、振幅±0.1mmのスクラ
ブを行ない、銀ペースト8をペレット4の裏面に均一に
(ただし、穴3のまわりにはこないように)広げる。こ
の時、カメラ7によりペレット4とアイランド2aの相
対位置を穴3を通して確認し、もしペレット4が基準以
上(±50μm以上)ずれていた場合には、ペレット4
を位置修正するようにコレット5a、すなわちボンディ
ングアームを動作させてペレット取り付けを終了する。 なお、ボンディングアームの動作は、カメラ7からの信
号により制御される通常の認識動作と同じである。
【0009】この方法を用いれば、ペレットをウェハー
シートから剥がす際に、ペレットがコレットの中でずれ
ていたとしても、ペレットの実際の位置をカメラで確認
できるので、ペレットの位置ずれが防止でき、したがっ
て、ワイヤーボンディングを行なう際、良好にワイヤー
ボンディングが行なえる。
シートから剥がす際に、ペレットがコレットの中でずれ
ていたとしても、ペレットの実際の位置をカメラで確認
できるので、ペレットの位置ずれが防止でき、したがっ
て、ワイヤーボンディングを行なう際、良好にワイヤー
ボンディングが行なえる。
【0010】次に本発明の第2実施例について述べる。
図3は本発明の第2実施例の概略斜視図、図4は図3に
おけるカメラの画像図である。ペレット4の四隅が出る
ように作られた十字型のコレット5bを用い、リードフ
レーム1bのアイランド2bの上方に設けられたカメラ
7でアイランド2bとペレット4の位置を確認し、ペレ
ット4の位置を修正する。ここで、ペレット4のサイズ
が小さいと、コレットホルダー9に隠れて位置が見えな
いため、ペレットサイズが大きいものでないとこの方法
を用いることはできない(例えば、コレットホルダーの
幅が8mmとすると、ペレットサイズは12mm×12
mm以上)。しかしながら、現在問題になっているのは
、大ペレットでのペレット取り付け位置精度であるため
この方法は有効である。この場合、アイランド上方より
ペレット位置を確認できるので、従来の装置にカメラ取
付等の改造だけで実施できる利点がある。なお上述の実
施例はペレット位置の確認にカメラを用いたが、センサ
ーを用いてもよい。
おけるカメラの画像図である。ペレット4の四隅が出る
ように作られた十字型のコレット5bを用い、リードフ
レーム1bのアイランド2bの上方に設けられたカメラ
7でアイランド2bとペレット4の位置を確認し、ペレ
ット4の位置を修正する。ここで、ペレット4のサイズ
が小さいと、コレットホルダー9に隠れて位置が見えな
いため、ペレットサイズが大きいものでないとこの方法
を用いることはできない(例えば、コレットホルダーの
幅が8mmとすると、ペレットサイズは12mm×12
mm以上)。しかしながら、現在問題になっているのは
、大ペレットでのペレット取り付け位置精度であるため
この方法は有効である。この場合、アイランド上方より
ペレット位置を確認できるので、従来の装置にカメラ取
付等の改造だけで実施できる利点がある。なお上述の実
施例はペレット位置の確認にカメラを用いたが、センサ
ーを用いてもよい。
【0011】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、ダイボン
ディング中のコレットに保持されているペレットの位置
を直接確認し、ペレットの位置修正を行なうので、ペレ
ット取付位置精度が要求精度±50μmを満足でき、し
たがって、ワイヤーボンディング作業が良好に行なえ、
組立歩留りが向上できるという効果を有する。
ディング中のコレットに保持されているペレットの位置
を直接確認し、ペレットの位置修正を行なうので、ペレ
ット取付位置精度が要求精度±50μmを満足でき、し
たがって、ワイヤーボンディング作業が良好に行なえ、
組立歩留りが向上できるという効果を有する。
【図1】本発明の第1の実施例の概略断面図である。
【図2】本発明の第1実施例に用いるリードフレームの
アイランドの詳細図である。
アイランドの詳細図である。
【図3】本発明の第2実施例の概略斜視図である。
【図4】図3におけるカメラの画像図である。
1a,1b リードフレーム
2a,2b アイランド
3 穴
4 ペレット
5a,5b コレット
6 ガラス
7 カメラ
8 銀ペースト
9 コレットホルダー
Claims (1)
- 【請求項1】 半導体素子をリードフレームの半導体
素子取付部にマウント材を用いて取り付けるダイボンデ
ィング方法において、コレットで半導体素子を保持し、
半導体素子取付部に供給されたマウント材に押し付けて
スクラブによるダイボンディングの最中に、半導体素子
の位置を確認装置により確認し、半導体素子をコレット
で保持したままボンディングアームを移動させ、位置修
正を行なうことを特徴とするダイボンディング方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3073461A JP2924254B2 (ja) | 1991-04-08 | 1991-04-08 | ダイボンディング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3073461A JP2924254B2 (ja) | 1991-04-08 | 1991-04-08 | ダイボンディング方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04309242A true JPH04309242A (ja) | 1992-10-30 |
JP2924254B2 JP2924254B2 (ja) | 1999-07-26 |
Family
ID=13518921
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3073461A Expired - Lifetime JP2924254B2 (ja) | 1991-04-08 | 1991-04-08 | ダイボンディング方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2924254B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003077984A (ja) * | 2001-09-06 | 2003-03-14 | Sony Corp | 素子の位置決め方法、素子の取り出し方法、素子の転写方法、素子の配列方法及び画像表示装置の製造方法 |
-
1991
- 1991-04-08 JP JP3073461A patent/JP2924254B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003077984A (ja) * | 2001-09-06 | 2003-03-14 | Sony Corp | 素子の位置決め方法、素子の取り出し方法、素子の転写方法、素子の配列方法及び画像表示装置の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2924254B2 (ja) | 1999-07-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100312898B1 (ko) | 집적 회로 칩의 취급 및 분배 방법 | |
JP3429953B2 (ja) | 微細金属バンプの製造方法および製造装置 | |
KR20030028391A (ko) | 접착성 테이프의 박리 기구, 접착성 테이프의 박리 장치,접착성 테이프의 박리 방법, 반도체 칩의 픽업 장치,반도체 칩의 픽업 방법, 반도체 장치의 제조 방법 및반도체 장치의 제조 장치 | |
US6332268B1 (en) | Method and apparatus for packaging IC chip, and tape-shaped carrier to be used therefor | |
JP2000133659A (ja) | 部品の貼り着け方法とその装置 | |
JPH11163006A (ja) | ペレットボンディング方法 | |
KR102050741B1 (ko) | 반도체 제조 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 | |
JP2000091281A (ja) | ウエハ表面保護テープ剥離装置 | |
JPH04309242A (ja) | ダイボンディング方法 | |
JP2000269243A (ja) | ペレットボンディング方法及び装置 | |
JP2000091403A (ja) | ダイピックアップ方法およびそれを用いた半導体製造装置ならびに半導体装置の製造方法 | |
JPS6245146A (ja) | 治具およびこの治具を有する整列供給装置 | |
JPH065652A (ja) | ワイヤボンディング装置 | |
JP2000022031A (ja) | 導電性ボールの実装方法 | |
JPH11135574A (ja) | 超音波ボンディング用コレットおよびボンディング方法 | |
JP3028031B2 (ja) | ダイボンディング装置及びダイボンディング方法 | |
JP3109402B2 (ja) | ダイボンディング方法 | |
JPS6249986B2 (ja) | ||
JP3442995B2 (ja) | 電子部品装置の製造方法と製造装置 | |
JPH09246782A (ja) | 電子部品の供給方法、および電子部品の供給装置 | |
JPS6344998Y2 (ja) | ||
JPS58165335A (ja) | テ−プキヤリア方式による半導体装置の製造方法及びその製造装置 | |
JPH0242736A (ja) | Icチップ搭載型フレキシブル・プリント基板のボンディング方法 | |
KR100333143B1 (ko) | 반도체 패키지 제조방법 | |
TW202113992A (zh) | 黏晶裝置,剝離單元,夾頭及半導體裝置的製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19990406 |