JPH0430523A - 薄膜形成装置 - Google Patents
薄膜形成装置Info
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- JPH0430523A JPH0430523A JP13779590A JP13779590A JPH0430523A JP H0430523 A JPH0430523 A JP H0430523A JP 13779590 A JP13779590 A JP 13779590A JP 13779590 A JP13779590 A JP 13779590A JP H0430523 A JPH0430523 A JP H0430523A
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Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明（よ 真空装置内に原料ガスを導入し減圧状態に
保ぢ 外部から電界を加え 原料ガスをプラズマ分解す
ることによって薄膜を形成する薄膜形成装置に関する。
保ぢ 外部から電界を加え 原料ガスをプラズマ分解す
ることによって薄膜を形成する薄膜形成装置に関する。
従来の技術
従来 原料ガスをプラズマ分解するいわゆるプラズマＣ
ＶＤ法は第２図のような装置構成のもとで行なわれも
第２図において３１は真空に排気可能な真空塞 ３２は
真空ポンプ３３によって排気する排気口であり、 ３４
は例えばＴａＣｌ５．ＴａＦ５．Ｔａ （ＯＣＨｓ）ｓ
、Ｔａ （ＯＣ＊Ｈｉ）ｓ。
ＶＤ法は第２図のような装置構成のもとで行なわれも
第２図において３１は真空に排気可能な真空塞 ３２は
真空ポンプ３３によって排気する排気口であり、 ３４
は例えばＴａＣｌ５．ＴａＦ５．Ｔａ （ＯＣＨｓ）ｓ
、Ｔａ （ＯＣ＊Ｈｉ）ｓ。
ＴｉＣｌ４．Ｔｉ （ＯＣｓＨテ）４等の原料アンプ
ル４０をヒータ４１によって気化または気化し易い温度
まで加熱し ボンベ３５からへ 例えばＮ ２゜Ａｒ、
Ｈｅ、 等のガスによってバブリングされた原料ガス
を真空室３１に導入するガス導入口であも ３７は電極
を兼ねた基板ホルダー ３８はガラ入 ステンレ入 シ
リコンウェハー等の基板であも 基板３８及び電極３７
はヒータ３９によって加熱されム ２９はヒータ３９を
加熱するためのヒータ電源である。 ３０は電極３７と
対向ししかも電気的に絶縁がなされている電極であも排
気口３２より真空室３１内を排気した後、ガス導入口よ
り、例えば原料ガスとしてＴａＣＩｓと、ボンベ４２よ
り流量制御装置４３によって流量制御された反応ガス
例えばＮｅｏを０．１−１０Ｔｏｒｒ程度の圧力まで導
入すａ この皿 基板３８はヒータ３９によって加熱さ
れており１００５００℃程度の温度に保たれていも こ
の後電源２８により電極３０．３７の間に電界を加え
プラズマを発生させ、原料ガスを分解すると基板３８上
にＴａｐＯ−薄膜が堆積させられる。
ル４０をヒータ４１によって気化または気化し易い温度
まで加熱し ボンベ３５からへ 例えばＮ ２゜Ａｒ、
Ｈｅ、 等のガスによってバブリングされた原料ガス
を真空室３１に導入するガス導入口であも ３７は電極
を兼ねた基板ホルダー ３８はガラ入 ステンレ入 シ
リコンウェハー等の基板であも 基板３８及び電極３７
はヒータ３９によって加熱されム ２９はヒータ３９を
加熱するためのヒータ電源である。 ３０は電極３７と
対向ししかも電気的に絶縁がなされている電極であも排
気口３２より真空室３１内を排気した後、ガス導入口よ
り、例えば原料ガスとしてＴａＣＩｓと、ボンベ４２よ
り流量制御装置４３によって流量制御された反応ガス
例えばＮｅｏを０．１−１０Ｔｏｒｒ程度の圧力まで導
入すａ この皿 基板３８はヒータ３９によって加熱さ
れており１００５００℃程度の温度に保たれていも こ
の後電源２８により電極３０．３７の間に電界を加え
プラズマを発生させ、原料ガスを分解すると基板３８上
にＴａｐＯ−薄膜が堆積させられる。
発明が解決しようとする課題
Ｔｉ○ｅ、Ｔａａｏｓ、ＷＯｓ、Ｙ２Ｏ５，ＨｆＯ２゜
等の薄膜を形成する場合、原料（よ 例えばＴａＣｌ５
．ＴａＦ５．Ｔａ （○ＣＨｓ）ｓ、Ｔａ （ＯＣ２Ｈ
ｓ）ｓ、ＴｉＣ１４，Ｔ ｉ （ＯＣｓＨｙ）ａの様
に固体または液体の場合が多１．Ｘｏ この固体また
は液体の原料はヒータによって加熱され気化することに
よって真空室に導入されも しかし導入路の外周部には
熱に侵され易℃＼ 例えば０リング等の部品があるため
導入路を原料が気化するかまたは気化し易い温度まで加
熱することができなｔ〜 よって加熱されていない導入
路において回置（Ｌ 再液化が起こってしまい原料が
有効に成膜に寄与せず、真空室内の汚染を引き起こし
さらに堆積物は望み膜とは異なる粉末状の分解生成物に
なってしま本発明は上記問題点に鑑みプラズマＣＶＤ装
置において液体または固体原料を使用する場合に生ずる
問題点を低減し 特性の優れた薄膜を作成可能な薄膜形
成装置を提供するものである。
等の薄膜を形成する場合、原料（よ 例えばＴａＣｌ５
．ＴａＦ５．Ｔａ （○ＣＨｓ）ｓ、Ｔａ （ＯＣ２Ｈ
ｓ）ｓ、ＴｉＣ１４，Ｔ ｉ （ＯＣｓＨｙ）ａの様
に固体または液体の場合が多１．Ｘｏ この固体また
は液体の原料はヒータによって加熱され気化することに
よって真空室に導入されも しかし導入路の外周部には
熱に侵され易℃＼ 例えば０リング等の部品があるため
導入路を原料が気化するかまたは気化し易い温度まで加
熱することができなｔ〜 よって加熱されていない導入
路において回置（Ｌ 再液化が起こってしまい原料が
有効に成膜に寄与せず、真空室内の汚染を引き起こし
さらに堆積物は望み膜とは異なる粉末状の分解生成物に
なってしま本発明は上記問題点に鑑みプラズマＣＶＤ装
置において液体または固体原料を使用する場合に生ずる
問題点を低減し 特性の優れた薄膜を作成可能な薄膜形
成装置を提供するものである。
課題を解決するための手段
下部電極をヒータによって加熱し さらにガス導入路を
２重構造として、原料ガスをヒータによって加熱すると
同時に外周部の熱に侵され易し＼例えばＯリング等を保
護するために外周部に冷却装置 例えば水冷装置等を取
り付けた構成とす４作用 従来の方法では液体または固体の原料を加熱し気化させ
たものを真空室内に導入することが困難であり、導入さ
れたガスが再液化または再固化してしまう。本発明では
原料ガス導入路 原料ガス導入口 電極を加熱するこ
とにより、気化させた原料を可成４１Ａ 再固化する
ことなくそのまま真空室内に導入することができ特性の
優れた薄膜が形成できも 実施例 以下図面に基づき、本発明の代表的な実施例を示す。第
１図は本実施で使用する薄膜形成装置の概略図であム
第１図において１１は真空に排気可能な真空塞 １２は
真空排気ポンプ、 １３は電極を兼ねた基板ホルダー
１４はガラ入 ステンレ入 シリコンウェハー等の基板
である。基板１４及び電極１３はヒーター１５によって
加熱されも １６はそのヒーター１５の電源であモ１７
は原料ガス導入口であり、アンプル９内の原料固体また
は液体はヒータ８によって気化または気化し易い温度ま
で加熱され ボンベ１８から流量制御装置１９によって
流量制御されたガスによってバブリングされも バブリ
ングされた原料ガスは導入路２０、電極２１の内部に組
み込まれたヒーター２２によって加熱保温され電極間に
導入されム ヒータ２２は原料ガスを加熱すると同時へ
電極１３と対抗する電極２１も加熱していも 従って電
極２１から導入されたガスは真空室に導入されたことに
よって起こる断熱膨張によって冷えることなく電極１３
に達する。なお２３はヒータ２２の電［２４はプラズマ
発生用の電源である。
２重構造として、原料ガスをヒータによって加熱すると
同時に外周部の熱に侵され易し＼例えばＯリング等を保
護するために外周部に冷却装置 例えば水冷装置等を取
り付けた構成とす４作用 従来の方法では液体または固体の原料を加熱し気化させ
たものを真空室内に導入することが困難であり、導入さ
れたガスが再液化または再固化してしまう。本発明では
原料ガス導入路 原料ガス導入口 電極を加熱するこ
とにより、気化させた原料を可成４１Ａ 再固化する
ことなくそのまま真空室内に導入することができ特性の
優れた薄膜が形成できも 実施例 以下図面に基づき、本発明の代表的な実施例を示す。第
１図は本実施で使用する薄膜形成装置の概略図であム
第１図において１１は真空に排気可能な真空塞 １２は
真空排気ポンプ、 １３は電極を兼ねた基板ホルダー
１４はガラ入 ステンレ入 シリコンウェハー等の基板
である。基板１４及び電極１３はヒーター１５によって
加熱されも １６はそのヒーター１５の電源であモ１７
は原料ガス導入口であり、アンプル９内の原料固体また
は液体はヒータ８によって気化または気化し易い温度ま
で加熱され ボンベ１８から流量制御装置１９によって
流量制御されたガスによってバブリングされも バブリ
ングされた原料ガスは導入路２０、電極２１の内部に組
み込まれたヒーター２２によって加熱保温され電極間に
導入されム ヒータ２２は原料ガスを加熱すると同時へ
電極１３と対抗する電極２１も加熱していも 従って電
極２１から導入されたガスは真空室に導入されたことに
よって起こる断熱膨張によって冷えることなく電極１３
に達する。なお２３はヒータ２２の電［２４はプラズマ
発生用の電源である。
また導入路外周部はヒータ２２によって加熱されるのを
防ぐために冷却器２５によって冷却される。
防ぐために冷却器２５によって冷却される。
以上のような構成の装置によって薄膜を形成する際 液
体または固体を気化させたガスが真空室の内部において
可成（Ｌ 再固化することがなく、原料が有効に成膜
に寄与し さらに異常なプラズマ分解の状態は生じず粉
末状態の分解生成物も非常に少なくなる。
体または固体を気化させたガスが真空室の内部において
可成（Ｌ 再固化することがなく、原料が有効に成膜
に寄与し さらに異常なプラズマ分解の状態は生じず粉
末状態の分解生成物も非常に少なくなる。
発明の効果
第１に 従来の装置でもよ 導入路 導入口 下部基板
が加熱されていないために 液体または固体原料を真空
室内に導入することが困難であり、可成（Ｌ 再固化
が発生してしまう力丈 本発明によれば 気化した原料
は冷やされることなく真空室内に到達することができる
。
が加熱されていないために 液体または固体原料を真空
室内に導入することが困難であり、可成（Ｌ 再固化
が発生してしまう力丈 本発明によれば 気化した原料
は冷やされることなく真空室内に到達することができる
。
第２に本発明の装置では原料が有効に成膜に寄与すム
第３に本発明の装置では下部基板も加熱しているため原
料ガスが効率よく加熱されているので粉末状の分解生成
物は発生し難（ｔ
料ガスが効率よく加熱されているので粉末状の分解生成
物は発生し難（ｔ
第１図は本発明の一実施例における薄膜形成装置の構成
を示す断面図 第２図は従来の薄膜形成装置の構成を示
す断面図であも ８・・・ヒー久 ９・・・アンプル、 １１・・・真空
室 １２・・・真空排気ポンプ、 １３・・・基板ホル
ダー兼電楓１４・・・基Ｋ １５・・・基板加熱用ヒ
ー久 １６・・・ヒータ用型＃ １７・−・原料ガス導
入Ｅｌ １８・・・ボンベ １９・・・流量制御装ｗ
、 ２０・・・導入踪 ２１・・・下部電極 ２２・・
・ガス加熱用ヒー久 ２３・・・ヒータ用型鳳 ２４・
・・プラズマ発生用電源 ２５・・・冷却器 ２６・・
・ボンベ ２７・・・流量制御装置２８・・・プラズマ
発生用電源 ２９・・・ヒータ用型ｆＬ３０・・・下部
電極 ３１・・・真空室 ３２・・・排気０．３３・・
・真空排気ポンス ３４・・・ガス導入０． ３５・・
・ボンベ ３６・・・流量制御装置 ３７・・・基板ホ
ルダー兼電楓 ３８・・・基板 ３９・・・基板加熱用
ヒー久４０・・・アンプ／に４１・・・ヒー久 ４２・
・・ボンベ３・・・流量制御装置
を示す断面図 第２図は従来の薄膜形成装置の構成を示
す断面図であも ８・・・ヒー久 ９・・・アンプル、 １１・・・真空
室 １２・・・真空排気ポンプ、 １３・・・基板ホル
ダー兼電楓１４・・・基Ｋ １５・・・基板加熱用ヒ
ー久 １６・・・ヒータ用型＃ １７・−・原料ガス導
入Ｅｌ １８・・・ボンベ １９・・・流量制御装ｗ
、 ２０・・・導入踪 ２１・・・下部電極 ２２・・
・ガス加熱用ヒー久 ２３・・・ヒータ用型鳳 ２４・
・・プラズマ発生用電源 ２５・・・冷却器 ２６・・
・ボンベ ２７・・・流量制御装置２８・・・プラズマ
発生用電源 ２９・・・ヒータ用型ｆＬ３０・・・下部
電極 ３１・・・真空室 ３２・・・排気０．３３・・
・真空排気ポンス ３４・・・ガス導入０． ３５・・
・ボンベ ３６・・・流量制御装置 ３７・・・基板ホ
ルダー兼電楓 ３８・・・基板 ３９・・・基板加熱用
ヒー久４０・・・アンプ／に４１・・・ヒー久 ４２・
・・ボンベ３・・・流量制御装置
Claims (1)
- 真空装置内に、基板の対向電極を兼用するガス導入口
から原料ガスを導入し、外部より電界を印加しプラズマ
分解することによって薄膜を形成する薄膜形成装置にお
いて、ガス導入路、導入口及びその近傍に加熱装置が配
され、前記導入路の外周部に冷却装置が配されている２
重構造を有することを特徴とする薄膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13779590A JPH0430523A (ja) | 1990-05-28 | 1990-05-28 | 薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13779590A JPH0430523A (ja) | 1990-05-28 | 1990-05-28 | 薄膜形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0430523A true JPH0430523A (ja) | 1992-02-03 |
Family
ID=15207033
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13779590A Pending JPH0430523A (ja) | 1990-05-28 | 1990-05-28 | 薄膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0430523A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07106259A (ja) * | 1993-10-04 | 1995-04-21 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 薄膜形成装置及び薄膜形成方法 |
| US5906683A (en) * | 1996-04-16 | 1999-05-25 | Applied Materials, Inc. | Lid assembly for semiconductor processing chamber |
-
1990
- 1990-05-28 JP JP13779590A patent/JPH0430523A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07106259A (ja) * | 1993-10-04 | 1995-04-21 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 薄膜形成装置及び薄膜形成方法 |
| US5906683A (en) * | 1996-04-16 | 1999-05-25 | Applied Materials, Inc. | Lid assembly for semiconductor processing chamber |
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