JPH03197684A - 隣接プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は隣接プラズマＣＶＤ装置に関し、特にデバイス
へのダメージが低く且つ高品質の薄膜を作製するのに最
適な隣接プラズマＣＶＤ装置に関するものである。

〔従来の技術〕

ＣＶＤ法に関する技術としては、通常のプラズマＣＶＤ
法又は熱ＣＶＤ法が知られている。最近では、本発明者
らによる下記論文や特開昭６３−６２８７９号公報、特
開平１−１１９６７４公報に記載されるようなＧＴＣ−
ＣＶＤ法が提案されている。

（１）　Ｇａｓ−Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ−Ｃｏｎｔｒ
ｏｌｌｅｄ（ＧＴＣ）ＣＶＤ　ｏｆＡｌｕｍｉｎｕｍ　
ａｎｄ　Ａｌｕｍｉｎｕｍ−Ｓｉｌｉｃｏｎ　ＡＩｌｏ
７Ｆｉ１ｍ　ｆａｔ　ＶＬＳＩ　Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ
Ａｔｓｕａｈｉ　Ｓｅｋｉｇｕｃｈｉ、　Ｔｓｕｋａｓ
ａ　Ｋｏｂａ７ａｓｈｉＮｘｏｋｉｃｈｉ　Ｈｏ５ｏｋ
ａｖａ　＆　Ｔａｔｓｕｏ　ＡｓｍｍａｋｉＪａｐａｎ
ｅｓｅ　Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｐｈ
７ｓｉｃｓＶｏ１．２７　Ｎｏｗ、　　１９８８．　　
ＰＰ、Ｌ２１３４−Ｌ２１３６（２）　Ｅｐｉｔａｘｉ
ａｌ　Ｇｒｏｗｔｈ　ｏｆ　Ａｌ　ｏｎ　Ｓｉ　ｂ７　
Ｇａｓ−Ｔｅｍｐｅｒａｊｕｒｅ−Ｃｏｎｊｒｏｌｌｅ
ｄ　ＣＶＤＴａｕｋａｓＩＫｏｂａ７ａｓｈｉ、　Ａｔ
５ｕｓｈｉ　ＳｅｋｉｇｕｃｂｉＮａｏｋｉｃｈｉ　　
Ｈｏｓｏｋａｗａ　　ａｎｄ　　Ｔａ１ｓｕｏ　　＾ａ
ａｍａｋＭａｔ、Ｒｅｓ、　　Ｓｅｅ、　　Ｓ７ｍｐ、
　　Ｐ＋ｏｃ、　　’１０１．１３１１９８９　　Ｍａ
ｔｅｒｉａｌｓ　　Ｒｅｓ！ａｒｃｈ　　５ｏｃｉｅｊ
７　　Ｐ２Ｓ５−６８ 上記の各種ＣＶＤ法による装置はそれぞれ適した用途に
用いられている。それらの方法及び装置の詳しい内容は
、前述の論文や特許公開公報又は“薄膜作成の基礎”　
（麻蒔立男著、日刊工業新聞社出版）に述べられている
ので、ここでは詳述しない。

〔発明が解決しようとする課題〕

一般的に、プラズマＣＶＤ法は低圧、低温で良質な薄膜
を得ることができるが、デバイスへのダメージが大きい
という欠点を有する。また熱ＣＶＤ法は、ステップカバ
レージが良好であるという特徴を有するが、作製された
薄膜の電気的特性に問題が生じるという欠点を有してい
る。

本発明の目的は、前述した従来の各種ＣＶＤ法の問題に
鑑みこれを有効に解決すべ（、低温、低圧で作製するこ
とができ且つ膜質とステップカバレージについて優れた
特性を有する薄膜を作製することができ、更に量産を可
能にした隣接プラズマＣＶＤ装置を提供することにある
。

〔課題を解決するための手段〕

本発明に係る隣接プラズマＣＶＤ装置は、内部に真空室
を有する真空容器と、この真空容器内に配置された基板
を保持する基板機構と、基板に対し第１のガスを供給し
、複数の分配板を備えた第１のガス導入手段と、基板に
対し第２のガスを供給し、第１のガス導入手段の近くの
空間にプラズマを発生させ、このプラズマによって第２
のガスを活性化させる少なくとも１つの第２のガス導入
手段とを備えるように構成される。

本発明に係る隣接プラズマＣＶＤ装置は、前記構成にお
いて、第１のガス導入手段の分配板に温度制御手段を備
えるように構成される。

〔作用〕

本発明では、通常のＣＶＤ法におけるガス導入系又はＧ
ＴＣ−ＣＶＤ法におけるガス導入系のできるだけ近い箇
所にプラズマを発生させ、このプラズマによるガス分解
機能を有した少なくとも１つの他のガス導入系を設け、
基板のすぐ近くで２つのガスを合流させ化学反応を起こ
させることにより、２つのガスの優れた性能を生かして
優れた薄膜を作製する。

第１のガス導入手段より導入されたガスは従来の熱ＣＶ
Ｄ法と同様に働き、表面における反応が主体となり優れ
たステップカバレージを示す。−方、第２のガス導入手
段より導入されたガスは活性化され両者は基板上で反応
し、電気的又は機械的に優れた性質を有する薄膜を作製
する。また、多数の分配板によって広い面積にわたり一
様に薄膜を作ることができ量産においても優れた装置を
作ることができる。

〔実施例〕

以下に、本発明の実施例を添付図面に基づいて説明する
。

第１図及び第２図は本発明の第１実施例の構成を示す。

第１図において、１は内部に真空室を有する真空容器、
２はデポジッションを行う反応室、３が予備排気室、４
と５は排気系、６は反応室２と予備排気室３との間の切
換え弁、７は予備排気室の扉及び弁として兼用される矢
印Ａの如く開閉自在な構造を有する壁部材である。矢印
８は基板９を搬入又は搬出するルートを示し、基板９の
搬入搬出機構は図中詳細には示されていないが、いろい
ろな方式を用いることができる。

１０は基板機構であり、１１は各種の冷媒や電力を導入
するための導入管、１２は絶縁体、１３は基板加熱用ヒ
ータ１３ａを有する基板ホルダ、９は前記基板である。

１４はガス導入系で、このガス導入系１４によって必要
によりいろいろなガスが導入される。例えば、基板９や
反応室２のクリーニング用のガスを導入する場合や特別
の反応を行わせる場合に使用される。ガス導入系１４に
おいて、１５はガス供給ボンベ、１６はガス供給量調節
器である。なお、放電洗浄を行う時や電気的なバイアス
もかけながらデポジッションを行う時は、電源１７を動
作させる。この電源１５には交流電源、直流電源、ＲＦ
電源、マイクロ波電源など任意なものを用いることがで
きる。

２０は第１のガス導入装置で、第２図に詳細に示される
ように、ガス導入装置２０は多数の孔２２を有する複数
（例えば３枚）の分配板２１を上部のガス吹出し部に備
えている。２３は加熱（又は冷却）用の温度制御手段、
例えばヒータであり、各分配板２１の温度を制御したり
、或いはＧＴＣ法を適用するために用いられる。２４は
第１のガス導入管である。ガス導入管２４は、少くとも
後述される電極４１と接触する表面は絶縁体で作られて
おり、実際はその先部に分岐管（２５；第３図等参照）
が形成されて更に多数のガス噴出口２５ａを有し、ガス
が一様に基板面に供給されるように設計されている。ガ
ス導入管２４の形状は、各装置の目的に合わせて任意に
設計されるので、この図示例では単に配管として示して
いる。また２６はバブリング容器、２７はヒータ装置、
２８は第１のガスの発生源となる溶液、２９は流量調節
計や流量測定装置を含むガス調節器、３０はキャリヤガ
スボンベである。この種のバブリング装置は常温で液体
の有機金属ガス、例えばＴＩＢＡやＴＥ０１などのよう
なガスを導入する場合に用いる。キャリヤガスとしては
アルゴンや水素を用いるが、その選択は反応系の設計に
応じて自由に行われる。

４０は第２のガス導入装置で、第２図で詳細に示される
ように、ガス導入装置４０において４１は放電電極、４
２はガス放出孔、４３と４４は内部空間を気密に保持す
る機能を備えた絶縁体、４５は第２のガスと冷媒と電力
等を導入する導入管、４６は前記の２９と同様な機能を
有するガス調節器、４７は第２ガスのガスボンベ、４８
は電力を供給するための電源で、直流電源、交流電源、
ＲＦ電源、マイクロ波電源など任意なものを使用するこ
とができる。マイクロ波電源のときには特別な形状に設
計する必要がある。４９は外筒、５０は発生したプラズ
マ、５１はプラズマ５０によって活性化された第２のガ
スの吹出し口である。５２は外筒４９のための電源で上
記電源４８と同様な性能を有する。

上記装置は化学反応を行う装置であるので、装置の設計
製作においては使用材料に特に注意を要する。中でも、
第２のガス導入装置４０により第２のガスは活性化され
ているので、これが触れる容器部分は特に注意を要する
。例えば第１のガスとしてＴＥ０１を用い、第２のガス
として０□＋０、のようなガスを用いて酸化反応を行わ
せる場合、０□と０の一部が解離Ｏを生ずる。従って、
この０が通過する領域の材料にはＯに対して反応しにく
い、安定な材料を用いることが重要である。

一般的に酸化物については、酸化物とＯとの反応がそれ
程早くない酸化物を選ぶのが望ましい。この例では酸化
してＳｉＯ□を作る場合であるので、不純物の混入を防
ぐ意味でＳｉＯ□を用いることが望ましい。特に分配板
２１、ヒータ２３における０にさらされる面、ガスの吹
出し口５１、電極４１、外筒４９におけるプラズマにさ
らされる面などは、このような注意の下に設計・製作さ
れることが望ましい。勿論不純物が問題にされないとき
は、Ａｌ２Ｏ３のような酸化物でよい。窒化する場合、
還元する場合などについても同様な注意が肝要である。

この考え方は後述する実施例においても同様である。

上記装置の運転は、前述の論文や著書にて説明される各
種のＣＶＤ装置とほぼ同様であり、使用者の目的に合わ
せた使い方をすることができるので詳細な説明について
は省略し、以下では特に注意を要する点についてのみ説
明する。

第１のガス導入装置２０から導入される第１のガスは、
代表的に、金属、半導体、合金などを含むガスである。

第２のガス導入装置４０から導入される第２のガスは、
第１のガスと反応して固定薄膜を作るガスである。第１
のガスの例を挙げると有機金属、有機半導体などである
。第２のガスの例としては常温で気体状態であるガス、
例えば０□、Ｎ２．Ｈ２，Ｃｏ、Ｃｏ□、Ｎｏ、ＮＨ３
゜ハロゲン化物、貴ガスなどである。第１のガスは、所
定温度に保たれた分配板２１を通過して所定温度に保た
れた基板９に到達する。ここで分配板２１の温度を適切
な温度に設定すれば、例えばＡｌ膜の作成を行うときＴ
ＩＢＡを用いると、２００℃〜３００℃の温度範囲にす
れば熱的に活性化されＧＴＣ法を用いることができる。

分配板２１の形状は基板９の形や基板９の集合体の形状
に合せて決定される。また孔２２は、分配板２１上に、
基板９に対し一様となるように分布している。

方、第２のガスとして０□を用いて０２プラズマ５０を
発生させると、ｏ、ｏ、、ｏ、ｏ□１等＊ のラジカルやｏ−、ｏ”、ｏ２−、ｏ□゛などのイオン
を発生し、０゜は活性化される。これらは吹出し口５１
を通して吹き出される。両者は分配板２１を通過する時
混合され一様に分布したガスとなる。勿論、後述する第
７図、第８図などの実施例その他に示すように別々に基
板上に導いても良い。

プラズマ５０により極めて強烈に活性化された第２のガ
スは、基板９の表面において第１のガスと反応して優れ
た薄膜を作る。

例えばＴＥ０１を酸化してＳｉＯ□を作る場合の例を挙
げると次のようになる。

ボンベ３０にアルゴンを用い、流量１００　ＳＣＣＭＴ
ＥＯＳ２８の温度　６５℃ ボンベ４７に０２を用い、流量１０００　ＳＣＣＭ基板
温度　　３５０℃ 反応圧力　　５〜１００　Ｔｏｕ 成膜速度　　３００Ｃ人／ｗｉｎ このようにして作られた薄膜の平坦性は極めて良好で従
来の熱ＣＶＤ法と同程度以上である。また成膜速度は熱
ＣＶＤ法の約２倍である。

その低材料の面に関し、不純物対策の点で、例えばＡｌ
　２０．の膜を作るときプラズマ５０にさらされる面に
ついては、作ろうとする膜と同じ材料Ａｌ２Ｏ，で作る
のが望ましい。このことは、５ｉｎ２の膜を作る場合も
同様である。また反対にプラズマ５０を利用して壁材か
ら特殊なガスを放出させるように構成することも好まし
い構造である。例えば、テフロンからフッ素（Ｆ）を放
出させ、利用するようにしても良い。

前記実施例では平板状の放電電極４１を用いてプラズマ
５０を発生させている。この例では、主としてグロー放
電を発生しやすい形態になっている。放電の発生方法に
ついては上記方式の他に多数の方式が存在する。前述の
“薄膜作成の基礎”第２版、第５章（１９９頁）〜第１
０章（２２５頁）、又は石川順三著、アイオニクス■刊
“イオン源工学”或いは前述の論文にも多くの方式が記
述されている。これらの方式はすべて利用することがで
きる。利用目的に応じて電極４１、更には第１のガス導
入装置２０の形状も変えることができる。望ましくは、
ラジカルを大量に作る放電、例えば後述される第５図の
実施例に示すような高温プラズマ、熱プラズマ、アーク
放電等を用いることも好適である。従って形状は特に限
定的な意味を持つものではない。

更に、本発明を実施する上での構造上の注意について述
べる。プラズマ５０中に発生する各種の分解生成物のう
ち帯電体が基板に到達するのを避けることが望ましい場
合がある。複数の分配板２１はガスの分配を行うと共に
放電の拡散防止機能も兼ねている。吹出し口５１の形状
も重要であり、第１のガス導入装置２０の中に帯電体が
導入されることも好ましくない場合が多い。その場合も
充分な手段を講じる必要がある。このように帯電体通過
を防止する又は適量に制御する手段を講じることが望ま
しい。この実施例では比較的圧力が高いので、分配板の
枚数については図示した程度で良いが、圧力が低下する
場合には更に分配板を追加するのが良い。また磁場をガ
スの流れと直角方向に加えることも可能である。

他方、第１のガス導入装置２０の中で帯電体を用いて適
度に活性化を行う必要があるときは、吹出し口５１の長
さを短くしたり、場合によっては取り除いてしまうこと
も可能である。

第３図は他の実施例を示し、この実施例では放電容器５
３を設け、この放電容器５３に後述される２つの棒状電
極を配設し、これらの棒状電極の間でアーク放電を発生
させ、高温プラズマを用いて第２のガス導入装置４０を
作り、第２の導入ガスの活性化を行っている。第３図に
おいては、前記の真空容器１や基板機構１０の図示を省
略している。図中、２０１と２０２は新たに付加された
分配板、２１１と２１２はそれぞれ分配板２０１゜２０
２に形成された多数の孔である。これらの孔は互いに位
置をずらして形成し、これによりアーク放電が通過しな
いように帯電体の通過を防止する又は適量に制御する手
段を講じている。５３は前記放電容器、６１と７１は棒
状電極、６２と７２は絶縁体、６３と７３は電源であり
、電源については直流電源、交流電源、ＲＦ電源、マイ
クロ波電源のいずれをも用いることができる。棒状電極
６１と７１との間の箇所にアーク放電５４が発生する。

また、一方の棒状電極を接地すれば電源は一方のみで足
りる。本実施例によれば動作圧力は１０−２Ｔｏｕｒ以
上の高い圧力まで広い範囲で動作させることができる。

特に数Ｔｏｒｒ以上では電流密度の高い高温プラズマを
作り出し、ガスを原子状にまで分解し活性化することが
できる。この種のプラズマは例えば下記の論文にも見ら
れるようにダイヤモンド薄膜の合成にも用いられている
もので極めて活性の高いガスを得ることができる。

真空３１巻６号（１９８ｇ）、安田ら。

“直流放電を用いた気相成長法によるダイヤモンド薄膜
の作成と評価” また第３図において５５は第１ガス供給装置であり、前
記バブリング容器２６等の第２図で示された装置要素２
６〜３０から構成されている。その他の構成は第２図に
示された構成と同じであり、同一要素には同一の符号を
付している。

第４図は他の実施例を示し、この実施例では直交電磁界
放電を用いている。第４図に示されるように、この実施
例では第３に示された２本の棒状電極間のアーク放電の
代わりに直交電磁界放電を用いている。図中電極８１は
端板付きマグネトロン放電電極である。この実施例では
第２のガスの導入を他の１つの箇所から行っているが、
第２図などと同様に電極に多数の孔をあけてこれらの孔
からガスを吹出すように設計することもできる。

８２は内部に磁場を形成するコイルである。マグネトロ
ン放電電極８１の周囲空間に直交電磁界放電８３が発生
する。この実施例においては、１０２Ｔｏ　ｔ　ｒから
常圧までの広い範囲において動作させることができる。

直交電磁界放電発生装置としては、このほかに逆マグネ
ットペニング、ＥＣＲなど多数の方式を採用することが
できる。また第１のガスに係るガス導入管２４は放電空
間を貫通しているが、反応室２から導入するなどして、
放電空間の貫通を避けるように構成することもできる。

なお第４図において、８４は絶縁体、８５はマグネトロ
ン放電電極８１に電力を供給する電源であり、前述した
電源と同じである。その他の構成は第３図に示された構
成と同じであり、同一の要素には同一の符号を付してい
る。

第５図は他の実施例を示し、本実施例では無電極放電を
利用して第２のガス導入装置４０を形成している。図中
電源９１には高周波電源を用い、９２はコイル、９３は
石英、アルミナ、ＢＮなどの絶縁物で作った内管、９４
は冷媒を矢印９５゜９６のように流すための外管である
。動作圧力は１０−２７ｏｒ＋以上の圧力で、特に数Ｔ
ｏｒｒ以上では高温プラズマによる放電９７が得られ、
これにより極度に活性化された第２のガスを得ることが
できる。このプラズマは比較的広がりやすく第１のガス
導入装置２０の方にまで広がってしまうことがある。こ
れが不都合の場合、第６図に示すようにＬ字管９８を用
いると良い。このようなプラズマ放電の作り方は下記の
論文にも詳しく述べられている。

真空３１巻４号（１９８Ｂ）、二戸、関口。

“高温非平衡プラズマの特性と応用” 帯電体通過を防止する又は適量に制御する役目は複数の
分配板２０１，２０２が有するが、その材料選定には第
１図及び第２図の実施例で述べた注意が必要である。酸
化物や窒化物の薄膜を作る必要があるときには、金属は
用いない方が良い場合が多い。

第７図及び第８図には第１のガス導入装置２０の他の実
施例を示す。この実施例は、第２のガス導入装置４０で
作られた第２のガスが活性化し過ぎて、第１のガスと気
相反応しやすい場合に効果がある。すなわち、第２のガ
ス導入装置４０の前記ガス吹出し口５１を第１のガス導
入装置２０の複数の分配板２１を突抜け、突出させて５
１′として形成し、基板９の近くまで接近させる。第１
のガスは、吹出し口５１と同軸状に形成された孔２２′
から吹き出す。なお孔２２′は同軸状に形成しなくとも
良い。こうして、第１及び第２のガスは基板９の表面で
混合し、そこで反応させるように構成する。第２のガス
導入装置の構成については特に限定はなく、本明細書で
説明された放電方式は勿論、その他のあらゆる放電方式
を用いることができる。

第９図は更に他の実施例を示し、この実施例ではリング
形状を有した第２のガス導入装置を用いた例を示してい
る。第１のガス導入装置２０に関し、１０１はルーバー
状の分配板であり、第１ガス供給装置５５、分配板２１
、ヒータ２３の構成は前述の実施例と同じである。１０
２は多数の孔１０３を内面側に有する管形態のリング状
電極である。１０４は４６と同様な他のガスを導入する
ためのガス調節器、１０５は４７と同様な他のガスのガ
ス供給ボンベであり、これらの装置は他のガスを制御し
ながら導入したい場合に付加される。

１０６は、前記リング状の電極１０３を収容する外側空
間と、内外２つの分配板用壁部１０６ａと１０６ｂを備
えるリング状容器である。分配板用壁部１０６ａ、１０
６ｂはそれぞれ多数の孔１０７を有する。この実施例で
も帯電体の通過を防止したり、適量に抑えるように設計
されている。この実施例では、第２図の実施例と同様に
電極１０２の周りにプラズマ１０８を発生させて第２の
ガスの活性化に行っている。もし磁場をコイル１０９を
用いて矢印１０９ａの如く磁界を形成すれば、直流電磁
界として第４図の実施例と同様の効果を得ることができ
る。もし内部で放電を行わせるのが不都合の場合、２点
鎖線１１０で示す位置に第３図〜第５図の実施例で示し
たような放電装置を設けても良い。更に他の第３のガス
導入系を必要とするときは破線１１１で示した位置（又
は他の適切な位置）に第１のガス導入装置と同様な又は
第２のガス導入装置と同様な装置を、第３又は第４のガ
ス導入装置として設けることができる。

第１０図及び第１１図は更に他の実施例を示し、この実
施例では多数の基板９を同時に処理する場合の一例を示
す。この実施例では、デボジッションを行う反応室２、
前記分配板２１，２０１は本実施例では円筒形であって
、熱線を透過する材料、例えば石英で形成される。基板
９と分配板２１゜２０１は反応室２の外側に設けられた
ヒータ２３１によって加熱される。ヒータ２３１はホル
ダ１１２によって支持されている。また基板９の搬入、
搬出は扉１１３の開閉によって行われる。第１のガス供
給装置５５から供給される第１のガスは、基板９が多数
集まった基板群の近くから吹き出される。第２のガスは
基板群から離れたところでプラズマ５０により活性化さ
れ分配板２０１．２１を通過し、基板９の表面に供給さ
れる。廃ガスは排気系４により排気される。排気系には
従来用いられているＣＶＤ用又はエツチング用のすべて
の排気系を用いることができる。

基板９は膜厚や温度分布を一定にするように矢印１１４
に示すように第１０図中横方向に振動させるのが望まし
い。

基板９の加熱は上記ようにヒータ２３１を用いて行う以
外に、高周波加熱を用いて行う方法もある。これらは、
従来のＣＶＤ技術を参考にしながら本発明による構成を
適用するようにして装置を設計すれば良い。

上記で説明した構成は、何ら限定的な意味をもつもので
はなく、多数の変形が可能であることは勿論である。各
実施例で示した放電手段はそれぞれ他の実施例の第１の
ガス導入装置と組み合わせて使うように設計することが
できるし、又は第９図に示すようにそれぞれを多数集め
た設計にすることもできる。放電発生方式もいろいろな
文献に述べられているものを用いることができる。重要
なことは、プラズマの発生箇所を基板９のすぐ近（に持
ってきて特定のガスを活性化し、また帯電体を除去し又
は適量に制御し、且つ放電空間で作られる大量の活性化
したガス状物質を取り出し、これを他のガスと混合させ
て化学反応を起こさせる点、その上プラズマを基板９の
表面上まで広がらせない点にある。これらの構成は特に
有機ガスを第１のガス導入系に用いた場合に優れた効果
を発揮する。

〔発明の効果〕

以上の説明で明らかなように、本発明によれば、基板に
対し第１及び第２のガスを供給し基板上に薄膜を作製す
るに当たって、第２のガス導入手段に関し第１のガスの
導入手段の近くでプラズマを発生し第２のガスを活性化
するように構成したため、低温、低圧の条件の下でプラ
ズマＣＶＤ法と同等の優れた膜質を有し、且つ熱ＣＶＤ
法と同等の優れたステップカバレージ性を有する薄膜を
作製することができる。また上記の活性化を利用すれば
、エツチングや表面改質についても優れた効果を上げる
ことができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係る隣接プラズマＣＶＤ装置の全体構
成を示す正面断面図、第２図は第１実施例を示す要部断
面図、第３図は第２実施例を示す要部断面図、第４図は
第３実施例を示す要部断面図、第５図は第４実施例を示
す要部断面図、第６図は第４実施例の変更実施例の一部
を示す断面図、第７図は第５実施例を示す要部断面図、
第８図は第７図における■方向矢視図、第９図は第６実
施例を示す要部断面にした装置構成図、第１０図は第７
実施例を示す要部断面図、第１１図は第１０図中のＸ　
Ｉ　−Ｘ　Ｉ線断面図である。 〔符号の説明〕 １・・・・・・真空容器 ２・・・・・・反応室 ９・・・・・・基板 １０・・・・・基板機構 １３・・・・・基板ホルダ ２０・・・・・第１のガス導入装置 ２３・・拳・・ヒータ ４０・・・・・第２のガス導入装置

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）内部に真空室を有する真空容器と、前記真空室内
   に配置された基板を保持する基板機構と、前記基板に対
   し第１のガスを供給し、複数の分配板を備えた第１のガ
   ス導入手段と、前記基板に対し第２のガスを供給し、前
   記第１のガス導入手段の近くの空間にプラズマを発生さ
   せ、このプラズマによって前記第２のガスを活性化させ
   る少なくとも１つの第２のガス導入手段とを備えたこと
   を特徴とする隣接プラズマＣＶＤ装置。
2. （２）請求項１記載の隣接プラズマＣＶＤ装置において
   、前記第１のガス導入手段の前記分配板に温度制御手段
   を備えたことを特徴とする隣接プラズマＣＶＤ装置。