JPH04303513A - 誘電体磁器用仮焼物の製造方法 - Google Patents
誘電体磁器用仮焼物の製造方法Info
- Publication number
- JPH04303513A JPH04303513A JP3091031A JP9103191A JPH04303513A JP H04303513 A JPH04303513 A JP H04303513A JP 3091031 A JP3091031 A JP 3091031A JP 9103191 A JP9103191 A JP 9103191A JP H04303513 A JPH04303513 A JP H04303513A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric
- manufacture
- producing
- calcined
- dielectric porcelain
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 11
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 24
- AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L barium carbonate Chemical compound [Ba+2].[O-]C([O-])=O AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims abstract description 24
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 15
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 2
- 238000001354 calcination Methods 0.000 abstract description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 13
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 abstract description 9
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 abstract description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 9
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 8
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 8
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 8
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 7
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 5
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 Zr O Substances 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N antimony trioxide Inorganic materials O=[Sb]O[Sb]=O ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AYJRCSIUFZENHW-DEQYMQKBSA-L barium(2+);oxomethanediolate Chemical group [Ba+2].[O-][14C]([O-])=O AYJRCSIUFZENHW-DEQYMQKBSA-L 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011268 mixed slurry Substances 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000634 powder X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YEAUATLBSVJFOY-UHFFFAOYSA-N tetraantimony hexaoxide Chemical compound O1[Sb](O2)O[Sb]3O[Sb]1O[Sb]2O3 YEAUATLBSVJFOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、高周波領域において優
れた特性を有する誘電体磁器製造用の仮焼物の製造方法
に関し、特に均一な仮焼生成物が得られる製造方法に関
する。
れた特性を有する誘電体磁器製造用の仮焼物の製造方法
に関し、特に均一な仮焼生成物が得られる製造方法に関
する。
【0002】
【従来の技術】従来、マイクロ波などの高周波領域の信
号回路に使用される誘電体共振器には、バリウムを含む
複合ペロブスカイト型結晶構造の誘電体磁器が用いられ
て来た。これらの高周波用誘電体磁器の製造においては
、通常、原料である炭酸バリウムとその他の構成金属元
素の酸化物との混合物を一定温度で仮焼し、必要ならば
圧粉成形体とした後に焼成する。従来、前記の仮焼は、
通常、原料混合物を空気中または酸素中で加熱すること
により行われて来た。
号回路に使用される誘電体共振器には、バリウムを含む
複合ペロブスカイト型結晶構造の誘電体磁器が用いられ
て来た。これらの高周波用誘電体磁器の製造においては
、通常、原料である炭酸バリウムとその他の構成金属元
素の酸化物との混合物を一定温度で仮焼し、必要ならば
圧粉成形体とした後に焼成する。従来、前記の仮焼は、
通常、原料混合物を空気中または酸素中で加熱すること
により行われて来た。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記のように
原料混合物を空気中や酸素中で仮焼すると、目的とする
化合物の単一相からなる均一な反応生成物が得られず、
第2相が共存してしまう。例えばBa( Mg1/3
Ta2/3 )O3 の組成の化合物を製造する場合に
は、BaTa2 O6 やBa5 Ta4 O15等
の第2相も生成する。そこで従来法では、目的とする化
合物の単一相からなる均一な反応生成物を得るために、
得られた仮焼物を再度粉砕、混合し、仮焼する操作を繰
り返さなければならなかった。このように、仮焼工程が
複雑であり、粉砕の際に不純物が混入する惧れがある等
の欠点があった。
原料混合物を空気中や酸素中で仮焼すると、目的とする
化合物の単一相からなる均一な反応生成物が得られず、
第2相が共存してしまう。例えばBa( Mg1/3
Ta2/3 )O3 の組成の化合物を製造する場合に
は、BaTa2 O6 やBa5 Ta4 O15等
の第2相も生成する。そこで従来法では、目的とする化
合物の単一相からなる均一な反応生成物を得るために、
得られた仮焼物を再度粉砕、混合し、仮焼する操作を繰
り返さなければならなかった。このように、仮焼工程が
複雑であり、粉砕の際に不純物が混入する惧れがある等
の欠点があった。
【0004】そこで、本発明の課題は、ただ一回の仮焼
によって均一な反応生成物を得ることができる誘電体磁
器用仮焼物の製造方法を提供することである。
によって均一な反応生成物を得ることができる誘電体磁
器用仮焼物の製造方法を提供することである。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、上記の
課題を達成するために、バリウムを主要構成元素として
含む複合ペロブスカイト型結晶構造の誘電体磁器の製造
用仮焼物の製造方法であって、炭酸バリウムとその他の
構成元素の原料との混合物を、二酸化炭素( CO2
) を5〜100 モル%含有する雰囲気中において、
1000〜1300℃の温度で30分以上加熱する工程
を有する仮焼物の製造方法が提供される。
課題を達成するために、バリウムを主要構成元素として
含む複合ペロブスカイト型結晶構造の誘電体磁器の製造
用仮焼物の製造方法であって、炭酸バリウムとその他の
構成元素の原料との混合物を、二酸化炭素( CO2
) を5〜100 モル%含有する雰囲気中において、
1000〜1300℃の温度で30分以上加熱する工程
を有する仮焼物の製造方法が提供される。
【0006】本発明の方法は、誘電体磁器製造の一工程
として実施されてもよく、その場合には該工程で製造さ
れた仮焼物は、通常、引き続いて必要に応じて圧粉成形
体とされた後に焼成に供される。また、本発明の方法に
製造された仮焼物は一旦貯蔵、運送として付された後、
後日焼成に供されてもよい。
として実施されてもよく、その場合には該工程で製造さ
れた仮焼物は、通常、引き続いて必要に応じて圧粉成形
体とされた後に焼成に供される。また、本発明の方法に
製造された仮焼物は一旦貯蔵、運送として付された後、
後日焼成に供されてもよい。
【0007】バリウムを主要構成元素して含む複合ペロ
ブスカイト型結晶構造の誘電体磁器としては、例えば、
一般式(I): Bax A y B 1−x−y O w (I)
〔ここで、A はZn, Ni, Co, Mgおよび
Mnからなる群から選ばれる少なくとも一種の元素であ
り、BはTaおよびNbからなる群から選ばれる少なく
とも一種の元素であり、xは0.48〜0.52の数、
yは0.15〜0.19の数であり、wはBa, Aお
よびBの陽イオンの合計の電荷を中和し、全体として実
質的に電気的に中性となる数である。〕で表される組成
を有し、複合ペロブスカイト形結晶構造を有する化合物
から本質的になる磁器があげられる。
ブスカイト型結晶構造の誘電体磁器としては、例えば、
一般式(I): Bax A y B 1−x−y O w (I)
〔ここで、A はZn, Ni, Co, Mgおよび
Mnからなる群から選ばれる少なくとも一種の元素であ
り、BはTaおよびNbからなる群から選ばれる少なく
とも一種の元素であり、xは0.48〜0.52の数、
yは0.15〜0.19の数であり、wはBa, Aお
よびBの陽イオンの合計の電荷を中和し、全体として実
質的に電気的に中性となる数である。〕で表される組成
を有し、複合ペロブスカイト形結晶構造を有する化合物
から本質的になる磁器があげられる。
【0008】この一般式(I) の磁器の代表的具体例
は、Ba( Mg1/3 Ta2/3 )O3 、Ba
( Zn1/3 Ta2/3 )O3 、Ba( Co
1/3 Ta2/3 )O3 、Ba( Ni1/3
Ta2/3 )O3 、Ba( Mg1/3 Nb2/
3 )O3 、Ba( Zn1/3 Nb2/3 )O
3 、Ba( Co1/3 Nb2/3 )O3 、お
よびBa( Ni1/3 Nb2/3 )O3 やこれ
らの固溶系からなる組成を有する化合物である。
は、Ba( Mg1/3 Ta2/3 )O3 、Ba
( Zn1/3 Ta2/3 )O3 、Ba( Co
1/3 Ta2/3 )O3 、Ba( Ni1/3
Ta2/3 )O3 、Ba( Mg1/3 Nb2/
3 )O3 、Ba( Zn1/3 Nb2/3 )O
3 、Ba( Co1/3 Nb2/3 )O3 、お
よびBa( Ni1/3 Nb2/3 )O3 やこれ
らの固溶系からなる組成を有する化合物である。
【0009】上記誘電体磁器としては、フッ素、 Zr
O、 SiO2 、Al2 O3 、 SnO2 、
Sb2 O3 などを微量ないし少量添加したもので
もよく、例えば、特開平1−251512号公報に記載
のフッ素を添加したもの、等もあげられる。
O、 SiO2 、Al2 O3 、 SnO2 、
Sb2 O3 などを微量ないし少量添加したもので
もよく、例えば、特開平1−251512号公報に記載
のフッ素を添加したもの、等もあげられる。
【0010】本発明の方法に用いられる原料は、所要組
成の誘電体磁器が得られるように、適宜選択され、配合
された後仮焼に供せられる。使用される原料は、Ba成
分としては通常BaCO3 が使用され、Zn, Ni
,Co, Mg, Ta, Nb等の他の金属成分とし
ては通常その酸化物でよい。ただし、フッ素を構成成分
とする場合には、これらの金属成分の原料としてフッ化
物や酸フッ化物を使用し、フッ素源とすることもできる
。フッ素源としては、KF, NaF, LiF等も使
用できる。
成の誘電体磁器が得られるように、適宜選択され、配合
された後仮焼に供せられる。使用される原料は、Ba成
分としては通常BaCO3 が使用され、Zn, Ni
,Co, Mg, Ta, Nb等の他の金属成分とし
ては通常その酸化物でよい。ただし、フッ素を構成成分
とする場合には、これらの金属成分の原料としてフッ化
物や酸フッ化物を使用し、フッ素源とすることもできる
。フッ素源としては、KF, NaF, LiF等も使
用できる。
【0011】本発明の方法では、これらの原料の混合物
がCO2 を5〜100 モル%、好ましくは5〜50
モル%含有する雰囲気中において、1000〜1300
℃、好ましくは1000〜1200℃の温度で30分以
上、通常30分〜10時間、好ましくは30分〜5時間
加熱される。雰囲気を構成するCO2 以外の気体は、
酸素、空気などでよい。雰囲気中のCO2 濃度が5モ
ル%未満であると目的とする組成を有する化合物の単一
相からなる均一な反応生成物が得難い。CO2 濃度が
5モル%以上であっても、加熱温度が1000℃未満で
あったり、加熱時間が30分未満であると、反応が不十
分であるためやはり目的とする均一な反応生成物が得難
い。焼成温度が1300℃を超えると粒子が粗大化し焼
結が困難となり、好ましくない。ただし、10時間を超
える加熱時間では、通常、すでに目的とする化合物の単
一相からなる均一な反応生成物が生成しているので、過
剰なエネルギーを消費することになり、必要ない。
がCO2 を5〜100 モル%、好ましくは5〜50
モル%含有する雰囲気中において、1000〜1300
℃、好ましくは1000〜1200℃の温度で30分以
上、通常30分〜10時間、好ましくは30分〜5時間
加熱される。雰囲気を構成するCO2 以外の気体は、
酸素、空気などでよい。雰囲気中のCO2 濃度が5モ
ル%未満であると目的とする組成を有する化合物の単一
相からなる均一な反応生成物が得難い。CO2 濃度が
5モル%以上であっても、加熱温度が1000℃未満で
あったり、加熱時間が30分未満であると、反応が不十
分であるためやはり目的とする均一な反応生成物が得難
い。焼成温度が1300℃を超えると粒子が粗大化し焼
結が困難となり、好ましくない。ただし、10時間を超
える加熱時間では、通常、すでに目的とする化合物の単
一相からなる均一な反応生成物が生成しているので、過
剰なエネルギーを消費することになり、必要ない。
【0012】
【作用】本発明の方法において、一回の仮焼操作により
所要の化合物の単一相からなる均一な反応生成物が得ら
れる反応機構は正確には明らかではない。恐らく、次の
ような理由によると推測される。CO2 濃度が高いた
めに炭酸バリウムの分解温度が本発明にける仮焼温度(
即ち、1000〜1300℃)よりも高くなり、炭酸バ
リウムの分解が抑制される。そのため、炭酸バリウムの
分解よりも、炭酸バリウムと他の構成金属成分との反応
が先行し、その反応に伴う反応熱によって炭酸バリウム
の分解が引き起される。したがって、炭酸バリウムと他
の構成金属成分との反応と、炭酸バリウムの分解とがほ
ぼ同時に起ることになり、その結果反応に関与する構成
原子がいずれも動き易くなって反応が促進されるものと
推定される。
所要の化合物の単一相からなる均一な反応生成物が得ら
れる反応機構は正確には明らかではない。恐らく、次の
ような理由によると推測される。CO2 濃度が高いた
めに炭酸バリウムの分解温度が本発明にける仮焼温度(
即ち、1000〜1300℃)よりも高くなり、炭酸バ
リウムの分解が抑制される。そのため、炭酸バリウムの
分解よりも、炭酸バリウムと他の構成金属成分との反応
が先行し、その反応に伴う反応熱によって炭酸バリウム
の分解が引き起される。したがって、炭酸バリウムと他
の構成金属成分との反応と、炭酸バリウムの分解とがほ
ぼ同時に起ることになり、その結果反応に関与する構成
原子がいずれも動き易くなって反応が促進されるものと
推定される。
【0013】
【実施例】実施例1
出発原料として純度99.9%以上のBaCO3 ,
MgO およびTa2 O5 を用い、以下のように
してBa( Mg1/3 Ta2/3 )O3 の組成
の磁器を合成した。原料を所要組成となるように秤量し
、純水とともに樹脂製のボールミルで24時間湿式混合
した。得られた混合スラリーを 150℃で4時間乾燥
し混合粉末を得た。表1に示す各試験ごとに、こ混合粉
末10gを白金製ルツボ(容量25cc)に入れ、表1
に示す濃度でCO2 ガスを含有する残部 からなる
雰囲気に保った管状炉中で仮焼した。得られた仮焼粉末
を粉末X回折で測定し、目的とする化合物相以外の第2
相の生成の有無を調べた。その結果を表1に示す。
MgO およびTa2 O5 を用い、以下のように
してBa( Mg1/3 Ta2/3 )O3 の組成
の磁器を合成した。原料を所要組成となるように秤量し
、純水とともに樹脂製のボールミルで24時間湿式混合
した。得られた混合スラリーを 150℃で4時間乾燥
し混合粉末を得た。表1に示す各試験ごとに、こ混合粉
末10gを白金製ルツボ(容量25cc)に入れ、表1
に示す濃度でCO2 ガスを含有する残部 からなる
雰囲気に保った管状炉中で仮焼した。得られた仮焼粉末
を粉末X回折で測定し、目的とする化合物相以外の第2
相の生成の有無を調べた。その結果を表1に示す。
【0014】得られた仮焼粉末で第2相が無く、均一に
焼成出来た粉末を、金型を用いて2t/cm3 の圧力
で直径10mm, 高さ5mmに成形した。この成形体
を電気炉を用いて1650℃まで毎分 600℃の早さ
で加熱した。この温度で4時間保持して十分に焼結した
後、室温まで冷却した。 この焼結体から直径 8.5mm, 高さ 4.0mm
の円柱状試料を削りだし誘電特性を測定した。測定は平
行導板誘電体円柱共振器法で行った。測定周波数は約1
0GHz である。得られた結果を表1に示す。
焼成出来た粉末を、金型を用いて2t/cm3 の圧力
で直径10mm, 高さ5mmに成形した。この成形体
を電気炉を用いて1650℃まで毎分 600℃の早さ
で加熱した。この温度で4時間保持して十分に焼結した
後、室温まで冷却した。 この焼結体から直径 8.5mm, 高さ 4.0mm
の円柱状試料を削りだし誘電特性を測定した。測定は平
行導板誘電体円柱共振器法で行った。測定周波数は約1
0GHz である。得られた結果を表1に示す。
【0015】
【表1】
【0016】表1で、試験番号1〜5と6〜9との比較
よりCO2 ガスを5〜100 モル%含む雰囲気中、
1000〜1300℃で30分〜10時間の条件で1回
仮焼するのみで第2相が無い、均一な仮焼物を得られ、
これを使って製造した誘電体磁器は、誘電率が24.3
〜24.5、Q値が 22000〜26000 であり
、Ba( Mg1/3 Ta2/3 )O3 の組成と
しては優れた特性を有する高周波用として好適な誘電体
磁器であることが判る。
よりCO2 ガスを5〜100 モル%含む雰囲気中、
1000〜1300℃で30分〜10時間の条件で1回
仮焼するのみで第2相が無い、均一な仮焼物を得られ、
これを使って製造した誘電体磁器は、誘電率が24.3
〜24.5、Q値が 22000〜26000 であり
、Ba( Mg1/3 Ta2/3 )O3 の組成と
しては優れた特性を有する高周波用として好適な誘電体
磁器であることが判る。
【0017】実施例2
Ba( Zn1/3 Ta2/3 )O3 の組成を有
する高周波用誘電体粉末を得るために、前記実施例1と
同様に原料調整を行ない、表2に示した仮焼条件、およ
び、それ以外は前記実施例と同じ条件で仮焼を行ない、
仮焼物中の第2相の有無を粉末X線回折により調査した
。結果を表2に示す。 得られた仮焼粉末で第2相が無く、均一に焼成出来た粉
末を、金型を用いて2t/cm3 の圧力で直径10m
m, 高さ5mmに成形した。この成形体を電気炉を用
いて1550℃まで毎分 600℃の早さで加熱した。 この温度で4時間保持して十分に焼結した後、室温まで
冷却した。この焼結体から直径 8.2mm, 高さ
4.0mmの円柱状試料を削りだし誘電特性を測定した
。測定は平行導板誘電体円柱共振器法で行った。測定周
波数は約10GHz である。得られた結果を表2に示
す。
する高周波用誘電体粉末を得るために、前記実施例1と
同様に原料調整を行ない、表2に示した仮焼条件、およ
び、それ以外は前記実施例と同じ条件で仮焼を行ない、
仮焼物中の第2相の有無を粉末X線回折により調査した
。結果を表2に示す。 得られた仮焼粉末で第2相が無く、均一に焼成出来た粉
末を、金型を用いて2t/cm3 の圧力で直径10m
m, 高さ5mmに成形した。この成形体を電気炉を用
いて1550℃まで毎分 600℃の早さで加熱した。 この温度で4時間保持して十分に焼結した後、室温まで
冷却した。この焼結体から直径 8.2mm, 高さ
4.0mmの円柱状試料を削りだし誘電特性を測定した
。測定は平行導板誘電体円柱共振器法で行った。測定周
波数は約10GHz である。得られた結果を表2に示
す。
【0018】
【表2】
【0019】表2においても、試験番号10〜15と1
6〜19との比較により、CO2 ガスを5〜100
%含む雰囲気中、1000〜1300℃で30分以上の
条件で1回仮焼するのみで、第2相が無く均一な仮焼物
が得られ、これを使って製造した誘電体磁器は、誘電率
が29.5〜29.8、無負荷Qが 11500〜15
000 と、Ba( Zn1/3 Ta2/3 )O3
の組成として優秀な高周波誘電体磁器であることが判
る。
6〜19との比較により、CO2 ガスを5〜100
%含む雰囲気中、1000〜1300℃で30分以上の
条件で1回仮焼するのみで、第2相が無く均一な仮焼物
が得られ、これを使って製造した誘電体磁器は、誘電率
が29.5〜29.8、無負荷Qが 11500〜15
000 と、Ba( Zn1/3 Ta2/3 )O3
の組成として優秀な高周波誘電体磁器であることが判
る。
【0020】
【発明の効果】本発明の方法によれば、1回の仮焼操作
で均一な反応生成物が得られるので、工程の簡略化や不
純物の混入の低減が図られ特性のよい高周波用誘電体が
高い生産性で経済的に製造できる。
で均一な反応生成物が得られるので、工程の簡略化や不
純物の混入の低減が図られ特性のよい高周波用誘電体が
高い生産性で経済的に製造できる。
Claims (1)
- 【請求項1】 バリウムを主要構成元素として含む複
合ペロブスカイト型結晶構造の誘電体磁器の製造用仮焼
物の製造方法であって、炭酸バリウムとその他の構成元
素の原料との混合物を、二酸化炭素を5〜100モル%
含有する雰囲気中において、1000〜1300℃の温
度で30分以上加熱する工程を有する仮焼物の製造方法
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3091031A JPH04303513A (ja) | 1991-03-29 | 1991-03-29 | 誘電体磁器用仮焼物の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3091031A JPH04303513A (ja) | 1991-03-29 | 1991-03-29 | 誘電体磁器用仮焼物の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04303513A true JPH04303513A (ja) | 1992-10-27 |
Family
ID=14015153
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3091031A Pending JPH04303513A (ja) | 1991-03-29 | 1991-03-29 | 誘電体磁器用仮焼物の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04303513A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005213070A (ja) * | 2004-01-28 | 2005-08-11 | Tdk Corp | ペロブスカイト構造を有する酸化物粉末の製造方法 |
-
1991
- 1991-03-29 JP JP3091031A patent/JPH04303513A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005213070A (ja) * | 2004-01-28 | 2005-08-11 | Tdk Corp | ペロブスカイト構造を有する酸化物粉末の製造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4524411B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
JP3152700B2 (ja) | マイクロ波用誘電体磁器の製法 | |
JP3995319B2 (ja) | 誘電体材料及びその製造方法 | |
JPH01251512A (ja) | 誘電体磁器及びその製造方法 | |
JPH04303513A (ja) | 誘電体磁器用仮焼物の製造方法 | |
JPH0542762B2 (ja) | ||
JPH0570222A (ja) | BaO−xTiO2 系誘電体磁器 | |
KR20020016201A (ko) | 유전체 세라믹 조성물의 제조방법 | |
JPH06333429A (ja) | 高周波用誘電体磁器組成物 | |
JPH04303512A (ja) | 誘電体磁器用仮焼物の製造方法 | |
JP3117271B2 (ja) | 高周波用誘電体磁器組成物の製造方法 | |
JP3696947B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
JPH04220905A (ja) | 高周波誘電体用焼結体の製造方法 | |
JPH05109316A (ja) | マイクロ波用誘電体磁器の製造方法 | |
JP3330024B2 (ja) | 高周波用誘電体磁器組成物 | |
JP3359427B2 (ja) | 高周波用誘電体磁器組成物 | |
JPH05182521A (ja) | Bzt焼結体の製造方法 | |
JPH05290626A (ja) | 高周波誘電体用焼結体の製造方法 | |
JPH0612915A (ja) | 誘電体磁器組成物及びその製造方法 | |
JPH0580764B2 (ja) | ||
JP2835253B2 (ja) | 高周波用誘電体磁器組成物および誘電体材料 | |
JPH05290627A (ja) | 高周波誘電体用bzn焼結体の製造方法 | |
JPH04282506A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
JPH044509A (ja) | 誘電体磁器 | |
JPH05109317A (ja) | マイクロ波用誘電体磁器の製造方法 |