JPH04302424A - パターン形成方法 - Google Patents
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- JPH04302424A JPH04302424A JP9122291A JP9122291A JPH04302424A JP H04302424 A JPH04302424 A JP H04302424A JP 9122291 A JP9122291 A JP 9122291A JP 9122291 A JP9122291 A JP 9122291A JP H04302424 A JPH04302424 A JP H04302424A
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は半導体装置におけるパ
ターン形成方法に関する。
ターン形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】薄膜トランジスタ等の半導体装置を製造
する場合、一般に、Ａｌ等からなる導電性薄膜をエッチ
ングして電極や配線パターン等となる導電性のパターン
を形成したり、あるいはＳｉＯ２やＳｉＮ等からなる絶
縁性薄膜をエッチングしてイオン注入用マスク等となる
絶縁性のパターンを形成したりしている。ところで、エ
ッチングにはウェットエッチングとドライエッチングと
があるが、ウェットエッチングの場合サイドエッチング
が生じるので、微細なパターンの形成には好ましくなく
、このためサイドエッチングの生じないドライエッチン
グを採用する場合が多い。特に、比較的高い段差部の部
分に微細なパターンを形成する場合には、ドライエッチ
ングを採用している。
する場合、一般に、Ａｌ等からなる導電性薄膜をエッチ
ングして電極や配線パターン等となる導電性のパターン
を形成したり、あるいはＳｉＯ２やＳｉＮ等からなる絶
縁性薄膜をエッチングしてイオン注入用マスク等となる
絶縁性のパターンを形成したりしている。ところで、エ
ッチングにはウェットエッチングとドライエッチングと
があるが、ウェットエッチングの場合サイドエッチング
が生じるので、微細なパターンの形成には好ましくなく
、このためサイドエッチングの生じないドライエッチン
グを採用する場合が多い。特に、比較的高い段差部の部
分に微細なパターンを形成する場合には、ドライエッチ
ングを採用している。
【０００３】従来のこのようなドライエッチングによる
パターン形成方法には、レジスト膜上にシリル化層を形
成し、このシリル化層をマスクとしてドライエッチング
することによりパターンを形成する方法がある。このパ
ターン形成方法では、まず導電性または絶縁性薄膜から
なる被加工膜の上面にポジ型フォトレジスト膜を形成し
、次いで露光し、次いでベークしてフォトレジスト膜の
未露光部を硬化させ、次いでヘキサメチルジシラザン等
のシリル化剤を用いてシリル化処理を行うことにより、
フォトレジスト膜の露光部上面のみにシリル化層を形成
し、次いでＯ２ＲＩＥ（反応性イオンエッチング）等の
ドライエッチングによりフォトレジスト膜の未露光部を
除去し、次いでフォトレジスト膜の露光部上面のシリル
化層をマスクとして被加工膜をドライエッチングし、か
くして被加工膜をパターンニングするようにしている。
パターン形成方法には、レジスト膜上にシリル化層を形
成し、このシリル化層をマスクとしてドライエッチング
することによりパターンを形成する方法がある。このパ
ターン形成方法では、まず導電性または絶縁性薄膜から
なる被加工膜の上面にポジ型フォトレジスト膜を形成し
、次いで露光し、次いでベークしてフォトレジスト膜の
未露光部を硬化させ、次いでヘキサメチルジシラザン等
のシリル化剤を用いてシリル化処理を行うことにより、
フォトレジスト膜の露光部上面のみにシリル化層を形成
し、次いでＯ２ＲＩＥ（反応性イオンエッチング）等の
ドライエッチングによりフォトレジスト膜の未露光部を
除去し、次いでフォトレジスト膜の露光部上面のシリル
化層をマスクとして被加工膜をドライエッチングし、か
くして被加工膜をパターンニングするようにしている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
このようなパターン形成方法では、フォトレジスト膜の
露光部上面のみにシリル化層を形成しているので、フォ
トレジスト膜の未露光部が除去されると、シリル化層の
表面のほかにフォトレジスト膜の露光部の側面が露出さ
れることになり、このためエッチング選択性において被
加工膜の条件に制約を受けるという問題があった。また
、シリル化層を形成するためのシリル化処理工程とフォ
トレジスト膜の未露光部を除去するためのＯ２ＲＩＥ等
のドライエッチング工程とを別々の装置で行っているの
で、スループットが悪いという問題があった。さらに、
Ｏ２ＲＩＥ等のドライエッチングでは下地にダメージを
与えてしまうという問題があった。この発明の目的は、
エッチング選択性において被加工膜の条件に制約を受け
にくいようにすることのできるパターン形成方法を提供
することにある。この発明の他の目的は、スループット
の向上を図ることのできるパターン形成方法を提供する
ことにある。この発明のさらに他の目的は、下地にダメ
ージを与えないようにすることのできるパターン形成方
法を提供することにある。
このようなパターン形成方法では、フォトレジスト膜の
露光部上面のみにシリル化層を形成しているので、フォ
トレジスト膜の未露光部が除去されると、シリル化層の
表面のほかにフォトレジスト膜の露光部の側面が露出さ
れることになり、このためエッチング選択性において被
加工膜の条件に制約を受けるという問題があった。また
、シリル化層を形成するためのシリル化処理工程とフォ
トレジスト膜の未露光部を除去するためのＯ２ＲＩＥ等
のドライエッチング工程とを別々の装置で行っているの
で、スループットが悪いという問題があった。さらに、
Ｏ２ＲＩＥ等のドライエッチングでは下地にダメージを
与えてしまうという問題があった。この発明の目的は、
エッチング選択性において被加工膜の条件に制約を受け
にくいようにすることのできるパターン形成方法を提供
することにある。この発明の他の目的は、スループット
の向上を図ることのできるパターン形成方法を提供する
ことにある。この発明のさらに他の目的は、下地にダメ
ージを与えないようにすることのできるパターン形成方
法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
導電性または絶縁性薄膜からなる被加工膜上にエッチン
グレジスト膜を形成し、前記被加工膜をドライエッチン
グすることにより導電性または絶縁性のパターンを形成
するパターン形成方法において、前記エッチングレジス
ト膜の上面および側面の全面にシリル化層を形成した後
、前記被加工膜をドライエッチングするようにしたもの
である。請求項２記載の発明は、前記エッチングレジス
ト膜の側面に形成される前記シリル化層をレジスト膜の
非パターン部が除去されるに伴い同時進行の形で漸次形
成するようにしたものである。請求項３記載の発明は、
前記レジスト膜の非パターン部の除去をＯ２プラズマエ
ッチングにより行うようにしたものである。
導電性または絶縁性薄膜からなる被加工膜上にエッチン
グレジスト膜を形成し、前記被加工膜をドライエッチン
グすることにより導電性または絶縁性のパターンを形成
するパターン形成方法において、前記エッチングレジス
ト膜の上面および側面の全面にシリル化層を形成した後
、前記被加工膜をドライエッチングするようにしたもの
である。請求項２記載の発明は、前記エッチングレジス
ト膜の側面に形成される前記シリル化層をレジスト膜の
非パターン部が除去されるに伴い同時進行の形で漸次形
成するようにしたものである。請求項３記載の発明は、
前記レジスト膜の非パターン部の除去をＯ２プラズマエ
ッチングにより行うようにしたものである。
【０００６】
【作用】請求項１記載の発明によれば、エッチングレジ
スト膜の上面および側面の全面にシリル化層を形成して
いるので、シリル化層の表面のみが露出されることにな
り、したがってエッチング選択性において被加工膜の条
件に制約を受けにくいようにすることができる。請求項
２記載の発明によれば、エッチングレジスト膜の側面に
形成されるシリル化層をレジスト膜の非パターン部が除
去されるに伴い同時進行の形で漸次形成しているので、
レジスト膜の非パターン部（未露光部）を除去するため
の工程とエッチングレジスト膜の側面にシリル化層を形
成するための工程とを１つの装置で同時に行うことがで
きるばかりでなく、同装置でエッチングレジスト膜の上
面にシリル化層を形成することも可能となり、したがっ
て工程数を増大することなく、スループットの向上を図
ることができる。請求項３記載の発明によれば、レジス
ト膜の非パターン部（未露光部）の除去をＯ２プラズマ
エッチングにより行っているので、Ｏ２ＲＩＥ等のドラ
イエッチングと比較して、下地にダメージを与えないよ
うにすることができる。
スト膜の上面および側面の全面にシリル化層を形成して
いるので、シリル化層の表面のみが露出されることにな
り、したがってエッチング選択性において被加工膜の条
件に制約を受けにくいようにすることができる。請求項
２記載の発明によれば、エッチングレジスト膜の側面に
形成されるシリル化層をレジスト膜の非パターン部が除
去されるに伴い同時進行の形で漸次形成しているので、
レジスト膜の非パターン部（未露光部）を除去するため
の工程とエッチングレジスト膜の側面にシリル化層を形
成するための工程とを１つの装置で同時に行うことがで
きるばかりでなく、同装置でエッチングレジスト膜の上
面にシリル化層を形成することも可能となり、したがっ
て工程数を増大することなく、スループットの向上を図
ることができる。請求項３記載の発明によれば、レジス
ト膜の非パターン部（未露光部）の除去をＯ２プラズマ
エッチングにより行っているので、Ｏ２ＲＩＥ等のドラ
イエッチングと比較して、下地にダメージを与えないよ
うにすることができる。
【０００７】
【実施例】図１〜図７はそれぞれこの発明の一実施例に
おけるパターン形成方法の各工程を示したものである。 そこで、これらの図を順に参照しながら、パターン形成
方法について説明する。
おけるパターン形成方法の各工程を示したものである。 そこで、これらの図を順に参照しながら、パターン形成
方法について説明する。
【０００８】まず、図１に示すように、基板１の上面に
突出部２ａを有するＳｉ膜２を形成する。この場合、ま
ず基板１の上面にＳｉ膜２を突出部２ａの厚さに形成し
、次いでドライエッチングにより突出部２ａを形成する
。次に、全表面に蒸着、スパッタ、拡散等の薄膜形成方
法により被加工膜３を形成する。この場合、被加工膜３
は、導電性または絶縁性薄膜からなり、具体的にはＡｌ
、ＳｉＯ２、ＳｉＮ等の薄膜からなっている。次に、全
表面にスピンコートによりポジ型フォトレジスト膜４を
上面が平坦となるように形成する。そして、この状態に
おいて、ステッパやプロジェクションアライナ等の露光
装置を用いて露光し、マスク５を介してフォトレジスト
膜４の所定の個所に露光部４ａを形成する。
突出部２ａを有するＳｉ膜２を形成する。この場合、ま
ず基板１の上面にＳｉ膜２を突出部２ａの厚さに形成し
、次いでドライエッチングにより突出部２ａを形成する
。次に、全表面に蒸着、スパッタ、拡散等の薄膜形成方
法により被加工膜３を形成する。この場合、被加工膜３
は、導電性または絶縁性薄膜からなり、具体的にはＡｌ
、ＳｉＯ２、ＳｉＮ等の薄膜からなっている。次に、全
表面にスピンコートによりポジ型フォトレジスト膜４を
上面が平坦となるように形成する。そして、この状態に
おいて、ステッパやプロジェクションアライナ等の露光
装置を用いて露光し、マスク５を介してフォトレジスト
膜４の所定の個所に露光部４ａを形成する。
【０００９】次に、図８に示すようなシリル化兼ドライ
エッチング装置１１を用意し、このシリル化兼ドライエ
ッチング装置１１の真空チャンバ１２内に設けられたス
テージ１３上に図１に示す基板１等を保持させる。ステ
ージ１３には、基板１等を１２０〜１５０℃程度に常時
温調するためのヒータ（図示せず）が設けられている。 真空チャンバ１２には、ＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラ
ザン）バブラ１４によりＮ２をキャリアガスとしてＨＭ
ＤＳ（シリル化剤）が供給されるようになっている。ま
た、真空チャンバ１２の上部にＯ２が供給されると、こ
の供給されたＯ２はＲＦ電源１５に接続されたＲＦ電極
１６によってプラズマ化され、Ｏ（酸素）ラジカルのみ
がステージ１３上に導かれるようになっている。さらに
、真空チャンバ１２内は、ＨＭＤＳトラップ１７を経て
図示しないポンプによって排気されるようになっている
。
エッチング装置１１を用意し、このシリル化兼ドライエ
ッチング装置１１の真空チャンバ１２内に設けられたス
テージ１３上に図１に示す基板１等を保持させる。ステ
ージ１３には、基板１等を１２０〜１５０℃程度に常時
温調するためのヒータ（図示せず）が設けられている。 真空チャンバ１２には、ＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラ
ザン）バブラ１４によりＮ２をキャリアガスとしてＨＭ
ＤＳ（シリル化剤）が供給されるようになっている。ま
た、真空チャンバ１２の上部にＯ２が供給されると、こ
の供給されたＯ２はＲＦ電源１５に接続されたＲＦ電極
１６によってプラズマ化され、Ｏ（酸素）ラジカルのみ
がステージ１３上に導かれるようになっている。さらに
、真空チャンバ１２内は、ＨＭＤＳトラップ１７を経て
図示しないポンプによって排気されるようになっている
。
【００１０】さて、ステージ１３上に保持された基板１
等はヒータによって１２０〜１５０℃程度に常時温調さ
れ、ベークされる。このとき、数十秒程度ベークすると
、図２に示すように、フォトレジスト膜４の未露光部４
ｂでは熱架橋反応が進行して硬化する。フォトレジスト
膜４の未露光部４ｂを硬化するのは、次の工程でフォト
レジスト膜４の露光部４ａの上面にシリル化層を形成す
る際、シリル化剤がフォトレジスト膜４の未露光部４ｂ
上面に不要に拡散するのを防止するためである。数十秒
程度のベーク工程を終えたら、次に、ＨＭＤＳバブラ１
４によりＨＭＤＳ／Ｎ２を真空チャンバ１２内に供給す
ると、図３に示すように、フォトレジスト膜４の露光部
４ａの上面のみにシリル化層２１が形成される。この場
合、シリル化層２１の形成速度は、真空チャンバ１２内
の圧力、ステージ１３の温度、ＨＭＤＳ／Ｎ２の流量等
により決定されるが、通常１０００〜２０００Å／ｍｉ
ｎ程度で形成することができる。
等はヒータによって１２０〜１５０℃程度に常時温調さ
れ、ベークされる。このとき、数十秒程度ベークすると
、図２に示すように、フォトレジスト膜４の未露光部４
ｂでは熱架橋反応が進行して硬化する。フォトレジスト
膜４の未露光部４ｂを硬化するのは、次の工程でフォト
レジスト膜４の露光部４ａの上面にシリル化層を形成す
る際、シリル化剤がフォトレジスト膜４の未露光部４ｂ
上面に不要に拡散するのを防止するためである。数十秒
程度のベーク工程を終えたら、次に、ＨＭＤＳバブラ１
４によりＨＭＤＳ／Ｎ２を真空チャンバ１２内に供給す
ると、図３に示すように、フォトレジスト膜４の露光部
４ａの上面のみにシリル化層２１が形成される。この場
合、シリル化層２１の形成速度は、真空チャンバ１２内
の圧力、ステージ１３の温度、ＨＭＤＳ／Ｎ２の流量等
により決定されるが、通常１０００〜２０００Å／ｍｉ
ｎ程度で形成することができる。
【００１１】数分間のシリル化工程を終えたら、次に、
ＨＭＤＳバブラ１４によりＨＭＤＳ／Ｎ２を真空チャン
バ１２内に供給し続けながら、真空チャンバ１２の上部
にＯ２を供給するとともに、ＲＦ電源１５からＲＦ電極
１６に１３．５６ＭＨｚの高周波を印加する。この場合
、１３．５６ＭＨｚの高周波の代わりに、２．４５ＧＨ
ｚのマイクロ波を印加するようにしてもよい。ＲＦ電極
１６に高周波またはマイクロ波が印加されると、真空チ
ャンバ１２の上部に供給されたＯ２はプラズマ化され、
Ｏラジカルのみがステージ１３上の基板１上に導かれる
。すると、図４に示すように、シリル化層２１は、フォ
トレジスト膜４の露光部４ａをＯラジカルから保護する
ための保護膜として作用し、Ｏラジカルと反応して酸化
ケイ素となる。一方、フォトレジスト膜４の未露光部４
ｂは、シリル化剤のケイ素化合物を含まないので、Ｏラ
ジカルと反応し、すなわちＯ２プラズマエッチングされ
て除去される。また、このとき、ＨＭＤＳバブラ１４に
よりＨＭＤＳ／Ｎ２が真空チャンバ１２内に供給されて
いるので、図４に示すように、フォトレジスト膜４には
、未露光部４ｂとの境界を形成する露光部４ａの側面に
、未露光部４ｂが除去されるに伴い同時進行の形でシリ
ル化層２２が漸次形成される。この場合、灰化速度（未
露光部４ｂの除去率）が露光部４ａの側面のシリル化速
度よりも遅くなるようにすると、見かけ上、露光部４ａ
の側面にはＯラジカルと接触する前に既にシリル化層２
２が形成されていることになる。かくして、図５に示す
ように、フォトレジスト膜４の未露光部４ｂが除去され
ると同時に、露光部４ａの側面にシリル化層２２が形成
される。
ＨＭＤＳバブラ１４によりＨＭＤＳ／Ｎ２を真空チャン
バ１２内に供給し続けながら、真空チャンバ１２の上部
にＯ２を供給するとともに、ＲＦ電源１５からＲＦ電極
１６に１３．５６ＭＨｚの高周波を印加する。この場合
、１３．５６ＭＨｚの高周波の代わりに、２．４５ＧＨ
ｚのマイクロ波を印加するようにしてもよい。ＲＦ電極
１６に高周波またはマイクロ波が印加されると、真空チ
ャンバ１２の上部に供給されたＯ２はプラズマ化され、
Ｏラジカルのみがステージ１３上の基板１上に導かれる
。すると、図４に示すように、シリル化層２１は、フォ
トレジスト膜４の露光部４ａをＯラジカルから保護する
ための保護膜として作用し、Ｏラジカルと反応して酸化
ケイ素となる。一方、フォトレジスト膜４の未露光部４
ｂは、シリル化剤のケイ素化合物を含まないので、Ｏラ
ジカルと反応し、すなわちＯ２プラズマエッチングされ
て除去される。また、このとき、ＨＭＤＳバブラ１４に
よりＨＭＤＳ／Ｎ２が真空チャンバ１２内に供給されて
いるので、図４に示すように、フォトレジスト膜４には
、未露光部４ｂとの境界を形成する露光部４ａの側面に
、未露光部４ｂが除去されるに伴い同時進行の形でシリ
ル化層２２が漸次形成される。この場合、灰化速度（未
露光部４ｂの除去率）が露光部４ａの側面のシリル化速
度よりも遅くなるようにすると、見かけ上、露光部４ａ
の側面にはＯラジカルと接触する前に既にシリル化層２
２が形成されていることになる。かくして、図５に示す
ように、フォトレジスト膜４の未露光部４ｂが除去され
ると同時に、露光部４ａの側面にシリル化層２２が形成
される。
【００１２】次に、フォトレジスト膜４の露光部４ａ上
のシリル化層２１をマスクとして被加工膜３をドライエ
ッチングすると、図６に示すようになる。この場合、フ
ォトレジスト膜４の露光部４ａの上面にシリル化層２１
が形成され、側面にシリル化層２２が形成されているの
で、露光部４ａの上面および側面の全面がシリル化層２
１、２２によって覆われ、シリル化層２１、２２の表面
のみが露出されており、このためエッチング選択性にお
いて被加工膜３の条件に制約を受けにくいようにするこ
とができる。この後、シリル化層２１、２２およびフォ
トレジスト膜４の露光部４ａを連続してエッチングして
除去すると、図７に示すように、Ｓｉ膜２の突出部２ａ
の頂面および傾斜面（段差部）等に被加工膜３がパター
ンニングされることになる。
のシリル化層２１をマスクとして被加工膜３をドライエ
ッチングすると、図６に示すようになる。この場合、フ
ォトレジスト膜４の露光部４ａの上面にシリル化層２１
が形成され、側面にシリル化層２２が形成されているの
で、露光部４ａの上面および側面の全面がシリル化層２
１、２２によって覆われ、シリル化層２１、２２の表面
のみが露出されており、このためエッチング選択性にお
いて被加工膜３の条件に制約を受けにくいようにするこ
とができる。この後、シリル化層２１、２２およびフォ
トレジスト膜４の露光部４ａを連続してエッチングして
除去すると、図７に示すように、Ｓｉ膜２の突出部２ａ
の頂面および傾斜面（段差部）等に被加工膜３がパター
ンニングされることになる。
【００１３】このように、このパターン形成方法では、
フォトレジスト膜４の露光部４ａの上面および側面の全
面にシリル化層２１、２２を形成しているので、シリル
化層２１、２２の表面のみが露出され、このためエッチ
ング選択性において被加工膜３の条件に制約を受けにく
いようにすることができる。また、フォトレジスト膜４
の露光部４ａの側面に形成されるシリル化層２２をフォ
トレジスト膜４の未露光部４ｂが除去されるに伴い同時
進行の形で漸次形成しているので、フォトレジスト膜４
の未露光部４ｂを除去するための工程とフォトレジスト
膜４の露光部４ａの側面にシリル化層２２を形成するた
めの工程とを１つのシリル化兼ドライエッチング装置１
１で同時に行うことができるばかりでなく、同シリル化
兼ドライエッチング装置１１でフォトレジスト膜４の露
光部４ａの上面のみにシリル化層２１を形成することが
でき、したがって工程数を増大することなく、スループ
ットの向上を図ることができる。さらに、フォトレジス
ト膜４の未露光部４ｂの除去をＯ２プラズマエッチング
により行っているので、Ｏ２ＲＩＥ等のドライエッチン
グと比較して、下地にダメージを与えないようにするこ
とができる。
フォトレジスト膜４の露光部４ａの上面および側面の全
面にシリル化層２１、２２を形成しているので、シリル
化層２１、２２の表面のみが露出され、このためエッチ
ング選択性において被加工膜３の条件に制約を受けにく
いようにすることができる。また、フォトレジスト膜４
の露光部４ａの側面に形成されるシリル化層２２をフォ
トレジスト膜４の未露光部４ｂが除去されるに伴い同時
進行の形で漸次形成しているので、フォトレジスト膜４
の未露光部４ｂを除去するための工程とフォトレジスト
膜４の露光部４ａの側面にシリル化層２２を形成するた
めの工程とを１つのシリル化兼ドライエッチング装置１
１で同時に行うことができるばかりでなく、同シリル化
兼ドライエッチング装置１１でフォトレジスト膜４の露
光部４ａの上面のみにシリル化層２１を形成することが
でき、したがって工程数を増大することなく、スループ
ットの向上を図ることができる。さらに、フォトレジス
ト膜４の未露光部４ｂの除去をＯ２プラズマエッチング
により行っているので、Ｏ２ＲＩＥ等のドライエッチン
グと比較して、下地にダメージを与えないようにするこ
とができる。
【００１４】なお、シリル化兼ドライエッチング装置１
１によりシリル化処理およびフォトレジスト膜４の未露
光部４ｂの除去を行っているが、これに限定されるもの
ではない。例えば、ステージ１３をマイクロ波を印加す
るＲＦ電源１５に接続するとともに、真空チャンバ１２
内にステージ１３と平行する接地電極を設け、さらに真
空チャンバ１２内にフロン系、塩素系、臭素系等のエッ
チングガスを供給することができるようにすれば、フォ
トレジスト膜４の未露光部４ｂの除去およびフォトレジ
スト膜４の露光部４ａの側面のシリル化処理を行った後
、同一のシリル化兼ドライエッチング装置１１によって
直ちに被加工膜３をドライエッチングすることもできる
。
１によりシリル化処理およびフォトレジスト膜４の未露
光部４ｂの除去を行っているが、これに限定されるもの
ではない。例えば、ステージ１３をマイクロ波を印加す
るＲＦ電源１５に接続するとともに、真空チャンバ１２
内にステージ１３と平行する接地電極を設け、さらに真
空チャンバ１２内にフロン系、塩素系、臭素系等のエッ
チングガスを供給することができるようにすれば、フォ
トレジスト膜４の未露光部４ｂの除去およびフォトレジ
スト膜４の露光部４ａの側面のシリル化処理を行った後
、同一のシリル化兼ドライエッチング装置１１によって
直ちに被加工膜３をドライエッチングすることもできる
。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１記載の発
明によれば、エッチングレジスト膜の上面および側面の
全面にシリル化層を形成しているので、シリル化層の表
面のみが露出されることになり、したがってエッチング
選択性において被加工膜の条件に制約を受けにくいよう
にすることができる。また、請求項２記載の発明によれ
ば、エッチングレジスト膜の側面に形成されるシリル化
層をレジスト膜の非パターン部が除去されるに伴い同時
進行の形で漸次形成しているので、レジスト膜の非パタ
ーン部（未露光部）を除去するための工程とエッチング
レジスト膜の側面にシリル化層を形成するための工程と
を１つの装置で同時に行うことができるばかりでなく、
同装置でエッチングレジスト膜の上面にシリル化層を形
成することも可能となり、したがって工程数を増大する
ことなく、スループットの向上を図ることができる。さ
らに、請求項３記載の発明によれば、レジスト膜の非パ
ターン部（未露光部）の除去をＯ２プラズマエッチング
により行っているので、Ｏ２ＲＩＥ等のドライエッチン
グと比較して、下地にダメージを与えないようにするこ
とができる。
明によれば、エッチングレジスト膜の上面および側面の
全面にシリル化層を形成しているので、シリル化層の表
面のみが露出されることになり、したがってエッチング
選択性において被加工膜の条件に制約を受けにくいよう
にすることができる。また、請求項２記載の発明によれ
ば、エッチングレジスト膜の側面に形成されるシリル化
層をレジスト膜の非パターン部が除去されるに伴い同時
進行の形で漸次形成しているので、レジスト膜の非パタ
ーン部（未露光部）を除去するための工程とエッチング
レジスト膜の側面にシリル化層を形成するための工程と
を１つの装置で同時に行うことができるばかりでなく、
同装置でエッチングレジスト膜の上面にシリル化層を形
成することも可能となり、したがって工程数を増大する
ことなく、スループットの向上を図ることができる。さ
らに、請求項３記載の発明によれば、レジスト膜の非パ
ターン部（未露光部）の除去をＯ２プラズマエッチング
により行っているので、Ｏ２ＲＩＥ等のドライエッチン
グと比較して、下地にダメージを与えないようにするこ
とができる。
【図１】この発明の一実施例におけるパターン形成方法
においてフォトレジスト膜を露光した状態の断面図。
においてフォトレジスト膜を露光した状態の断面図。
【図２】このパターン形成方法においてフォトレジスト
膜の未露光部を硬化した状態の断面図。
膜の未露光部を硬化した状態の断面図。
【図３】このパターン形成方法においてフォトレジスト
膜の露光部の上面にシリル化層を形成した状態の断面図
。
膜の露光部の上面にシリル化層を形成した状態の断面図
。
【図４】このパターン形成方法においてフォトレジスト
膜の未露光部を除去しながらフォトレジスト膜の露光部
の側面にシリル化層を形成する状態の断面図。
膜の未露光部を除去しながらフォトレジスト膜の露光部
の側面にシリル化層を形成する状態の断面図。
【図５】このパターン形成方法においてフォトレジスト
膜の未露光部を除去すると同時にフォトレジスト膜の露
光部の側面にシリル化層を形成した状態の断面図。
膜の未露光部を除去すると同時にフォトレジスト膜の露
光部の側面にシリル化層を形成した状態の断面図。
【図６】このパターン形成方法においてシリル化層をマ
スクとして被加工膜をドライエッチングした状態の断面
図。
スクとして被加工膜をドライエッチングした状態の断面
図。
【図７】このパターン形成方法においてシリル化層およ
びフォトレジスト膜の露光部を除去した状態の断面図。
びフォトレジスト膜の露光部を除去した状態の断面図。
【図８】このパターン形成方法において使用するシリル
化兼ドライエッチング装置の一例の概略構成図。
化兼ドライエッチング装置の一例の概略構成図。
３ 被加工膜（導電性または絶縁性薄膜）４ フォ
トレジスト膜 ４ａ 露光部 ４ｂ 未露光部（非パターン部） ２１、２２ シリル化層
トレジスト膜 ４ａ 露光部 ４ｂ 未露光部（非パターン部） ２１、２２ シリル化層
Claims (3)
- 【請求項１】 導電性または絶縁性薄膜からなる被加
工膜上にエッチングレジスト膜を形成し、前記被加工膜
をドライエッチングすることにより導電性または絶縁性
のパターンを形成するパターン形成方法において、前記
エッチングレジスト膜の上面および側面の全面にシリル
化層を形成した後、前記被加工膜をドライエッチングす
ることを特徴とするパターン形成方法。 - 【請求項２】 前記エッチングレジスト膜の側面に形
成される前記シリル化層はレジスト膜の非パターン部が
除去されるに伴い同時進行の形で漸次形成されることを
特徴とする請求項１記載のパターン形成方法。 - 【請求項３】 前記レジスト膜の非パターン部の除去
はＯ２プラズマエッチングにより行うことを特徴とする
請求項２記載のパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9122291A JPH04302424A (ja) | 1991-03-29 | 1991-03-29 | パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9122291A JPH04302424A (ja) | 1991-03-29 | 1991-03-29 | パターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04302424A true JPH04302424A (ja) | 1992-10-26 |
Family
ID=14020398
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9122291A Pending JPH04302424A (ja) | 1991-03-29 | 1991-03-29 | パターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04302424A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006049798A (ja) * | 2004-07-02 | 2006-02-16 | Tokyo Electron Ltd | 溝配線または接続孔を有する半導体装置の製造方法 |
-
1991
- 1991-03-29 JP JP9122291A patent/JPH04302424A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006049798A (ja) * | 2004-07-02 | 2006-02-16 | Tokyo Electron Ltd | 溝配線または接続孔を有する半導体装置の製造方法 |
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