JPH04302116A - 基台付きチップ型電子部品 - Google Patents
基台付きチップ型電子部品Info
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- JPH04302116A JPH04302116A JP3091420A JP9142091A JPH04302116A JP H04302116 A JPH04302116 A JP H04302116A JP 3091420 A JP3091420 A JP 3091420A JP 9142091 A JP9142091 A JP 9142091A JP H04302116 A JPH04302116 A JP H04302116A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/14—Structural association of two or more printed circuits
- H05K1/141—One or more single auxiliary printed circuits mounted on a main printed circuit, e.g. modules, adapters
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3421—Leaded components
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は回路基板に実装される基
台付きチップ型電子部品に関する。更に詳しくは端子電
極を有するチップコンデンサ、チップ抵抗、チップサー
ミスタ等のチップ型電子部品が基台に搭載された基台付
きチップ型電子部品に関するものである。
台付きチップ型電子部品に関する。更に詳しくは端子電
極を有するチップコンデンサ、チップ抵抗、チップサー
ミスタ等のチップ型電子部品が基台に搭載された基台付
きチップ型電子部品に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】この種のチップ型電子部品は端子電極を
はんだ付けにより回路基板の表面に直接実装される面実
装用電子部品として広く用いられている。この端子電極
はセラミック素体等の端部を電極用導電性ペーストにデ
ィップコーティングした後、焼付けて形成される。この
ため電子部品が大型化するほどセラミック素体等の端部
をペーストから引上げるときにペーストが重力により端
部の中央部分に集って電極層を厚く形成し、反対に端部
のコーナ部分では電極層を薄く形成し易い。この状態で
回路基板の表面に端子電極をはんだ付けすると、小型の
電子部品では端部のコーナ部分の電極層が厚いためはん
だ食われを起こさないが、大型の電子部品では端部のコ
ーナ部分の電極層が薄いためはんだ食われを起こし易い
。このため、従来より大型の電子部品のはんだ付けは比
較的融点の低いはんだを使用する必要があった。また大
型の電子部品は端子電極の基板に対する接触面積が広く
、基板のたわみ量が小さいため、図４に示すように複数
の電子部品１，１を単一の基板２にはんだ３付けした後
、基板２に曲げ応力Ｐをかけることにより基板２をＡ点
で折曲げて分割し、電子部品１，１を分けた場合、図３
に示すように電子部品１の端子電極１ａ，１ｂに応力が
加わり端子電極内側のセラミック素体１ｃにクラック４
を生じ易い。このため、従来より大型の電子部品１，１
のはんだ付け後の基板２の折曲げによる分割は行われて
いない。上記問題点を解決するため、図５に示すように
大型のセラミックコンデンサ６ような電子部品ではその
端子電極６ａ，６ｂにリード線７，７をはんだ付けした
後、部品全体をエポキシ樹脂のような絶縁性樹脂８にデ
ィップコーティングしてラジアルリード品の形態で回路
基板に実装していた。
はんだ付けにより回路基板の表面に直接実装される面実
装用電子部品として広く用いられている。この端子電極
はセラミック素体等の端部を電極用導電性ペーストにデ
ィップコーティングした後、焼付けて形成される。この
ため電子部品が大型化するほどセラミック素体等の端部
をペーストから引上げるときにペーストが重力により端
部の中央部分に集って電極層を厚く形成し、反対に端部
のコーナ部分では電極層を薄く形成し易い。この状態で
回路基板の表面に端子電極をはんだ付けすると、小型の
電子部品では端部のコーナ部分の電極層が厚いためはん
だ食われを起こさないが、大型の電子部品では端部のコ
ーナ部分の電極層が薄いためはんだ食われを起こし易い
。このため、従来より大型の電子部品のはんだ付けは比
較的融点の低いはんだを使用する必要があった。また大
型の電子部品は端子電極の基板に対する接触面積が広く
、基板のたわみ量が小さいため、図４に示すように複数
の電子部品１，１を単一の基板２にはんだ３付けした後
、基板２に曲げ応力Ｐをかけることにより基板２をＡ点
で折曲げて分割し、電子部品１，１を分けた場合、図３
に示すように電子部品１の端子電極１ａ，１ｂに応力が
加わり端子電極内側のセラミック素体１ｃにクラック４
を生じ易い。このため、従来より大型の電子部品１，１
のはんだ付け後の基板２の折曲げによる分割は行われて
いない。上記問題点を解決するため、図５に示すように
大型のセラミックコンデンサ６ような電子部品ではその
端子電極６ａ，６ｂにリード線７，７をはんだ付けした
後、部品全体をエポキシ樹脂のような絶縁性樹脂８にデ
ィップコーティングしてラジアルリード品の形態で回路
基板に実装していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、絶縁性樹脂８
でコーティングした電子部品６は、樹脂が硬化するとき
にセラミック素体６ｃのリード線７，７の接続されない
部分が樹脂の熱収縮応力を受けてその部分にキュアクラ
ック９，９を生じ易く、コーティング後の降温条件等が
複雑化して製造が難しい問題点があった。また、上記ラ
ジアルリード品の形態をした電子部品は回路基板への実
装性に劣り実装コストが高価になる欠点があった。
でコーティングした電子部品６は、樹脂が硬化するとき
にセラミック素体６ｃのリード線７，７の接続されない
部分が樹脂の熱収縮応力を受けてその部分にキュアクラ
ック９，９を生じ易く、コーティング後の降温条件等が
複雑化して製造が難しい問題点があった。また、上記ラ
ジアルリード品の形態をした電子部品は回路基板への実
装性に劣り実装コストが高価になる欠点があった。
【０００４】本発明の目的は、はんだ付けによる基板実
装時に部品内部に熱衝撃がなく、基板分割時に端子電極
がたわみ応力を受けず、電子部品内部にクラックを生じ
ることがない基台付きチップ型電子部品を提供すること
にある。本発明の別の目的は、基板に低コストで実装し
得る基台付きチップ型電子部品を提供することにある。
装時に部品内部に熱衝撃がなく、基板分割時に端子電極
がたわみ応力を受けず、電子部品内部にクラックを生じ
ることがない基台付きチップ型電子部品を提供すること
にある。本発明の別の目的は、基板に低コストで実装し
得る基台付きチップ型電子部品を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の基台付きチップ型電子部品は、図１に示す
ようにチップ型電子部品１０の一対の端子電極１０ａ，
１０ｂの間隔に相応して一対の電極層１１ａ，１１ｂが
上面に形成された基台１１と、一端が一対の電極層１１
ａ，１１ｂにそれぞれはんだ１３付けにより接続され他
端が基台１１の下面より下方に延びて回路基板１４には
んだ１５付け可能な一対のリードフレーム１２，１２と
を備え、電子部品１０が一対の端子電極１０ａ，１０ｂ
を一対の電極層１１ａ，１１ｂにそれぞれはんだ１３付
けにより接続して基台１１に搭載されたことを特徴とす
る。
に、本発明の基台付きチップ型電子部品は、図１に示す
ようにチップ型電子部品１０の一対の端子電極１０ａ，
１０ｂの間隔に相応して一対の電極層１１ａ，１１ｂが
上面に形成された基台１１と、一端が一対の電極層１１
ａ，１１ｂにそれぞれはんだ１３付けにより接続され他
端が基台１１の下面より下方に延びて回路基板１４には
んだ１５付け可能な一対のリードフレーム１２，１２と
を備え、電子部品１０が一対の端子電極１０ａ，１０ｂ
を一対の電極層１１ａ，１１ｂにそれぞれはんだ１３付
けにより接続して基台１１に搭載されたことを特徴とす
る。
【０００６】以下、本発明を詳述する。図１に示すよう
に、本発明の基台付きチップ型電子部品はチップ型電子
部品１０と基台１１とリードフレーム１２とにより構成
される。チップ型電子部品１０は基板の表面に直接実装
されるタイプのチップコンデンサ、チップ抵抗、チップ
サーミスタ等である。また基台１１は回路基板に用いら
れる公知の材料、例えばアルミナ、窒化けい素、鉄、ア
ルミニウム、ガラスエポキシ、紙フェノール等の材料か
らなる板材である。更にリードフレーム１２は電子部品
１０と基台１１とを支持し得る剛性と、基板折曲時の応
力を吸収し得る弾性を有し、曲げ加工が容易ではんだ濡
れ性のある導電性材料であれば、特に制限されないが、
例示すればりん青銅、銅等の金属板を折曲げて表面にＳ
ｎ又はＳｎ／Ｐｂのめっき処理したものが挙げられる。
に、本発明の基台付きチップ型電子部品はチップ型電子
部品１０と基台１１とリードフレーム１２とにより構成
される。チップ型電子部品１０は基板の表面に直接実装
されるタイプのチップコンデンサ、チップ抵抗、チップ
サーミスタ等である。また基台１１は回路基板に用いら
れる公知の材料、例えばアルミナ、窒化けい素、鉄、ア
ルミニウム、ガラスエポキシ、紙フェノール等の材料か
らなる板材である。更にリードフレーム１２は電子部品
１０と基台１１とを支持し得る剛性と、基板折曲時の応
力を吸収し得る弾性を有し、曲げ加工が容易ではんだ濡
れ性のある導電性材料であれば、特に制限されないが、
例示すればりん青銅、銅等の金属板を折曲げて表面にＳ
ｎ又はＳｎ／Ｐｂのめっき処理したものが挙げられる。
【０００７】図２に示すように、基台１１は電子部品１
０の投影面積より広い表面積を有し、左右両端部の上面
には電子部品１０の一対の端子電極１０ａ，１０ｂの間
隔に相応して一対の電極層１１ａ，１１ｂが形成される
。基台１１がアルミナ、窒化けい素等のセラミック基台
の場合には、電極層１１ａ，１１ｂはＡｇ，Ｐｄ，Ｐｔ
，Ｃｕ等を１種又は２種以上含む金属粉末及びガラスフ
リットが混練された導電性ペーストを基台１１に印刷し
焼付けて形成される。また基台１１が鉄、アルミニウム
等の金属基台の場合には、基台表面にセラミックス等の
絶縁層を形成した後、同様に電極層が形成される。更に
基台１１がガラスエポキシ、紙フェノール等の耐熱性に
乏しい基台の場合には、銅シートを積層し圧着した銅張
りの電極層が形成される。
０の投影面積より広い表面積を有し、左右両端部の上面
には電子部品１０の一対の端子電極１０ａ，１０ｂの間
隔に相応して一対の電極層１１ａ，１１ｂが形成される
。基台１１がアルミナ、窒化けい素等のセラミック基台
の場合には、電極層１１ａ，１１ｂはＡｇ，Ｐｄ，Ｐｔ
，Ｃｕ等を１種又は２種以上含む金属粉末及びガラスフ
リットが混練された導電性ペーストを基台１１に印刷し
焼付けて形成される。また基台１１が鉄、アルミニウム
等の金属基台の場合には、基台表面にセラミックス等の
絶縁層を形成した後、同様に電極層が形成される。更に
基台１１がガラスエポキシ、紙フェノール等の耐熱性に
乏しい基台の場合には、銅シートを積層し圧着した銅張
りの電極層が形成される。
【０００８】電子部品１０を基台１１に搭載するには、
先ず電極層１１ａ，１１ｂ部分のみを露出したメタルマ
スクで基台を被覆し、電極層の部分にクリームはんだ１
３を均一に塗布し印刷する。次いで電極層１１ａ，１１
ｂに電子部品１０の端子電極１０ａ，１０ｂ及び一対の
リードフレーム１２，１２を配置してリフローはんだ付
けする。これにより得られた基台付きチップ型電子部品
を回路基板１４に実装するには、基板１４の所定の箇所
にクリームはんだ１５を印刷した後、リードフレーム１
２，１２を配置してリフローはんだ付けする。このとき
電子部品１０及びリードフレーム１１を基台１１に固定
したはんだ１３が溶融しないように、はんだ１３ははん
だ１５より融点の高いはんだを用いることが好ましい。 また高温のリフローで端子電極１０ａ，１０ｂがはんだ
食われを生じないように、はんだ１３はＳｎ含有量が比
較的少ないものが好ましい。
先ず電極層１１ａ，１１ｂ部分のみを露出したメタルマ
スクで基台を被覆し、電極層の部分にクリームはんだ１
３を均一に塗布し印刷する。次いで電極層１１ａ，１１
ｂに電子部品１０の端子電極１０ａ，１０ｂ及び一対の
リードフレーム１２，１２を配置してリフローはんだ付
けする。これにより得られた基台付きチップ型電子部品
を回路基板１４に実装するには、基板１４の所定の箇所
にクリームはんだ１５を印刷した後、リードフレーム１
２，１２を配置してリフローはんだ付けする。このとき
電子部品１０及びリードフレーム１１を基台１１に固定
したはんだ１３が溶融しないように、はんだ１３ははん
だ１５より融点の高いはんだを用いることが好ましい。 また高温のリフローで端子電極１０ａ，１０ｂがはんだ
食われを生じないように、はんだ１３はＳｎ含有量が比
較的少ないものが好ましい。
【０００９】
【作用】基台付きチップ型電子部品は、リードフレーム
を回路基板にはんだ付けする際にリードフレームが熱的
負荷を受けるため、電子部品の端子電極内側のセラミッ
ク素体にクラックが発生することがない。また基板に実
装した後で基板を折曲して分割する際にはリードフレー
ムが柔軟に湾曲して基板のたわみ応力を吸収する。また
端子電極を電極層にはんだ付けするはんだとして、通常
の共晶はんだを用いると、このはんだ中にはＳｎが６０
％程度含まれるため、２００℃前後の低温はんだ付けで
もＳｎが端子電極中のＡｇと活発に反応してＡｇ３Ｓｎ
金属間化合物を形成し易い。この化合物が端子電極とセ
ラミック素体との界面まで侵入すると端子電極がもろく
、はんだ食われを起こし易くなる。これに対して端子電
極を電極層にはんだ付けするはんだとして、Ｓｎ含有量
の少ない、例えばＰｂ９０／Ｓｎ８／Ａｇ２のようなは
んだを使用すると、端子電極中のＡｇとの反応によるＡ
ｇ３Ｓｎ金属間化合物の生成が少ないため、３００℃程
度の高温のリフローにも耐え得る。
を回路基板にはんだ付けする際にリードフレームが熱的
負荷を受けるため、電子部品の端子電極内側のセラミッ
ク素体にクラックが発生することがない。また基板に実
装した後で基板を折曲して分割する際にはリードフレー
ムが柔軟に湾曲して基板のたわみ応力を吸収する。また
端子電極を電極層にはんだ付けするはんだとして、通常
の共晶はんだを用いると、このはんだ中にはＳｎが６０
％程度含まれるため、２００℃前後の低温はんだ付けで
もＳｎが端子電極中のＡｇと活発に反応してＡｇ３Ｓｎ
金属間化合物を形成し易い。この化合物が端子電極とセ
ラミック素体との界面まで侵入すると端子電極がもろく
、はんだ食われを起こし易くなる。これに対して端子電
極を電極層にはんだ付けするはんだとして、Ｓｎ含有量
の少ない、例えばＰｂ９０／Ｓｎ８／Ａｇ２のようなは
んだを使用すると、端子電極中のＡｇとの反応によるＡ
ｇ３Ｓｎ金属間化合物の生成が少ないため、３００℃程
度の高温のリフローにも耐え得る。
【００１０】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、基
板実装時には電子部品自体に熱衝撃はなく、また基板分
割時には電子部品自体にたわみ応力が及ばないため、い
ずれも電子部品のセラミック素体内部にクラックが生じ
ることがない。また、これまでラジアルリード品でしか
存在しなかった大型で大容量のコンデンサを、本発明に
よれば表面実装可能にすることができ、基板への実装コ
ストを低減することができる。
板実装時には電子部品自体に熱衝撃はなく、また基板分
割時には電子部品自体にたわみ応力が及ばないため、い
ずれも電子部品のセラミック素体内部にクラックが生じ
ることがない。また、これまでラジアルリード品でしか
存在しなかった大型で大容量のコンデンサを、本発明に
よれば表面実装可能にすることができ、基板への実装コ
ストを低減することができる。
【００１１】
【実施例】次に本発明の実施例を図面に基づいて比較例
とともに説明する。 ＜実施例１＞図１及び図２に示すように、チップ型電子
部品１０はチップ型積層セラミックコンデンサであって
、セラミック素体とこの素体の両端部に形成された一対
の端子電極１０ａ，１０ｂとを備える。このセラミック
素体は鉛ペロブスカイト系である。積層セラミックコン
デンサは三菱マテリアル（株）製の型名Ｃ２００Ｆ１Ｅ
６８６Ｚのチップコンデンサであって、貴金属のＡｇ７
０／Ｐｄ３０からなる内部電極（図示せず）を有し、長
さ２０．０ｍｍ、幅１３．０ｍｍ、厚み７．０ｍｍのサ
イズを有する。
とともに説明する。 ＜実施例１＞図１及び図２に示すように、チップ型電子
部品１０はチップ型積層セラミックコンデンサであって
、セラミック素体とこの素体の両端部に形成された一対
の端子電極１０ａ，１０ｂとを備える。このセラミック
素体は鉛ペロブスカイト系である。積層セラミックコン
デンサは三菱マテリアル（株）製の型名Ｃ２００Ｆ１Ｅ
６８６Ｚのチップコンデンサであって、貴金属のＡｇ７
０／Ｐｄ３０からなる内部電極（図示せず）を有し、長
さ２０．０ｍｍ、幅１３．０ｍｍ、厚み７．０ｍｍのサ
イズを有する。
【００１２】長さ３５．０ｍｍ、幅２１．０ｍｍ、厚み
０．６３５ｍｍのアルミナ基台１１に図２に示すような
一対の電極層１１ａ，１１ｂを形成した。これらの電極
層はＡｇ，Ｐｄを含む導電性ペーストを塗布し焼付けて
形成した。次いでこの電極層部分のみが露出した厚み０
．２５ｍｍのメタルマスクで基台を覆い、融点が２９０
℃のクリームはんだ（千住金属（株）製，ＯＦ−２９５
： Ｐｂ９０／Ｓｎ８／Ａｇ２）を印刷した。はんだ印
刷後、セラミックコンデンサ１０及びリードフレーム１
２，１２を電極層１１ａ，１１ｂの上に置き、３００℃
で２分間維持してリフローはんだ付けした。リードフレ
ーム１２，１２には銅板をクランク状に折曲げた後はん
だめっきしたものを用いた。
０．６３５ｍｍのアルミナ基台１１に図２に示すような
一対の電極層１１ａ，１１ｂを形成した。これらの電極
層はＡｇ，Ｐｄを含む導電性ペーストを塗布し焼付けて
形成した。次いでこの電極層部分のみが露出した厚み０
．２５ｍｍのメタルマスクで基台を覆い、融点が２９０
℃のクリームはんだ（千住金属（株）製，ＯＦ−２９５
： Ｐｂ９０／Ｓｎ８／Ａｇ２）を印刷した。はんだ印
刷後、セラミックコンデンサ１０及びリードフレーム１
２，１２を電極層１１ａ，１１ｂの上に置き、３００℃
で２分間維持してリフローはんだ付けした。リードフレ
ーム１２，１２には銅板をクランク状に折曲げた後はん
だめっきしたものを用いた。
【００１３】＜比較例１＞実施例１と同一のセラミック
コンデンサ１０のみからなるチップ型電子部品を比較例
１とした。 ＜比較例２＞実施例１と同一のセラミックコンデンサ１
０の端子電極にリード線を接続し、これを１５０℃で溶
融しているエポキシ樹脂に浸漬し、コーティングした後
、５０℃／ｍｉｎで降温して樹脂を硬化させたラジアル
リード品を比較例２とした。
コンデンサ１０のみからなるチップ型電子部品を比較例
１とした。 ＜比較例２＞実施例１と同一のセラミックコンデンサ１
０の端子電極にリード線を接続し、これを１５０℃で溶
融しているエポキシ樹脂に浸漬し、コーティングした後
、５０℃／ｍｉｎで降温して樹脂を硬化させたラジアル
リード品を比較例２とした。
【００１４】＜セラミック素体のクラック検査＞実施例
１及び比較例１，２のコンデンサについて、内部のクラ
ックの発生の有無を調べた。厚み０．６３５ｍｍのアル
ミナ回路基板の所定の箇所にクリームはんだを印刷した
後、実施例１の基台付きセラミックコンデンサはリード
フレームをはんだ印刷部分に配置して、また比較例１の
セラミックコンデンサはそのまま端子電極をはんだ印刷
部分に配置して、それぞれ２７０℃でリフローはんだ付
けした。
１及び比較例１，２のコンデンサについて、内部のクラ
ックの発生の有無を調べた。厚み０．６３５ｍｍのアル
ミナ回路基板の所定の箇所にクリームはんだを印刷した
後、実施例１の基台付きセラミックコンデンサはリード
フレームをはんだ印刷部分に配置して、また比較例１の
セラミックコンデンサはそのまま端子電極をはんだ印刷
部分に配置して、それぞれ２７０℃でリフローはんだ付
けした。
【００１５】比較例２のラジアルリード品は図５の破線
に示すようにセラミック素体内部にキュアクラックが発
生していた。また比較例１のセラミックコンデンサはは
んだ付け後の静電容量の低下はなく、またセラミック素
体内部にクラックの発生もなかった。しかし、比較例１
のセラミックコンデンサは回路基板を折曲げ分割したと
きの静電容量に低下が見られた。そこでこのセラミック
素体を調べてみると内部に図３に示すようなクラックが
発生していた。これに対して実施例１の基台付きセラミ
ックコンデンサははんだ付け後及び回路基板の折曲げ分
割時にもクラックの発生はなく、静電容量の低下も見ら
れなかった。
に示すようにセラミック素体内部にキュアクラックが発
生していた。また比較例１のセラミックコンデンサはは
んだ付け後の静電容量の低下はなく、またセラミック素
体内部にクラックの発生もなかった。しかし、比較例１
のセラミックコンデンサは回路基板を折曲げ分割したと
きの静電容量に低下が見られた。そこでこのセラミック
素体を調べてみると内部に図３に示すようなクラックが
発生していた。これに対して実施例１の基台付きセラミ
ックコンデンサははんだ付け後及び回路基板の折曲げ分
割時にもクラックの発生はなく、静電容量の低下も見ら
れなかった。
【００１６】＜たわみ限界試験＞実施例１及び比較例１
のコンデンサについて、たわみ限界試験を行った。厚み
１．６ｍｍのガラスエポキシ基板を厚み０．３ｍｍのメ
タルマスクで覆い、融点が２３０℃のクリームはんだ（
千住金属（株）製，ＳＰＴ−６０−２０６２−Ｍ１０：
Ｓｎ６２／Ｐｂ３６／Ａｇ２）を印刷した。はんだ印
刷後、実施例１及び比較例１のコンデンサを印刷部分に
置き、２３０℃で１５秒間維持してリフローはんだ付け
した。この基板をスパン９０ｍｍの支持台に載せ、スパ
ン中心の基板に１０ｋｇの荷重を１０ｍｍ／ｍｉｎの速
度でかけ、セラミックコンデンサの容量値が１０％以上
低下したときの限界たわみ量を測定した。実施例１及び
比較例１のそれぞれの試料数は５個であった。その結果
を表１に示す。表１から比較例１のコンデンサが０．２
〜０．４ｍｍで限界値を示したのに対して、実施例１の
コンデンサは８ｍｍたわんでもその容量値は低下しなか
った。（以下、本頁余白）
のコンデンサについて、たわみ限界試験を行った。厚み
１．６ｍｍのガラスエポキシ基板を厚み０．３ｍｍのメ
タルマスクで覆い、融点が２３０℃のクリームはんだ（
千住金属（株）製，ＳＰＴ−６０−２０６２−Ｍ１０：
Ｓｎ６２／Ｐｂ３６／Ａｇ２）を印刷した。はんだ印
刷後、実施例１及び比較例１のコンデンサを印刷部分に
置き、２３０℃で１５秒間維持してリフローはんだ付け
した。この基板をスパン９０ｍｍの支持台に載せ、スパ
ン中心の基板に１０ｋｇの荷重を１０ｍｍ／ｍｉｎの速
度でかけ、セラミックコンデンサの容量値が１０％以上
低下したときの限界たわみ量を測定した。実施例１及び
比較例１のそれぞれの試料数は５個であった。その結果
を表１に示す。表１から比較例１のコンデンサが０．２
〜０．４ｍｍで限界値を示したのに対して、実施例１の
コンデンサは８ｍｍたわんでもその容量値は低下しなか
った。（以下、本頁余白）
【００１７】
【表１】
【図１】本発明の基台付きチップ型電子部品の正面図。
【図２】その平面図。
【図３】基板に実装して折曲げた後の従来例チップ型電
子部品の断面図。
子部品の断面図。
【図４】従来例チップ型電子部品を実装した基板を曲げ
ている状態を示す断面図。
ている状態を示す断面図。
【図５】従来例ラジアルリード品の断面図。
１０ チップ型積層セラミックコンデンサ（チップ型
電子部品） １０ａ，１０ｂ 端子電極 １１ 基台 １１ａ，１１ｂ 電極層 １２ リードフレーム １３，１５ はんだ １４ 回路基板
電子部品） １０ａ，１０ｂ 端子電極 １１ 基台 １１ａ，１１ｂ 電極層 １２ リードフレーム １３，１５ はんだ １４ 回路基板
Claims (3)
- 【請求項１】 チップ型電子部品（１０）の一対の端
子電極（１０ａ，１０ｂ）の間隔に相応して一対の電極
層（１１ａ，１１ｂ）が上面に形成された基台（１１）
と、一端が前記一対の電極層（１１ａ，１１ｂ）にそれ
ぞれはんだ（１３）付けにより接続され他端が前記基台
（１１）の下面より下方に延びて回路基板（１４）には
んだ（１５）付け可能な一対のリードフレーム（１２，
１２）とを備え、前記電子部品（１０）が一対の端子電
極（１０ａ，１０ｂ）を前記一対の電極層（１１ａ，１
１ｂ）にそれぞれはんだ（１３）付けにより接続して前
記基台（１１）に搭載されたことを特徴とする基台付き
チップ型電子部品。 - 【請求項２】 リードフレーム（１２，１２）の一端
及び電子部品（１０）の一対の端子電極（１０ａ，１０
ｂ）を接続するはんだ（１３）の融点が前記リードフレ
ーム（１２，１２）の他端を回路基板（１４）に接続す
るはんだ（１５）の融点より高い請求項１記載の基台付
き積層セラミックコンデンサ。 - 【請求項３】 基台（１１）がセラミック基台であっ
て、電極層（１１ａ，１１ｂ）が導電性ペーストを基台
に印刷し焼付けて形成された請求項１記載の基台付き積
層セラミックコンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3091420A JPH04302116A (ja) | 1991-03-28 | 1991-03-28 | 基台付きチップ型電子部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3091420A JPH04302116A (ja) | 1991-03-28 | 1991-03-28 | 基台付きチップ型電子部品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04302116A true JPH04302116A (ja) | 1992-10-26 |
Family
ID=14025881
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3091420A Withdrawn JPH04302116A (ja) | 1991-03-28 | 1991-03-28 | 基台付きチップ型電子部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04302116A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0737747A (ja) * | 1993-06-28 | 1995-02-07 | Nec Corp | チップ型積層セラミックコンデンサ |
| JP2005317608A (ja) * | 2004-04-27 | 2005-11-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品 |
| JP2016134620A (ja) * | 2015-01-20 | 2016-07-25 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． | 積層セラミック電子部品 |
| JP2017073481A (ja) * | 2015-10-08 | 2017-04-13 | Tdk株式会社 | 電子部品 |
| US20170358397A1 (en) * | 2010-05-26 | 2017-12-14 | Kemet Electronics Corporation | Leadless Stack Comprising Multiple Components |
-
1991
- 1991-03-28 JP JP3091420A patent/JPH04302116A/ja not_active Withdrawn
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0737747A (ja) * | 1993-06-28 | 1995-02-07 | Nec Corp | チップ型積層セラミックコンデンサ |
| JP2005317608A (ja) * | 2004-04-27 | 2005-11-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品 |
| US20170358397A1 (en) * | 2010-05-26 | 2017-12-14 | Kemet Electronics Corporation | Leadless Stack Comprising Multiple Components |
| US10381162B2 (en) * | 2010-05-26 | 2019-08-13 | Kemet Electronics Corporation | Leadless stack comprising multiple components |
| JP2016134620A (ja) * | 2015-01-20 | 2016-07-25 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． | 積層セラミック電子部品 |
| JP2017073481A (ja) * | 2015-10-08 | 2017-04-13 | Tdk株式会社 | 電子部品 |
| CN107068404A (zh) * | 2015-10-08 | 2017-08-18 | Tdk株式会社 | 电子部件 |
| US10102971B2 (en) | 2015-10-08 | 2018-10-16 | Tdk Corporation | Multilayer capacitor with an overcurrent protection device |
| CN107068404B (zh) * | 2015-10-08 | 2019-03-19 | Tdk株式会社 | 电子部件 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980514 |