JPH04301095A - 微小開口部を有する扁平強化物品の製造方法 - Google Patents

微小開口部を有する扁平強化物品の製造方法

Info

Publication number
JPH04301095A
JPH04301095A JP3312314A JP31231491A JPH04301095A JP H04301095 A JPH04301095 A JP H04301095A JP 3312314 A JP3312314 A JP 3312314A JP 31231491 A JP31231491 A JP 31231491A JP H04301095 A JPH04301095 A JP H04301095A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resist
base layer
reinforcing layer
layer
radiation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP3312314A
Other languages
English (en)
Inventor
Asim Maner
アズィム マナー
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Maxs AG
Original Assignee
Maxs AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Maxs AG filed Critical Maxs AG
Publication of JPH04301095A publication Critical patent/JPH04301095A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D1/00Electroforming
    • C25D1/08Perforated or foraminous objects, e.g. sieves
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/12Production of screen printing forms or similar printing forms, e.g. stencils

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は微小開口部を有する扁平
強化物品の製造方法に関し、特に少なくとも1つの強化
層が基礎層上に設けられてなる微小開口部を有する扁平
強化物品の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】微小開口部を有する扁平物品は技術分野
で広く使用される。この種の物品の例はアパチャー、T
Vセット用のシャド−マスク、コードディスク、乾燥シ
ェ−バー用のシヤーホイル、半導体用の蒸着マスク、タ
イミングディスクおよびマイクロセンサ用の構造ディス
クである。重要な種類は濾過、篩分、分離、分類、選別
、試験、測定および印刷のため使用されるフィルタ、フ
ルイおよび格子を包含する。この種の物品を製造する場
合、均一な微小開口部をできるだけ小さくすると共にそ
の寸法を数百μm 〜数μm の範囲とし、単位面積当
り極めて多数で製造しうることがしばしば望ましい。電
型法またはエッチング技術と組合せた石版印刷法が、こ
れら物品の製造に大抵の場合使用される。殆んどの用い
うる製造法の一般的特徴は、同時に欠点にもなるが、扁
平物品の厚さが一般に微小開口部の寸法減少と共に薄く
ならざるを得ず、極めてしばしば充分安定でない物品を
もたらすことである。
【0003】この欠点を除去すべく、微小開口部を有す
る常法で製造された基礎層を、他の層を施してさらに強
化すべく種々の方法が既に示唆されている。この種の方
法はたとえばドイツ公開公報第2829529 号から
知られている。この方法の場合、基礎層は、後に微小開
口部を形成する非導電性部分を除きマトリックスの導電
性部分に施される。非導電性領域の寸法はシーブ開口部
の所望の寸法よりも大きくなるよう選択され、基礎層上
にさらに強化層を付着させる際にシーブ開口部の或る程
度の「閉塞」が考えられる。しかしながら、シーブ開口
部を所望幅まで覆わないためには強化層を施した後に物
品を完成すべく、エッチング操作を必要とする。強化層
の材料をエッチング液の侵食から保護するには、基礎層
とは反対側の物品表面にエッチングマスクを設ける。こ
のエッチングマスクはシーブ開口部の領域を覆わずに残
す。エッチングマスクを設けるにはフォトレジストを使
用することができる。しかしながら、この方法は照射線
透明領域を正確に微小開口部に整合させねばならないよ
うな露出マスクによる露出を必要とする。したがって、
公知方法は比較的複雑であって時間がかかる。
【0004】ドイツ公開公報第2829529 号に例
示された他の具体例において、微小開口部の領域にてマ
トリックス上に設けるべき絶縁材は微小開口部の領域に
おける横方向の増大を絶縁材によって防止するよう、将
来のシーブ厚さを越える厚さで施さねばならないことが
示唆されている。ドイツ公開公報第1496730 号
の発明も同じ思想に基づいている。しかしながら、相当
程度までマトリックス表面から突出する絶縁材は極めて
破損しやすい。
【0005】EP−A252545号には、材料が微小
開口部の領域に付着してその「閉塞」を生じないよう防
止すべく流動を発生させると共に基礎材料層を強化層で
被覆する際に微小開口部に通過させて、微小開口部を有
する扁平物品を作成することが示唆されている。この種
の流動発生はこの方法を複雑にするという事実の他、こ
の流動は微小開口部の境界縁部を丸くする。かくして、
この方法で製造された物品の使用分野が著しく減少する
【0006】
【発明が解決しようとする課題】したがって本発明の目
的は、容易かつ安価に行ないうる微小開口部を持った扁
平強化物品の製造方法を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】この目的は本発明によれ
ば、予備加工された基礎層にはその両面に放射線感受性
レジストをこのレジストが微小開口部を埋めるように被
覆し、前記レジストが設けられた前記基礎層にはその一
面に前記微小開口部における前記レジストを通過する照
射線を照射し、前記強化層を設けるべき前記基礎層の表
面領域から前記レジストを除去し、前記強化層を施し、
次いで残余のレジストを除去することを特徴とする強化
物品の製造方法によって解決される。
【0008】本発明の方法は、強化層を施す際に微小開
口部が一層小さくなり或いは少なくとも相当程度まで減
少するのを容易に防止する。両面にレジストを設けるこ
とは基礎層自身を照射線マスクとして使用しうるという
効果を有し、したがって正確に調整せねばならないよう
な他の照射線マスクを必要としない。レジスト層による
被覆は何ら困難性を示さない。何故なら、エッチングま
たは電気メッキに際し部分的な領域を節約するためのレ
ジスト材料の使用がたとえばドイツ特許第352996
6 号公報またはドイツ公開公報第3118335 号
から知られているからである。
【0009】本発明による方法の有利な特徴は、請求項
2〜9の記載から明かとなる。
【0010】
【実施例】以下、添付図面を参照して本発明を実施例に
つき一層詳細に説明する。
【0011】図1に示したように、図1Aに例示した基
礎層2は先ず最初に常法にて、たとえば図1Gに示した
濾過用シーブ1を作成する場合には、マトリックス上へ
の電着によって作成される。基礎層2は既に仕上げ濾過
用シーブ1のように成形され、このシーブは微小開口部
3と介装された材料ウェブ4とを備えると共に、微小開
口部3の幅は最終幅に一致するが、より薄くする。図1
Bから明らかなように、基礎層を次いで市販ネガフォト
レジスト5の2つの層5aと5bとの間に設置して、こ
れを 110℃まで加熱された2つのゴム被覆ロール間
のロールニップに導入して、5バールの圧力負荷の下で
圧延する。図1Cに示したように、基礎層2はこの工程
後にフォトレジスト5によって全面が覆われ、すなわち
微小開口部3も覆われる。図1Dに示したように、次い
でその一面に指向性紫外線6を照射し、この紫外線は露
出マスクとして作用する基礎層2のウェブ4により覆わ
れない全領域にてフォトレジスト5を通過する。ウェブ
4の下に位置しかつ光線が通過し得ないフォトレジスト
5の覆われた領域を、次いで35℃の1%炭酸ナトリウ
ムの現像溶液にて噴霧現像により除去する。図1Eに示
したように、基礎層2におけるウェブ4の底面4aは現
像後に外部に露呈される一方、微小開口部3中に侵入し
たフォトレジスト5は露出表面4aを越えて若干突出す
る。次いで、強化層7を露出表面4a上に電解浴にて付
着させる。付着の後、残余のレジスト5を50℃の3%
苛性ソーダによって除去する。
【0012】この実施例において、基礎層2は厚さ 1
00μm の電着したニッケルで構成される。ウェブ4
の表面4aの領域にて、微小開口部3は 100μm 
の最小幅を有し、表面4aから離間した基礎層2の表面
の方向へ拡大する。微小開口部3の間のウェブ4は 3
00μm の幅を有する。市販フォトレジストの2枚の
フィルムを被覆用に使用し、各フィルムは 100μm
 の厚さを有する。強化層7も55℃で電着されたニッ
ケルよりなり、これは80μm の厚さを有して本発明
により製造された濾過用シーブは 180μm の全厚
さを有すると共に微小開口部3の初期の寸法は変化しな
い。これらウェブには、フォトレジストの露出過度また
は露出不足によって傾斜延在する側壁部を設けることが
できる。この場合、強化層内に形成する微小開口部は一
方の側に向かって傾斜する。これは、フィルタとして使
用する際にシーブが受ける目詰まりの危険を防止する。
【0013】図2は、図2Eに示した強化シヤーホイル
11を乾燥シェーバ−に使用すべく製造する際の製造工
程を示している。この場合にも、基礎層12を先ず最初
に慣用のシヤーホイルの形状および寸法を有するよう電
解的に製造する。この基礎層12は剪断ホイル開口部の
最終寸法に相当する直径の開口部13を備え、さらに表
面14aの一方に位置して剪断エッジ14bを形成する
ウェブ14を備える。本発明の方法を用いて、大きい摩
耗を受ける表面14aおよび剪断エッジ14bを強化す
ることができる。この目的で、基礎層12を液体のネガ
に作用するフォトレジストの浸漬浴に浸漬し、次いでそ
こから引き出す。開口部13に表面張力で保持されるフ
ォトレジスト15の付着フィルムを、次いで赤外線ラジ
エータにより90℃まで加熱して乾燥させる。図2Bか
ら明らかとなるように、このアセンブリに再び指向性紫
外線16を照射すると共に、ウェブ14を露出マスクと
して作用させて表面14aの下に位置するレジスト領域
の露出を防止する一方、光線が開口部13におけるレジ
ストを充分通過するようにする。次いでネガフォトレジ
スト15の非照射領域を除去し、ウェブの表面14aが
外部に露呈されるようにする。しかしながら、同時に剪
断エッジ14bにより形成された照射線シャドーに直接
に隣接位置したレジストの領域が残留する。次いで耐摩
耗材の強化層17をその上に電着させる。この強化層1
7は、剪断エッジ14bの正確に形成された照射線シャ
ドーにより剪断エッジ14bの延長部で直接に終端し、
これにより正確に形成された新たな一層耐摩耗性の大き
い剪断エッジ17aが形成される。さらに、強化層17
は下方向に指向するウェブ14の表面14aの領域でも
耐摩耗性を増大し、その表面は乾燥シェ−バーの剃刀ブ
ロックにより掃除される。
【0014】基礎層12はニッケルよりなりかつ50μ
m の厚さを有し、この厚さはシヤーホイルの典型であ
る。 強化層17は錫−ニッケル合金よりなり、8μm の厚
さを有する。
【0015】図3は、図3Eに示した光学格子21を製
造するための本発明の方法の実施例を示している。この
場合にも、基礎層22は最初に常法で製造され、ここで
は湿式化学エッチングにより製造される。基礎層22は
同様に開口部23とウェブ24とを有し、ウェブの幅は
仕上げ光学格子21における所望幅と一致する。基礎層
22は、これをレジスト浴に浸漬することにより、開口
部23を含め全面がフォトレジスト25により覆われる
。フォトレジスト25は、この場合にはポジとして作用
する。指向性紫外線26は、強化すべき表面24aを照
射線に露出するよう発生する。微小開口部23の境界壁
部(その形状により)および表面24aに対向する表面
は光線シャドーに位置する。ポジ作用するレジスト25
の露出領域を次いで現像して、強化すべき表面24aを
図3Cに示したように露出させる。次いで、強化層27
をこれら表面に設け、残余のレジストをその後に除去す
る。勿論、ネガとして作用するレジストも図3によるこ
の実施例で用いることができる。しかしながら、この種
の場合には照射線を表面24aから離間した側から放出
せねばならない。
【0016】個々の図面に示した詳細は互換的であり、
したがって説明しかつ図示した実施例は改変することが
できる。たとえば、図2に示したシヤーホイルは熱の作
用下でレジストフィルムを圧延してレジストで被覆する
ことができ、或いは図1に示した濾過用シーブをレジス
ト浴中に浸漬することもできる。さらに、冒頭に記載し
かつ微小開口部を設けた物品は全て本発明の方法により
強化することができる。所望ならば、種々異なる材料よ
りなる2種もしくはそれ以上の強化層を、物品がフォト
レジストで1回被覆されかつ露出されて現像された後に
施すこともできる。極めて大きい全体的な強化層の厚さ
が望ましければ、全過程を強化層が施された後に1回も
しくは数回反復して第二の強化層または数個の強化層を
設けることもできる。フォトレジストの代わりに、たと
えばポリメタクリル酸メチル(PMMA)のようなX線
感受性のレジスト材料も使用することができ、この場合
にはたとえば照射目的で用いられかつシンクロトロンか
ら放出される指向性X線が使用するのに適している。電
着の他、浴中での化学還元性の金属付着により強化層を
施すこともできる。最後に、強化層は蒸着もしくはスパ
ッタリング法で減圧下に形成することもできる。金属の
上記基礎層の他、非導電性の基礎層材料も本発明の方法
で強化することができる。この目的で、基礎層はその全
表面またはその領域にて直接的にフォトレジストを被覆
する前に或いは事前の化学活性化の後に金属化される。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1A〜1Gは、本発明による濾過用シーブの
製造方法の工程図である。
【図2】図2A〜2Eは、本発明によるシヤーホイルの
製造方法の工程図である。
【図3】図3A〜3Eは、本発明による光学格子の製造
方法の工程図である。
【符号の説明】
1  濾過用シーブ 2  基礎層 3  微小開口部 4  材料ウェブ 5  フォトレジスト

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  少なくとも1つの強化層が基礎層上に
    設けられてなる微小開口部を有する扁平強化物品を製造
    するに際し、予備加工された基礎層にはその両面に放射
    線感受性レジストをこのレジストが微小開口部を埋める
    ように被覆し、前記レジストが設けられた前記基礎層に
    はその1面に前記微小開口部における前記レジストを通
    過する照射線を照射し、前記強化層を設けるべき前記基
    礎層の表面領域から前記レジストを除去し、前記強化層
    を施し、次いで残余のレジストを除去することを特徴と
    する扁平強化物品の製造方法。
  2. 【請求項2】  第二強化層を第一強化層上に施すこと
    を特徴とする請求項1に記載の方法。
  3. 【請求項3】  前記レジストによる被覆を減圧下で行
    なうことを特徴とする請求項1または2に記載の方法。
  4. 【請求項4】  指向性紫外線もしくはX線を照射線と
    して使用することを特徴とする請求項1〜3のいずれか
    に記載の方法。
  5. 【請求項5】  前記強化層を浴中での電着または化学
    還元的金属付着によって形成させることを特徴とする請
    求項1〜4のいずれかに記載の方法。
  6. 【請求項6】  前記強化層を減圧装置での蒸着または
    スパッタリング法にて形成させることを特徴とする請求
    項1〜4のいずれかに記載の方法。
  7. 【請求項7】  レジストで被覆する前に、全表面にわ
    たりまたは前記表面の領域にて電着または化学還元的金
    属付着の目的で非導電性の基礎層を直接にまたは事前の
    化学活性化の後に金属化することを特徴とする請求項5
    に記載の方法。
  8. 【請求項8】  レジストで被覆するため基礎層を2つ
    のレジストフィルム層の間に設置すると共に、前記レジ
    ストを前記基礎層上にその両面にて圧力および熱を加え
    ることにより施して、前記微小開口部中に圧入させるこ
    とを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載の方法。
  9. 【請求項9】  レジストで被覆するため基礎層を液体
    レジストの浴中に浸漬すると共に、レジスト被覆を熱の
    作用下で乾燥させることを特徴とする請求項1〜7のい
    ずれかに記載の方法。
JP3312314A 1990-12-28 1991-11-27 微小開口部を有する扁平強化物品の製造方法 Pending JPH04301095A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE4042125A DE4042125A1 (de) 1990-12-28 1990-12-28 Verfahren zum herstellen eines mikrooeffnungen aufweisenden, verstaerkten flachen gegenstandes
DE4042125.2 1990-12-28

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH04301095A true JPH04301095A (ja) 1992-10-23

Family

ID=6421629

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3312314A Pending JPH04301095A (ja) 1990-12-28 1991-11-27 微小開口部を有する扁平強化物品の製造方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5213849A (ja)
EP (1) EP0492060A1 (ja)
JP (1) JPH04301095A (ja)
DE (1) DE4042125A1 (ja)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW277152B (ja) * 1994-05-10 1996-06-01 Hitachi Chemical Co Ltd
JPH09171953A (ja) * 1995-12-20 1997-06-30 Sony Corp 基板加熱装置、基板加熱方法および半導体集積回路装置、フォトマスクならびに液晶表示装置
US5912056A (en) * 1997-03-31 1999-06-15 Candescent Technologies Corporation Black matrix with conductive coating
DE10305425B4 (de) * 2003-02-03 2006-04-27 Siemens Ag Herstellungsverfahren für eine Lochscheibe zum Ausstoßen eines Fluids
US9389337B1 (en) 2012-10-24 2016-07-12 Chia-Jean Wang Selective coating of a component using a potting process
CN107779917B (zh) * 2017-09-21 2019-04-16 河南理工大学 一种薄壁圆网的成形方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1496730A1 (de) * 1964-06-13 1969-07-31 Balco Filtertechnik Gmbh Verfahren zur galvanoplastischen Herstellung von Mikrolochungen,insbesondere bei dicken Siebblechen
NL6710441A (ja) * 1967-07-28 1969-01-30
JPS53138734A (en) * 1977-05-11 1978-12-04 Konishiroku Photo Ind Co Ltd Substrate for screen photoreceptor
DE2829529A1 (de) * 1978-07-05 1980-01-24 Balco Filtertechnik Gmbh Verfahren zur herstellung von sieben fuer zentrifugen, insbesondere von arbeitssieben fuer kontinuierlich arbeitende zentrifugen
EP0057268A3 (en) * 1981-02-02 1982-11-10 International Business Machines Corporation Method of fabricating x-ray lithographic masks
DE3118335A1 (de) * 1981-05-08 1982-11-25 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zur galvanischen und aetztechnischen strukturierung von scheiben mit isolierenden ringzonen im muendungsbereich von bohrungen
DE3517730A1 (de) * 1985-05-17 1986-11-20 Kernforschungszentrum Karlsruhe Gmbh, 7500 Karlsruhe Verfahren zum herstellen von spinnduesenplatten
DE3524411A1 (de) * 1985-07-09 1987-01-15 Kernforschungsz Karlsruhe Verfahren zum herstellen von spinnduesenplatten
GB8620484D0 (en) * 1986-08-22 1986-10-01 Raychem Ltd Plugged microporous film

Also Published As

Publication number Publication date
EP0492060A1 (de) 1992-07-01
US5213849A (en) 1993-05-25
DE4042125A1 (de) 1992-07-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4022927A (en) Methods for forming thick self-supporting masks
DE1917474C3 (de) Verfahren zum Herstellen metallischer Muster auf einer Unterlage
DE60033520T2 (de) Verfahren zur herstellung einer mikroporösen filtermembran
DE102009058262A1 (de) Geschichtete Strahlensensitive Materialien mit variierender Sensitivität
US4379737A (en) Method to make a built up area rotary printing screen
JPH04301095A (ja) 微小開口部を有する扁平強化物品の製造方法
US4405709A (en) Process for fabricating gravure printing plate blank
EP0141335B1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Röntgenmaske mit Metallträgerfolie
US5512161A (en) Process for galvanically forming structured plate-shaped bodies
DE3045964A1 (de) Roentgenlithographische maske und verfahren zu ihrer herstellung
DE1960723A1 (de) Siebdruckschablonen und Verfahren zu ihrer Herstellung
JP3934723B2 (ja) メタルマスクの製造方法
JPH0739061B2 (ja) 紡糸ノズル板の製法
JPH11347491A (ja) 分級用フィルター
EP0057268A2 (en) Method of fabricating X-ray lithographic masks
JPS63303737A (ja) スクリ−ン印刷用メタルマスク、及びその製造法
EP0402377A1 (de) Verfahren zur herstellung eines mit einem prägemuster versehenen metallischen endlosbandes.
US6379871B1 (en) Method for fabricating a mask for a LIGA process
JP2005518086A (ja) 集積化インダクタコアを有するプリント回路板
ITVI20110122A1 (it) Metodo e apparato per la fabbricazione di lead frames
NL8500102A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een vlakke stencilplaat.
KR970015789A (ko) 초경강판재의 패턴 형성 방법
JPH0626246U (ja) X線リトグラフィによりパターンをラッカー層に形成するマスク
JPH05270161A (ja) スクリーン印刷版
DE2645081C2 (de) Verfahren zum Herstellen einer Dünnfilmstruktur