JPH04301095A - 微小開口部を有する扁平強化物品の製造方法 - Google Patents
微小開口部を有する扁平強化物品の製造方法Info
- Publication number
- JPH04301095A JPH04301095A JP3312314A JP31231491A JPH04301095A JP H04301095 A JPH04301095 A JP H04301095A JP 3312314 A JP3312314 A JP 3312314A JP 31231491 A JP31231491 A JP 31231491A JP H04301095 A JPH04301095 A JP H04301095A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- base layer
- reinforcing layer
- layer
- radiation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 title claims abstract description 29
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 36
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 16
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 8
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 claims description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 4
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 claims description 3
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 claims description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 claims description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 abstract description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 5
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 5
- 238000010008 shearing Methods 0.000 description 5
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 2
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- CLDVQCMGOSGNIW-UHFFFAOYSA-N nickel tin Chemical compound [Ni].[Sn] CLDVQCMGOSGNIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000007873 sieving Methods 0.000 description 1
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011121 sodium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 1
- 238000003631 wet chemical etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D1/00—Electroforming
- C25D1/08—Perforated or foraminous objects, e.g. sieves
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/12—Production of screen printing forms or similar printing forms, e.g. stencils
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は微小開口部を有する扁平
強化物品の製造方法に関し、特に少なくとも１つの強化
層が基礎層上に設けられてなる微小開口部を有する扁平
強化物品の製造方法に関する。
強化物品の製造方法に関し、特に少なくとも１つの強化
層が基礎層上に設けられてなる微小開口部を有する扁平
強化物品の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】微小開口部を有する扁平物品は技術分野
で広く使用される。この種の物品の例はアパチャー、Ｔ
Ｖセット用のシャド−マスク、コードディスク、乾燥シ
ェ−バー用のシヤーホイル、半導体用の蒸着マスク、タ
イミングディスクおよびマイクロセンサ用の構造ディス
クである。重要な種類は濾過、篩分、分離、分類、選別
、試験、測定および印刷のため使用されるフィルタ、フ
ルイおよび格子を包含する。この種の物品を製造する場
合、均一な微小開口部をできるだけ小さくすると共にそ
の寸法を数百μｍ 〜数μｍ の範囲とし、単位面積当
り極めて多数で製造しうることがしばしば望ましい。電
型法またはエッチング技術と組合せた石版印刷法が、こ
れら物品の製造に大抵の場合使用される。殆んどの用い
うる製造法の一般的特徴は、同時に欠点にもなるが、扁
平物品の厚さが一般に微小開口部の寸法減少と共に薄く
ならざるを得ず、極めてしばしば充分安定でない物品を
もたらすことである。
で広く使用される。この種の物品の例はアパチャー、Ｔ
Ｖセット用のシャド−マスク、コードディスク、乾燥シ
ェ−バー用のシヤーホイル、半導体用の蒸着マスク、タ
イミングディスクおよびマイクロセンサ用の構造ディス
クである。重要な種類は濾過、篩分、分離、分類、選別
、試験、測定および印刷のため使用されるフィルタ、フ
ルイおよび格子を包含する。この種の物品を製造する場
合、均一な微小開口部をできるだけ小さくすると共にそ
の寸法を数百μｍ 〜数μｍ の範囲とし、単位面積当
り極めて多数で製造しうることがしばしば望ましい。電
型法またはエッチング技術と組合せた石版印刷法が、こ
れら物品の製造に大抵の場合使用される。殆んどの用い
うる製造法の一般的特徴は、同時に欠点にもなるが、扁
平物品の厚さが一般に微小開口部の寸法減少と共に薄く
ならざるを得ず、極めてしばしば充分安定でない物品を
もたらすことである。
【０００３】この欠点を除去すべく、微小開口部を有す
る常法で製造された基礎層を、他の層を施してさらに強
化すべく種々の方法が既に示唆されている。この種の方
法はたとえばドイツ公開公報第２８２９５２９ 号から
知られている。この方法の場合、基礎層は、後に微小開
口部を形成する非導電性部分を除きマトリックスの導電
性部分に施される。非導電性領域の寸法はシーブ開口部
の所望の寸法よりも大きくなるよう選択され、基礎層上
にさらに強化層を付着させる際にシーブ開口部の或る程
度の「閉塞」が考えられる。しかしながら、シーブ開口
部を所望幅まで覆わないためには強化層を施した後に物
品を完成すべく、エッチング操作を必要とする。強化層
の材料をエッチング液の侵食から保護するには、基礎層
とは反対側の物品表面にエッチングマスクを設ける。こ
のエッチングマスクはシーブ開口部の領域を覆わずに残
す。エッチングマスクを設けるにはフォトレジストを使
用することができる。しかしながら、この方法は照射線
透明領域を正確に微小開口部に整合させねばならないよ
うな露出マスクによる露出を必要とする。したがって、
公知方法は比較的複雑であって時間がかかる。
る常法で製造された基礎層を、他の層を施してさらに強
化すべく種々の方法が既に示唆されている。この種の方
法はたとえばドイツ公開公報第２８２９５２９ 号から
知られている。この方法の場合、基礎層は、後に微小開
口部を形成する非導電性部分を除きマトリックスの導電
性部分に施される。非導電性領域の寸法はシーブ開口部
の所望の寸法よりも大きくなるよう選択され、基礎層上
にさらに強化層を付着させる際にシーブ開口部の或る程
度の「閉塞」が考えられる。しかしながら、シーブ開口
部を所望幅まで覆わないためには強化層を施した後に物
品を完成すべく、エッチング操作を必要とする。強化層
の材料をエッチング液の侵食から保護するには、基礎層
とは反対側の物品表面にエッチングマスクを設ける。こ
のエッチングマスクはシーブ開口部の領域を覆わずに残
す。エッチングマスクを設けるにはフォトレジストを使
用することができる。しかしながら、この方法は照射線
透明領域を正確に微小開口部に整合させねばならないよ
うな露出マスクによる露出を必要とする。したがって、
公知方法は比較的複雑であって時間がかかる。
【０００４】ドイツ公開公報第２８２９５２９ 号に例
示された他の具体例において、微小開口部の領域にてマ
トリックス上に設けるべき絶縁材は微小開口部の領域に
おける横方向の増大を絶縁材によって防止するよう、将
来のシーブ厚さを越える厚さで施さねばならないことが
示唆されている。ドイツ公開公報第１４９６７３０ 号
の発明も同じ思想に基づいている。しかしながら、相当
程度までマトリックス表面から突出する絶縁材は極めて
破損しやすい。
示された他の具体例において、微小開口部の領域にてマ
トリックス上に設けるべき絶縁材は微小開口部の領域に
おける横方向の増大を絶縁材によって防止するよう、将
来のシーブ厚さを越える厚さで施さねばならないことが
示唆されている。ドイツ公開公報第１４９６７３０ 号
の発明も同じ思想に基づいている。しかしながら、相当
程度までマトリックス表面から突出する絶縁材は極めて
破損しやすい。
【０００５】ＥＰ−Ａ２５２５４５号には、材料が微小
開口部の領域に付着してその「閉塞」を生じないよう防
止すべく流動を発生させると共に基礎材料層を強化層で
被覆する際に微小開口部に通過させて、微小開口部を有
する扁平物品を作成することが示唆されている。この種
の流動発生はこの方法を複雑にするという事実の他、こ
の流動は微小開口部の境界縁部を丸くする。かくして、
この方法で製造された物品の使用分野が著しく減少する
。
開口部の領域に付着してその「閉塞」を生じないよう防
止すべく流動を発生させると共に基礎材料層を強化層で
被覆する際に微小開口部に通過させて、微小開口部を有
する扁平物品を作成することが示唆されている。この種
の流動発生はこの方法を複雑にするという事実の他、こ
の流動は微小開口部の境界縁部を丸くする。かくして、
この方法で製造された物品の使用分野が著しく減少する
。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】したがって本発明の目
的は、容易かつ安価に行ないうる微小開口部を持った扁
平強化物品の製造方法を提供することにある。
的は、容易かつ安価に行ないうる微小開口部を持った扁
平強化物品の製造方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この目的は本発明によれ
ば、予備加工された基礎層にはその両面に放射線感受性
レジストをこのレジストが微小開口部を埋めるように被
覆し、前記レジストが設けられた前記基礎層にはその一
面に前記微小開口部における前記レジストを通過する照
射線を照射し、前記強化層を設けるべき前記基礎層の表
面領域から前記レジストを除去し、前記強化層を施し、
次いで残余のレジストを除去することを特徴とする強化
物品の製造方法によって解決される。
ば、予備加工された基礎層にはその両面に放射線感受性
レジストをこのレジストが微小開口部を埋めるように被
覆し、前記レジストが設けられた前記基礎層にはその一
面に前記微小開口部における前記レジストを通過する照
射線を照射し、前記強化層を設けるべき前記基礎層の表
面領域から前記レジストを除去し、前記強化層を施し、
次いで残余のレジストを除去することを特徴とする強化
物品の製造方法によって解決される。
【０００８】本発明の方法は、強化層を施す際に微小開
口部が一層小さくなり或いは少なくとも相当程度まで減
少するのを容易に防止する。両面にレジストを設けるこ
とは基礎層自身を照射線マスクとして使用しうるという
効果を有し、したがって正確に調整せねばならないよう
な他の照射線マスクを必要としない。レジスト層による
被覆は何ら困難性を示さない。何故なら、エッチングま
たは電気メッキに際し部分的な領域を節約するためのレ
ジスト材料の使用がたとえばドイツ特許第３５２９９６
６ 号公報またはドイツ公開公報第３１１８３３５ 号
から知られているからである。
口部が一層小さくなり或いは少なくとも相当程度まで減
少するのを容易に防止する。両面にレジストを設けるこ
とは基礎層自身を照射線マスクとして使用しうるという
効果を有し、したがって正確に調整せねばならないよう
な他の照射線マスクを必要としない。レジスト層による
被覆は何ら困難性を示さない。何故なら、エッチングま
たは電気メッキに際し部分的な領域を節約するためのレ
ジスト材料の使用がたとえばドイツ特許第３５２９９６
６ 号公報またはドイツ公開公報第３１１８３３５ 号
から知られているからである。
【０００９】本発明による方法の有利な特徴は、請求項
２〜９の記載から明かとなる。
２〜９の記載から明かとなる。
【００１０】
【実施例】以下、添付図面を参照して本発明を実施例に
つき一層詳細に説明する。
つき一層詳細に説明する。
【００１１】図１に示したように、図１Ａに例示した基
礎層２は先ず最初に常法にて、たとえば図１Ｇに示した
濾過用シーブ１を作成する場合には、マトリックス上へ
の電着によって作成される。基礎層２は既に仕上げ濾過
用シーブ１のように成形され、このシーブは微小開口部
３と介装された材料ウェブ４とを備えると共に、微小開
口部３の幅は最終幅に一致するが、より薄くする。図１
Ｂから明らかなように、基礎層を次いで市販ネガフォト
レジスト５の２つの層５ａと５ｂとの間に設置して、こ
れを １１０℃まで加熱された２つのゴム被覆ロール間
のロールニップに導入して、５バールの圧力負荷の下で
圧延する。図１Ｃに示したように、基礎層２はこの工程
後にフォトレジスト５によって全面が覆われ、すなわち
微小開口部３も覆われる。図１Ｄに示したように、次い
でその一面に指向性紫外線６を照射し、この紫外線は露
出マスクとして作用する基礎層２のウェブ４により覆わ
れない全領域にてフォトレジスト５を通過する。ウェブ
４の下に位置しかつ光線が通過し得ないフォトレジスト
５の覆われた領域を、次いで３５℃の１％炭酸ナトリウ
ムの現像溶液にて噴霧現像により除去する。図１Ｅに示
したように、基礎層２におけるウェブ４の底面４ａは現
像後に外部に露呈される一方、微小開口部３中に侵入し
たフォトレジスト５は露出表面４ａを越えて若干突出す
る。次いで、強化層７を露出表面４ａ上に電解浴にて付
着させる。付着の後、残余のレジスト５を５０℃の３％
苛性ソーダによって除去する。
礎層２は先ず最初に常法にて、たとえば図１Ｇに示した
濾過用シーブ１を作成する場合には、マトリックス上へ
の電着によって作成される。基礎層２は既に仕上げ濾過
用シーブ１のように成形され、このシーブは微小開口部
３と介装された材料ウェブ４とを備えると共に、微小開
口部３の幅は最終幅に一致するが、より薄くする。図１
Ｂから明らかなように、基礎層を次いで市販ネガフォト
レジスト５の２つの層５ａと５ｂとの間に設置して、こ
れを １１０℃まで加熱された２つのゴム被覆ロール間
のロールニップに導入して、５バールの圧力負荷の下で
圧延する。図１Ｃに示したように、基礎層２はこの工程
後にフォトレジスト５によって全面が覆われ、すなわち
微小開口部３も覆われる。図１Ｄに示したように、次い
でその一面に指向性紫外線６を照射し、この紫外線は露
出マスクとして作用する基礎層２のウェブ４により覆わ
れない全領域にてフォトレジスト５を通過する。ウェブ
４の下に位置しかつ光線が通過し得ないフォトレジスト
５の覆われた領域を、次いで３５℃の１％炭酸ナトリウ
ムの現像溶液にて噴霧現像により除去する。図１Ｅに示
したように、基礎層２におけるウェブ４の底面４ａは現
像後に外部に露呈される一方、微小開口部３中に侵入し
たフォトレジスト５は露出表面４ａを越えて若干突出す
る。次いで、強化層７を露出表面４ａ上に電解浴にて付
着させる。付着の後、残余のレジスト５を５０℃の３％
苛性ソーダによって除去する。
【００１２】この実施例において、基礎層２は厚さ １
００μｍ の電着したニッケルで構成される。ウェブ４
の表面４ａの領域にて、微小開口部３は １００μｍ
の最小幅を有し、表面４ａから離間した基礎層２の表面
の方向へ拡大する。微小開口部３の間のウェブ４は ３
００μｍ の幅を有する。市販フォトレジストの２枚の
フィルムを被覆用に使用し、各フィルムは １００μｍ
の厚さを有する。強化層７も５５℃で電着されたニッ
ケルよりなり、これは８０μｍ の厚さを有して本発明
により製造された濾過用シーブは １８０μｍ の全厚
さを有すると共に微小開口部３の初期の寸法は変化しな
い。これらウェブには、フォトレジストの露出過度また
は露出不足によって傾斜延在する側壁部を設けることが
できる。この場合、強化層内に形成する微小開口部は一
方の側に向かって傾斜する。これは、フィルタとして使
用する際にシーブが受ける目詰まりの危険を防止する。
００μｍ の電着したニッケルで構成される。ウェブ４
の表面４ａの領域にて、微小開口部３は １００μｍ
の最小幅を有し、表面４ａから離間した基礎層２の表面
の方向へ拡大する。微小開口部３の間のウェブ４は ３
００μｍ の幅を有する。市販フォトレジストの２枚の
フィルムを被覆用に使用し、各フィルムは １００μｍ
の厚さを有する。強化層７も５５℃で電着されたニッ
ケルよりなり、これは８０μｍ の厚さを有して本発明
により製造された濾過用シーブは １８０μｍ の全厚
さを有すると共に微小開口部３の初期の寸法は変化しな
い。これらウェブには、フォトレジストの露出過度また
は露出不足によって傾斜延在する側壁部を設けることが
できる。この場合、強化層内に形成する微小開口部は一
方の側に向かって傾斜する。これは、フィルタとして使
用する際にシーブが受ける目詰まりの危険を防止する。
【００１３】図２は、図２Ｅに示した強化シヤーホイル
１１を乾燥シェーバ−に使用すべく製造する際の製造工
程を示している。この場合にも、基礎層１２を先ず最初
に慣用のシヤーホイルの形状および寸法を有するよう電
解的に製造する。この基礎層１２は剪断ホイル開口部の
最終寸法に相当する直径の開口部１３を備え、さらに表
面１４ａの一方に位置して剪断エッジ１４ｂを形成する
ウェブ１４を備える。本発明の方法を用いて、大きい摩
耗を受ける表面１４ａおよび剪断エッジ１４ｂを強化す
ることができる。この目的で、基礎層１２を液体のネガ
に作用するフォトレジストの浸漬浴に浸漬し、次いでそ
こから引き出す。開口部１３に表面張力で保持されるフ
ォトレジスト１５の付着フィルムを、次いで赤外線ラジ
エータにより９０℃まで加熱して乾燥させる。図２Ｂか
ら明らかとなるように、このアセンブリに再び指向性紫
外線１６を照射すると共に、ウェブ１４を露出マスクと
して作用させて表面１４ａの下に位置するレジスト領域
の露出を防止する一方、光線が開口部１３におけるレジ
ストを充分通過するようにする。次いでネガフォトレジ
スト１５の非照射領域を除去し、ウェブの表面１４ａが
外部に露呈されるようにする。しかしながら、同時に剪
断エッジ１４ｂにより形成された照射線シャドーに直接
に隣接位置したレジストの領域が残留する。次いで耐摩
耗材の強化層１７をその上に電着させる。この強化層１
７は、剪断エッジ１４ｂの正確に形成された照射線シャ
ドーにより剪断エッジ１４ｂの延長部で直接に終端し、
これにより正確に形成された新たな一層耐摩耗性の大き
い剪断エッジ１７ａが形成される。さらに、強化層１７
は下方向に指向するウェブ１４の表面１４ａの領域でも
耐摩耗性を増大し、その表面は乾燥シェ−バーの剃刀ブ
ロックにより掃除される。
１１を乾燥シェーバ−に使用すべく製造する際の製造工
程を示している。この場合にも、基礎層１２を先ず最初
に慣用のシヤーホイルの形状および寸法を有するよう電
解的に製造する。この基礎層１２は剪断ホイル開口部の
最終寸法に相当する直径の開口部１３を備え、さらに表
面１４ａの一方に位置して剪断エッジ１４ｂを形成する
ウェブ１４を備える。本発明の方法を用いて、大きい摩
耗を受ける表面１４ａおよび剪断エッジ１４ｂを強化す
ることができる。この目的で、基礎層１２を液体のネガ
に作用するフォトレジストの浸漬浴に浸漬し、次いでそ
こから引き出す。開口部１３に表面張力で保持されるフ
ォトレジスト１５の付着フィルムを、次いで赤外線ラジ
エータにより９０℃まで加熱して乾燥させる。図２Ｂか
ら明らかとなるように、このアセンブリに再び指向性紫
外線１６を照射すると共に、ウェブ１４を露出マスクと
して作用させて表面１４ａの下に位置するレジスト領域
の露出を防止する一方、光線が開口部１３におけるレジ
ストを充分通過するようにする。次いでネガフォトレジ
スト１５の非照射領域を除去し、ウェブの表面１４ａが
外部に露呈されるようにする。しかしながら、同時に剪
断エッジ１４ｂにより形成された照射線シャドーに直接
に隣接位置したレジストの領域が残留する。次いで耐摩
耗材の強化層１７をその上に電着させる。この強化層１
７は、剪断エッジ１４ｂの正確に形成された照射線シャ
ドーにより剪断エッジ１４ｂの延長部で直接に終端し、
これにより正確に形成された新たな一層耐摩耗性の大き
い剪断エッジ１７ａが形成される。さらに、強化層１７
は下方向に指向するウェブ１４の表面１４ａの領域でも
耐摩耗性を増大し、その表面は乾燥シェ−バーの剃刀ブ
ロックにより掃除される。
【００１４】基礎層１２はニッケルよりなりかつ５０μ
ｍ の厚さを有し、この厚さはシヤーホイルの典型であ
る。 強化層１７は錫−ニッケル合金よりなり、８μｍ の厚
さを有する。
ｍ の厚さを有し、この厚さはシヤーホイルの典型であ
る。 強化層１７は錫−ニッケル合金よりなり、８μｍ の厚
さを有する。
【００１５】図３は、図３Ｅに示した光学格子２１を製
造するための本発明の方法の実施例を示している。この
場合にも、基礎層２２は最初に常法で製造され、ここで
は湿式化学エッチングにより製造される。基礎層２２は
同様に開口部２３とウェブ２４とを有し、ウェブの幅は
仕上げ光学格子２１における所望幅と一致する。基礎層
２２は、これをレジスト浴に浸漬することにより、開口
部２３を含め全面がフォトレジスト２５により覆われる
。フォトレジスト２５は、この場合にはポジとして作用
する。指向性紫外線２６は、強化すべき表面２４ａを照
射線に露出するよう発生する。微小開口部２３の境界壁
部（その形状により）および表面２４ａに対向する表面
は光線シャドーに位置する。ポジ作用するレジスト２５
の露出領域を次いで現像して、強化すべき表面２４ａを
図３Ｃに示したように露出させる。次いで、強化層２７
をこれら表面に設け、残余のレジストをその後に除去す
る。勿論、ネガとして作用するレジストも図３によるこ
の実施例で用いることができる。しかしながら、この種
の場合には照射線を表面２４ａから離間した側から放出
せねばならない。
造するための本発明の方法の実施例を示している。この
場合にも、基礎層２２は最初に常法で製造され、ここで
は湿式化学エッチングにより製造される。基礎層２２は
同様に開口部２３とウェブ２４とを有し、ウェブの幅は
仕上げ光学格子２１における所望幅と一致する。基礎層
２２は、これをレジスト浴に浸漬することにより、開口
部２３を含め全面がフォトレジスト２５により覆われる
。フォトレジスト２５は、この場合にはポジとして作用
する。指向性紫外線２６は、強化すべき表面２４ａを照
射線に露出するよう発生する。微小開口部２３の境界壁
部（その形状により）および表面２４ａに対向する表面
は光線シャドーに位置する。ポジ作用するレジスト２５
の露出領域を次いで現像して、強化すべき表面２４ａを
図３Ｃに示したように露出させる。次いで、強化層２７
をこれら表面に設け、残余のレジストをその後に除去す
る。勿論、ネガとして作用するレジストも図３によるこ
の実施例で用いることができる。しかしながら、この種
の場合には照射線を表面２４ａから離間した側から放出
せねばならない。
【００１６】個々の図面に示した詳細は互換的であり、
したがって説明しかつ図示した実施例は改変することが
できる。たとえば、図２に示したシヤーホイルは熱の作
用下でレジストフィルムを圧延してレジストで被覆する
ことができ、或いは図１に示した濾過用シーブをレジス
ト浴中に浸漬することもできる。さらに、冒頭に記載し
かつ微小開口部を設けた物品は全て本発明の方法により
強化することができる。所望ならば、種々異なる材料よ
りなる２種もしくはそれ以上の強化層を、物品がフォト
レジストで１回被覆されかつ露出されて現像された後に
施すこともできる。極めて大きい全体的な強化層の厚さ
が望ましければ、全過程を強化層が施された後に１回も
しくは数回反復して第二の強化層または数個の強化層を
設けることもできる。フォトレジストの代わりに、たと
えばポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）のようなＸ線
感受性のレジスト材料も使用することができ、この場合
にはたとえば照射目的で用いられかつシンクロトロンか
ら放出される指向性Ｘ線が使用するのに適している。電
着の他、浴中での化学還元性の金属付着により強化層を
施すこともできる。最後に、強化層は蒸着もしくはスパ
ッタリング法で減圧下に形成することもできる。金属の
上記基礎層の他、非導電性の基礎層材料も本発明の方法
で強化することができる。この目的で、基礎層はその全
表面またはその領域にて直接的にフォトレジストを被覆
する前に或いは事前の化学活性化の後に金属化される。
したがって説明しかつ図示した実施例は改変することが
できる。たとえば、図２に示したシヤーホイルは熱の作
用下でレジストフィルムを圧延してレジストで被覆する
ことができ、或いは図１に示した濾過用シーブをレジス
ト浴中に浸漬することもできる。さらに、冒頭に記載し
かつ微小開口部を設けた物品は全て本発明の方法により
強化することができる。所望ならば、種々異なる材料よ
りなる２種もしくはそれ以上の強化層を、物品がフォト
レジストで１回被覆されかつ露出されて現像された後に
施すこともできる。極めて大きい全体的な強化層の厚さ
が望ましければ、全過程を強化層が施された後に１回も
しくは数回反復して第二の強化層または数個の強化層を
設けることもできる。フォトレジストの代わりに、たと
えばポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）のようなＸ線
感受性のレジスト材料も使用することができ、この場合
にはたとえば照射目的で用いられかつシンクロトロンか
ら放出される指向性Ｘ線が使用するのに適している。電
着の他、浴中での化学還元性の金属付着により強化層を
施すこともできる。最後に、強化層は蒸着もしくはスパ
ッタリング法で減圧下に形成することもできる。金属の
上記基礎層の他、非導電性の基礎層材料も本発明の方法
で強化することができる。この目的で、基礎層はその全
表面またはその領域にて直接的にフォトレジストを被覆
する前に或いは事前の化学活性化の後に金属化される。
【図１】図１Ａ〜１Ｇは、本発明による濾過用シーブの
製造方法の工程図である。
製造方法の工程図である。
【図２】図２Ａ〜２Ｅは、本発明によるシヤーホイルの
製造方法の工程図である。
製造方法の工程図である。
【図３】図３Ａ〜３Ｅは、本発明による光学格子の製造
方法の工程図である。
方法の工程図である。
１ 濾過用シーブ
２ 基礎層
３ 微小開口部
４ 材料ウェブ
５ フォトレジスト
Claims (9)
- 【請求項１】 少なくとも１つの強化層が基礎層上に
設けられてなる微小開口部を有する扁平強化物品を製造
するに際し、予備加工された基礎層にはその両面に放射
線感受性レジストをこのレジストが微小開口部を埋める
ように被覆し、前記レジストが設けられた前記基礎層に
はその１面に前記微小開口部における前記レジストを通
過する照射線を照射し、前記強化層を設けるべき前記基
礎層の表面領域から前記レジストを除去し、前記強化層
を施し、次いで残余のレジストを除去することを特徴と
する扁平強化物品の製造方法。 - 【請求項２】 第二強化層を第一強化層上に施すこと
を特徴とする請求項１に記載の方法。 - 【請求項３】 前記レジストによる被覆を減圧下で行
なうことを特徴とする請求項１または２に記載の方法。 - 【請求項４】 指向性紫外線もしくはＸ線を照射線と
して使用することを特徴とする請求項１〜３のいずれか
に記載の方法。 - 【請求項５】 前記強化層を浴中での電着または化学
還元的金属付着によって形成させることを特徴とする請
求項１〜４のいずれかに記載の方法。 - 【請求項６】 前記強化層を減圧装置での蒸着または
スパッタリング法にて形成させることを特徴とする請求
項１〜４のいずれかに記載の方法。 - 【請求項７】 レジストで被覆する前に、全表面にわ
たりまたは前記表面の領域にて電着または化学還元的金
属付着の目的で非導電性の基礎層を直接にまたは事前の
化学活性化の後に金属化することを特徴とする請求項５
に記載の方法。 - 【請求項８】 レジストで被覆するため基礎層を２つ
のレジストフィルム層の間に設置すると共に、前記レジ
ストを前記基礎層上にその両面にて圧力および熱を加え
ることにより施して、前記微小開口部中に圧入させるこ
とを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の方法。 - 【請求項９】 レジストで被覆するため基礎層を液体
レジストの浴中に浸漬すると共に、レジスト被覆を熱の
作用下で乾燥させることを特徴とする請求項１〜７のい
ずれかに記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE4042125A DE4042125A1 (de) | 1990-12-28 | 1990-12-28 | Verfahren zum herstellen eines mikrooeffnungen aufweisenden, verstaerkten flachen gegenstandes |
| DE4042125.2 | 1990-12-28 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04301095A true JPH04301095A (ja) | 1992-10-23 |
Family
ID=6421629
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3312314A Pending JPH04301095A (ja) | 1990-12-28 | 1991-11-27 | 微小開口部を有する扁平強化物品の製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5213849A (ja) |
| EP (1) | EP0492060A1 (ja) |
| JP (1) | JPH04301095A (ja) |
| DE (1) | DE4042125A1 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW277152B (ja) * | 1994-05-10 | 1996-06-01 | Hitachi Chemical Co Ltd | |
| JPH09171953A (ja) * | 1995-12-20 | 1997-06-30 | Sony Corp | 基板加熱装置、基板加熱方法および半導体集積回路装置、フォトマスクならびに液晶表示装置 |
| US5912056A (en) * | 1997-03-31 | 1999-06-15 | Candescent Technologies Corporation | Black matrix with conductive coating |
| DE10305425B4 (de) * | 2003-02-03 | 2006-04-27 | Siemens Ag | Herstellungsverfahren für eine Lochscheibe zum Ausstoßen eines Fluids |
| US9389337B1 (en) | 2012-10-24 | 2016-07-12 | Chia-Jean Wang | Selective coating of a component using a potting process |
| CN107779917B (zh) * | 2017-09-21 | 2019-04-16 | 河南理工大学 | 一种薄壁圆网的成形方法 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1496730A1 (de) * | 1964-06-13 | 1969-07-31 | Balco Filtertechnik Gmbh | Verfahren zur galvanoplastischen Herstellung von Mikrolochungen,insbesondere bei dicken Siebblechen |
| NL6710441A (ja) * | 1967-07-28 | 1969-01-30 | ||
| JPS53138734A (en) * | 1977-05-11 | 1978-12-04 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | Substrate for screen photoreceptor |
| DE2829529A1 (de) * | 1978-07-05 | 1980-01-24 | Balco Filtertechnik Gmbh | Verfahren zur herstellung von sieben fuer zentrifugen, insbesondere von arbeitssieben fuer kontinuierlich arbeitende zentrifugen |
| EP0057268A3 (en) * | 1981-02-02 | 1982-11-10 | International Business Machines Corporation | Method of fabricating x-ray lithographic masks |
| DE3118335A1 (de) * | 1981-05-08 | 1982-11-25 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zur galvanischen und aetztechnischen strukturierung von scheiben mit isolierenden ringzonen im muendungsbereich von bohrungen |
| DE3517730A1 (de) * | 1985-05-17 | 1986-11-20 | Kernforschungszentrum Karlsruhe Gmbh, 7500 Karlsruhe | Verfahren zum herstellen von spinnduesenplatten |
| DE3524411A1 (de) * | 1985-07-09 | 1987-01-15 | Kernforschungsz Karlsruhe | Verfahren zum herstellen von spinnduesenplatten |
| GB8620484D0 (en) * | 1986-08-22 | 1986-10-01 | Raychem Ltd | Plugged microporous film |
-
1990
- 1990-12-28 DE DE4042125A patent/DE4042125A1/de not_active Withdrawn
-
1991
- 1991-09-12 EP EP91115482A patent/EP0492060A1/de not_active Ceased
- 1991-11-19 US US07/794,545 patent/US5213849A/en not_active Expired - Fee Related
- 1991-11-27 JP JP3312314A patent/JPH04301095A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0492060A1 (de) | 1992-07-01 |
| DE4042125A1 (de) | 1992-07-02 |
| US5213849A (en) | 1993-05-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4224361A (en) | High temperature lift-off technique | |
| DE1917474C3 (de) | Verfahren zum Herstellen metallischer Muster auf einer Unterlage | |
| DE2627003A1 (de) | Verfahren zur herstellung einer fuer die projektionslithographie verwendbaren selbsttragenden maske | |
| DE2658133A1 (de) | Selbsttragende bestrahlungsmaske mit durchgehenden oeffnungen und verfahren zu ihrer herstellung | |
| DE102009058262A1 (de) | Geschichtete Strahlensensitive Materialien mit variierender Sensitivität | |
| US4379737A (en) | Method to make a built up area rotary printing screen | |
| JPH04301095A (ja) | 微小開口部を有する扁平強化物品の製造方法 | |
| US4405709A (en) | Process for fabricating gravure printing plate blank | |
| EP0141335B1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Röntgenmaske mit Metallträgerfolie | |
| DE3045964A1 (de) | Roentgenlithographische maske und verfahren zu ihrer herstellung | |
| JP3865085B2 (ja) | 電鋳製品の製造方法 | |
| JP3934723B2 (ja) | メタルマスクの製造方法 | |
| JPH0739061B2 (ja) | 紡糸ノズル板の製法 | |
| JPH11347491A (ja) | 分級用フィルター | |
| EP0057268A2 (en) | Method of fabricating X-ray lithographic masks | |
| JPS63303737A (ja) | スクリ−ン印刷用メタルマスク、及びその製造法 | |
| EP0402377A1 (de) | Verfahren zur herstellung eines mit einem prägemuster versehenen metallischen endlosbandes. | |
| US6379871B1 (en) | Method for fabricating a mask for a LIGA process | |
| JP2005518086A (ja) | 集積化インダクタコアを有するプリント回路板 | |
| ITVI20110122A1 (it) | Metodo e apparato per la fabbricazione di lead frames | |
| NL8500102A (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een vlakke stencilplaat. | |
| KR970015789A (ko) | 초경강판재의 패턴 형성 방법 | |
| JPH0626246U (ja) | Ｘ線リトグラフィによりパターンをラッカー層に形成するマスク | |
| JPH05270161A (ja) | スクリーン印刷版 | |
| DE2645081C2 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Dünnfilmstruktur |