JPH04291747A - 配線基板 - Google Patents
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- JPH04291747A JPH04291747A JP3056556A JP5655691A JPH04291747A JP H04291747 A JPH04291747 A JP H04291747A JP 3056556 A JP3056556 A JP 3056556A JP 5655691 A JP5655691 A JP 5655691A JP H04291747 A JPH04291747 A JP H04291747A
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- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 38
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims abstract description 15
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 12
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 11
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims abstract description 8
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims abstract description 7
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims abstract description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 3
- 238000005536 corrosion prevention Methods 0.000 claims description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 10
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 abstract description 4
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 abstract description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 2
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 abstract description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 150000002343 gold Chemical class 0.000 description 1
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000007725 thermal activation Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/4901—Structure
- H01L2224/4903—Connectors having different sizes, e.g. different diameters
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01013—Aluminum [Al]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01022—Titanium [Ti]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01024—Chromium [Cr]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01028—Nickel [Ni]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01029—Copper [Cu]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本願発明は、半導体素子等の電気
素子を搭載する配線基板に関するものである。
素子を搭載する配線基板に関するものである。
【0002】
【従来の技術】半導体素子等の機能素子を含む信号用も
しくは電源系配線を具備した製品としては、ハイブリッ
ドICや各種ICパッケージなど数多くのものがある。 最近では、リードフレームおよび樹脂封止を用いた自動
化が容易で低コストないわゆるプラスチックパッケージ
の内部に、スクリーン印刷法でAg−Pd系配線を形成
してあるアルミナ配線基板もしくはプリント配線基板を
搭載して複数素子の搭載を可能ならしめた製品も開発さ
れている。
しくは電源系配線を具備した製品としては、ハイブリッ
ドICや各種ICパッケージなど数多くのものがある。 最近では、リードフレームおよび樹脂封止を用いた自動
化が容易で低コストないわゆるプラスチックパッケージ
の内部に、スクリーン印刷法でAg−Pd系配線を形成
してあるアルミナ配線基板もしくはプリント配線基板を
搭載して複数素子の搭載を可能ならしめた製品も開発さ
れている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】半導体装置はより一層
の高集積化、軽薄短小化、低コスト化の方向に進んでい
ることから、これらの要求に対応しうるプラスチックパ
ッケージ内蔵用配線基板が求められている。ところが、
先に挙げたアルミナ配線基板は、配線の微細化による高
密度化や薄型化が困難である。プリント配線基板も同様
に配線の微細化による高密度化が難しい。また、このプ
リント配線基板は、素子搭載時、特に、ワイヤボンディ
ング時に接着剤が軟化すると云う問題がある。そこで、
本発明はこれ等の問題点を解決して上記の要求に応える
ことを可能ならしめた配線基板を提供しようとするもの
である。
の高集積化、軽薄短小化、低コスト化の方向に進んでい
ることから、これらの要求に対応しうるプラスチックパ
ッケージ内蔵用配線基板が求められている。ところが、
先に挙げたアルミナ配線基板は、配線の微細化による高
密度化や薄型化が困難である。プリント配線基板も同様
に配線の微細化による高密度化が難しい。また、このプ
リント配線基板は、素子搭載時、特に、ワイヤボンディ
ング時に接着剤が軟化すると云う問題がある。そこで、
本発明はこれ等の問題点を解決して上記の要求に応える
ことを可能ならしめた配線基板を提供しようとするもの
である。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明の配線基板は、上
記の課題を解決するため、リードフレーム材料等から成
る金属板の表面に薄膜の誘電体層を設け、この誘電体層
の表面または金属板の露出面を電気素子搭載面とし、か
つその誘導体層上に信号用及び/もしくは電源系の配線
層を設ける。そして更に誘電体上の配線層についてはア
ルミの導電層、クロム又はチタンもしくはこれ等の積層
物から成る接着層、ニッケル又は銅もしくはこれ等の積
層物から成る拡散バリア層、金から成る腐食防止兼ワイ
ヤ接合層を気相蒸着法もしくはメッキ法で順に積層した
構造となす。
記の課題を解決するため、リードフレーム材料等から成
る金属板の表面に薄膜の誘電体層を設け、この誘電体層
の表面または金属板の露出面を電気素子搭載面とし、か
つその誘導体層上に信号用及び/もしくは電源系の配線
層を設ける。そして更に誘電体上の配線層についてはア
ルミの導電層、クロム又はチタンもしくはこれ等の積層
物から成る接着層、ニッケル又は銅もしくはこれ等の積
層物から成る拡散バリア層、金から成る腐食防止兼ワイ
ヤ接合層を気相蒸着法もしくはメッキ法で順に積層した
構造となす。
【0005】
【作用】配線層に用いたアルミは安価な金属である。一
般的に薄膜配線に用いられる材料としては金があるが、
その原料コストは貴金属であるためかなり高くつく。ま
た、このように、アルミを導電層として用いることで、
基板の原料コストは大幅に減じられるが、樹脂封止形態
ではその吸湿性からアルミの場合配線腐食を起こし易い
。
般的に薄膜配線に用いられる材料としては金があるが、
その原料コストは貴金属であるためかなり高くつく。ま
た、このように、アルミを導電層として用いることで、
基板の原料コストは大幅に減じられるが、樹脂封止形態
ではその吸湿性からアルミの場合配線腐食を起こし易い
。
【0006】また、一般に良く用いられる金ワイヤボン
ディング結線では、金−アルミ間で熱活性化により金属
間化合物が生成し電気抵抗増、結線部の強度劣化を招き
やすい。
ディング結線では、金−アルミ間で熱活性化により金属
間化合物が生成し電気抵抗増、結線部の強度劣化を招き
やすい。
【0007】そこで本発明では、導電層であるアルミ上
に、先ず、接着層としてクロム、チタンのいずれか又は
それ等を積層したものを設け、次に、この上に拡散バリ
ア層としてのニッケル、銅の単体や積層物を設け、その
上に更に腐食防止及び金ワイヤボンディング時の化合物
形成抑止のための金層を設けることで問題解決を図って
いる。配線形成の手法として、気相蒸着法もしくはメッ
キ法を用いたのは、これ等の方法による薄膜は微細化に
適しており、スクリーン印刷法では困難な配線幅100
μm以下を比較的容易に実現できるからである。
に、先ず、接着層としてクロム、チタンのいずれか又は
それ等を積層したものを設け、次に、この上に拡散バリ
ア層としてのニッケル、銅の単体や積層物を設け、その
上に更に腐食防止及び金ワイヤボンディング時の化合物
形成抑止のための金層を設けることで問題解決を図って
いる。配線形成の手法として、気相蒸着法もしくはメッ
キ法を用いたのは、これ等の方法による薄膜は微細化に
適しており、スクリーン印刷法では困難な配線幅100
μm以下を比較的容易に実現できるからである。
【0008】アルミの膜厚は、導電性を考慮すると概ね
100mΩ/mm以下の配線が必要であるので比較的厚
い5μm以上を要するが、その量産性は非常に高く実績
がある。
100mΩ/mm以下の配線が必要であるので比較的厚
い5μm以上を要するが、その量産性は非常に高く実績
がある。
【0009】接着層は、アルミの導電層と拡散バリア層
の密着性を高めるためのものである。この接着層を構成
するクロム、チタン又はそれ等の積層物の膜厚は0.0
1μm以上、0.5μm以下であることが望ましい。0
.01μm以下では十分な接着効果を得にくく、0.5
μm以上では薄膜形成に要するコストが上昇する。
の密着性を高めるためのものである。この接着層を構成
するクロム、チタン又はそれ等の積層物の膜厚は0.0
1μm以上、0.5μm以下であることが望ましい。0
.01μm以下では十分な接着効果を得にくく、0.5
μm以上では薄膜形成に要するコストが上昇する。
【0010】拡散バリア層となるニッケル、銅又はそれ
等の積層物の膜厚は0.05μm以上、5μm以下で十
分である。この層の膜厚が0.05 μm以下では拡散
バリアの効果がさほど認められず、また、5μm以上で
は薄膜形成に要するコストが上昇するのであまり好まし
くない。
等の積層物の膜厚は0.05μm以上、5μm以下で十
分である。この層の膜厚が0.05 μm以下では拡散
バリアの効果がさほど認められず、また、5μm以上で
は薄膜形成に要するコストが上昇するのであまり好まし
くない。
【0011】金層の膜厚は、0.05 μm以上0.5
μm以下であることが好ましい。この金の膜厚が0.0
5 μm以下では、腐食防止およびワイヤボンディング
性の向上について充分な効果が認められず、また0.5
μm以上では金の原料コストが高くつき、製品としての
コスト上昇を招くため好ましくない。
μm以下であることが好ましい。この金の膜厚が0.0
5 μm以下では、腐食防止およびワイヤボンディング
性の向上について充分な効果が認められず、また0.5
μm以上では金の原料コストが高くつき、製品としての
コスト上昇を招くため好ましくない。
【0012】以上述べた内容により微細配線を有し、か
つ樹脂封止形態に於いても十分な信頼性を有する配線基
板を提供できるが、金属基板上の誘電体層としてアルミ
ナ等の無機誘電体薄膜を直接形成することにより、非常
に薄い表面実装型のフラットパッケージを実現できる。 また、プリント配線基板のように接着剤軟化による実装
信頼性の低下を招く恐れもない。
つ樹脂封止形態に於いても十分な信頼性を有する配線基
板を提供できるが、金属基板上の誘電体層としてアルミ
ナ等の無機誘電体薄膜を直接形成することにより、非常
に薄い表面実装型のフラットパッケージを実現できる。 また、プリント配線基板のように接着剤軟化による実装
信頼性の低下を招く恐れもない。
【0013】
【実施例】図に本発明の配線基板の1実施例を示す。
【0014】図の1は、ベースになる金属板、2は1の
表面上に直接形成した薄い誘電体、3は2上に形成した
Vcc配線、4は同じく2上に形成したGND配線、5
は2上に形成した信号(I/O)用配線であり、GND
配線4は誘電体を一部切り欠いてこの部分で一端を金属
板1に接続している。6は、Vcc外部リード、7はG
ND外部リードである。3、4、5の各配線は、Al/
Cr、Ti又はそれ等の積層物/Ni、Cu又はそれ等
の積層物/Auを順に積層して成る薄膜配線である。
表面上に直接形成した薄い誘電体、3は2上に形成した
Vcc配線、4は同じく2上に形成したGND配線、5
は2上に形成した信号(I/O)用配線であり、GND
配線4は誘電体を一部切り欠いてこの部分で一端を金属
板1に接続している。6は、Vcc外部リード、7はG
ND外部リードである。3、4、5の各配線は、Al/
Cr、Ti又はそれ等の積層物/Ni、Cu又はそれ等
の積層物/Auを順に積層して成る薄膜配線である。
【0015】誘電体2上に搭載した半導体素子8の電源
用電極はボンディングワイヤ9を介してVcc配線3に
接続され、接地用電極は同じくボンディングワイヤ9で
GND配線4に接続される。また、Vcc配線3はVc
c外部リード6に、GND配線4はGND外部リード7
に各々ボンディングワイヤ9を用いて接続される。一方
、素子8の信号用電極は、最終的には6、7のリードと
同様の形態を有する信号用外部リード(図示せず)に接
続するが、図のように信号用配線5を設ける場合には少
なくとも一部の信号用電極は配線5経由で外部リードに
接続する。
用電極はボンディングワイヤ9を介してVcc配線3に
接続され、接地用電極は同じくボンディングワイヤ9で
GND配線4に接続される。また、Vcc配線3はVc
c外部リード6に、GND配線4はGND外部リード7
に各々ボンディングワイヤ9を用いて接続される。一方
、素子8の信号用電極は、最終的には6、7のリードと
同様の形態を有する信号用外部リード(図示せず)に接
続するが、図のように信号用配線5を設ける場合には少
なくとも一部の信号用電極は配線5経由で外部リードに
接続する。
【0016】このようにしておくと、1と3及び5と3
の間は直流電源に対して誘電体2が絶縁層となって絶縁
されるので、1と3が電極となってVcc配線3の形成
域の全域にバイパスコンデンサが作り出され、素子8に
対する素子スイッチング時のノイズの侵入が防止される
。
の間は直流電源に対して誘電体2が絶縁層となって絶縁
されるので、1と3が電極となってVcc配線3の形成
域の全域にバイパスコンデンサが作り出され、素子8に
対する素子スイッチング時のノイズの侵入が防止される
。
【0017】以下により詳細な実施例について述べる。
(実験1)図1で説明したごとき本発明の配線基板に半
導体素子としてCMOSディジタルロジックICを搭載
し、図2に示す表面実装型である樹脂封止の132ピン
プラスチックフラットパッケージ(PQFP)10を作
製した。このパッケージのプラスチックボディ11の大
きさは24×24×4mmであり、外部リードピンの一
辺の数は33本、ピンピッチは0.64mm であった
。また、図1及び図2の3に相当するVcc配線の面積
は、ボンディングワイヤ9による結線を無理なく行うた
め40mm2 を確保した。この配線面積が誘電体によ
るバイパスコンデンサの実質的な電極面積となる。
導体素子としてCMOSディジタルロジックICを搭載
し、図2に示す表面実装型である樹脂封止の132ピン
プラスチックフラットパッケージ(PQFP)10を作
製した。このパッケージのプラスチックボディ11の大
きさは24×24×4mmであり、外部リードピンの一
辺の数は33本、ピンピッチは0.64mm であった
。また、図1及び図2の3に相当するVcc配線の面積
は、ボンディングワイヤ9による結線を無理なく行うた
め40mm2 を確保した。この配線面積が誘電体によ
るバイパスコンデンサの実質的な電極面積となる。
【0018】ここで用いたICは、バイパスコンデンサ
として500pF程度以上の容量を必要とする。そこで
、表1に示す構成の7種類の配線基板を作成し、組立て
前にその性能を評価した。
として500pF程度以上の容量を必要とする。そこで
、表1に示す構成の7種類の配線基板を作成し、組立て
前にその性能を評価した。
【0019】
【表1】
【0020】その結果、これ等の試作基板はいずれも電
気容量が約490pFであった。
気容量が約490pFであった。
【0021】また、これ等の基板を使って作られたPQ
FPは、全試作品とも、CMOSディジタルロジックI
Cの同時スイッチング数を増加させても特に問題となる
ような信号(I/O)ノイズ波形は現れず、配線基板が
正常に機能することを確認できた。
FPは、全試作品とも、CMOSディジタルロジックI
Cの同時スイッチング数を増加させても特に問題となる
ような信号(I/O)ノイズ波形は現れず、配線基板が
正常に機能することを確認できた。
【0022】次に、信頼性評価のため、150℃、10
00時間の高温放置試験を実施したあと、上記試作品の
特性評価を再度行ったところ、■〜■及び■のサンプル
については良好な結果が得られたものの、■、■、■の
サンプルについては一部誤動作するものが発生した。そ
こでこれ等のサンプルを解体調査した結果、■について
は金の膜厚不足により金ボンディングワイヤと配線部の
接着面の強度劣化が起こり、これが誤作動の原因となっ
ていることが判明した。また、■、■のサンプルについ
てはバリア層の厚みが薄いためAlのAu層への拡散が
生じており、十分な拡散バリア効果が得られていないこ
とが判明した。
00時間の高温放置試験を実施したあと、上記試作品の
特性評価を再度行ったところ、■〜■及び■のサンプル
については良好な結果が得られたものの、■、■、■の
サンプルについては一部誤動作するものが発生した。そ
こでこれ等のサンプルを解体調査した結果、■について
は金の膜厚不足により金ボンディングワイヤと配線部の
接着面の強度劣化が起こり、これが誤作動の原因となっ
ていることが判明した。また、■、■のサンプルについ
てはバリア層の厚みが薄いためAlのAu層への拡散が
生じており、十分な拡散バリア効果が得られていないこ
とが判明した。
【0023】
【発明の効果】以上述べたように、本発明の配線基板は
、その構造から、省スペース、配線信頼性の維持が可能
となり、かつ配線層としてAlをベースとする薄膜の複
合構造を用いていることから、安価なものとなっている
。従って、本発明の配線基板を使用することにより、各
種半導体装置の高集積化、軽薄短小化、低コスト化を実
現でき、時代のニーズに応えた半導体装置を提供するこ
とが可能になる。
、その構造から、省スペース、配線信頼性の維持が可能
となり、かつ配線層としてAlをベースとする薄膜の複
合構造を用いていることから、安価なものとなっている
。従って、本発明の配線基板を使用することにより、各
種半導体装置の高集積化、軽薄短小化、低コスト化を実
現でき、時代のニーズに応えた半導体装置を提供するこ
とが可能になる。
【図1】本発明の配線基板の一例を示す斜視図
【図2】
本発明の配線基板を用いた半導体装置の一例を示す図
本発明の配線基板を用いた半導体装置の一例を示す図
1 金属板
2 誘電体
3 Vcc配線
4 GND配線
5 信号用配線
6 Vcc外部リード
7 GND外部リード
8 半導体素子
9 ボンディングワイヤ
10 PQFP
11 プラスチックボディ
Claims (3)
- 【請求項1】 金属板の表面に薄膜の誘電体層を設け
、この誘電体層の表面または金属板の露出面を電気素子
搭載面とし、かつその誘導体層上に信号用及び/もしく
は電源系の配線層を設ける配線基板であって、前記配線
層が、アルミの導電層、クロム又はチタンもしくはこれ
等の積層物から成る接着層、ニッケル又は銅もしくはこ
れ等の積層物から成る拡散バリア層、金から成る腐食防
止兼ワイヤ接合層を気相蒸着法もしくはメッキ法で順に
積層して構成されていることを特徴とする配線基板。 - 【請求項2】 前記配線層に接続して配線層の外部引
き出し用リードとなすリードフレームを含んでいる請求
項1記載の配線基板。 - 【請求項3】 前記誘電体が無機誘電体薄膜であり、
金属板上に直接形成されている請求項1又は2記載の配
線基板。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3056556A JPH04291747A (ja) | 1991-03-20 | 1991-03-20 | 配線基板 |
DE69207507T DE69207507T2 (de) | 1991-02-25 | 1992-02-24 | Leiterplatte |
EP92905294A EP0526656B1 (en) | 1991-02-25 | 1992-02-24 | Wiring board |
PCT/JP1992/000198 WO1992015117A1 (en) | 1991-02-25 | 1992-02-24 | Wiring board |
US07/949,474 US5369220A (en) | 1991-02-25 | 1992-02-24 | Wiring board having laminated wiring patterns |
CA 2080814 CA2080814C (en) | 1991-02-25 | 1992-02-24 | Wiring board |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3056556A JPH04291747A (ja) | 1991-03-20 | 1991-03-20 | 配線基板 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04291747A true JPH04291747A (ja) | 1992-10-15 |
Family
ID=13030390
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3056556A Pending JPH04291747A (ja) | 1991-02-25 | 1991-03-20 | 配線基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04291747A (ja) |
-
1991
- 1991-03-20 JP JP3056556A patent/JPH04291747A/ja active Pending
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