JPS60189958A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS60189958A JPS60189958A JP59046147A JP4614784A JPS60189958A JP S60189958 A JPS60189958 A JP S60189958A JP 59046147 A JP59046147 A JP 59046147A JP 4614784 A JP4614784 A JP 4614784A JP S60189958 A JPS60189958 A JP S60189958A
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- Japan
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- pellets
- pellet
- pellet mounting
- land sections
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
イ、産業上の利用分野
本発明はICやLSI等の樹脂封止型半導体装置に関す
るものである。
るものである。
口、従来技術
一般にICJPLSI等の樹脂型半導体装置は、第1図
に示すように直方体状に樹脂モールド成形された外装樹
脂材(1)の両側面より複数本のリード(2) (2’
)−を導出して同一方向に略90”折曲したデュアルイ
ンライン形状のものが多く、この種半導体装置は安価な
割に信頼性が高いため、広範囲に亘って使用されている
。
に示すように直方体状に樹脂モールド成形された外装樹
脂材(1)の両側面より複数本のリード(2) (2’
)−を導出して同一方向に略90”折曲したデュアルイ
ンライン形状のものが多く、この種半導体装置は安価な
割に信頼性が高いため、広範囲に亘って使用されている
。
上記半導体装置、例えばモノリシックLSIの内部構造
についてその具体例を第2図及び第3図に示し説明する
。同図に示すようにFez Ni等の金属表面に銀メッ
キ処理を施したベースリボン(3)の略中央に幅広のア
イランド部(4)を形成し、該アイランド部(4)上に
半導体ペレット(5)(以下単にベレットと称す)をA
gペースト或いは半田を介して載置固定する。上記ベレ
ット(5)の表面にAI蒸着等により形成された電極を
外部に引出すリード(2)は先端部(2a)が上記アイ
ランド部(4)上のベレット(5)を囲繞するようにベ
ースリボン(3)の両側に等間隔をおいて配置され且つ
、同一方向に略90°折曲されている。尚、このリード
(2)は上記ベースリボン(3)と同一材料からなる。
についてその具体例を第2図及び第3図に示し説明する
。同図に示すようにFez Ni等の金属表面に銀メッ
キ処理を施したベースリボン(3)の略中央に幅広のア
イランド部(4)を形成し、該アイランド部(4)上に
半導体ペレット(5)(以下単にベレットと称す)をA
gペースト或いは半田を介して載置固定する。上記ベレ
ット(5)の表面にAI蒸着等により形成された電極を
外部に引出すリード(2)は先端部(2a)が上記アイ
ランド部(4)上のベレット(5)を囲繞するようにベ
ースリボン(3)の両側に等間隔をおいて配置され且つ
、同一方向に略90°折曲されている。尚、このリード
(2)は上記ベースリボン(3)と同一材料からなる。
そしてベレット(5)の表面に形成した電極と上記リー
ド(2)の先端部(2a)とを例えばAu製の金属細線
(6)(6)、−にて電気的に接続する。この状態で図
示鎖線で示すように外装樹脂材(1)を直方体状に樹脂
モールド成形して第1図に示す半導体装置を得る。
ド(2)の先端部(2a)とを例えばAu製の金属細線
(6)(6)、−にて電気的に接続する。この状態で図
示鎖線で示すように外装樹脂材(1)を直方体状に樹脂
モールド成形して第1図に示す半導体装置を得る。
ところで上記モノリシックLSIにおける内部構造では
必然的にベースリボン(3)のアイランド部(4)に載
置されるペレット(5)は1個に限定されるため、この
LSIの機能は上記ペレット(5)に含まれる単一機能
に制限される。近年、自動車や航空機等に装備される機
器類は積極的にIC化されつつあり、それら機器類を完
全自動化するため、多機能のLSIの開発が要望されて
いる。上記モノリシックLSIを利用して多機能を持た
せるためには異なる機能のモリシックLSIを複数個基
板上に配置し、各モノリシックLSIを電気的に接続し
なければならず、装置の大型化を免れ得ないと共に1つ
の部品として上記機器類に搭載することが不可能であっ
た。また蒸気モノリシックLSIはシグナルデバイスの
ため、実際上の回路構成では該モノリシックLSIの外
部回路としてパワーデバイスを設けなければ鳴らないと
いう問題点があった。更に上述したように自動車や航空
機等に装備されるm器類にモノリシックLSIを使用す
る場合、高周波による回路への悪影響の防止や耐熱性を
考慮しなければならないという問題点があった。
必然的にベースリボン(3)のアイランド部(4)に載
置されるペレット(5)は1個に限定されるため、この
LSIの機能は上記ペレット(5)に含まれる単一機能
に制限される。近年、自動車や航空機等に装備される機
器類は積極的にIC化されつつあり、それら機器類を完
全自動化するため、多機能のLSIの開発が要望されて
いる。上記モノリシックLSIを利用して多機能を持た
せるためには異なる機能のモリシックLSIを複数個基
板上に配置し、各モノリシックLSIを電気的に接続し
なければならず、装置の大型化を免れ得ないと共に1つ
の部品として上記機器類に搭載することが不可能であっ
た。また蒸気モノリシックLSIはシグナルデバイスの
ため、実際上の回路構成では該モノリシックLSIの外
部回路としてパワーデバイスを設けなければ鳴らないと
いう問題点があった。更に上述したように自動車や航空
機等に装備されるm器類にモノリシックLSIを使用す
る場合、高周波による回路への悪影響の防止や耐熱性を
考慮しなければならないという問題点があった。
ハ0発明の目的
本発明は上記問題点に鑑み提案されたもので、絶縁基板
上に載置された複数のペレットからなる多機能を有する
半導体装置を提供することを目的とする。
上に載置された複数のペレットからなる多機能を有する
半導体装置を提供することを目的とする。
二1発明の構成
本発明はベースリボンの略中夫に設けられたアイランド
状の絶縁基板に複数のペレットマウント用及び配線用の
ランド部を形成し、各ペレットマウント用のランド部に
異なる機能を有する複数の半導体ペレットを夫々載置す
ると共に、このペレットマウント用のランド部上の半導
体ペレット、該半導体ペレットの複数の電極引出しリー
ド及び上記配線用のランド部の3者を金属細線にて電気
的に接続して絶縁モールドしたものである。
状の絶縁基板に複数のペレットマウント用及び配線用の
ランド部を形成し、各ペレットマウント用のランド部に
異なる機能を有する複数の半導体ペレットを夫々載置す
ると共に、このペレットマウント用のランド部上の半導
体ペレット、該半導体ペレットの複数の電極引出しリー
ド及び上記配線用のランド部の3者を金属細線にて電気
的に接続して絶縁モールドしたものである。
ホ、実施例
以下に本発明に係る半導体装置の一実施例、即ちマルチ
ファンクションLSIの内部構造を第4図及至第6図に
示し説明する。同図に於いて、(7)はFe、Ni等の
金属表面に銀メッキ処理を施したベースリボン、(8)
は該ベースリボン(7)の対向する端部に溶着して該端
部間に架設した絶縁基板で、この絶縁基板(8)は後述
するように第2図に示すモノリシックLSIのアイラン
ド部(4)よりも拡大され、複数のペレット等が載置さ
れ得る程度の大面積を有する。一方この絶縁基板(8)
は第6図に示す構造で、即ち上記絶縁基板(8)の機械
的強度を保持するため比較的肉厚状にしたエポキシ層(
9)の上面に絶縁材料からなる比較的肉薄状のトリアジ
ン層(10)を積層形成する。このトリアジン層(10
)の上面に所定のパターンでペレットマウント用及び配
線用のランド部(8a)(8b) −を形成する。この
各ランI′部(8a) (8b)は3N構造からなり、
最下層(11)は導電材料、例えばCu製で、最上M
(12)は金属細線に対する付着製が良く、且つ、表面
保護のため耐蝕性の良好な金属、例えばAu製のもので
、これらCuとAuの付着製が悪いため、上記最下層(
11)と最上層(12)間にNiHの中間層(13)を
介在させている。上記ペレットマウント用の各ランド部
(8a)・−に異なる機能を有する複数のペレット(1
4) (14)−をへgペースト或いは半田を介して載
置固定する。この異なる機能を有する複数のペレットは
、前記モノリシックLSIの他に、例えばパワーIC,
)ランジスタ、ダイオード等の半導体素子や抵抗アレイ
、コンデンサアレイ等の受動素子から構成される。(1
5)(15)〜は先端部(15a ) (15a )・
−が上記絶縁基板(8)を囲繞するように該絶縁基板(
8)の両側に等間隔配置した複数の電極引出しリード(
以下リードと称す)で、この各リード(15)(15)
は同一方向に略90°折曲されている。尚、上記リード
(15)はベースリボン(7)と同一材料からなる。(
16) (16)−は熱圧着や超音波により上記配線用
の各ランド部(8b) (8b)−・−とリード(15
) (15)、−・−の先端部(15a)(15a)・
・−1或いは、ペレット(14) (14)の各電極と
上記配線用のランド部(8b) (8b)−及びリード
(15) (15)・・・−の先端部(15a )(1
5a )を電気的に接続するAu製の金属細線、(17
)は図示鎖線で示すように直方体状にモールド成形する
絶縁材、例えば外装樹脂材である。
ファンクションLSIの内部構造を第4図及至第6図に
示し説明する。同図に於いて、(7)はFe、Ni等の
金属表面に銀メッキ処理を施したベースリボン、(8)
は該ベースリボン(7)の対向する端部に溶着して該端
部間に架設した絶縁基板で、この絶縁基板(8)は後述
するように第2図に示すモノリシックLSIのアイラン
ド部(4)よりも拡大され、複数のペレット等が載置さ
れ得る程度の大面積を有する。一方この絶縁基板(8)
は第6図に示す構造で、即ち上記絶縁基板(8)の機械
的強度を保持するため比較的肉厚状にしたエポキシ層(
9)の上面に絶縁材料からなる比較的肉薄状のトリアジ
ン層(10)を積層形成する。このトリアジン層(10
)の上面に所定のパターンでペレットマウント用及び配
線用のランド部(8a)(8b) −を形成する。この
各ランI′部(8a) (8b)は3N構造からなり、
最下層(11)は導電材料、例えばCu製で、最上M
(12)は金属細線に対する付着製が良く、且つ、表面
保護のため耐蝕性の良好な金属、例えばAu製のもので
、これらCuとAuの付着製が悪いため、上記最下層(
11)と最上層(12)間にNiHの中間層(13)を
介在させている。上記ペレットマウント用の各ランド部
(8a)・−に異なる機能を有する複数のペレット(1
4) (14)−をへgペースト或いは半田を介して載
置固定する。この異なる機能を有する複数のペレットは
、前記モノリシックLSIの他に、例えばパワーIC,
)ランジスタ、ダイオード等の半導体素子や抵抗アレイ
、コンデンサアレイ等の受動素子から構成される。(1
5)(15)〜は先端部(15a ) (15a )・
−が上記絶縁基板(8)を囲繞するように該絶縁基板(
8)の両側に等間隔配置した複数の電極引出しリード(
以下リードと称す)で、この各リード(15)(15)
は同一方向に略90°折曲されている。尚、上記リード
(15)はベースリボン(7)と同一材料からなる。(
16) (16)−は熱圧着や超音波により上記配線用
の各ランド部(8b) (8b)−・−とリード(15
) (15)、−・−の先端部(15a)(15a)・
・−1或いは、ペレット(14) (14)の各電極と
上記配線用のランド部(8b) (8b)−及びリード
(15) (15)・・・−の先端部(15a )(1
5a )を電気的に接続するAu製の金属細線、(17
)は図示鎖線で示すように直方体状にモールド成形する
絶縁材、例えば外装樹脂材である。
上記半導体装置、即ちマルチファクションLSIは1つ
のパッケージ内に異なる機能を有するペレ・ノドを複数
個収納しているため、1つのマルチファクションLSI
で複雑な回路機能を有し、このマルチファクションLS
Iを自動車や航空機等に装備される機械類に利用すれば
、その機械類の完全自動化が容易に実現され得る。
のパッケージ内に異なる機能を有するペレ・ノドを複数
個収納しているため、1つのマルチファクションLSI
で複雑な回路機能を有し、このマルチファクションLS
Iを自動車や航空機等に装備される機械類に利用すれば
、その機械類の完全自動化が容易に実現され得る。
尚、上記実施例では前述した構造の絶縁基板(8)をベ
ースリボン(7)の端部に溶着して位置決めする構造を
説明したが、本発明はこれに限定されることなく、例え
ば第7図に示すように第2図装置におけるベースリボン
(3)のアイランド部(4)を拡大して前記絶縁基板(
8)と同一形状、同一面積のアイランド部(4゛)をベ
ースリボン(7′)の略中夫に形成する。このアイラン
ド部(4′)上に上記絶縁基板(8)を貼着するような
構造のものでよい。しかし、この場合上記アイランド部
(4′)がFe、Ni等の金属製であるため、絶縁基板
(8)の絶縁性を充分に確保する意味で絶縁基板(8)
のエポキシN(9)とトリアジン層(10)の全厚を充
分に厚くしなけばならない。
ースリボン(7)の端部に溶着して位置決めする構造を
説明したが、本発明はこれに限定されることなく、例え
ば第7図に示すように第2図装置におけるベースリボン
(3)のアイランド部(4)を拡大して前記絶縁基板(
8)と同一形状、同一面積のアイランド部(4゛)をベ
ースリボン(7′)の略中夫に形成する。このアイラン
ド部(4′)上に上記絶縁基板(8)を貼着するような
構造のものでよい。しかし、この場合上記アイランド部
(4′)がFe、Ni等の金属製であるため、絶縁基板
(8)の絶縁性を充分に確保する意味で絶縁基板(8)
のエポキシN(9)とトリアジン層(10)の全厚を充
分に厚くしなけばならない。
へ8発明の効果
本発明によれば、1つのパンケージ内で複合機能を有す
る半導体装置が容易に実現され、自動車や航空機等に装
備される機械類に上記半導体装置を1つの部品として搭
載することが可能となり、またモノリシックLSI等の
ように外部回路を必要としないのでコンパクト化が図れ
る。更に半導体装置内に設けた絶縁基板は充分な絶縁性
、耐熱性を確保しているため、該絶縁基板上の構成回路
に対する高周波や熱等による悪影響を未然に防止するこ
とができ、動作が安定して信頼性も大幅に向上する。
る半導体装置が容易に実現され、自動車や航空機等に装
備される機械類に上記半導体装置を1つの部品として搭
載することが可能となり、またモノリシックLSI等の
ように外部回路を必要としないのでコンパクト化が図れ
る。更に半導体装置内に設けた絶縁基板は充分な絶縁性
、耐熱性を確保しているため、該絶縁基板上の構成回路
に対する高周波や熱等による悪影響を未然に防止するこ
とができ、動作が安定して信頼性も大幅に向上する。
第1図は一般的な樹脂封止型半導体装置を示す斜視図、
第2図は従来の半導体装置の具体例を示す斜視図、第3
図は第2図の平面図、第4図は本発明に係る半導体装置
の一実施例を示す斜視図、第5図は第4図の平面図、第
6図は第4図の要部拡大斜視図、第7図は他の実施例を
示す組立斜視図である。 (7)・−ベースリボン、(8) −絶縁基板、(8a
)−一・ペレットマウント用のランド部、(8b)−配
線用のランド部、(14)半導体ペレット、(15)−
電極引出しリード、(16) −・金属細線。 特許出願人 関西日本電気株式会社 代理人 江 原 省 吾 〃 江 原 秀 第1図 ! 第 8 図
第2図は従来の半導体装置の具体例を示す斜視図、第3
図は第2図の平面図、第4図は本発明に係る半導体装置
の一実施例を示す斜視図、第5図は第4図の平面図、第
6図は第4図の要部拡大斜視図、第7図は他の実施例を
示す組立斜視図である。 (7)・−ベースリボン、(8) −絶縁基板、(8a
)−一・ペレットマウント用のランド部、(8b)−配
線用のランド部、(14)半導体ペレット、(15)−
電極引出しリード、(16) −・金属細線。 特許出願人 関西日本電気株式会社 代理人 江 原 省 吾 〃 江 原 秀 第1図 ! 第 8 図
Claims (1)
- (13ベースリボンの略中央に設けられたアイランド状
の絶縁基板上に複数のペレットマウント用及び配線用の
ランド部を形成し各ベレットマウント用のランド部に異
なる機能を有する複数の半導体ベレットを夫々載置した
ことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59046147A JPS60189958A (ja) | 1984-03-09 | 1984-03-09 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59046147A JPS60189958A (ja) | 1984-03-09 | 1984-03-09 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60189958A true JPS60189958A (ja) | 1985-09-27 |
Family
ID=12738854
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59046147A Pending JPS60189958A (ja) | 1984-03-09 | 1984-03-09 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60189958A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6292653U (ja) * | 1985-11-29 | 1987-06-13 | ||
US5083189A (en) * | 1987-03-31 | 1992-01-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Resin-sealed type IC device |
US5198883A (en) * | 1988-08-06 | 1993-03-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device having an improved lead arrangement and method for manufacturing the same |
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- 1984-03-09 JP JP59046147A patent/JPS60189958A/ja active Pending
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