JPH04291015A - 磁気ヘッド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はスライダの端面に薄膜電
磁変換素子及び接続端子を有する構成の磁気ヘッドに関
し、特に、薄膜電磁変換素子と接続端子とを電気的に接
続する配線パターンの配置に関する。

【０００２】計算機の外部記憶装置である磁気ディスク
装置は、その記憶容量が増大する傾向にある。

【０００３】記憶容量を増大させるためには、記録再生
時における磁気ヘッドの磁気ディスクに対する浮上量を
小さくしてサブミクロンオーダとすることが必要である
。

【０００４】一方、浮上量を小さくすると、ヘッドクラ
ッシュが起き易くなる。ヘッドクラッシュは磁気ディス
ク上の記録情報を消失させるため、起きてはならない。

【０００５】ヘッドクラッシュを発生しにくくするには
、スライダを軽くすることが有効である。

【０００６】スライダを軽くするためには、スライダの
大きさを小さくする必要がある。

【０００７】スライダの大きさを小さくすると、その端
面の面積が小さくなる。

【０００８】一方、この端面には、薄膜電磁変換素子と
、複数の接続端子と、配線パターンとが形成される必要
がある。接続端子は、リード線が確実に接続されるに十
分な大きさを有することが必要である。このため、配線
パターンを形成しうる部分が狭くなり、配線パターンは
幅寸法が数μｍ　と狭いものとなってしまう。

【０００９】配線パターンが幅狭となると、この部分の
電気抵抗が増し、再生出力が低下して十分に高いレベル
の再生出力が得られなくなる虞れがある。

【００１０】しかし、磁気ヘッドは十分に高いレベルの
再生出力を得ることが出来るものであることが必要であ
る。

【００１１】

【従来の技術】図１２は従来の１例の磁気ヘッド１を示
す。２はスライダであり、軽量化のために小さいサイズ
となっており、幅Ｗは約１ｍｍ，高さＨは約２５０μｍ
　である。

【００１２】スライダ２は、磁気ディスク（図示せず）
に対して矢印Ａで示す方向に移動する。３は移動方向上
スライダ２の後端面である。

【００１３】後端面３上に、薄膜電磁変換素子であるラ
イトリード分離ヘッド素子４，ライトヘッド用接続端子
５，６，リードヘッド用接続端子７，８，各接続端子５
〜８とヘッド４とを電気的に接続する配線パターン１０
〜１３が形成してある。接続端子５〜８は、リード線が
信頼性良く接続されるように、出来るだけ大きいサイズ
としてある。

【００１４】配線パターン１０〜１３は、各接続端子５
〜８が形成されている面と同じ面に形成してある。

【００１５】接続端子５，６はヘッド４に隣接して配し
てある。接続端子５，６より延出する配線パターン１０
，１１の幅Ｗ１　は数１０μｍ　であり、十分に広い。

【００１６】接続端子７，８は、接続端子５，６に対し
てヘッド４とは反対側の部位、即ち、ヘッド４からみる
と接続端子５，６の向こう側の部位に配してある。

【００１７】接続端子５，６より延出する配線パターン
１２，１３は、接続端子５と６との間の狭い隙間１５を
通って形成してある。即ち配線パターン１２，１３は、
接続端子５，６を平面的に迂回するように配されている
。

【００１８】

【発明が解決しようとする課題】このため、配線パター
ン１２，１３の幅Ｗ２　は数μｍ　と極く狭くなり、電
気抵抗が無視できない程大きくなってしまう。

【００１９】これによって、磁気ヘッド１は再生出力が
低下してしまい、十分な特性が得られなくなってしまう
。

【００２０】本発明は上記課題を解決した磁気ヘッドを
提供することを目的とする。

【００２１】

【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、スラ
イダの端面に、薄膜電磁変換素子、複数の接続端子、並
列した該複数の接続端子と該薄膜電磁変換素子とを電気
的に接続する配線パターンとを有する磁気ヘッドにおい
て、上記薄膜電磁変換素子より遠い位置に配された接続
端子と上記薄膜電磁変換素子とを接続する配線パターン
を、上記薄膜電磁変換素子に近い接続端子の裏側の部位
を間に絶縁層を介在させて延在するように設けた構成と
したものである。

【００２２】請求項２の発明は、スライダの端面に、薄
膜電磁変換素子、複数の接続端子、並列した該複数の接
続端子と該薄膜電磁変換素子とを電気的に接続する配線
パターンとを有する磁気ヘッドにおいて、上記薄膜電磁
変換素子より遠い位置に配された接続端子と上記薄膜電
磁変換素子とを接続する配線パターンが、上記スライダ
の端面に形成された溝内に形成され、上記薄膜電磁変換
素子に近い接続端子と上記配線パターンとが、上記溝を
埋めた絶縁層により絶縁された構成としたものである。

【００２３】請求項３の発明は、スライダの端面に、薄
膜電磁変換素子、複数の接続端子、並列した該複数の接
続端子と該薄膜電磁変換素子とを電気的に接続する配線
パターンとを有する磁気ヘッドにおいて、上記薄膜電磁
変換素子より遠い位置に配された接続端子と上記薄膜電
磁変換素子とを接続する配線パターンが、上記スライダ
の端面の表面に形成され、上記薄膜電磁変換素子に近い
接続端子が、間に絶縁層を介して、上記配線パターンを
覆って形成された構成としたものである。

【００２４】

【作用】請求項１の発明において、配線パターンを接続
端子の裏側の部位を延在させた構成は、スライダの端面
が狭くなったことによる制約を受けることなく、配線パ
ターンを幅広に形成することを可能とする。

【００２５】請求項２の発明において、接続端子を迂回
する配線パターンをスライダの端面に予め形成した溝内
に形成し、この溝を絶縁層により埋めた構成は、配線パ
ターン及び接続端子を従来と同じ工程で製造することを
可能とする。

【００２６】請求項３の発明において、配線パターンが
スライダの端面に形成され、接続端子が絶縁層を介して
配線パターンを覆う構成は、基板に対する溝加工等の加
工を不要とする。

【００２７】

【実施例】図１，図２は本発明の第１実施例の磁気ヘッ
ド２０の要部を示す。

【００２８】各図中、図１２に示す構成部分と実質上対
応する部分には同一符号を付す。

【００２９】２２は接続端子８より延出する配線パター
ンであり、図１２中の配線パターン１３に対応するもの
である。

【００３０】配線パターン２２は、スライダ２の後端面
３内にもぐり込んで、接続端子６の裏側の部位を延在し
て接続端子６を立体的に迂回し、接続端子６の裏側を通
り抜けた第１の配線パターン部２２−１と、この第１の
配線パターン部２２−１の端と接続されてスライダ後端
面３上に形成されてヘッド４まで延在する第２の配線パ
ターン部２２−２とよりなる。

【００３１】２３は絶縁層であり、第１の配線パターン
部２２−１と接続端子６との間に介在して両者を絶縁し
ている。

【００３２】第１の配線パターン部２２−１は、接続端
子６の裏側に配されており、その幅寸法Ｗ３　は、接続
端子５，６による影響を受けずに、ある程度自由に定め
ることが可能であり、例えば数１０μｍ　としてある。

【００３３】第２の配線パターン部２２−２は、接続端
子６よりヘッド４側の部位であるため、その幅寸法Ｗ４
　は、接続端子５，６による影響を受けずに、ある程度
自由に定めることが可能であり、例えば数１０μｍ　と
してある。

【００３４】このため、配線パターン２２の抵抗値は、
従来の配線パターン１３の抵抗値に比べて大幅に低くな
る。

【００３５】２１は接続端子７より延出する配線パター
ンであり、図１２中の配線パターン１２に対応するもの
である。この配線パターン２１は、上記の配線パターン
２２と同じ構造であり、接続端子５の裏側を延在する第
１の配線パターン部２１−１と、第１の配線パターン部
２１−１の端と接続されてヘッド４まで延在する第２の
配線パターン部２２−２とよりなる。

【００３６】この第１，第２の配線パターン部２１−１
，２１−２は、幅寸法が接続端子５，６によって制限を
受けることはなく、幅寸法は例えば数１０μｍ　として
ある。

【００３７】このため、配線パターン２１の抵抗値は、
従来の配線パターン１２の抵抗値に比べて大幅に低くな
る。

【００３８】この結果、上記の磁気ヘッド２０は、磁気
ディスク上の記録情報を十分に高いレベルの信号で再生
することが出来る。

【００３９】なお、図２中、２４は保護膜であり、接続
端子６，８（５，７）を除いて、全体を覆っている。

【００４０】次に、図１，図２に示す磁気ヘッド２０の
製造方法について、図３，図４（Ａ）乃至（Ｇ）を参照
して説明する。

【００４１】図４（Ａ）乃至（Ｇ）については、図示の
便宜上、一の配線パターン２２を形成する部分だけを示
す。

【００４２】まず、溝形成工程３０を行う。

【００４３】ここでは、図４（Ａ）に示すように、スラ
イダ２の元となる基板４１にレーザ加工によって溝４２
を形成する。

【００４４】次に第１の配線パターン部形成工程３１を
行う。

【００４５】ここでは、フォトリソグラフィ技術によっ
て、図４（Ｂ）に示すように、溝４２の壁面に沿って導
電材料を被着させて、第１の配線パターン部２２−１を
凹状に形成する。

【００４６】次に、絶縁層形成工程３２を行う。

【００４７】ここでは、図４（Ｃ）に示すように、凹状
に形成された第１の配線パターン部２２−１の表面にそ
の両端を残して絶縁層２３を形成し、第１の配線パター
ン２２の両方の端部２２−１ａ　，２２−１ｂ　が基板
４１の表面に露出した状態で、第１の配線パターン部２
２−１の表面を絶縁層２３で覆う。

【００４８】次に、ヘッド素子形成工程３３を行い、図
４（Ｄ）に示すように、成膜してヘッド素子４を形成す
る。

【００４９】次に接続端子の配線パターン形成工程３４
を行う。

【００５０】ここでは、図４（Ｅ）に示すように、接続
端子６，８及び第２の配線パターン部２２−２を形成す
る。同図中、図示されない他の接続端子及び配線パター
ンも形成される。

【００５１】接続端子６は、絶縁層２３の表面上に、第
１の配線パターン部２２−１とは電気的に絶縁された状
態で形成される。

【００５２】接続端子８は、第１の配線パターン部２２
−１の一方の端部２２−１ａ　を覆って、当該端部２２
−１ａ　において第１の配線パターン部２２−１と電気
的に接続された状態で形成される。

【００５３】第２の配線パターン部２２−２は、第１の
配線パターン部２２−１の他端部２２−１ｂ　を覆って
、この端部２２−１ｂ　において第１の配線パターン部
２２−１と電気的に接続された状態で形成される。

【００５４】次に、保護膜形成工程３５を行い、図４（
Ｆ）に示すように、接続端子６，８（５，７）全体を覆
うように保護膜２４を形成する。

【００５５】最後に、切断工程３６を行い、図４（Ｇ）
に示すように、基板４１を切断して、スライダ２が切り
出され、磁気ヘッド２０が製造される。

【００５６】次に本発明の第２実施例になる磁気ヘッド
５０について、図５乃至図８を参照して説明する。

【００５７】各図中、図１２に示す構成部分と実質上対
応する部分には同一符号を付す。

【００５８】スライダ２の後端面３には何らの溝加工も
施されていない。

【００５９】配線パターン５１，５２は、配線パターン
１０，１１と同様に、スライダ２の後端面３の表面に形
成してあり、幅Ｗ５　は数１０μｍ　である。

【００６０】５３，５４は絶縁層であり、夫々配線パタ
ーン５１，５２の途中の部位を覆って形成してある。

【００６１】接続端子５，６は、夫々一部が上記絶縁層
５３，５４上に延出して、配線パターン１０，１１の端
部に配されている。

【００６２】配線パターン５１，５２と接続端子５，６
との関係は、配線パターン５１，５２が、絶縁層５３，
５４によって接続端子５，６に対して電気的に絶縁され
た状態で、接続端子５，６の裏側を延在して接続端子５
，６を立体的に迂回する関係にある。

【００６３】別の接続端子７，８は、夫々配線パターン
５１，５２の端部に配されている。

【００６４】５５は保護膜である。

【００６５】配線パターン５１，５２は、接続端子５，
６に対して電気的に絶縁された状態で、従来に比べて幅
広となっており、抵抗値は従来に比べて相当低い。

【００６６】このため、上記の磁気ヘッド５０は、磁気
ディスクの記録情報を、出力低下を伴わずに高いレベル
で再生することが可能となる。

【００６７】次に、上記の磁気ヘッド５０の製造方法に
ついて、図９及び図１０（Ａ）乃至（Ｅ）を参照して説
明する。

【００６８】なお、図示の便宜上、図１０（Ａ）乃至（
Ｅ）については、配線パターン１１及び５２だけを示し
、他については図示を省略してある。

【００６９】基板４１には加工を加えずに、まずヘッド
素子形成工程６０を行い、図１０（Ａ）に示すように、
基板４１上に、成膜してヘッド素子４を形成する。

【００７０】次に、配線パターン形成工程６１を行い、
フォトリソグラフィ技術によって、図１０（Ｂ）に示す
ように配線パターン１１，５２（１０，５１）を平行に
形成する。配線パターン５２（５１）は、配線パターン
１１（１０）と同じ幅に形成する。

【００７１】次に、絶縁層形成工程６２を行い、図１０
（Ｃ）に示すように、配線パターン５２（５１）の途中
の部位、即ち、接続端子６（５）が形成される部位を覆
うように絶縁層５４（５３）を形成する。

【００７２】次に、接続端子形成工程６３を行い、図１
０（Ｄ）に示すように、接続端子６，８（５，７）を形
成する。

【００７３】接続端子６は、配線層１１と絶縁層５４と
にまたがる範囲に亘って形成される。

【００７４】接続端子８は、配線パターン５２の端部と
基板４１の表面とにかけて形成される。

【００７５】次に、保護膜形成工程６４を行い、図１０
（Ｅ）に示すように、接続端子６，８（５，７）を除い
て全体を覆うように保護膜５５を形成する。

【００７６】最後に、切断工程６５を行い、基板４１を
切断して、スライダが切り出される。

【００７７】図１１は本発明の第３実施例になる磁気ヘ
ッド７０を示す。

【００７８】この磁気ヘッド７０は、スライダ２の後端
面３に二つの接続端子７１，７２を有する構成のヘッド
である。

【００７９】薄膜ヘッド素子７３より遠い位置の接続端
子７２からの配線パターン７４は、ヘッド７３に近い位
置の接続端子７１の裏側を延在して接続端子７１を立体
的に迂回し、接続端子７１から延在する配線パターン７
５と同等に数１０μｍ　の幅となっている。

【００８０】

【発明の効果】以上説明した様に、請求項１の発明によ
れば、スライダの小型化に伴ってスライダの端面が狭く
なった場合であっても、配線パターンはこのことにより
制約を受けることなく、十分に幅広なものとし得る。こ
のため、配線パターンの部分の抵抗を小さく抑えること
が出来、再生出力が不要に低下することを無くして十分
に高い再生出力を得ることが出来る。

【００８１】請求項２の発明によれば、接続端子を迂回
する配線パターンを予めスライダの元となる基板内に作
り込むことが出来、その後の工程は、従来と同じとする
ことが出来る。

【００８２】請求項３の発明によれば、配線パターンが
接続端子を迂回する構造を、全て成膜プロセスにより形
成することが出来、製造し易い。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例の磁気ヘッドの要部を示す
図である。

【図２】図１中、ＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図である。

【図３】図１及び図２の磁気ヘッドの製造工程を示す図
である。

【図４】図３の各工程を説明する図である。

【図５】本発明の第２実施例の磁気ヘッドの要部を示す
図である。

【図６】図５中、ＶＩ−ＶＩ線に沿う断面図である。

【図７】図５中、ＶＩＩ　−ＶＩＩ　線に沿う断面図で
ある。

【図８】図５中、ＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線に沿う拡大断面
図である。

【図９】図５乃至図８の磁気ヘッドの製造工程を示す図
である。

【図１０】図９の各工程を説明する図である。

【図１１】本発明の第３実施例の磁気ヘッドを示す図で
ある。

【図１２】従来の磁気ヘッドの１例を示す図である。

【符号の説明】

４　　ライトリード分離ヘッド素子 ５，６　　ライトヘッド用接続端子 ７，８　　リードヘッド用接続端子 ２０，５０，７０　　磁気ヘッド ２１，２２，５１，５２，７４　　配線パターン２１−
１，２２−１　　第１の配線パターン部２１−２，２２
−２　　第２の配線パターン部２２−１ａ　，２２−１
ｂ　　　端部 ２３　　絶縁層 ２４，５５　　保護膜 ３０　　溝形成工程 ３１　　第１の配線パターン部形成工程３２　　絶縁層
形成工程 ３３，６０　　ヘッド素子形成工程 ３４　　接続端子の配線パターン形成工程３５　　保護
膜形成工程 ３６　　切断工程 ４１　　基板 ４２　　溝 ５３，５４　　絶縁層 ６１　　配線パターン形成工程 ６２　　絶縁層形成工程 ６３　　接続端子形成工程 ６４　　保護膜形成工程 ７１，７２　　接続端子 ７３　　薄膜ヘッド素子

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　スライダの端面に、薄膜電磁変換素子
   、複数の接続端子、並列した該複数の接続端子と該薄膜
   電磁変換素子とを電気的に接続する配線パターンとを有
   する磁気ヘッドにおいて、上記薄膜電磁変換素子（４）
   より遠い位置に配された接続端子（７，８）と上記薄膜
   電磁変換素子（４）とを接続する配線パターン（２１，
   ２２，５１，５２）を、上記薄膜電磁変換素子に近い接
   続端子（５，６）の裏側の部位を間に絶縁層（２３，５
   ３，５４）を介在させて延在するように設けた構成とし
   たことを特徴とする磁気ヘッド。
2. 【請求項２】　　スライダの端面に、薄膜電磁変換素子
   、複数の接続端子、並列した該複数の接続端子と該薄膜
   電磁変換素子とを電気的に接続する配線パターンとを有
   する磁気ヘッドにおいて、上記薄膜電磁変換素子より遠
   い位置に配された接続端子（７，８）と上記薄膜電磁変
   換素子（４）とを接続する配線パターン（２１，２２）
   が、上記スライダ（２）の端面（３）に形成された溝（
   ４２）内に形成され、上記薄膜電磁変換素子（４）に近
   い接続端子（６）と上記配線パターン（２２）とが、上
   記溝（４２）を埋めた絶縁層（２３）により絶縁された
   構成としたことを特徴とする磁気ヘッド。
3. 【請求項３】　　スライダの端面に、薄膜電磁変換素子
   、複数の接続端子、並列した該複数の接続端子と該薄膜
   電磁変換素子とを電気的に接続する配線パターンとを有
   する磁気ヘッドにおいて、上記薄膜電磁変換素子より遠
   い位置に配された接続端子（７，８）と上記薄膜電磁変
   換素子とを接続する配線パターン（５１，５２）が、上
   記スライダ（２）の端面（３）の表面に形成され、上記
   薄膜電磁変換素子（４）に近い接続端子（５，６）が、
   間に絶縁層（５３，５４）を介して、上記配線パターン
   （５１，５２）を覆って形成された構成としたことを特
   徴とする磁気ヘッド。