JP3609080B1 - ヘッドスライダ及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 再生用電極パッド、記録用電極パッド、及びヒータ用電極パッドの形成位置を容易に設定することができるヘッドスライダ、ヘッドジンバルアセンブリ、ハードディスク装置、及びヘッドスライダの製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明のヘッドスライダ１３は、磁気抵抗効果素子３０及び電磁変換素子６０を有する薄膜磁気ヘッド１１と、通電されることにより発熱するヒータ４０とを備える。再生用バンプ６５，６６、記録用バンプ６３，６４、又はヒータ用バンプ６１，６２の少なくとも一つは、バンプの延在方向と交差する方向に延びるバイパス層６３ｃ〜６６ｃと、該バイパス層よりもパッド形成面２５ｐ側に位置する第１バンプ部６３ａ〜６６ａと、バイパス層における第１バンプ部とは反対側に位置する第２バンプ部６３ｂ〜６６ｂとを含んでいる。そして、第１バンプ部６３ａ〜６６ａと第２バンプ部６３ｂ〜６６ｂとは、バイパス層６３ｃ〜６６ｃの延び方向における位置が異なる。
【選択図】 図４

Description

本発明は、薄膜磁気ヘッドを有するヘッドスライダ、ヘッドジンバルアセンブリ、ハードディスク装置、及びヘッドスライダの製造方法に関するものである。

近年、ハードディスク装置において、薄膜磁気ヘッドとハードディスク（記録媒体）との間隔、すなわちヘッド浮上量は、ハードディスクの高記録密度化に伴って微小化されており、１０ｎｍと極限まで達しつつある。

ところで、本発明者らは、磁気抵抗効果素子とハードディスクとの間隔を調整するために、ヘッドスライダに通電により発熱するヒータを設けることを検討している（未公知）。かかる構成においては、ヒータを発熱させることにより、再生用の磁気抵抗効果素子又は記録用の誘導型電磁変換素子を熱膨張させ、ハードディスクとの距離を所望値に制御することができる。

ヒータを設ける場合は、ヘッドスライダのパッド形成面には、再生用及び記録用の電極パッドに加えて、ヒータに通電するための電極パッドが必要となる。このため、再生用及び記録用の電極パッドを従前の位置からずらして、ヒータ用電極パッドを配設するための領域を確保しなければならない。尚、磁気抵抗効果素子等の各素子と電極パッドとは、ヘッドスライダ内に形成される導電性のバンプで接続されている。

再生用及び記録用の電極パッドを従前の位置からシフトさせるには、磁気抵抗効果素子又は電磁変換素子のバンプ形成の前段階及び初期段階から、電極形状等が従前と異なる専用のマスクパターンを適用し、最終的な各パッドの形成位置を調節する手法が考えられる。ところが、この手法では、ヒータを設けない態様のヘッドスライダのマスクパターンを利用できないことから、製造コスト高を招くだけでなく、各パッドの形成位置を新たに設計変更する場合に、再び専用のマスクパターンを作製し直さなければならないという問題がある。

本発明の課題は、再生用電極パッド、記録用電極パッド、及びヒータ用電極パッドの形成位置を容易に設定することができるヘッドスライダ、ヘッドジンバルアセンブリ、ハードディスク装置、及びヘッドスライダの製造方法を提供することにある。

（１）本発明のヘッドスライダは、再生用の磁気抵抗効果素子及び記録用の電磁変換素子を有する薄膜磁気ヘッドと、通電されることにより発熱するヒータとを備えると共に、磁気抵抗効果素子とパッド形成面とを接続する再生用バンプと、電磁変換素子とパッド形成面とを接続する記録用バンプと、ヒータとパッド形成面とを接続するヒータ用バンプとを有している。そして、再生用バンプ、記録用バンプ、又はヒータ用バンプの少なくとも一つは、バンプの延在方向と交差する方向に延びるバイパス層と、該バイパス層よりもパッド形成面側に位置する第１バンプ部と、バイパス層における第１バンプ部とは反対側に位置する第２バンプ部とを含んでおり、第１バンプ部と第２バンプ部とは、バイパス層の延び方向における位置が異なることを特徴としている。また、上記パッド形成面に、磁気抵抗効果素子に通電するための再生用電極パッド、電磁変換素子に通電するための記録用電極パッド、及びヒータに通電するためのヒータ用電極パッドを設けてもよい。

本発明に係るヘッドスライダでは、再生用バンプ、記録用バンプ、及びヒータ用バンプの少なくとも一つにおいて、バイパス層を境にして、バンプ根元側の第２バンプ部とその反対側であるパッド形成面側の第１バンプ部との位置が異なっている。このため、バンプに接続する電極パッドの形成位置は、第２バンプ部の位置に関わらず、第１バンプ部の形成位置を調節すれば自由に設定することができる。

また、再生用バンプ及び記録用バンプは、バイパス層、第１バンプ部、及び第２バンプ部をそれぞれ有しており、それぞれの第１バンプ部は、対応するバンプの第２バンプ部よりも、他方のバンプ側に位置することが好ましい。

この場合は、再生用電極パッド及び記録用電極パッドを、パッド形成面において比較的内側に形成することができる。このため、再生用電極パッド及び記録用電極パッドの外側に、ヒータ用電極パッドを配することができる。

また、２つのヒータ用電極パッドを再生用電極パッド及び記録用電極パッドの外側に設ける場合は、次のような効果が得られる。すなわち、このようなヘッドスライダをヘッドジンバルアセンブリのアーム部材に搭載した場合に、各電極パッドに接続される通電用の配線をパッド形成面からヘッドスライダの周囲を通してアーム部材の基端側へ引き回して、ヒータ用電極パッドの配線が再生用電極パッドの配線と記録用電極パッドの配線との間に位置するようにする。これにより、磁気抵抗効果素子の配線と電磁変換素子の配線とがヒータの配線によって隔てられるため、電磁変換素子の配線に電流が供給された場合でも、磁気抵抗効果素子の配線へのクロストークを防止することができる。

また、上記ヒータと上記バイパス層とは、同一の材料で形成してもよい。この場合、ヒータとバイパス層を形成する領域を含むように材料を積層し、これをパターニングすることで両者を形成できるため、製造工程を簡易にすることができる。

（２）本発明に係るヘッドジンバルアセンブリは、上記のヘッドスライダと、このヘッドスライダが搭載されるアーム部材とを備えるものである。本発明に係るハードディスク装置は、上記のヘッドスライダと、電磁変換素子によって情報が記録されると共に、磁気抵抗効果素子によって記録情報が再生される記録媒体とを備えるものである。これらのヘッドジンバルアセンブリ及びハードディスク装置は、上記のヘッドスライダを備えているため、再生用電極パッド、記録用電極パッド、及びヒータ用電極パッドの形成位置を容易に設定することができる。

（３）本発明のヘッドスライダの製造方法は、再生用の磁気抵抗効果素子及び記録用の電磁変換素子を有する薄膜磁気ヘッドと、通電されることにより発熱するヒータとを有するヘッドスライダの製造方法であって、磁気抵抗効果素子、電磁変換素子、及びヒータから延びるバンプを形成するステップを含み、磁気抵抗効果素子、電磁変換素子、又はヒータの少なくとも一つに対応するバンプの形成途中で、該バンプの延在方向と交差する方向に延びるバイパス層を形成し、バイパス層形成後は、当該バンプのバイパス層の延在方向における形成位置を、バイパス層形成前と異なるようにすることを特徴とする。

本発明に係るヘッドスライダの製造方法では、磁気抵抗効果素子、電磁変換素子、及びヒータに対応する少なくとも一つのバンプを形成するにあたって、バイパス層の形成前の部分と形成後の部分のバンプ位置を異なるようにしている。このため、パッド形成面でバンプに接続する電極パッドの形成位置は、バイパス層形成前のバンプ位置に関わらず、バイパス層形成後のバンプ位置を調整すれば、自由に設定することができる。

また、本発明に係るヘッドスライダの製造方法において、磁気抵抗効果素子及び電磁変換素子に対応するバンプの形成途中に、バイパス層を形成すると共に、バイパス層形成後は、磁気抵抗効果素子に対応するバンプは、バイパス層形成前よりも電磁変換素子に対応するバンプ側に形成し、電磁変換素子に対応するバンプは、バイパス層形成前よりも磁気抵抗効果素子に対応するバンプ側に形成することが好ましい。この場合は、再生用電極パッド及び記録用電極パッドを、パッド形成面において比較的内側に形成することができる。このため、再生用電極パッド及び記録用電極パッドの外側に、ヒータ用電極パッドを配することができる。一対のヒータ用電極パッドをパッド形成面において再生用電極パッド及び記録用電極パッドの外側に位置させることで、上記のように電磁変換素子の配線と磁気抵抗効果素子の配線との間でのクロストークを防止することができる。

また、本発明に係るヘッドスライダの製造方法において、ヒータ及びバイパス層は、同一の材料をパターニングして形成するようにしてもよい。この場合、ヒータとバイパス層を形成する領域を含むように材料を積層し、これをパターニングすることで両者を形成できるため、製造工程を簡易にすることができる。

本発明によれば、再生用電極パッド、記録用電極パッド、及びヒータ用電極パッドの形成位置を容易に設定することができる。

以下、添付図面を参照して、本発明に係るヘッドスライダ、ヘッドジンバルアセンブリ、ハードディスク装置、及びヘッドスライダの製造方法の好適な実施形態について詳細に説明する。尚、同一要素には同一符号を用いるものとし、重複する説明は省略する。

［第１実施形態］
図１は、本実施形態のヘッドスライダ１３が搭載されたヘッドジンバルアセンブリ（Head Gimbals Assembly）１０を有するハードディスク装置１を示す斜視図である。図２は、ヘッドジンバルアセンブリ１０の拡大斜視図である。図３は、図２に示すヘッドスライダ１３の拡大図である。

ハードディスク装置１は、ヘッドジンバルアセンブリ１０を作動させて、高速回転するハードディスク（記録媒体）２に、薄膜磁気ヘッド１１によって磁気情報を記録及び再生するものである。薄膜磁気ヘッド１１は、ハードディスクに情報を記録する電磁変換素子と、ハードディスクの情報を再生する磁気抵抗効果素子（以下、「ＭＲ素子」と称することもある）とを備えている。

ヘッドジンバルアセンブリ１０は、支軸３周りに例えばボイスコイルモータによって回転可能となっている。ヘッドジンバルアセンブリ１０を回転させると、ヘッドスライダ１３は、ハードディスク２の半径方向、すなわちトラックラインを横切る方向に移動する。

図２及び図３に示すように、ヘッドジンバルアセンブリ１０は、金属製の薄板であるサスペンションアーム１２を備えている。サスペンションアーム１２の先端側には、切込みで囲われたタング部１４が形成されており、このタング部１４上にヘッドスライダ１３が搭載されている。

図３を参照して、ヘッドスライダ１３を更に詳説する。ヘッドスライダ１３は、略直方体形状をなし、アルティック（Ａｌ₂Ｏ₃・ＴｉＣ）からなる基台２０上に、薄膜磁気ヘッド１１が形成されている。尚、同図では、薄膜磁気ヘッド１１は基台２０の水平方向における中央付近に形成されているが、形成位置はこれには限定されない。ヘッドスライダ１３の図中上面は、ハードディスク２の記録面に対向する媒体対向面であり、エアベアリング面（ＡＢＳ）Ｓと称される。ハードディスク２が回転する際、この回転に伴う空気流によってヘッドスライダ１３が浮上し、エアベアリング面Ｓはハードディスク２の記録面から離隔する。尚、エアベアリング面Ｓには浮上量を調整するためのスライダレールが形成されているが、図示は省略している。

また、ヘッドスライダ１３の図中手前側の面には、薄膜磁気ヘッド１１を保護するために、オーバーコート層２５が設けられている。そして、このオーバーコート層２５の表面は電極パッドが形成されるパッド形成面２５ｐとなっており、この面２５ｐには、ヒータ用電極パッド２３ａ，２３ｂ（ヒータについては後述する）、記録用電極パッド２１ａ，２１ｂ、及び再生用電極パッド２２ａ，２２ｂが２枚一組で形成されている。一対のヒータ用電極パッド２３ａ，２３ｂは、記録用電極パッド２１ａ，２１ｂ及び再生用電極パッド２２ａ，２２ｂを挟むようにこれらの外側に位置している。尚、同図では、記録用電極パッド２１ａ，２１ｂの右側に再生用電極パッド２２ａ，２２ｂが取り付けられているが、左右反対に設けてもよい。

サスペンションアーム１２の先端側には、６つの端子１５ａ〜１５ｆが並列されており、記録用電極パッド２１ａ，２１ｂは端子１５ｅ，１５ｆに接続され、再生用電極パッド２２ａ，２２ｂは端子１５ａ，１５ｂに接続され、ヒータ用電極パッド２３ａ，２３ｂは端子１５ｄ，１５ｃに接続されている。各電極パッドと端子１５ａ〜１５ｆとの接続に際しては、例えば、ボンディングの材質として金を用いたボールボンディング（ゴールドボールボンディング）が利用される。

また、サスペンションアーム１２上には、配線１７ａ〜１７ｃを絶縁被覆したプリント配線１７が設けられており、このプリント配線１７によって、上記端子１５ａ〜１５ｆと、サスペンションアーム１２の基端側に設けられた端子１６ａ〜１６ｆ（図２参照）とが電気的に接続されている。プリント配線１７の配線１７ａ〜１７ｃはそれぞれ２本ずつ設けられており、配線１７ａ，１７ａは端子１５ｄ，１５ｃを介してヒータ用電極パッド２３ａ，２３ｂに接続され、配線１７ｂ，１７ｂは端子１５ｅ，１５ｆを介して記録用電極パッド２１ａ，２１ｂに接続され、配線１７ｃ，１７ｃは端子１５ａ，１５ｂを介して再生用電極パッド２２ａ，２２ｂに電気的に接続されている。

図２に示すように、プリント配線１７は、パッド形成面２５ｐ側の端子１５ａ〜１５ｆからヘッドスライダ１３の周囲（側方）を通してサスペンションアーム１２の基端側へ引き回され、端子１６ａ〜１６ｆ付近まで伸長している。そして、配線１７ａ，１７ａは端子１６ｃ，１６ｄに接続され、配線１７ｂ，１７ｂは端子１６ｅ，１６ｆに接続され、配線１７ｃ，１７ｃは端子１６ａ，１６ｂに接続されている。プリント配線１７におけるヘッドスライダ１３の後方の領域では、ヒータ用電極パッドの配線１７ａ，１７ａが記録用電極パッド２１ａ，２１ｂの配線１７ｂ，１７ｂと再生用電極パッド２２ａ，２２ｂの配線１７ｃ，１７ｃとの間に位置している。端子１６ａ〜１６ｆは、記録及び再生の信号処理を行うヘッドアンプ等（図示略）に接続されている。

尚、ヘッドスライダ１３、プリント配線１７及び各端子１５ａ〜１５ｆ，１６ａ〜１６ｆは、絶縁層１８を介してサスペンションアーム１２上に配されており、金属製のサスペンションアーム１２とは電気的に絶縁されている。

以上のような構成により、薄膜磁気ヘッド１１のＭＲ素子及び電磁変換素子並びにヒータが端子１５ａ〜１５ｆを介して通電されるようになっている。

続いて、図４（ａ）及び図４（ｂ）を参照して、ヘッドスライダ１３を説明する。図４（ａ）は、パッド形成面２５ｐから見た平面図であり、図４（ｂ）は、図４（ａ）におけるIVB−IVB断面図である。

図４（ａ）に示すように、オーバーコート層２５には、蛇行かつ折返し形状をなし、通電により発熱するヒータ４０が内蔵されている。ヒータ４０は、導電性材料で形成されたヒータ用バンプ６１，６２を通じて、それぞれヒータ用電極パッド２３ａ，２３ｂと電気的に接続されている。薄膜磁気ヘッド１１の電磁変換素子（図４（ｂ）の下方に位置する）は、導電性材料で形成された記録用バンプ６３，６４を通じて、それぞれ記録用電極パッド２１ａ，２１ｂと接続されている。ＭＲ素子（図４（ｂ）の下方に位置する）は、導電性材料で形成された再生用バンプ６５，６６を通じて、それぞれ再生用電極パッド２２ａ，２２ｂと接続されている。

図４（ｂ）に示すように、記録用バンプ６３，６４及び再生用バンプ６５，６６は、それぞれ３つの部分に区分されている。例えば、記録用バンプ６３は、第１バンプ部６３ａ、第２バンプ部６３ｂ、及びこれらを接続するバイパス層６３ｃの３領域に区分される。また、オーバーコート層２５は、下側層２５ａと上側層２５ｂとに区分されている。そして、第１バンプ部６３ａ及びバイパス層６３ｃはオーバーコート層２５の上側層２５ｂに覆われており、第２バンプ部６３ｂは下側層２５ａ内に設けられている。第１バンプ部６３ａ及び第２バンプ部６３ｂは、オーバーコート層２５の厚さ方向に延在している。また、第１バンプ部６３ａは、バイパス層６３ｃよりもパッド形成面２５ｐ側に位置しており、第２バンプ部６３ｂは、バイパス層６３ｃにおける第１バンプ部６３ａとは反対側に位置している。バイパス層６３ｃは、エアベアリング面Ｓから見て、第１バンプ部６３ａ及び第２バンプ部６３ｂの延在方向と交差する方向（トラック幅方向に相当）に延びている。他のバンプ６４，６５，６６についても、同様に構成されている。

更に、第１バンプ部６３ａと第２バンプ部６３ｂとは、バイパス層６３ｃの上記延び方向（トラック幅方向）における位置が異なるように形成されている。より詳しくは、外側に位置する記録用バンプ６３と再生用バンプ６６とに着目すると、それぞれの第１バンプ部６３ａ，６６ａは、対応するバンプの第２バンプ部６３ｂ，６６ｂよりも、他方のバンプ側に位置している。つまり、記録用バンプ６３の第１バンプ部６３ａは、第２バンプ部６３ｂよりも再生用バンプ６６側に位置している。見方を変えると、第１バンプ部６３ａ，６６ａ同士の間隔は、第２バンプ部６３ｂ，６６ｂの間隔よりも狭くなっている。

同様に、内側に位置する記録用バンプ６４と再生用バンプ６５に関しても、第１バンプ部６４ａ，６５ａの間隔は、第２バンプ部６４ｂ，６５ｂの間隔よりも狭くなっている。

尚、バイパス層６３ｃは、第１バンプ部と第２バンプ部をトラック幅方向の異なる位置に形成できる長さを有していればよく、図４（ｂ）における奥行き方向（ＭＲハイト方向に相当）の長さが左右方向よりも長くてもよい。

本実施形態によれば、次のような効果が得られる。すなわち、記録用バンプ６３，６４及び再生用バンプ６５，６６では、バイパス層６３ｃ，６４ｃ，６５ｃ，６６ｃを境にして、バンプ根元側の第２バンプ部６３ｂ，６４ｂ，６５ｂ，６６ｂとその反対側であるパッド形成面２５ｐ側の第１バンプ部６３ａ，６４ａ，６５ａ，６６ａとの位置が異なっている。このため、バンプに接続する電極パッドの形成位置は、第２バンプ部のトラック幅方向における位置に関わらず、第１バンプ部の形成位置を調節すれば自由に設定することができる。例えば、第２バンプ部がトラック幅方向の比較的外側に位置している場合であっても、第１バンプ部を内側に形成することで、記録用電極パッド２１ａ，２１ｂ及び再生用電極パッド２２ａ，２２ｂの外側に、ヒータ用電極パッドを形成するための領域を確保することができる。このことからも分かるように、ヒータ４０を設けない態様におけるバンプ形成用のマスクパターンを使用しても、パッド形成面にヒータ用電極パッドを形成することができる。また、各電極パッドの位置を設計変更するような場合であっても、バイパス層６３ｃ〜６６ｃを設ける工程までは、引き続き同様の製造設備（例えばマスク等）を利用することができる。

更に、本実施形態では、記録用電極パッド２１ａ，２１ｂ及び再生用電極パッド２２ａ，２２ｂの外側に、ヒータ用電極パッド２３ａ，２３ｂを配している。このため、上記のように、プリント配線１７におけるヘッドスライダ１３の後方の領域において、ヒータ用電極パッドの配線１７ａ，１７ａを、記録用電極パッド２１ａ，２１ｂの配線１７ｂ，１７ｂと再生用電極パッド２２ａ，２２ｂの配線１７ｃ，１７ｃとの間に位置させることができる。このようにＭＲ素子の配線１７ｃ，１７ｃと電磁変換素子の配線１７ｂ，１７ｂとをヒータの配線１７ａ，１７ａによって隔てることにより、電磁変換素子の配線１７ｂ，１７ｂに電流が供給された際に、ＭＲ素子の配線１７ｃ，１７ｃへのクロストークを防止することができる。

次に、図５〜図１７を参照して、本実施形態に係るヘッドスライダの製造方法の一例を説明する。図５〜図８、図１２，図１３，図１７は、図４におけるＡ−Ａ方向の断面図である。

まず、図５に示すように、アルティック（Ａｌ₂Ｏ₃・ＴｉＣ）等からなる基板３８に、スパッタリング法によって、例えばアルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）等の絶縁材料からなる下地層３９を厚さ約０．１μm〜約１０μmで形成する。基板３８及び下地層３９は、ヘッドスライダ１３の基台２０を構成するものであり（図３参照）、層厚方向の長さは縮小して描いている。続いて、下部シールド層４２をめっき法等で形成し、更にアルミナ等の絶縁材料からなるシールドギャップ層５０をスパッタリング法等により形成する。

次に、シールドギャップ層５０上にシールドギャップ層７６を形成し、更に該シールドギャップ層７６上のエアベアリング面Ｓとなる仮想面Ｓ１（便宜上、このように説明する。）側の領域に、磁気抵抗効果素子であるＧＭＲ素子３０を形成する。尚、実際のＧＭＲ素子３０は積層構造であるが、図面を見やすくするために単層で示す。そして、ＧＭＲ素子３０の上に、これに電気的に接続されるリード層７７を形成する。次に、ＧＭＲ素子３０及び後方の領域を覆うように、例えばスパッタリング法によってＡｌ₂Ｏ₃等からなる絶縁層４４を形成する。次いで、絶縁層４４におけるリード層７７の奥側部分上の領域において、フォトリソグラフィ技術及びイオンミリング等を利用し、ＧＭＲ素子３０の導電部形成用のホール５１ｈを形成する。

図６を参照して、後続の過程を説明する。フレームめっき法等を利用して、ＧＭＲ素子３０の上方に位置する第１上部シールド層４５ａ、及び、ホール５１ｈを埋める導電層９２を同じ材料によって形成する。次に、スパッタリング法等によりシールドギャップ層５３を形成する。次いで、ホール５１ｈ内に形成された導電層９２上に位置するシールドギャップ層５３を除去する。次に、フレームめっき法等によって、ＧＭＲ素子３０の上方に位置する第２上部シールド層４５ｂ、及び、導電層９２の上方に位置する導電層９３を同じ材料によって形成する。その後、第２上部シールド層４５ｂ及び導電層９３の周囲に絶縁層９４を埋め込んだ後、全体を平坦化する。

続いて、第２上部シールド層４５ｂ上の一部に更にシールド層５５を形成する。そして、ホール５１ｈ上方を除くようにして、例えばアルミナよりなる記録ギャップ層３３を形成する。また、シールド層５５上の記録ギャップ層３３上に、図示しない絶縁膜を介して、例えばめっき法等を利用して、１層目の薄膜コイル３６を厚さ約１μｍ〜約３μｍで例えばＣｕにより形成する。また、導電層９３上には、導電層９５がコイル３６と同じ材料で形成される。尚、各図において、薄膜コイル３６は、その断面形状を簡略化して矩形状に示す。次いで、リソグラフィ技術及びミリング法等を利用して、磁極部分層３４ａ、磁性層３４ｃ、及び磁性層３４ｄを同時に形成する。

図７を参照して、後続の過程を説明する。まず、絶縁層８１を積層した後、全体を平坦化する。そして、絶縁層８１の上に、所定パターンのフォトレジスト層５６を形成する。次に、フォトレジスト層５６の上で、かつ薄膜コイル３６の上方に第２層目の薄膜コイル３５を形成する。また、薄膜コイル３５と同じ材料で、導電層９５上に位置する導電層９６、ＭＲハイト方向の奥側に位置する第１導電層４１ａ、及び導電層９６と導電層４１ａを連結する連結層９６ａを形成する。第１導電層４１ａは、再生用バンプ６５における第２バンプ部６５ｂの底部を構成するものである（図４（ａ）及び図４（ｂ）参照）。一方、記録用バンプ６３，６４の底部となる導電層は、第１導電層４１ａの図中手前側に設けられている。 尚、本実施形態では薄膜コイルを２層積層するが、１層でもよいし３層以上の多層としてもよく、層の数や形成手順はこれに限られない。

図８を参照して、後続の過程を説明する。まず、２層目の薄膜コイル３５上に絶縁層９７を形成し、更に、薄膜コイル３５の一部を覆い、且つ、磁極部分層３４ａと繋がるようにヨーク部分層３４ｂを形成する。これにより、誘導型の電磁変換素子６０が得られ、ＧＭＲ素子３０及び電磁変換素子６０を有する薄膜磁気ヘッドが構成される。このとき、第１導電層４１ａ上に、ヨーク部分層３４ｂと同じ材料で第２導電層４１ｂをヨーク部分層３４ｂと同時に形成する。尚、上述した磁極部分層３４ａとヨーク部分層３４ｂとを一体に形成してもよい。次いで、第２導電層４１ｂ上に第３導電層４１ｃを形成することで、再生用バンプ６５における第２バンプ部６５ｂを得る。図示は省略するが、同時に再生用バンプ６６及び記録用バンプ６３，６４の第２バンプ部も形成する。続いて、全体を覆うように、例えばスパッタリング法によって、Ａｌ₂Ｏ₃等の絶縁材料からなるオーバーコート層２５の下側層２５ａを形成した後、再生用バンプ６５が露出するまで表面を研磨する。

図９（ａ）は、図８の状態の平面図を示し、図９（ｂ）は、図９（ａ）におけるＢ−Ｂ方向の断面図を示す。各図に示すように、この状態では再生用バンプ６５，６６及び記録用バンプ６３，６４の第２バンプ部が一列に並んでいる。

次に、図１０（ａ）及び図１０（ｂ）に示すように、導電層９８をウエハの表面全体に形成する。導電層９８は、例えばめっき法によってＣｕ，ＮｉＦｅ，ＮｉＣｕ，Ｔａ，Ｔｉ，ＣｏＮｉＦｅ合金，ＦｅＡｌＳｉ合金等の材料で形成する。

次に、図１１（ａ）及び図１１（ｂ）に示すように、イオンミリング等で導電層９８をパターニングし、ヒータ４０及びバイパス層６３ｃ，６４ｃ，６５ｃ，６６ｃを形成する。このようにヒータ４０及び各バイパス層を同一の材料をパターニングして得ることにより、製造工程を簡易にすることができる。バイパス層６３ｃ〜６６ｃは、上記のように各バンプの第２バンプ部の延在方向と交差する方向、つまりトラック幅方向に延びている。

図１２に、図１１（ａ）におけるXII-XII方向の縦断面図を示す。ヒータ４０とバイパス層６５ｃとは同一層をパターニングして形成したため、厚さはほぼ等しくなっている。

図１３、図１４（ａ）及び図１４（ｂ）を参照して、後続の過程を説明する。図１３は、図１４（ａ）におけるXIII−XIII方向の断面図である。但し、図１３は、図１４（ａ）の状態には対応しておらず、図１６（ａ）の状態に対応するものである。

まず、図１３に示すように、ヒータ４０上に絶縁材料よりなるヒータコイルキャップ層８９を形成する。続いて、第１バンプ部６３ａ〜６６ａを形成し、記録用バンプ６３，６４及び再生用バンプ６５，６６を得る。これと同時に、ヒータ用バンプ６１，６２を形成する。これらのバンプは、例えばめっき法によってＣｕ，ＮｉＦｅ，ＮｉＣｕ，Ｔａ，Ｔｉ，ＣｏＮｉＦｅ合金，ＦｅＡｌＳｉ合金等の材料で形成する。

このように、本実施形態では、上記バイパス層６３ｃ〜６６ｃを形成した後は、バンプのバイパス層の延在方向（トラック幅方向）における形成位置を、バイパス層形成前と異なるようにしている。より詳しくは、ＭＲ素子３０に対応する再生用バンプ６５，６６については、バイパス層形成前の第２バンプ部６５ｂ，６６ｂよりも電磁変換素子６０に対応する記録用バンプ６３，６４側に第１バンプ部６５ａ，６６ａを形成している。また、記録用バンプ６３，６４については、バイパス層形成前の第２バンプ部６３ｂ，６４ｂよりも再生用バンプ６５，６６側に第１バンプ部６３ａ，６４ａを形成している。尚、図１３においては、図中奥側にヒータ用バンプ６２が位置し、手前側に再生用バンプ６５の第１バンプ部６５ａが位置している。

次に、図１５（ａ）及び図１５（ｂ）に示すように、各バンプ６１〜６６を形成した状態で、オーバーコート層２５の上側層２５ｂを積層する。この際、各バンプ６１〜６６を覆い隠す高さ位置まで、上側層２５ｂを形成する。

次に、図１６（ａ）及び図１６（ｂ）に示すように、オーバーコート層２５の上側層２５ｂの表層に研磨処理を施すことで、各バンプ６１〜６６の上面を露出させる。上側層２５の表面は、後に電極パッドが形成されるパッド形成面２５ｐである。図１３は、この状態に対応するものである。

次いで、図１７に示すように、再生用バンプ６５，６６の上端に再生用電極パッド２２ａ，２２ｂを形成し、記録用バンプ６３，６４の上端に記録用電極パッド２１ａ，２１ｂを形成し、ヒータ用バンプ６１，６２の上端にヒータ用電極パッド２３ａ，２３ｂを形成する。図４（ａ）及び図４（ｂ）は、この状態に対応する図である。

この状態では、一枚の基台２０上に薄膜磁気ヘッドが複数形成された状態となっている。この状態から図３に示すヘッドスライダ１３を得るためには、まず、基台２０を切断して薄膜磁気ヘッドが列状に配置された複数本のバーとし、更に、そのバーを切断して、それぞれが薄膜磁気ヘッドを有するブロック単位に切断する。その後、所望のスライダレール（図示せず）を形成した後にイオンミリング等を施し、ヘッドスライダ１３が完成する。

続いて、図２及び図３に示すように、このヘッドスライダ１３をサスペンションアーム１２の先端側に搭載すると共に、プリント配線１７をサスペンションアーム１２上に這わせる。そして、配線１７ａ，１７ａ〜１７ｃ，１７ｃの一端をサスペンションアーム１２の先端側に設けられた端子１５ａ〜１５ｆにボンディングし、他端をサスペンションアーム１２の基端側に設けられた端子１６ａ〜１６ｆにボンディングすることによって、ヘッドジンバルアセンブリ１０が得られる。ヘッドジンバルアセンブリ１０を作製した後、ヘッドスライダ１３がハードディスク２上を移動可能で、且つ、磁気信号の記録及び再生が可能となるように組み立てることで、図１に示したハードディスク装置１が完成する。

本実施形態の製造方法では、上記のようにバイパス層６３ｃ〜６６ｃの形成前の部分と形成後の部分のバンプ位置を異なるようにしている。このため、パッド形成面２５ｐでバンプに接続する電極パッド２１ａ，２１ｂ，２２ａ，２２ｂの形成位置は、バイパス層形成前のバンプ位置に関わらず、バイパス層形成後のバンプ位置を調整すれば、自由に設定することができる。例えば、図８に示す過程までをヒータを設けない従来の手法で行ったとしても、バイパス層６３ｃ〜６６ｃ上の第１バンプ部６３ａ〜６６ａの位置を調整するだけで、各電極パッドの位置を容易に定めることができる。また、ヒータ位置を設計変更する必要が生じた場合であっても、バイパス層を形成する前までは設計変更する必要が無く、第１バンプ部の位置のみを調整すれば済むという利点がある。

［第２実施形態］
次に、本発明の第２実施形態を説明する。本実施形態が第１実施形態と異なるのは、ヒータとバイパス層を異なる過程で形成している点である。

まず、図９（ａ）及び図９（ｂ）までの過程を第１実施形態と同様に行う。次に、図１８（ａ）及び図１８（ｂ）に示すように、例えばめっき法やスパッタリング等によって、バイパス層６３ｃ〜６６ｃを形成する。バイパス層は、第１実施形態と同様の材料で形成することができるが、記録用の電流及び再生用のセンス電流の抵抗を減少させるために、比抵抗の低い材料（例えばＣｕ）で形成することが好ましい。

次に、図１９（ａ）及び図１９（ｂ）に示すように、導電層９８をウエハの表面全体に形成する。導電層９８は、第１実施形態と同様の材料で形成することができる。

次いで、図２０（ａ）及び図２０（ｂ）に示すように、イオンミリング等で導電層９８をパターニングし、ヒータ４０を形成する。

次に、図２１（ａ）及び図２１（ｂ）に示すように、ヒータ４０上に絶縁材料よりなるヒータコイルキャップ層（図示略）を形成した上で、第１バンプ部６３ａ〜６６ａを形成し、記録用バンプ６３，６４及び再生用バンプ６５，６６を得る。これと同時に、ヒータ用バンプ６１，６２を形成する。これらのバンプは、例えばめっき法によってＣｕ，ＮｉＦｅ，ＮｉＣｕ，Ｔａ，Ｔｉ，ＣｏＮｉＦｅ合金，ＦｅＡｌＳｉ合金等の材料で形成する。第１バンプ部を第２バンプ部よりも素子中央側に位置させる点は、第１実施形態と同様である。

次いで、図２２（ａ）及び図２２（ｂ）に示すように、オーバーコート層２５の上側層２５ｂを積層する。この際、各バンプ６１〜６６を覆い隠す高さ位置まで、上側層２５ｂを形成する。

次に、図２３（ａ）及び図２３（ｂ）に示すように、オーバーコート層２５の上側層２５ｂの表層に研磨処理を施すことで、各バンプ６１〜６６を露出させる。上側層２５の表面がパッド形成面２５ｐとなる。

そして、記録用電極パッド２１ａ，２１ｂ、再生用電極パッド２２ａ，２２ｂ、ヒータ用電極パッド２３ａ，２３ｂを形成し（図４参照）、ダイシング等の後工程を経ることで、本実施形態のヘッドスライダが得られる。

本実施形態によっても、第１実施形態と同様に、パッド形成面２５ｐでバンプに接続する電極パッド２１ａ，２１ｂ，２２ａ，２２ｂの形成位置は、バイパス層６３ｃ〜６６ｃ形成前のバンプ位置に関わらず、バイパス層形成後のバンプ位置を調整すれば、自由に設定することができる。

また、ヒータ４０とバイパス層６３ｃ〜６６ｃを異なる過程で形成しているため、バイパス層をヒータよりも比抵抗の低い材料で形成することができる。これにより、記録用バンプ６３，６４を通じて、電磁変換素子６０に記録電流を効率良く供給できる。また、再生用バンプ６５，６６を通じて、センス電流を効率良く供給でき、再生感度を向上させることができる。

以上、本発明者らによってなされた発明を実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。例えば、バイパス層を設けるのは、再生用バンプ及び記録用バンプの組に限られず、再生用バンプ、記録用バンプ、又はヒータ用バンプの少なくとも一つがバイパス層を備えていればよい。

また、ヒータ４０は、例えば、基台２０とＧＭＲ素子３０との間に位置する層に設けてもよいし、電磁変換素子６０おけるエアベアリング面Ｓとは反対側、すなわちエアベアリング面Ｓから見た電磁変換素子６０の裏側に設けてもよい。更に、ヒータ４０は、上述した位置に一つだけ配置してもよいし、複数に分割して配置してもよい。

本発明に係るハードディスク装置の一実施形態を示す図である。 本発明に係るヘッドジンバルアセンブリの一実施形態を示す図である。 ヘッドスライダの拡大図である。 図４（ａ）は、ヘッドスライダのパッド形成面から見た平面図であり、図４（ｂ）は、図４（ａ）のIVB−IVB断面図である。 第１実施形態のヘッドスライダの製造方法の一工程を示す図である。 後続の製造過程を示す図である。 後続の製造過程を示す図である。 後続の製造過程を示す図である。 図９（ａ）は、後続の製造過程を示す図であり、図９（ｂ）は、図９（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。 図１０（ａ）は、後続の製造過程を示す図であり、図１０（ｂ）は、図１０（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。 図１１（ａ）は、後続の製造過程を示す図であり、図１１（ｂ）は、図１１（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。 後続の製造過程を示す図である。 後続の製造過程を示す図である。 図１４（ａ）は、後続の製造過程を示す図であり、図１４（ｂ）は、図１４（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。 図１５（ａ）は、後続の製造過程を示す図であり、図１５（ｂ）は、図１５（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。 図１６（ａ）は、後続の製造過程を示す図であり、図１６（ｂ）は、図１６（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。 後続の製造過程を示す図である。 第２実施形態のヘッドスライダの製造方法の一工程を示す図である。 図１９（ａ）は、後続の製造過程を示す図であり、図１９（ｂ）は、図１９（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。 図２０（ａ）は、後続の製造過程を示す図であり、図２０（ｂ）は、図２０（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。 図２１（ａ）は、後続の製造過程を示す図であり、図２１（ｂ）は、図２１（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。 図２２（ａ）は、後続の製造過程を示す図であり、図２２（ｂ）は、図２２（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。 図２３（ａ）は、後続の製造過程を示す図であり、図２３（ｂ）は、図２３（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。

符号の説明

１…ハードディスク装置、２…ハードディスク（記録媒体）、１０…ヘッドジンバルアセンブリ、１１…薄膜磁気ヘッド、１２…サスペンションアーム、１３…ヘッドスライダ、１４…タング部、１７…プリント配線、２０…基台、２１ａ，２１ｂ…記録用電極パッド、２２ａ，２２ｂ…再生用電極パッド、２３ａ，２３ｂ…ヒータ用電極パッド、２５…オーバーコート層、２５ｐ…パッド形成面、３０…ＭＲ素子（磁気抵抗効果素子）、３４ａ…磁極部分層、３４ｂ…ヨーク部分層、３５，３６…薄膜コイル、４０…ヒータ、４１ａ〜４１ｃ…導電層（再生用バンプの第２バンプ部）、４２…下部シールド層、４５ａ…上部シールド層、４５ｂ…上部シールド層、５０…シールドギャップ層、６０…電磁変換素子、６１，６２…ヒータ用バンプ、６３，６４…記録用バンプ、６５，６６…再生用バンプ、６３ａ〜６６ａ…第１バンプ部、６３ｂ〜６６ｂ…第２バンプ部、６３ｃ〜６６ｃ…バイパス層、８９…ヒータコイルキャップ層、Ｓ…エアベアリング面。

Claims (11)

1. 再生用の磁気抵抗効果素子及び記録用の電磁変換素子を有する薄膜磁気ヘッドと、通電されることにより発熱するヒータとを備えると共に、
   前記磁気抵抗効果素子とパッド形成面とを接続する再生用バンプと、
   前記電磁変換素子と前記パッド形成面とを接続する記録用バンプと、
   前記ヒータと前記パッド形成面とを接続するヒータ用バンプとを有し、
   前記再生用バンプ、前記記録用バンプ、又は前記ヒータ用バンプの少なくとも一つは、バンプの延在方向と交差する方向に延びるバイパス層と、該バイパス層よりも前記パッド形成面側に位置する第１バンプ部と、前記バイパス層における前記第１バンプ部とは反対側に位置する第２バンプ部とを含んでおり、
   前記第１バンプ部と前記第２バンプ部とは、前記バイパス層の延び方向における位置が異なることを特徴とするヘッドスライダ。
2. 前記再生用バンプ及び前記記録用バンプは、前記バイパス層、前記第１バンプ部、及び前記第２バンプ部をそれぞれ有しており、それぞれの前記第１バンプ部は、対応するバンプの第２バンプ部よりも、他方のバンプ側に位置することを特徴とする請求項１記載のヘッドスライダ。
3. 前記ヒータと前記バイパス層とは、同一の材料で形成されていることを特徴とする請求項１又は請求項２記載のヘッドスライダ。
4. 前記パッド形成面に、前記磁気抵抗効果素子に通電するための再生用電極パッド、前記電磁変換素子に通電するための記録用電極パッド、及び前記ヒータに通電するためのヒータ用電極パッドが設けられていることを特徴とする請求項１〜請求項３のうち何れか一項記載のヘッドスライダ。
5. 前記ヒータ用電極パッドは２つ設けられており、当該各ヒータ用電極パッドは、前記パッド形成面において、前記再生用電極パッド及び前記記録用電極パッドの外側に位置することを特徴とする請求項４記載のヘッドスライダ。
6. 再生用の磁気抵抗効果素子及び記録用の電磁変換素子を有する薄膜磁気ヘッドと、通電されることにより発熱するヒータとを有するヘッドスライダと、
   前記ヘッドスライダが搭載されるアーム部材とを備え、
   前記ヘッドスライダは、
   前記磁気抵抗効果素子とパッド形成面とを接続する再生用バンプと、
   前記電磁変換素子と前記パッド形成面とを接続する記録用バンプと、
   前記ヒータと前記パッド形成面とを接続するヒータ用バンプとを有し、
   前記再生用バンプ、前記記録用バンプ、又は前記ヒータ用バンプの少なくとも一つは、バンプの延在方向と交差する方向に延びるバイパス層と、該バイパス層よりも前記パッド形成面側に位置する第１バンプ部と、前記バイパス層における前記第１バンプ部とは反対側に位置する第２バンプ部とを含んでおり、
   前記第１バンプ部と前記第２バンプ部とは、前記バイパス層の延び方向における位置が異なることを特徴とするヘッドジンバルアセンブリ。
7. 再生用の磁気抵抗効果素子及び記録用の電磁変換素子を有する薄膜磁気ヘッドと、通電されることにより発熱するヒータとを有するヘッドスライダと、
   前記電磁変換素子によって情報が記録されると共に、前記磁気抵抗効果素子によって記録情報が再生される記録媒体とを備え、
   前記ヘッドスライダは、
   前記磁気抵抗効果素子とパッド形成面とを接続する再生用バンプと、
   前記電磁変換素子と前記パッド形成面とを接続する記録用バンプと、
   前記ヒータと前記パッド形成面とを接続するヒータ用バンプとを有し、
   前記再生用バンプ、前記記録用バンプ、又は前記ヒータ用バンプの少なくとも一つは、バンプの延在方向と交差する方向に延びるバイパス層と、該バイパス層よりも前記パッド形成面側に位置する第１バンプ部と、前記バイパス層における前記第１バンプ部とは反対側に位置する第２バンプ部とを含んでおり、
   前記第１バンプ部と前記第２バンプ部とは、前記バイパス層の延び方向における位置が異なることを特徴とするハードディスク装置。
8. 再生用の磁気抵抗効果素子及び記録用の電磁変換素子を有する薄膜磁気ヘッドと、通電されることにより発熱するヒータとを有するヘッドスライダの製造方法であって、
   前記磁気抵抗効果素子、前記電磁変換素子、及び前記ヒータから延びるバンプを形成するステップを含み、
   前記磁気抵抗効果素子、前記電磁変換素子、又は前記ヒータの少なくとも一つに対応する前記バンプの形成途中で、該バンプの延在方向と交差する方向に延びるバイパス層を形成し、
   前記バイパス層形成後は、当該バンプの前記バイパス層の延在方向における形成位置を、前記バイパス層形成前と異なるようにすることを特徴とするヘッドスライダの製造方法。
9. 前記磁気抵抗効果素子及び前記電磁変換素子に対応する前記バンプの形成途中に、前記バイパス層を形成すると共に、
   前記バイパス層形成後は、
   前記磁気抵抗効果素子に対応するバンプは、前記バイパス層形成前よりも前記電磁変換素子に対応するバンプ側に形成し、
   前記電磁変換素子に対応するバンプは、前記バイパス層形成前よりも前記磁気抵抗効果素子に対応するバンプ側に形成することを特徴とする請求項８記載のヘッドスライダの製造方法。
10. 前記磁気抵抗効果素子に対応するバンプに接続する再生用電極パッド、前記電磁変換素子に対応する記録用電極パッド、及び前記ヒータに対応するバンプに接続する一対のヒータ用電極パッドをパッド形成面に形成するステップを更に含み、
    前記一対の前記ヒータ用電極パッドは、前記パッド形成面において、前記再生用電極パッド及び前記記録用電極パッドの外側に位置させることを特徴とする請求項９記載のヘッドスライダの製造方法。
11. 前記ヒータ及び前記バイパス層は、同一の材料をパターニングして形成することを特徴とする請求項８〜請求項１０のうち何れか一項記載のヘッドスライダの製造方法。

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