JPH04288824A - ブランケットタングステンによるプラグ形成方法 - Google Patents
ブランケットタングステンによるプラグ形成方法Info
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- JPH04288824A JPH04288824A JP5271591A JP5271591A JPH04288824A JP H04288824 A JPH04288824 A JP H04288824A JP 5271591 A JP5271591 A JP 5271591A JP 5271591 A JP5271591 A JP 5271591A JP H04288824 A JPH04288824 A JP H04288824A
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、ブランケットタング
ステンによるプラグ形成方法に係り、特に微細コンタク
トホールの埋め込み技術としてのＣＶＤ法によるブラン
ケットタングステンによるプラグ形成方法に関する。
ステンによるプラグ形成方法に係り、特に微細コンタク
トホールの埋め込み技術としてのＣＶＤ法によるブラン
ケットタングステンによるプラグ形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】超ＬＳＩあるいは次世代以降の超々ＬＳ
Ｉにおいて、微細コンタクトホール（例えば０．３５μ
ｍ径）やビアホールを埋め込む技術としてカバレージが
良く、しかも従来のポリシリコンプラグ等と比較してコ
ンタクト抵抗が低いブランケットタングステンＣＶＤ（
化学的気相成長）法が挙げられ注目を集めている。
Ｉにおいて、微細コンタクトホール（例えば０．３５μ
ｍ径）やビアホールを埋め込む技術としてカバレージが
良く、しかも従来のポリシリコンプラグ等と比較してコ
ンタクト抵抗が低いブランケットタングステンＣＶＤ（
化学的気相成長）法が挙げられ注目を集めている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記ＣＶＤ法によって
形成されるタングステン（Ｗ）は下地絶縁膜との密着性
の問題からタングステン層と下地絶縁膜との中間にＴｉ
Ｎ（チタンナイトライド），ＴｉＷ（チタンタングステ
ン）等の密着層を形成しなければならない。
形成されるタングステン（Ｗ）は下地絶縁膜との密着性
の問題からタングステン層と下地絶縁膜との中間にＴｉ
Ｎ（チタンナイトライド），ＴｉＷ（チタンタングステ
ン）等の密着層を形成しなければならない。
【０００４】密着層ＴｉＮ，ＴｉＷ等の堆積は、従来通
常スパッタ法によって行なわれているが、開口径より深
さの方が大きい（いわゆる高アスペクト比）微細コンタ
クトホール内壁へのＴｉＮ，ＴｉＷ等のスパッタ膜はコ
ンタクトホール底部ではほんのわずかしか堆積されない
場合があり、しかも開口部では図３（ａ）に示すように
オーバーハング形状となるためステップカバレージが悪
くなる。すなわち、図３（ａ）に示すように、例えばＳ
ｉ基板２１上のＳｉＯ２層間絶縁膜２２に形成されたコ
ンタクトホール内壁面にスパッタＴｉＮ膜２３を形成し
た後、Ｗ層２４をコンタクトホールに埋め込んでもボイ
ド２５が発生する問題があった。この現象は、スパッタ
ＴｉＮ膜２３をコンタクトホール内に付着させない場合
にも図３（ｂ）に示すようにボイド２５が発生した。ま
た、上記のスパッタＴｉＮ膜２３がたとえコンタクトホ
ール内に問題なく被着されたにせよプラグを形成するた
めにタングステンをエッチバックし、さらに密着層のＴ
ｉＮ膜をエッチングした時にオーバーエッチングを必要
とするため、エッチャントが図３（ｃ）に示すようにコ
ンタクトホール側壁のＴｉＮ膜２３に集中し、それによ
って上層配線を形成する際にもオーバーエッチング２６
が発生した。
常スパッタ法によって行なわれているが、開口径より深
さの方が大きい（いわゆる高アスペクト比）微細コンタ
クトホール内壁へのＴｉＮ，ＴｉＷ等のスパッタ膜はコ
ンタクトホール底部ではほんのわずかしか堆積されない
場合があり、しかも開口部では図３（ａ）に示すように
オーバーハング形状となるためステップカバレージが悪
くなる。すなわち、図３（ａ）に示すように、例えばＳ
ｉ基板２１上のＳｉＯ２層間絶縁膜２２に形成されたコ
ンタクトホール内壁面にスパッタＴｉＮ膜２３を形成し
た後、Ｗ層２４をコンタクトホールに埋め込んでもボイ
ド２５が発生する問題があった。この現象は、スパッタ
ＴｉＮ膜２３をコンタクトホール内に付着させない場合
にも図３（ｂ）に示すようにボイド２５が発生した。ま
た、上記のスパッタＴｉＮ膜２３がたとえコンタクトホ
ール内に問題なく被着されたにせよプラグを形成するた
めにタングステンをエッチバックし、さらに密着層のＴ
ｉＮ膜をエッチングした時にオーバーエッチングを必要
とするため、エッチャントが図３（ｃ）に示すようにコ
ンタクトホール側壁のＴｉＮ膜２３に集中し、それによ
って上層配線を形成する際にもオーバーエッチング２６
が発生した。
【０００５】さらにまた、密着層を等方エッチしてオー
バーハングを防止する方法があるが、この方法は困難で
あり、しかも現実的でない。
バーハングを防止する方法があるが、この方法は困難で
あり、しかも現実的でない。
【０００６】本発明は、低コンタクト抵抗でステップカ
バレージが良いブランケットタングステンによるプラグ
形成方法を提供することを目的とする。
バレージが良いブランケットタングステンによるプラグ
形成方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題は本発明によれ
ば、シリコン基板１上のプラグ形成位置に耐熱層３，１
０を形成し、全面に絶縁膜４を形成し、前記耐熱層表面
を露出するコンタクトホール５を前記絶縁膜４に形成し
、前記コンタクトホール５内壁全面を含む全露出面にシ
リコン系膜を形成し、次に全面にブランケットタングス
テンを被着して前記コンタクトホール５を埋め込み、タ
ングステン層８，１３を形成する工程を含んでなること
を特徴とするブランケットタングステンによるプラグ形
成方法によって解決される。
ば、シリコン基板１上のプラグ形成位置に耐熱層３，１
０を形成し、全面に絶縁膜４を形成し、前記耐熱層表面
を露出するコンタクトホール５を前記絶縁膜４に形成し
、前記コンタクトホール５内壁全面を含む全露出面にシ
リコン系膜を形成し、次に全面にブランケットタングス
テンを被着して前記コンタクトホール５を埋め込み、タ
ングステン層８，１３を形成する工程を含んでなること
を特徴とするブランケットタングステンによるプラグ形
成方法によって解決される。
【０００８】
【作用】本発明では、シリコン系膜として非晶質シリコ
ン（ａ−Ｓｉ）膜あるいは多結晶シリコン（ｐｏｌｙ−
Ｓｉ）膜が用いられる。成長条件から特にａ−Ｓｉ膜は
プラズマＣＶＤ法で、ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜は減圧ＣＶＤ法
で形成される。このシリコン系膜はタングステンに対す
る密着層としてステップカバレージを向上させる。
ン（ａ−Ｓｉ）膜あるいは多結晶シリコン（ｐｏｌｙ−
Ｓｉ）膜が用いられる。成長条件から特にａ−Ｓｉ膜は
プラズマＣＶＤ法で、ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜は減圧ＣＶＤ法
で形成される。このシリコン系膜はタングステンに対す
る密着層としてステップカバレージを向上させる。
【０００９】本発明で用いられる耐熱層としてはチタン
（Ｔｉ）あるいはチタンシリサイド（ＴｉＳｉ２）が好
ましく用いられ、タングステン（Ｗ）あるいはタングス
テンシリサイド（ＷＳｉ２）も用いることができ、コン
タクトの低抵抗化が図れる。
（Ｔｉ）あるいはチタンシリサイド（ＴｉＳｉ２）が好
ましく用いられ、タングステン（Ｗ）あるいはタングス
テンシリサイド（ＷＳｉ２）も用いることができ、コン
タクトの低抵抗化が図れる。
【００１０】また、本発明では、シリコン基板上に形成
された絶縁膜上であって、しかもシリコン系膜の下に密
着層としてＴｉＮ膜あるいはＴｉＷ膜を用いることが特
にシリコン系膜（工程途中で消失する）を形成する場合
に有効である。
された絶縁膜上であって、しかもシリコン系膜の下に密
着層としてＴｉＮ膜あるいはＴｉＷ膜を用いることが特
にシリコン系膜（工程途中で消失する）を形成する場合
に有効である。
【００１１】本発明では、密着層のステップカバレージ
がほぼ１００％と良好であり、コンタクトホール上部の
Ｗの被着性も良好となり、ボイドの発生が抑制される。 従って、開口径が０．３〜０．４μｍ程度で、しかも開
口径より深さの方が大きい（高アスペクト比）コンタク
トホール内にタングステンプラグを形成する際に特に有
効である。
がほぼ１００％と良好であり、コンタクトホール上部の
Ｗの被着性も良好となり、ボイドの発生が抑制される。 従って、開口径が０．３〜０．４μｍ程度で、しかも開
口径より深さの方が大きい（高アスペクト比）コンタク
トホール内にタングステンプラグを形成する際に特に有
効である。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。
する。
【００１３】図１は、本発明の第１の実施例を示す工程
断面図である。
断面図である。
【００１４】図１（ａ）に示すように、シリコン（Ｓｉ
）基板１上に厚さ約４００オングストロームのＰＳＧ膜
２を形成した後コンタクトホールを形成し、そのコンタ
クトホールにスパッタ法により厚さ約４００オングスト
ロームのチタン（Ｔｉ）を堆積させ耐熱層としてのＴｉ
層３を形成した後、約７０００オングストロームの厚さ
にＳｉＯ２層間絶縁膜４をＣＶＤ法により形成する。 その後Ｔｉ層３を露出するコンタクトホール５を形成す
る。
）基板１上に厚さ約４００オングストロームのＰＳＧ膜
２を形成した後コンタクトホールを形成し、そのコンタ
クトホールにスパッタ法により厚さ約４００オングスト
ロームのチタン（Ｔｉ）を堆積させ耐熱層としてのＴｉ
層３を形成した後、約７０００オングストロームの厚さ
にＳｉＯ２層間絶縁膜４をＣＶＤ法により形成する。 その後Ｔｉ層３を露出するコンタクトホール５を形成す
る。
【００１５】次に、図１（ｂ）に示すように、全面にプ
ラズマＣＶＤ法により非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）を厚
さ５００〜１０００オングストローム堆積してａ−Ｓｉ
膜６を形成する。このときのステップカバレージはほぼ
１００％であった。また上記ａ−Ｓｉ膜６の形成条件と
して４７５°Ｃの温度で、原料ガスＳｉＨ４を１００Ｓ
ＣＣＭの流量で行なった。
ラズマＣＶＤ法により非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）を厚
さ５００〜１０００オングストローム堆積してａ−Ｓｉ
膜６を形成する。このときのステップカバレージはほぼ
１００％であった。また上記ａ−Ｓｉ膜６の形成条件と
して４７５°Ｃの温度で、原料ガスＳｉＨ４を１００Ｓ
ＣＣＭの流量で行なった。
【００１６】次に、図１（ｃ）に示すように、Ａｒ，Ｎ
２もしくはＮＨ３雰囲気中で６５０〜７５０°Ｃの温度
でアニールを行い、コンタクトホール５の底部において
ａ−Ｓｉ層６とその下層のＴｉ層３とを反応させてＴｉ
をシリサイド化させ、低抵抗コンタクトＴｉＳｉ２膜７
を形成する。次に、全面にタングステン（ブランケット
タングステン）をＣＶＤ法により被着させてＷ層８を形
成する。上記ブランケットタングステンのＣＶＤ条件は
４００°Ｃの温度で３０ｍＴｏｒｒの圧力を用い、原料
ガスとしてＨ２ガス、ＷＦ６ガスの混合ガスを用い、流
量比Ｈ２／ＷＦ６を１７として行なった。このとき密着
層である非晶質シリコンはＷ成膜時のＳｉ還元反応によ
り消失されるか非常にうすくなる。
２もしくはＮＨ３雰囲気中で６５０〜７５０°Ｃの温度
でアニールを行い、コンタクトホール５の底部において
ａ−Ｓｉ層６とその下層のＴｉ層３とを反応させてＴｉ
をシリサイド化させ、低抵抗コンタクトＴｉＳｉ２膜７
を形成する。次に、全面にタングステン（ブランケット
タングステン）をＣＶＤ法により被着させてＷ層８を形
成する。上記ブランケットタングステンのＣＶＤ条件は
４００°Ｃの温度で３０ｍＴｏｒｒの圧力を用い、原料
ガスとしてＨ２ガス、ＷＦ６ガスの混合ガスを用い、流
量比Ｈ２／ＷＦ６を１７として行なった。このとき密着
層である非晶質シリコンはＷ成膜時のＳｉ還元反応によ
り消失されるか非常にうすくなる。
【００１７】次に、図１（ｄ）に示すように、Ｗ層８の
エッチバックを行い、Ｗプラグ８ａを形成する。Ｗ層８
のエッチングガスはＳＦ６とＯ２（２０％）の混合ガス
を用い、ａ−Ｓｉ膜６のエッチングガスはＦ１１３とＳ
Ｆ６の混合ガスを用いた。本第１の実施例により低コン
タクトでＴｉＳｉ２を密着層とするステップカバレージ
が良好なブランケットタングステンプラグを得ることが
できる。
エッチバックを行い、Ｗプラグ８ａを形成する。Ｗ層８
のエッチングガスはＳＦ６とＯ２（２０％）の混合ガス
を用い、ａ−Ｓｉ膜６のエッチングガスはＦ１１３とＳ
Ｆ６の混合ガスを用いた。本第１の実施例により低コン
タクトでＴｉＳｉ２を密着層とするステップカバレージ
が良好なブランケットタングステンプラグを得ることが
できる。
【００１８】図２は、本発明の第２の実施例を示す工程
断面図である。
断面図である。
【００１９】まず、図２（ａ）に示すように、シリコン
（Ｓｉ）基板１表面を熱酸化して厚さ５０オングストロ
ームのＳｉＯ２膜９を形成し、その上にＴｉ層（図示せ
ず）を形成した後、９００°Ｃで１０〜２０秒間アニー
ルを行い、所定のＴｉ層をＴｉＳｉ２に代え、それ以外
のＴｉ層をエッチング除去して耐熱層としてのＴｉＳｉ
２膜１０を形成する。
（Ｓｉ）基板１表面を熱酸化して厚さ５０オングストロ
ームのＳｉＯ２膜９を形成し、その上にＴｉ層（図示せ
ず）を形成した後、９００°Ｃで１０〜２０秒間アニー
ルを行い、所定のＴｉ層をＴｉＳｉ２に代え、それ以外
のＴｉ層をエッチング除去して耐熱層としてのＴｉＳｉ
２膜１０を形成する。
【００２０】次に、図２（ｂ）に示すように、全面に実
施例１と同じようにＳｉＯ２層間絶縁膜４をＣＶＤ法に
より形成し、更にその上に厚さ１０００オングストロー
ムのＴｉＮ膜１１を順次形成する。ＴｉＮ膜１１上にリ
ソグラフィー技術によりレジスト（図示せず）をパター
ニング形成した後、レジストをマスクとしてＴｉＮ膜１
１をエッチング除去する。エッチングガスはＣｌ２ガス
を用い、流量を３０ＳＣＣＭ、圧力を０．６Ｔｏｒｒ、
ＲＦ出力を０．２５Ｗ／ｃｍ２とした。次に、ＳｉＯ２
層間絶縁膜４をエッチング除去し、ＴｉＳｉ２膜１０を
露出させるコンタクトホール５を形成する。エッチング
ガスはＣＨＦ３ガスを用い、その流量を８０ＳＣＣＭ、
圧力を０．０５Ｔｏｒｒ、ＲＦ出力を０．２５Ｗ／ｃｍ
２とした。次に、ＳｉＯ２層間絶縁膜４上のレジストを
除去した後、減圧ＣＶＤ法によりコンタクトホール５の
内壁面を含む全面に多結晶シリコン（ｐｏｌｙ−Ｓｉ）
を堆積させて厚さ１００オングストロームのｐｏｌｙ−
Ｓｉ膜１２を形成する。ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜１２を減圧Ｃ
ＶＤ法で形成する際、原料ガスはＳｉＨ４を用い、その
流量を１００ＳＣＣＭ、温度を６３０°Ｃ、圧力を０．
１Ｔｏｒｒとした。
施例１と同じようにＳｉＯ２層間絶縁膜４をＣＶＤ法に
より形成し、更にその上に厚さ１０００オングストロー
ムのＴｉＮ膜１１を順次形成する。ＴｉＮ膜１１上にリ
ソグラフィー技術によりレジスト（図示せず）をパター
ニング形成した後、レジストをマスクとしてＴｉＮ膜１
１をエッチング除去する。エッチングガスはＣｌ２ガス
を用い、流量を３０ＳＣＣＭ、圧力を０．６Ｔｏｒｒ、
ＲＦ出力を０．２５Ｗ／ｃｍ２とした。次に、ＳｉＯ２
層間絶縁膜４をエッチング除去し、ＴｉＳｉ２膜１０を
露出させるコンタクトホール５を形成する。エッチング
ガスはＣＨＦ３ガスを用い、その流量を８０ＳＣＣＭ、
圧力を０．０５Ｔｏｒｒ、ＲＦ出力を０．２５Ｗ／ｃｍ
２とした。次に、ＳｉＯ２層間絶縁膜４上のレジストを
除去した後、減圧ＣＶＤ法によりコンタクトホール５の
内壁面を含む全面に多結晶シリコン（ｐｏｌｙ−Ｓｉ）
を堆積させて厚さ１００オングストロームのｐｏｌｙ−
Ｓｉ膜１２を形成する。ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜１２を減圧Ｃ
ＶＤ法で形成する際、原料ガスはＳｉＨ４を用い、その
流量を１００ＳＣＣＭ、温度を６３０°Ｃ、圧力を０．
１Ｔｏｒｒとした。
【００２１】次に、図２（ｃ）に示すように、全面にタ
ングステン（Ｗ）（ブランケットタングステン）をＣＶ
Ｄ法により堆積してＷ層１３を形成する。Ｗ層１３の形
成では、まず第１ステップ（シリコン還元法）としてＷ
Ｆ６ガスのみをその流量を２５ＳＣＣＭとして用い、次
に第２ステップ（水素還元法）としてＷＦ６／Ｈ２の混
合ガスをその流量を３０／３００ＳＣＣＭとして用いた
。 その際の成長温度、圧力は第１ステップ、第２ステップ
と共に、４７５°Ｃ、８０Ｔｏｒｒとした。上記第１ス
テップでｐｏｌｙ−Ｓｉ膜１２はＷに置換されて消失す
る。Ｗ層１３形成後エッチバックを行い、密着層として
ＴｉＮ膜１１を用いた低コンタクトでステップカバレー
ジが良好なブランケットタングステンプラグを得ること
ができる。なお、本実施例では第１ステップを行なわず
直接第２ステップからでも可能である。
ングステン（Ｗ）（ブランケットタングステン）をＣＶ
Ｄ法により堆積してＷ層１３を形成する。Ｗ層１３の形
成では、まず第１ステップ（シリコン還元法）としてＷ
Ｆ６ガスのみをその流量を２５ＳＣＣＭとして用い、次
に第２ステップ（水素還元法）としてＷＦ６／Ｈ２の混
合ガスをその流量を３０／３００ＳＣＣＭとして用いた
。 その際の成長温度、圧力は第１ステップ、第２ステップ
と共に、４７５°Ｃ、８０Ｔｏｒｒとした。上記第１ス
テップでｐｏｌｙ−Ｓｉ膜１２はＷに置換されて消失す
る。Ｗ層１３形成後エッチバックを行い、密着層として
ＴｉＮ膜１１を用いた低コンタクトでステップカバレー
ジが良好なブランケットタングステンプラグを得ること
ができる。なお、本実施例では第１ステップを行なわず
直接第２ステップからでも可能である。
【００２２】また、上記第２の実施例において、減圧Ｃ
ＶＤ法によりｐｏｌｙ−Ｓｉ膜１２を形成する代わりに
、プラズマＣＶＤ法により非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）
膜を形成する第３の実施例によっても実施例２と同等の
良好なブランケットタングステンプラグが得られる。な
お、上記実施例３のプラズマＣＶＤ法によるａ−Ｓｉ膜
の形成では原料ガスはＳｉＨ４を用い、その流量を１０
０ＳＣＣＭ、温度を２５０°Ｃ、圧力を０．６Ｔｏｒｒ
とした。本実施例は２５０°Ｃの低い温度でａ−Ｓｉ膜
が形成される融点の低いＡｌ上にブランケットタングス
テンを形成する場合に好ましく用いられる。
ＶＤ法によりｐｏｌｙ−Ｓｉ膜１２を形成する代わりに
、プラズマＣＶＤ法により非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）
膜を形成する第３の実施例によっても実施例２と同等の
良好なブランケットタングステンプラグが得られる。な
お、上記実施例３のプラズマＣＶＤ法によるａ−Ｓｉ膜
の形成では原料ガスはＳｉＨ４を用い、その流量を１０
０ＳＣＣＭ、温度を２５０°Ｃ、圧力を０．６Ｔｏｒｒ
とした。本実施例は２５０°Ｃの低い温度でａ−Ｓｉ膜
が形成される融点の低いＡｌ上にブランケットタングス
テンを形成する場合に好ましく用いられる。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）や多結晶シリコン（ｐｏｌ
ｙ−Ｓｉ）等を密着層としているため、カバレージが良
好でコンタクトホール上部のタングステンのオーバーハ
ングを防止でき、ボイドの発生がなくコンタクトホール
を埋め込むことが可能になる。
非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）や多結晶シリコン（ｐｏｌ
ｙ−Ｓｉ）等を密着層としているため、カバレージが良
好でコンタクトホール上部のタングステンのオーバーハ
ングを防止でき、ボイドの発生がなくコンタクトホール
を埋め込むことが可能になる。
【００２４】また、タングステンエッチバック後のＴｉ
Ｎのエッチング工程がないためＴｉＮのオーバーエッチ
の問題を生ずることがなく信頼性が向上する。しかもＴ
ｉＳｉ２層がコンタクト部に形成されているため、低コ
ンタクト抵抗のプラグを得ることができる。
Ｎのエッチング工程がないためＴｉＮのオーバーエッチ
の問題を生ずることがなく信頼性が向上する。しかもＴ
ｉＳｉ２層がコンタクト部に形成されているため、低コ
ンタクト抵抗のプラグを得ることができる。
【図１】本発明に係る第１の実施例を示す工程断面図で
ある。
ある。
【図２】本発明に係る第２の実施例を示す工程断面図で
ある。
ある。
【図３】従来例を説明するための工程断面図である。
１ Ｓｉ基板
２ ＰＳＧ膜
３ Ｔｉ層
４ ＳｉＯ２層間絶縁膜
５ コンタクトホール
６ ａ−Ｓｉ膜
７，１０ ＴｉＳｉ２膜
８，１３ Ｗ層
８ａ Ｗプラグ
９ ＳｉＯ２膜
１１ ＴｉＮ膜
１２ ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜
Claims (3)
- 【請求項１】 シリコン基板上のプラグ形成位置に耐
熱層を形成し、全面に絶縁膜を形成し、前記耐熱層表面
を露出するコンタクトホールを前記絶縁膜に形成し、前
記コンタクトホール内壁全面を含む全露出面にシリコン
系膜を形成し、次に全面にブランケットタングステンを
被着して前記コンタクトホールを埋め込み、タングステ
ン層を形成する工程を含んでなることを特徴とするブラ
ンケットタングステンによるプラグ形成方法。 - 【請求項２】 前記シリコン系膜が非晶質シリコン膜
あるいは多結晶シリコン膜であることを特徴とする請求
項１記載の方法。 - 【請求項３】 前記絶縁膜上であって、しかも前記シ
リコン系膜下に密着層としてＴｉＮ膜あるいはＴｉＷ膜
を形成することを特徴とする請求項１記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5271591A JPH04288824A (ja) | 1991-03-18 | 1991-03-18 | ブランケットタングステンによるプラグ形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5271591A JPH04288824A (ja) | 1991-03-18 | 1991-03-18 | ブランケットタングステンによるプラグ形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04288824A true JPH04288824A (ja) | 1992-10-13 |
Family
ID=12922609
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5271591A Pending JPH04288824A (ja) | 1991-03-18 | 1991-03-18 | ブランケットタングステンによるプラグ形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04288824A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5851581A (en) * | 1994-04-22 | 1998-12-22 | Nec Corporation | Semiconductor device fabrication method for preventing tungsten from removing |
| JP2008227532A (ja) * | 1993-10-22 | 2008-09-25 | At & T Corp | タングステン形成プロセス |
-
1991
- 1991-03-18 JP JP5271591A patent/JPH04288824A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008227532A (ja) * | 1993-10-22 | 2008-09-25 | At & T Corp | タングステン形成プロセス |
| US5851581A (en) * | 1994-04-22 | 1998-12-22 | Nec Corporation | Semiconductor device fabrication method for preventing tungsten from removing |
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