JPH04287915A - ウェハーボート - Google Patents

ウェハーボート

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Publication number
JPH04287915A
JPH04287915A JP1650591A JP1650591A JPH04287915A JP H04287915 A JPH04287915 A JP H04287915A JP 1650591 A JP1650591 A JP 1650591A JP 1650591 A JP1650591 A JP 1650591A JP H04287915 A JPH04287915 A JP H04287915A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
slit
wafer
wafer boat
wafers
groove
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP1650591A
Other languages
English (en)
Inventor
Koji Umeda
浩司 梅田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP1650591A priority Critical patent/JPH04287915A/ja
Publication of JPH04287915A publication Critical patent/JPH04287915A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置を製造す
るための熱処理工程などにおいて半導体ウェハーを保持
する治具として用いられるウェハーボートに関するもの
である。
【0002】
【従来の技術】図4は横形拡散炉で用いられるウェハー
ボートの断面図であり、図において、1は支持体、2,
3はそれぞれ二本ずつ設けられた第一、第二の支持柱で
、図において奥行方向に延びた柱状になっていて、互い
に連結されて、支持体1を構成している。4は支持体1
に形成された溝状のスリット、5,6はそれぞれ第一、
第二の支持柱2,3に形成された第一、第二の溝部で、
紙面と平行な共通の一つの平面内に形成されてスリット
4を構成している。7はスリット4の底面、8,9はそ
れぞれ第一、第二の溝5,6の底面であり、一つの円の
円周上に形成されてスリット4の底面7を構成している
。このようなスリット4が、図において奥行方向に多数
、互いに平行に設けられている。
【0003】10は円板状の半導体ウェハー(以下、ウ
ェハーと称す)であり、スリット4に挿入したときに、
スリット4の底面7が形成する円周とウェハー10の外
周が一致するようになっている。したがって、ウェハー
10はウェハーボートにより安定的に保持される。多数
のスリット4各々にウェハー10を挿入することにより
、多数のウェハー10が互いに間隔をおいて保持され、
熱処理などを一括して行うことができる。
【0004】いま、ウェハー10の直径を6インチとし
て、これに合うウェハーボートに対して5インチの別の
ウェハー11を持ってくると、二点鎖線で示すようにウ
ェハー11の外周は第二の溝部6の底面9の端部に当接
するのみで、スリット4の底面7に添うように挿入でき
ず、ウェハー11を安定的に保持することができない。 そのため、5インチのウェハー11を取り扱う場合はス
リット4の形状の異なる別のウェハーボートを用いる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】従来のウェハーボート
は以上のように構成されていて、スリットの底面が一つ
の円の円周上に形成されているので、そのウェハーボー
トに合致した径を持つウェハーを安定的に保持できるが
、これと異なる径のウェハーは安定的に保持できない。 また、そのため一つのウェハーボートに互いに径の異な
る複数種類のウェハーを混載して処理することができな
いなどの問題点があった。この発明は上記のような問題
点を解消するためになされたもので、径の異なる複数種
類のウェハーを安定的に保持できるウェハーボートを得
ることを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】第一の発明に係るウェハ
ーボートは、スリットの底面を、互いに半径の異なる複
数の円の円弧を組み合わせた曲線上に形成したものであ
る。さらに第二の発明に係るウェハーボートは、互いに
半径の異なる複数の円の円周上にそれぞれ底面が形成さ
れた複数のスリットを備えたものである。
【0007】
【作用】第一の発明におけるウェハーボートは、スリッ
トの底面の各円弧上の部分で異なる径のウェハーに対し
てその外周に添うようにしてウェハーを保持することが
できる。また、第二の発明におけるウェハーボートは、
互いに半径の異なる円の円周上に底面が形成された複数
のスリットにより、それらの底面が異なる径のウェハー
に対してそれぞれその外周に添うようにしてウェハーを
保持する。
【0008】
【実施例】図1はこの発明の一実施例によるウェハーボ
ートを示す断面図であり、図において、1〜3は図4の
場合と同様であるので説明を省略する。14は支持体1
に形成された溝状のスリット、15,16はそれぞれ第
一、第二の支持柱2,3に形成された第一、第二の溝部
で、紙面と平行な共通の一つの平面内に形成されてスリ
ット14を構成している。17はスリット14の底面、
18,19はそれぞれ第一、第二の溝部15,16の底
面で、ともにスリット14の底面17を構成している。
【0009】10,11はそれぞれ直径6インチおよび
5インチの第一、第二のウェハーである。第一、第二の
溝部15,16の底面18,19はそれぞれ第一、第二
のウェハー10,11の外周と同じ大きさの円の円周上
に形成されている。 すなわち、スリット14の底面17は半径の異なる二つ
の円の円弧を組み合わせた曲線上に形成されている。こ
のようなスリット14が、図において奥行方向に多数、
互いに平行に設けられている。
【0010】上記のウェハーボートのスリット14に第
一のウェハー10を挿入したときは、その外周が第一の
溝部15の底面18に添うようにして第一のウェハー1
0が安定的に保持される。また、第二のウェハー11を
挿入したときはその外周が第二の溝部16の底面19に
添うようにして第二のウェハー11が安定的に保持され
る。なお、この実施例では第二のウェハー11の外周は
、上記のように第二の溝部16の底面19に添うととも
に、第一の溝部15の底面18の端部に当接するように
なっており、そのため安定性が大きい。
【0011】図2はこの発明の他の実施例によるウェハ
ーボートの断面図であり、同図(A)と(B)は図にお
いて奥行方向の異なる位置での断面を示す。(A)にお
いてはスリット14の底面17、すなわち第一、第二の
溝部15,16の底面18,19がともに、第一のウェ
ハー10の外周と同じ大きさの円の円周上に形成されて
いる。一方、(B)においては別のスリット14を示し
ており、その底面17が第二のウェハー11の外周と同
じ大きさの円の円周上に形成されている。(A)に示す
スリット14と(B)に示すスリット14とが、図にお
いて奥行方向に、例えば交互に多数、互いに平行に設け
られている。
【0012】したがって、第一のウェハー10は(A)
に示すスリット14へ、そして第二のウェハー11は(
B)に示すスリット14へ挿入することにより、いずれ
もスリット14の底面17に添うようにして安定的に保
持される。
【0013】また、図1において、第一の溝部15の底
面18を図3の断面図に示すような形状にしてもよい。 図1において第一のウェハー10の保持位置をやや上方
へ、または第二のウェハー11の保持位置をやや下方へ
変更することにより、第二のウェハー11の外周を第二
の溝部16の底面19のみならず第一の溝部15の底面
18の一部にも添わせることができ、保持の安定性が増
大する。
【0014】なお、上記実施例では6インチと5インチ
の第一、第二のウェハー10,11を対象にしたウェハ
ーボートを示したが、6インチと8インチ、6インチと
4インチなど他の組み合わせにも適用できる。また、ス
リット14が第一および第二の溝部15,16に分かれ
たものを示したが、スリット14が一続きの溝で構成さ
れていてもよい。更に、二種類の大きさのウェハーの組
み合わせを対象としたが三種類以上の大きさのウェハー
の組み合わせにも適用できる。
【0015】
【発明の効果】以上のように、第一の発明によればスリ
ットの底面を半径の異なる複数の円の円弧を組み合わせ
た曲線上に形成し、また、第二の発明によれば半径の異
なる複数の円の円周上にそれぞれ底面が形成された複数
のスリットを備えるように構成したので、いずれにおい
ても、スリットの底面が、径の異なる複数のウェハーに
対してその外周に添うようにして保持することができる
。したがって、これらのウェハーを安定的に保持でき、
また、そのため一つのウェハーボートに径の異なるウェ
ハーを混載することもできる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の一実施例によるウェハーボートを示
す断面図である。
【図2】この発明の他の実施例によるウェハーボートを
示す断面図である。
【図3】この発明のさらに他の実施例によるウェハーボ
ートの一部を示す断面図である。
【図4】従来のウェハーボートを示す断面図である。
【符号の説明】
1  支持体 10  第一のウェハー 11  第二のウェハー 14  スリット 17  スリットの底面

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  支持体に形成された溝状のスリットを
    有し、このスリットに半導体ウェハーを挿入してその底
    面で保持するウェハーボートにおいて、上記スリットの
    底面を、互いに半径の異なる複数の円の円弧を組み合わ
    せた曲線上に形成したことを特徴とするウェハーボート
  2. 【請求項2】  支持体に形成された溝状のスリットを
    有し、このスリットに半導体ウェハーを挿入してその底
    面で保持するウェハーボートにおいて、互いに半径の異
    なる複数の円の円周上にそれぞれ底面が形成された複数
    の上記スリットを備えたことを特徴とするウェハーボー
    ト。
JP1650591A 1991-02-07 1991-02-07 ウェハーボート Pending JPH04287915A (ja)

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JP1650591A JPH04287915A (ja) 1991-02-07 1991-02-07 ウェハーボート

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JP1650591A JPH04287915A (ja) 1991-02-07 1991-02-07 ウェハーボート

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JP (1) JPH04287915A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001095374A3 (en) * 2000-06-06 2002-06-20 Saint Gobain Ceramics Slip resistant horizontal semiconductor wafer boat
WO2004095545A3 (en) * 2003-03-28 2005-05-12 Saint Gobain Ceramics Wafer carrier having improved processing characteristics

Cited By (3)

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WO2001095374A3 (en) * 2000-06-06 2002-06-20 Saint Gobain Ceramics Slip resistant horizontal semiconductor wafer boat
US7055702B1 (en) 2000-06-06 2006-06-06 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Slip resistant horizontal semiconductor wafer boat
WO2004095545A3 (en) * 2003-03-28 2005-05-12 Saint Gobain Ceramics Wafer carrier having improved processing characteristics

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