JPH04286373A - 赤外線検知装置 - Google Patents
赤外線検知装置Info
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- JPH04286373A JPH04286373A JP3050963A JP5096391A JPH04286373A JP H04286373 A JPH04286373 A JP H04286373A JP 3050963 A JP3050963 A JP 3050963A JP 5096391 A JP5096391 A JP 5096391A JP H04286373 A JPH04286373 A JP H04286373A
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体の多重量子井戸を
用いた赤外線検知装置に関する。近年、半導体の多重量
子井戸を用いた赤外線検知装置が、安定した電気的特性
、および該装置に用いる半導体基板として大面積のガリ
ウム砒素基板が容易に得られる等の利点が有ることより
、大規模の赤外線検知素子アレイ用として開発されてい
る。
用いた赤外線検知装置に関する。近年、半導体の多重量
子井戸を用いた赤外線検知装置が、安定した電気的特性
、および該装置に用いる半導体基板として大面積のガリ
ウム砒素基板が容易に得られる等の利点が有ることより
、大規模の赤外線検知素子アレイ用として開発されてい
る。
【０００２】そしてこのような赤外線検知装置に於いて
、高感度、即ちＳ／Ｎ比の大きい検知装置を得るために
、雑音の原因となる暗電流の低減を図ることが必要とさ
れている。
、高感度、即ちＳ／Ｎ比の大きい検知装置を得るために
、雑音の原因となる暗電流の低減を図ることが必要とさ
れている。
【０００３】
【従来の技術】従来の多重量子井戸を用いた赤外線検知
装置として〔文献、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．５
３（４），２５ Ｊｕｌｙ １９８８ 〕の構造がある
。
装置として〔文献、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．５
３（４），２５ Ｊｕｌｙ １９８８ 〕の構造がある
。
【０００４】この構造は図５に示すように半絶縁性のガ
リウム砒素（ ＧａＡｓ） 基板１上に、厚さが１μｍ
でｎ ＝２ ×１０１８／ｃｍ３の電子濃度のＧａＡ
ｓのコンタクト層２−１ が形成され、その上にノンド
ープで厚さが３００ ÅのＡｌ０．３１Ｇａ０．６９Ａ
ｓのアルミニウム・ガリウム・砒素層よりなる障壁層３
と、厚さが４０Åでｎ ＝２ ×１０１８／ｃｍ３の電
子濃度のＧａＡｓ層よりなる井戸層４とを組み合わせた
量子井戸層５が５０周期にわたって形成され、その上に
厚さが０．５ μｍ のｎ ＝２ ×１０１８／ｃｍ３
の電子濃度のＧａＡｓのコンタクト層２−２ が形成さ
れている。
リウム砒素（ ＧａＡｓ） 基板１上に、厚さが１μｍ
でｎ ＝２ ×１０１８／ｃｍ３の電子濃度のＧａＡ
ｓのコンタクト層２−１ が形成され、その上にノンド
ープで厚さが３００ ÅのＡｌ０．３１Ｇａ０．６９Ａ
ｓのアルミニウム・ガリウム・砒素層よりなる障壁層３
と、厚さが４０Åでｎ ＝２ ×１０１８／ｃｍ３の電
子濃度のＧａＡｓ層よりなる井戸層４とを組み合わせた
量子井戸層５が５０周期にわたって形成され、その上に
厚さが０．５ μｍ のｎ ＝２ ×１０１８／ｃｍ３
の電子濃度のＧａＡｓのコンタクト層２−２ が形成さ
れている。
【０００５】そして上記上部のＧａＡｓのコンタクト層
２−２ と井戸層４と厚さが３００ ÅのＡｌ０．３１
Ｇａ０．６９Ａｓのアルミニウム・ガリウム・砒素層よ
りなる障壁層３とを組み合わせた５０周期の多重量子井
戸層３１をメサエッチングした後、金・ゲルマニウム（
Ａｕ−Ｇｅ）の電極をコンタクト電極６として、コンタ
クト層２−１，２−２ 上に接触して形成している。
２−２ と井戸層４と厚さが３００ ÅのＡｌ０．３１
Ｇａ０．６９Ａｓのアルミニウム・ガリウム・砒素層よ
りなる障壁層３とを組み合わせた５０周期の多重量子井
戸層３１をメサエッチングした後、金・ゲルマニウム（
Ａｕ−Ｇｅ）の電極をコンタクト電極６として、コンタ
クト層２−１，２−２ 上に接触して形成している。
【０００６】このような多重量子井戸層で形成された従
来の赤外線検知装置の動作に付いて述べる。図６（ａ）
は上記したコンタクト電極間にバイアス電圧を印加しな
い場合の伝導帯のエネルギーバンド図である。図示する
ように、厚さが４０Åでｎ ＝２ ×１０１８／ｃｍ３
の電子濃度のＧａＡｓ層よりなる井戸層４と厚さが３０
０ ÅのＡｌ０．３１Ｇａ０．６９Ａｓのアルミニウム
・ガリウム・砒素層よりなる障壁層３とが組となって５
０周期にわたって形成された多重量子井戸層３１に於い
ては、伝導帯の電子のエネルギーは離散的になり、例え
ば図示するように、Ｅ１ とＥ２ に示すように２ つ
のエネルギー凖位が形成される。そして励起光の無い状
態では電子７は、殆んどＥ１ の凖位の位置に存在する
。
来の赤外線検知装置の動作に付いて述べる。図６（ａ）
は上記したコンタクト電極間にバイアス電圧を印加しな
い場合の伝導帯のエネルギーバンド図である。図示する
ように、厚さが４０Åでｎ ＝２ ×１０１８／ｃｍ３
の電子濃度のＧａＡｓ層よりなる井戸層４と厚さが３０
０ ÅのＡｌ０．３１Ｇａ０．６９Ａｓのアルミニウム
・ガリウム・砒素層よりなる障壁層３とが組となって５
０周期にわたって形成された多重量子井戸層３１に於い
ては、伝導帯の電子のエネルギーは離散的になり、例え
ば図示するように、Ｅ１ とＥ２ に示すように２ つ
のエネルギー凖位が形成される。そして励起光の無い状
態では電子７は、殆んどＥ１ の凖位の位置に存在する
。
【０００７】ところで図６（ｂ）に示すように、上記装
置にバイアス電圧を印加した時の伝導帯のエネルギーバ
ンド図に示すように、フォトンエネルギーｈ ν＝Ｅ２
−Ｅ１ の赤外線が入射すると、Ｅ１ に存在する電
子７は赤外線を吸収して、Ｅ２ の凖位に矢印Ａに示す
ように励起される。
置にバイアス電圧を印加した時の伝導帯のエネルギーバ
ンド図に示すように、フォトンエネルギーｈ ν＝Ｅ２
−Ｅ１ の赤外線が入射すると、Ｅ１ に存在する電
子７は赤外線を吸収して、Ｅ２ の凖位に矢印Ａに示す
ように励起される。
【０００８】赤外線が入射されず、電子が励起されてい
ない場合は、ＡｌＧａＡｓ層の障壁層３によって、矢印
Ｂに示すように電流はトンネル電流のみが流れる。そし
て赤外線が入射すると該赤外線によって励起された電子
は、光電流となって矢印Ｃに示すようにＡｌＧａＡｓ層
の障壁層３を乗り越えて流れ易くなる。
ない場合は、ＡｌＧａＡｓ層の障壁層３によって、矢印
Ｂに示すように電流はトンネル電流のみが流れる。そし
て赤外線が入射すると該赤外線によって励起された電子
は、光電流となって矢印Ｃに示すようにＡｌＧａＡｓ層
の障壁層３を乗り越えて流れ易くなる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところで、このような
赤外線検知装置に於いては、暗電流は障壁層３を通過す
るトンネル電流である。また雑音＝（２ｑＩ）１／２
（但しｑ ＝電子の電荷でＩ は暗電流）で示されるの
で、暗電流が低減すると当然雑音も低下する。この暗電
流はＡｌＧａＡｓ層の障壁層３を通過するトンネル電流
であるので、ＡｌＧａＡｓ層の障壁層３の厚さを厚くす
ると、暗電流の低減は可能である。
赤外線検知装置に於いては、暗電流は障壁層３を通過す
るトンネル電流である。また雑音＝（２ｑＩ）１／２
（但しｑ ＝電子の電荷でＩ は暗電流）で示されるの
で、暗電流が低減すると当然雑音も低下する。この暗電
流はＡｌＧａＡｓ層の障壁層３を通過するトンネル電流
であるので、ＡｌＧａＡｓ層の障壁層３の厚さを厚くす
ると、暗電流の低減は可能である。
【００１０】然し、ＡｌＧａＡｓ層の障壁層３の厚さを
厚くすると、赤外線検知装置自体の厚さも増大し、光で
励起されたＥ２ の凖位に存在する電子が、光電流とな
ってこれらＡｌＧａＡｓ層の障壁層３を越えて流れ難く
なり、障壁層３とＧａＡｓ層よりなる井戸層４の多重量
子井戸層３１の両端のコンタクト層２−１ 、２−２
に到達する確率は減少し、光電変換効率は低下し、Ｓ／
Ｎ 比は必ずしも改善されない。
厚くすると、赤外線検知装置自体の厚さも増大し、光で
励起されたＥ２ の凖位に存在する電子が、光電流とな
ってこれらＡｌＧａＡｓ層の障壁層３を越えて流れ難く
なり、障壁層３とＧａＡｓ層よりなる井戸層４の多重量
子井戸層３１の両端のコンタクト層２−１ 、２−２
に到達する確率は減少し、光電変換効率は低下し、Ｓ／
Ｎ 比は必ずしも改善されない。
【００１１】本発明は上記した欠点を除去し、暗電流の
低減を図り、かつ信号量の低下を見ない、低雑音でかつ
高感度の多重量子井戸構造の赤外線検知装置の提供を目
的とする。
低減を図り、かつ信号量の低下を見ない、低雑音でかつ
高感度の多重量子井戸構造の赤外線検知装置の提供を目
的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の赤外線検知装置
は、半導体基板上に設けたコンタクト層間にエネルギー
バンドギャップの大きい障壁層とエネルギーバンドギャ
ップの小さい井戸層とを組み合わせて周期的に多層構造
に積層した多重量子井戸層を設け、該コンタクト層間に
電圧を印加する装置に於いて、前記コンタクト層に隣接
する多重量子井戸層の少なくとも片方の障壁層の厚さを
、前記多重量子井戸層を構成する障壁層の厚さより部分
的に厚くしてブロック層として設けたことを特徴とする
。
は、半導体基板上に設けたコンタクト層間にエネルギー
バンドギャップの大きい障壁層とエネルギーバンドギャ
ップの小さい井戸層とを組み合わせて周期的に多層構造
に積層した多重量子井戸層を設け、該コンタクト層間に
電圧を印加する装置に於いて、前記コンタクト層に隣接
する多重量子井戸層の少なくとも片方の障壁層の厚さを
、前記多重量子井戸層を構成する障壁層の厚さより部分
的に厚くしてブロック層として設けたことを特徴とする
。
【００１３】
【作用】本発明の装置では、コンタクト層に接触する障
壁層の内の少なくとも片側の障壁層の厚さを、多重量子
井戸層を構成する障壁層の厚さより部分的に厚くしたブ
ロック層を設けることにより、暗電流はコンタクト層に
隣接して設けた厚いＡｌＧａＡｓ層の障壁層よりなるブ
ロック層にてブロックされ低減するが、赤外線検知装置
の全体の厚さは殆ど増加せず、また光励起された光電流
は障壁層の有するエネルギーレベルよりもエネルギーが
大であるため、障壁層上を飛び越えてコンタクト層に流
れるので、光電流は殆ど減少せず、従って信号量は減少
しない。このようにして本発明の装置によれば、Ｓ／Ｎ
比の良い高感度な赤外線検知装置が得られる。
壁層の内の少なくとも片側の障壁層の厚さを、多重量子
井戸層を構成する障壁層の厚さより部分的に厚くしたブ
ロック層を設けることにより、暗電流はコンタクト層に
隣接して設けた厚いＡｌＧａＡｓ層の障壁層よりなるブ
ロック層にてブロックされ低減するが、赤外線検知装置
の全体の厚さは殆ど増加せず、また光励起された光電流
は障壁層の有するエネルギーレベルよりもエネルギーが
大であるため、障壁層上を飛び越えてコンタクト層に流
れるので、光電流は殆ど減少せず、従って信号量は減少
しない。このようにして本発明の装置によれば、Ｓ／Ｎ
比の良い高感度な赤外線検知装置が得られる。
【００１４】
【実施例】以下、図面を用いて本発明の実施例につき詳
細に説明する。図１に示すように、半絶縁性のガリウム
砒素（ ＧａＡｓ） 基板１上に、厚さが１μｍ でｎ
＝２ ×１０１８／ｃｍ３の電子濃度のＧａＡｓのコ
ンタクト層２−１が分子線エピタキシャル成長方法（Ｍ
ｏｌｅｃｕｌｏｒ Ｂｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ ； Ｍ
ＢＥ 方法）、或いは有機金属気相成長方法（Ｍｅｔａ
ｌ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｖａｐｏｒ
Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；ＭＯＣＶＤ方法） により形成
され、その上に本発明の厚さが６００ Åのノンドープ
のＡｌ０．３１Ｇａ０．６９Ａｓのアルミニウム・ガリ
ウム・砒素層より成る障壁層と同一組成のブロック層１
１が前記したＭＢＥ 方法、或いはＭＯＣＶＤ 方法に
より、従来の障壁層の２倍の厚さで形成されている。
細に説明する。図１に示すように、半絶縁性のガリウム
砒素（ ＧａＡｓ） 基板１上に、厚さが１μｍ でｎ
＝２ ×１０１８／ｃｍ３の電子濃度のＧａＡｓのコ
ンタクト層２−１が分子線エピタキシャル成長方法（Ｍ
ｏｌｅｃｕｌｏｒ Ｂｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ ； Ｍ
ＢＥ 方法）、或いは有機金属気相成長方法（Ｍｅｔａ
ｌ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｖａｐｏｒ
Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；ＭＯＣＶＤ方法） により形成
され、その上に本発明の厚さが６００ Åのノンドープ
のＡｌ０．３１Ｇａ０．６９Ａｓのアルミニウム・ガリ
ウム・砒素層より成る障壁層と同一組成のブロック層１
１が前記したＭＢＥ 方法、或いはＭＯＣＶＤ 方法に
より、従来の障壁層の２倍の厚さで形成されている。
【００１５】そしてその上に厚さが４０Åでｎ ＝２
×１０１８／ｃｍ３の電子濃度のＧａＡｓ層よりなる井
戸層４と厚さが３００ ÅのＡｌ０．３１Ｇａ０．６９
Ａｓのアルミニウム・ガリウム・砒素層よりなる障壁層
３とよりなる量子井戸層５が、前記厚さを厚く形成した
ブロック層１１も含めた状態で５０周期にわたって前記
ＭＢＥ 方法、或いはＭＯＣＶＤ 方法により形成され
、その上に厚さが１μｍ のｎ ＝２ ×１０１８／ｃ
ｍ３の電子濃度のＧａＡｓのコンタクト層２−２がＭＢ
Ｅ 方法、或いはＭＯＣＶＤ 方法により形成されてい
る。
×１０１８／ｃｍ３の電子濃度のＧａＡｓ層よりなる井
戸層４と厚さが３００ ÅのＡｌ０．３１Ｇａ０．６９
Ａｓのアルミニウム・ガリウム・砒素層よりなる障壁層
３とよりなる量子井戸層５が、前記厚さを厚く形成した
ブロック層１１も含めた状態で５０周期にわたって前記
ＭＢＥ 方法、或いはＭＯＣＶＤ 方法により形成され
、その上に厚さが１μｍ のｎ ＝２ ×１０１８／ｃ
ｍ３の電子濃度のＧａＡｓのコンタクト層２−２がＭＢ
Ｅ 方法、或いはＭＯＣＶＤ 方法により形成されてい
る。
【００１６】そして上記上部のＧａＡｓのコンタクト層
２−２ とＧａＡｓ層よりなる井戸層４と厚さが３００
ÅのＡｌ０．３１Ｇａ０．６９Ａｓのアルミニウム・
ガリウム・砒素層よりなる障壁層３、および厚さが６０
０ ÅのＡｌ０．３１Ｇａ０．６９Ａｓのアルミニウム
・ガリウム・砒素層よりなる本発明のブロック層１１と
をメサエッチングした後、蒸着およびリフトオフ法を用
い、金・ゲルマニウム（Ａｕ−Ｇｅ） 合金の電極をコ
ンタクト電極６として、コンタクト層２−１ 上とコン
タクト層２−２ 上に形成している。
２−２ とＧａＡｓ層よりなる井戸層４と厚さが３００
ÅのＡｌ０．３１Ｇａ０．６９Ａｓのアルミニウム・
ガリウム・砒素層よりなる障壁層３、および厚さが６０
０ ÅのＡｌ０．３１Ｇａ０．６９Ａｓのアルミニウム
・ガリウム・砒素層よりなる本発明のブロック層１１と
をメサエッチングした後、蒸着およびリフトオフ法を用
い、金・ゲルマニウム（Ａｕ−Ｇｅ） 合金の電極をコ
ンタクト電極６として、コンタクト層２−１ 上とコン
タクト層２−２ 上に形成している。
【００１７】このような本発明の装置の動作に付いて述
べると、図２に示すように、本発明の厚さが６００ Å
のＡｌ０．３１Ｇａ０．６９Ａｓのアルミニウム・ガリ
ウム・砒素層よりなるブロック層１１に隣接するコンタ
クト層２−１ に接続するコンタクト電極に正の電圧を
、他のコンタクト層２−２ に接続するコンタクト電極
に負の電圧を印加する。すると赤外線を照射しないで光
励起されない基底状態のＥ１ のエネルギーレベルの井
戸層４に存在する電子は矢印Ｂに示すようにトンネル電
流と成って障壁層３を通過しようとするが、厚さの厚い
本発明のブロック層１１に阻止されてコンタクト層２−
１ に到達しない。
べると、図２に示すように、本発明の厚さが６００ Å
のＡｌ０．３１Ｇａ０．６９Ａｓのアルミニウム・ガリ
ウム・砒素層よりなるブロック層１１に隣接するコンタ
クト層２−１ に接続するコンタクト電極に正の電圧を
、他のコンタクト層２−２ に接続するコンタクト電極
に負の電圧を印加する。すると赤外線を照射しないで光
励起されない基底状態のＥ１ のエネルギーレベルの井
戸層４に存在する電子は矢印Ｂに示すようにトンネル電
流と成って障壁層３を通過しようとするが、厚さの厚い
本発明のブロック層１１に阻止されてコンタクト層２−
１ に到達しない。
【００１８】一方、赤外線の照射に依って光励起を受け
た電子は、Ｅ２ のエネルギーレベルに到達し、障壁層
３よりエネルギーが大となって障壁層３を飛び越えて矢
印Ｃに示すように光電流となってコンタクト層２−１
に向かって流れるために、障壁層を厚くしたブロック層
１１を形成しても影響を受けない。
た電子は、Ｅ２ のエネルギーレベルに到達し、障壁層
３よりエネルギーが大となって障壁層３を飛び越えて矢
印Ｃに示すように光電流となってコンタクト層２−１
に向かって流れるために、障壁層を厚くしたブロック層
１１を形成しても影響を受けない。
【００１９】このような本発明の装置と従来の装置に於
いて、暗電流の値を比較した結果を図３に示す。図の曲
線２１は従来の装置に於けるバイアス電圧と暗電流の関
係曲線で、図の曲線２２は本発明の装置に於けるバイア
ス電圧と、暗電流の関係曲線である。図示するようにゼ
ロバイアス時点に於ける暗電流は従来の装置では３ ×
１０−７Ａ であるが、本発明の装置では１ ×１０−
９Ａ と約１／３００ に減少していることが判る。
いて、暗電流の値を比較した結果を図３に示す。図の曲
線２１は従来の装置に於けるバイアス電圧と暗電流の関
係曲線で、図の曲線２２は本発明の装置に於けるバイア
ス電圧と、暗電流の関係曲線である。図示するようにゼ
ロバイアス時点に於ける暗電流は従来の装置では３ ×
１０−７Ａ であるが、本発明の装置では１ ×１０−
９Ａ と約１／３００ に減少していることが判る。
【００２０】また同様に光電流を測定したところ、図４
に示す結果を得た。図の縦軸はレスポンシビティを、横
軸はバイアス電圧を示す。図中、白丸は本発明の装置で
の値で、黒丸は従来装置での値であり、レスポンシリテ
ィには大差は無く、結果的に本発明の装置は従来の装置
に比較してＳ／Ｎ比は飛躍的に向上したことになる。
に示す結果を得た。図の縦軸はレスポンシビティを、横
軸はバイアス電圧を示す。図中、白丸は本発明の装置で
の値で、黒丸は従来装置での値であり、レスポンシリテ
ィには大差は無く、結果的に本発明の装置は従来の装置
に比較してＳ／Ｎ比は飛躍的に向上したことになる。
【００２１】なお、本実施例では６００ ÅのＡｌ０．
３１Ｇａ０．６９Ａｓのアルミニウム・ガリウム・砒素
層よりなるブロック層を、下部のコンタクト層２−１
上に積層して設けたが、他の実施例として、上部のコン
タクト層２−２ の下部に上記本発明の６００ ÅのＡ
ｌ０．３１Ｇａ０．６９Ａｓのアルミニウム・ガリウム
・砒素層よりなるブロック層１１を追加して被着し、こ
のようなブロック層を両方のコンタクト層２−１，２−
２ に接続して設けても良い。
３１Ｇａ０．６９Ａｓのアルミニウム・ガリウム・砒素
層よりなるブロック層を、下部のコンタクト層２−１
上に積層して設けたが、他の実施例として、上部のコン
タクト層２−２ の下部に上記本発明の６００ ÅのＡ
ｌ０．３１Ｇａ０．６９Ａｓのアルミニウム・ガリウム
・砒素層よりなるブロック層１１を追加して被着し、こ
のようなブロック層を両方のコンタクト層２−１，２−
２ に接続して設けても良い。
【００２２】
【発明の効果】以上述べたように、本発明の検知装置に
よれば、光電流の減少は見られず、暗電流が大幅に減っ
たＳ／Ｎ比の大きい低雑音、高感度な高品質な赤外線検
知装置が得られる効果がある。
よれば、光電流の減少は見られず、暗電流が大幅に減っ
たＳ／Ｎ比の大きい低雑音、高感度な高品質な赤外線検
知装置が得られる効果がある。
【図１】 本発明の赤外線検知装置の構造を示す断面
図である。
図である。
【図２】 本発明の装置のエネルギーバンド図である
。
。
【図３】 本発明の装置と従来の装置の特性曲線の比
較図である。
較図である。
【図４】 本発明の装置と従来の装置のレスポンシビ
ティとバイアス電圧の比較図である。
ティとバイアス電圧の比較図である。
【図５】 従来の赤外線検知装置の構造を示す断面図
である。
である。
【図６】 従来の装置に於けるエネルギーバンド図で
ある。
ある。
１ ＧａＡｓ基板
２−１，２−２ コンタクト層
３ 障壁層
４ 井戸層
５ 量子井戸層
６ コンタクト電極
７ 電子
１１ ブロック層
２１ 従来の装置のバイアス電圧と暗電流との関係曲
線２２ 本発明の装置のバイアス電圧と暗電流との関
係曲線３１ 多重量子井戸層
線２２ 本発明の装置のバイアス電圧と暗電流との関
係曲線３１ 多重量子井戸層
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体基板（１） 上に設けたコンタ
クト層（２−１，２−２） 間にエネルギーバンドギャ
ップの大きい障壁層（３） とエネルギーバンドギャッ
プの小さい井戸層（４） とを組み合わせて周期的に多
層構造に積層した多重量子井戸層（３１）を設け、該コ
ンタクト層（２−１，２−２） 間に電圧を印加する装
置に於いて、前記コンタクト層（２−１，２−２） に
隣接する多重量子井戸層（３１）の少なくとも片方の障
壁層（３） の厚さを、前記多重量子井戸層（３１）を
構成する障壁層（３） の厚さより厚くしてブロック層
（１１）として設けたことを特徴とする赤外線検知装置
。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3050963A JP2797738B2 (ja) | 1991-03-15 | 1991-03-15 | 赤外線検知装置 |
| DE1992614991 DE69214991T2 (de) | 1991-03-15 | 1992-03-13 | Infrarotdetektor |
| EP19920104417 EP0509247B1 (en) | 1991-03-15 | 1992-03-13 | Infrared detector |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3050963A JP2797738B2 (ja) | 1991-03-15 | 1991-03-15 | 赤外線検知装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04286373A true JPH04286373A (ja) | 1992-10-12 |
| JP2797738B2 JP2797738B2 (ja) | 1998-09-17 |
Family
ID=12873473
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3050963A Expired - Lifetime JP2797738B2 (ja) | 1991-03-15 | 1991-03-15 | 赤外線検知装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0509247B1 (ja) |
| JP (1) | JP2797738B2 (ja) |
| DE (1) | DE69214991T2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100313889B1 (ko) * | 1999-03-31 | 2001-11-17 | 구자홍 | 양자점 적외선 수광소자 및 그 제조방법 |
| JP2008085265A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-04-10 | Fujitsu Ltd | 量子井戸型光検知器 |
| JP2008198849A (ja) * | 2007-02-14 | 2008-08-28 | Fujitsu Ltd | 量子井戸型赤外線検出器 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4309181A1 (de) * | 1993-03-22 | 1994-09-29 | Max Planck Gesellschaft | Opto-elektronische Halbleitereinrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung |
| US5539206A (en) * | 1995-04-20 | 1996-07-23 | Loral Vought Systems Corporation | Enhanced quantum well infrared photodetector |
| US6965152B1 (en) * | 1997-11-26 | 2005-11-15 | California Institute Of Technology | Broad-band quantum well infrared photodetectors |
| US6054718A (en) * | 1998-03-31 | 2000-04-25 | Lockheed Martin Corporation | Quantum well infrared photocathode having negative electron affinity surface |
| FR2780203B1 (fr) * | 1998-06-23 | 2003-07-04 | Thomson Csf | Detecteur a puits quantique avec couche de stockage des electrons photoexcites |
| CN103367481B (zh) * | 2013-07-30 | 2016-01-06 | 电子科技大学 | 砷化镓量子环红外光电探测器及其制造方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3484197D1 (de) * | 1984-01-13 | 1991-04-04 | Texas Instruments Inc | Infrarotdetektorsystem aus aiii-bv-epitaxialmaterialien. |
| CA1314614C (en) * | 1988-06-06 | 1993-03-16 | Clyde George Bethea | Quantum-well radiation detector |
| US5077593A (en) * | 1989-12-27 | 1991-12-31 | Hughes Aircraft Company | Dark current-free multiquantum well superlattice infrared detector |
-
1991
- 1991-03-15 JP JP3050963A patent/JP2797738B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1992
- 1992-03-13 EP EP19920104417 patent/EP0509247B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-03-13 DE DE1992614991 patent/DE69214991T2/de not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100313889B1 (ko) * | 1999-03-31 | 2001-11-17 | 구자홍 | 양자점 적외선 수광소자 및 그 제조방법 |
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| JP2008198849A (ja) * | 2007-02-14 | 2008-08-28 | Fujitsu Ltd | 量子井戸型赤外線検出器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0509247A2 (en) | 1992-10-21 |
| DE69214991D1 (de) | 1996-12-12 |
| EP0509247B1 (en) | 1996-11-06 |
| DE69214991T2 (de) | 1997-06-05 |
| JP2797738B2 (ja) | 1998-09-17 |
| EP0509247A3 (en) | 1993-01-13 |
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Legal Events
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