JPH04283825A - 半導体ディスク装置のデータ退避方法 - Google Patents
半導体ディスク装置のデータ退避方法Info
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- JPH04283825A JPH04283825A JP3047140A JP4714091A JPH04283825A JP H04283825 A JPH04283825 A JP H04283825A JP 3047140 A JP3047140 A JP 3047140A JP 4714091 A JP4714091 A JP 4714091A JP H04283825 A JPH04283825 A JP H04283825A
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- semiconductor memory
- semiconductor
- disk device
- access control
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Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 61
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 3
- 230000015654 memory Effects 0.000 claims abstract description 26
- 230000004044 response Effects 0.000 abstract description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 16
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体メモリを記録媒体
に使用する半導体ディスク装置に係り、特に停電時に半
導体メモリから不揮発性媒体にデータを退避させる場合
、データ量に対応して最短時間で退避させることを可能
とする半導体ディスク装置のデータ退避方法に関する。
に使用する半導体ディスク装置に係り、特に停電時に半
導体メモリから不揮発性媒体にデータを退避させる場合
、データ量に対応して最短時間で退避させることを可能
とする半導体ディスク装置のデータ退避方法に関する。
【0002】近年、計算機システムの高速化に伴い、外
部記憶装置の処理の高速化が要求されている。このため
、磁気ディスク装置に比較して十倍以上の高速アクセス
が可能な半導体ディスク装置が提供されているが、半導
体メモリを記録媒体として使用しているため、電源が遮
断されるとデータが消滅する。
部記憶装置の処理の高速化が要求されている。このため
、磁気ディスク装置に比較して十倍以上の高速アクセス
が可能な半導体ディスク装置が提供されているが、半導
体メモリを記録媒体として使用しているため、電源が遮
断されるとデータが消滅する。
【0003】従って、半導体ディスク装置はバックアッ
プ電源を用意しており、電源供給が停止しても、しばら
くは電源を維持して半導体メモリに格納されているデー
タを、磁気ディスク等の不揮発性媒体に退避させている
。
プ電源を用意しており、電源供給が停止しても、しばら
くは電源を維持して半導体メモリに格納されているデー
タを、磁気ディスク等の不揮発性媒体に退避させている
。
【0004】このため、半導体メモリから磁気ディスク
等にデータを退避させる時間は、出来るだけ短いことが
必要である。
等にデータを退避させる時間は、出来るだけ短いことが
必要である。
【0005】
【従来の技術】図7は従来技術の一例を説明する図であ
る。近年、ICメモリの高集積化が行われ、それに伴い
半導体ディスク装置の大容量化が可能となって来たが、
このため、停電時におけるデータ退避時間が増大してい
る。
る。近年、ICメモリの高集積化が行われ、それに伴い
半導体ディスク装置の大容量化が可能となって来たが、
このため、停電時におけるデータ退避時間が増大してい
る。
【0006】このため、従来は、図7に示す如く、半導
体メモリ1を複数の領域、例えば領域2と3に分割し、
夫々の領域2と3に対応して磁気ディスク装置4と5を
夫々設け、領域2から対応する磁気ディスク装置4に、
領域3から対応する磁気ディスク装置5に、同時に並行
してデータを転送することで、退避処理の高速化を実現
している。
体メモリ1を複数の領域、例えば領域2と3に分割し、
夫々の領域2と3に対応して磁気ディスク装置4と5を
夫々設け、領域2から対応する磁気ディスク装置4に、
領域3から対応する磁気ディスク装置5に、同時に並行
してデータを転送することで、退避処理の高速化を実現
している。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】図8は従来技術の問題
点を説明する図である。図7に示す如く、半導体メモリ
1の領域2のアドレスが0〜mで、領域3のアドレスが
m+1〜nとし、領域2と3の容量が等しいものとする
と、半導体メモリ1に格納されているデータのアドレス
範囲によって、磁気ディスク装置4と5にデータを退避
させる時間は、図8に示す如くになる。
点を説明する図である。図7に示す如く、半導体メモリ
1の領域2のアドレスが0〜mで、領域3のアドレスが
m+1〜nとし、領域2と3の容量が等しいものとする
と、半導体メモリ1に格納されているデータのアドレス
範囲によって、磁気ディスク装置4と5にデータを退避
させる時間は、図8に示す如くになる。
【0008】即ち、縦軸に時間を、横軸にアドレスをと
ると、半導体メモリ1の領域2にデータが格納されてい
る場合、そのデータ量に対応して、データ量が多くなる
につれ、データ退避に要する時間は順次増大し、格納さ
れたデータ量が領域2の容量一杯になった時、即ち、ア
ドレスのmまで格納された時、データ転送に要する時間
は最大時間Tとなる。
ると、半導体メモリ1の領域2にデータが格納されてい
る場合、そのデータ量に対応して、データ量が多くなる
につれ、データ退避に要する時間は順次増大し、格納さ
れたデータ量が領域2の容量一杯になった時、即ち、ア
ドレスのmまで格納された時、データ転送に要する時間
は最大時間Tとなる。
【0009】そして、データがアドレスmを越えて領域
3に格納され、アドレスm+1〜nの範囲に格納されて
いても、退避に要する時間はTであり、例えば、図7の
半導体メモリ1の領域2、即ち、0〜mの範囲にデータ
が格納され、領域3、即ち、m+1〜nの範囲にデータ
が格納されていなくても、データ退避に要する時間は常
にTである。
3に格納され、アドレスm+1〜nの範囲に格納されて
いても、退避に要する時間はTであり、例えば、図7の
半導体メモリ1の領域2、即ち、0〜mの範囲にデータ
が格納され、領域3、即ち、m+1〜nの範囲にデータ
が格納されていなくても、データ退避に要する時間は常
にTである。
【0010】従って、図7に示す如く、半導体メモリ1
の領域2のデータは磁気ディスク装置4に、領域3のデ
ータは磁気ディスク装置5にというように、固定的にデ
ータ転送すると、半導体メモリ1に格納されたデータ量
によって、データ転送に要する時間が常に一定となる。
の領域2のデータは磁気ディスク装置4に、領域3のデ
ータは磁気ディスク装置5にというように、固定的にデ
ータ転送すると、半導体メモリ1に格納されたデータ量
によって、データ転送に要する時間が常に一定となる。
【0011】即ち、半導体メモリ1に格納されたデータ
量をXとすると、m<X<nであると、常に一定時間T
を必要とするという問題がある。本発明はこのような問
題点に鑑み、データを退避させる時は、常に半導体メモ
リ1に格納されているデータ量を等分して、各磁気ディ
スク装置4,5に転送するようにすることで、データ退
避時間を最短にすることを目的としている。
量をXとすると、m<X<nであると、常に一定時間T
を必要とするという問題がある。本発明はこのような問
題点に鑑み、データを退避させる時は、常に半導体メモ
リ1に格納されているデータ量を等分して、各磁気ディ
スク装置4,5に転送するようにすることで、データ退
避時間を最短にすることを目的としている。
【0012】
【課題を解決するための手段】図1は本発明の原理を説
明するブロック図である。半導体ディスク装置6は、上
位装置7から転送されたデータを格納する半導体メモリ
1と、この半導体メモリ1をアクセスして、データの書
込み/読出しを行う複数のメモリアクセス制御部8〜9
と、この複数のメモリアクセス制御部8〜9が読出した
データを、複数の不揮発性媒体13〜14に夫々書込む
複数の不揮発性媒体制御部10〜11と、この複数の不
揮発性媒体制御部10〜11及びメモリアクセス制御部
8〜9に、データ退避を指示する制御手段12とを備え
ている。
明するブロック図である。半導体ディスク装置6は、上
位装置7から転送されたデータを格納する半導体メモリ
1と、この半導体メモリ1をアクセスして、データの書
込み/読出しを行う複数のメモリアクセス制御部8〜9
と、この複数のメモリアクセス制御部8〜9が読出した
データを、複数の不揮発性媒体13〜14に夫々書込む
複数の不揮発性媒体制御部10〜11と、この複数の不
揮発性媒体制御部10〜11及びメモリアクセス制御部
8〜9に、データ退避を指示する制御手段12とを備え
ている。
【0013】そして、データ退避時に、この半導体メモ
リ1に格納されたデータ量から、このデータ量を等分す
るアドレスと、転送すべきデータ量を決定して、データ
退避を指示するコマンドと、このコマンドの実行結果に
基づき、退避させたデータを半導体メモリ1に書込ませ
るための制御情報を記録するテーブル15とを制御手段
12に設けている。
リ1に格納されたデータ量から、このデータ量を等分す
るアドレスと、転送すべきデータ量を決定して、データ
退避を指示するコマンドと、このコマンドの実行結果に
基づき、退避させたデータを半導体メモリ1に書込ませ
るための制御情報を記録するテーブル15とを制御手段
12に設けている。
【0014】そして、制御手段12がデータ退避を行わ
せる場合、前記コマンドによって、半導体メモリ1に格
納されたデータを等分して、複数のメモリアクセス制御
部8〜9に同時に並行して読出させ、複数の不揮発性媒
体制御部10〜11に夫々転送させて、複数の不揮発性
媒体13〜14に夫々退避させる。
せる場合、前記コマンドによって、半導体メモリ1に格
納されたデータを等分して、複数のメモリアクセス制御
部8〜9に同時に並行して読出させ、複数の不揮発性媒
体制御部10〜11に夫々転送させて、複数の不揮発性
媒体13〜14に夫々退避させる。
【0015】
【作用】上記の如く構成することにより、半導体メモリ
1に格納されたデータは、データ量が常に等分されて同
時に並行して読出され、複数の不揮発性媒体13〜14
に同時に並行して転送されるので、半導体メモリ1に格
納されたデータ量Xが、X<nである場合、常に図8に
示すT時間以下でデータの退避を完了させることが出来
る。
1に格納されたデータは、データ量が常に等分されて同
時に並行して読出され、複数の不揮発性媒体13〜14
に同時に並行して転送されるので、半導体メモリ1に格
納されたデータ量Xが、X<nである場合、常に図8に
示すT時間以下でデータの退避を完了させることが出来
る。
【0016】
【実施例】図2は本発明の一実施例を示す回路のブロッ
ク図で、図3は図2の動作を説明する図である。
ク図で、図3は図2の動作を説明する図である。
【0017】上位装置が送出するデータは、半導体ディ
スク装置のインタフェース回路18を経て受信され、メ
モリアクセス制御回路19又は20を経て、半導体メモ
リ1に書込まれる。
スク装置のインタフェース回路18を経て受信され、メ
モリアクセス制御回路19又は20を経て、半導体メモ
リ1に書込まれる。
【0018】半導体メモリ1は図3に示す如く、複数の
論理ドライブ(0),(1),(2) に分割して使用
されており、各論理ドライブ毎に管理されるデータが格
納される。サービスプロセッサ23は半導体メモリ1に
格納されたデータ量を管理しており、図示省略した電源
装置から電源切断を通知されると、図示省略したバック
アップ電源によって供給される電源により動作を維持し
、半導体メモリ1に格納されているデータ量の1/2と
なるアドレスを算出する。
論理ドライブ(0),(1),(2) に分割して使用
されており、各論理ドライブ毎に管理されるデータが格
納される。サービスプロセッサ23は半導体メモリ1に
格納されたデータ量を管理しており、図示省略した電源
装置から電源切断を通知されると、図示省略したバック
アップ電源によって供給される電源により動作を維持し
、半導体メモリ1に格納されているデータ量の1/2と
なるアドレスを算出する。
【0019】例えば、図3に示す如く、半導体メモリ1
の最大アドレスをnとし、その1/2となるアドレスを
mとし、格納されているデータが斜線で示す如く、アド
レスkまでであるとすると、1/2kとなるアドレスj
を算出する。
の最大アドレスをnとし、その1/2となるアドレスを
mとし、格納されているデータが斜線で示す如く、アド
レスkまでであるとすると、1/2kとなるアドレスj
を算出する。
【0020】そして、例えば、メモリアクセス制御回路
19とディスク制御回路21には、図4に示すコマンド
を送出して、半導体メモリ1のアドレス0を指定し、メ
モリアクセス制御回路20とディスク制御回路22には
、図4に示すコマンドを送出して、半導体メモリ1のア
ドレスjを指定し、データを退避させる指示を同時に行
う。
19とディスク制御回路21には、図4に示すコマンド
を送出して、半導体メモリ1のアドレス0を指定し、メ
モリアクセス制御回路20とディスク制御回路22には
、図4に示すコマンドを送出して、半導体メモリ1のア
ドレスjを指定し、データを退避させる指示を同時に行
う。
【0021】図4はコマンドとレスポンスの一例を説明
する図である。コマンドは図4(A) に示す如く、コ
ードと、番号と、アドレスと、データ数からなり、コー
ドはデータ退避又はリストアを指示し、番号は論理ドラ
イブの番号を指示し、アドレスは半導体メモリ1から読
出すデータの先頭アドレスを指示し、データ数は半導体
メモリ1から読出す転送データ量を指示する。
する図である。コマンドは図4(A) に示す如く、コ
ードと、番号と、アドレスと、データ数からなり、コー
ドはデータ退避又はリストアを指示し、番号は論理ドラ
イブの番号を指示し、アドレスは半導体メモリ1から読
出すデータの先頭アドレスを指示し、データ数は半導体
メモリ1から読出す転送データ量を指示する。
【0022】メモリアクセス制御回路19は、このコマ
ンドによって、データの退避を行うことを認識すると、
指定された半導体メモリ1のアドレス0から、指定され
た転送データ量に達するまで、順次データブロックを読
出して、ディスク制御回路21に送出する。
ンドによって、データの退避を行うことを認識すると、
指定された半導体メモリ1のアドレス0から、指定され
た転送データ量に達するまで、順次データブロックを読
出して、ディスク制御回路21に送出する。
【0023】又、メモリアクセス制御回路20は、この
コマンドによって、データの退避を行うことを認識する
と、指定された半導体メモリ1のアドレスjから、指定
された転送データ量に達するまで、順次データブロック
を読出して、ディスク制御回路22に送出する。
コマンドによって、データの退避を行うことを認識する
と、指定された半導体メモリ1のアドレスjから、指定
された転送データ量に達するまで、順次データブロック
を読出して、ディスク制御回路22に送出する。
【0024】従って、図3に示すアドレス0からデータ
ブロックが読出されると同時に、アドレスjからもデー
タブロックが読出され、夫々のデータブロックは同時に
並行して、ディスク制御回路21と22に夫々転送され
る。
ブロックが読出されると同時に、アドレスjからもデー
タブロックが読出され、夫々のデータブロックは同時に
並行して、ディスク制御回路21と22に夫々転送され
る。
【0025】ディスク制御回路21と22は、図4(A
) に示すコマンドによって、データの退避を行うこと
を認識すると、ディスク制御回路21は磁気ディスク装
置4を制御して、磁気ディスクの所定のシリンダの所定
のセクタにヘッドを位置付けさせると、メモリアクセス
制御回路19が送出するデータブロックを順次書込ませ
、ディスク制御回路22は磁気ディスク装置5を制御し
て、磁気ディスクの所定のシリンダの所定のセクタにヘ
ッドを位置付けさせると、メモリアクセス制御回路20
が送出するデータブロックを順次書込ませる。
) に示すコマンドによって、データの退避を行うこと
を認識すると、ディスク制御回路21は磁気ディスク装
置4を制御して、磁気ディスクの所定のシリンダの所定
のセクタにヘッドを位置付けさせると、メモリアクセス
制御回路19が送出するデータブロックを順次書込ませ
、ディスク制御回路22は磁気ディスク装置5を制御し
て、磁気ディスクの所定のシリンダの所定のセクタにヘ
ッドを位置付けさせると、メモリアクセス制御回路20
が送出するデータブロックを順次書込ませる。
【0026】従って、半導体メモリ1に格納されている
データは、図3に示す如く、アドレス0〜(j−1)の
範囲内のデータが磁気ディスク装置4に、アドレスj〜
kの範囲内のデータが磁気ディスク装置5に順次1デー
タブロックずつ同時に書込まれる。
データは、図3に示す如く、アドレス0〜(j−1)の
範囲内のデータが磁気ディスク装置4に、アドレスj〜
kの範囲内のデータが磁気ディスク装置5に順次1デー
タブロックずつ同時に書込まれる。
【0027】ディスク制御回路21と22は、データ転
送状態を監視しており、コマンドで指定されたデータ量
の転送が完了すると、図4(B) に示す如きレスポン
スをサービスプロセッサ23に報告する。
送状態を監視しており、コマンドで指定されたデータ量
の転送が完了すると、図4(B) に示す如きレスポン
スをサービスプロセッサ23に報告する。
【0028】即ち、レスポンスはコードと、番号と、コ
ンディションからなり、コードはデータ退避又はリスト
アの指示に対する応答を表し、番号は論理ドライブの番
号を表し、コンディションは動作の終了状態を示すステ
ータスである。
ンディションからなり、コードはデータ退避又はリスト
アの指示に対する応答を表し、番号は論理ドライブの番
号を表し、コンディションは動作の終了状態を示すステ
ータスである。
【0029】サービスプロセッサ23は、ディスク制御
回路21と22からレスポンスを受信すると、図5に示
す如きテーブル15を作成する。図5はテーブルの一例
を説明する図である。
回路21と22からレスポンスを受信すると、図5に示
す如きテーブル15を作成する。図5はテーブルの一例
を説明する図である。
【0030】テーブル15は、図示する如く、論理ドラ
イブ番号を記録する欄と、論理ドライブに格納されたデ
ータが、磁気ディスク装置4と5に分割されて格納され
たか否かを示す分割フラグを記録する欄と、データ退避
が完了したか否かを示す完了フラグを記録する欄と、デ
ータ退避が正常終了したか、異常終了したかを示すステ
ータスを記録する欄から構成される。
イブ番号を記録する欄と、論理ドライブに格納されたデ
ータが、磁気ディスク装置4と5に分割されて格納され
たか否かを示す分割フラグを記録する欄と、データ退避
が完了したか否かを示す完了フラグを記録する欄と、デ
ータ退避が正常終了したか、異常終了したかを示すステ
ータスを記録する欄から構成される。
【0031】半導体メモリ1に格納されたデータが図3
に示す如き状態であり、正常にデータ退避が完了すれば
、図5に示す如く、論理ドライブ(0) の分割フラグ
欄には分割されていないことを示す ”0”が記録され
、完了フラグ欄にはデータ退避完了を示す ”1”が記
録され、ステータス欄には、正常終了を示す ”1”が
記録される。
に示す如き状態であり、正常にデータ退避が完了すれば
、図5に示す如く、論理ドライブ(0) の分割フラグ
欄には分割されていないことを示す ”0”が記録され
、完了フラグ欄にはデータ退避完了を示す ”1”が記
録され、ステータス欄には、正常終了を示す ”1”が
記録される。
【0032】又、論理ドライブ(1) の分割フラグ欄
には分割されていることを示す ”1”が記録され、完
了フラグ欄にはデータ退避完了を示す”1”が記録され
、ステータス欄には、正常終了を示す ”1”が記録さ
れる。
には分割されていることを示す ”1”が記録され、完
了フラグ欄にはデータ退避完了を示す”1”が記録され
、ステータス欄には、正常終了を示す ”1”が記録さ
れる。
【0033】又更に、論理ドライブ(2) の分割フラ
グ欄には分割されていないことを示す ”0”が記録さ
れ、完了フラグ欄にはデータ退避完了を示す ”1”が
記録され、ステータス欄には、正常終了を示す ”1”
が記録される。
グ欄には分割されていないことを示す ”0”が記録さ
れ、完了フラグ欄にはデータ退避完了を示す ”1”が
記録され、ステータス欄には、正常終了を示す ”1”
が記録される。
【0034】サービスプロセッサ23は、電源が復旧す
ると、テーブル15を参照して、ステータス欄が ”1
”のデータを磁気ディスク装置4から読出すことをディ
スク制御回路21に指示する。
ると、テーブル15を参照して、ステータス欄が ”1
”のデータを磁気ディスク装置4から読出すことをディ
スク制御回路21に指示する。
【0035】従って、ディスク制御回路21は、磁気デ
ィスク装置4から、データの書込みと同一順にデータブ
ロックを読出させ、メモリアクセス制御回路19にデー
タブロックを転送し、メモリアクセス制御回路19は、
転送されたデータブロックを半導体メモリ1のアドレス
0から順次書込む。
ィスク装置4から、データの書込みと同一順にデータブ
ロックを読出させ、メモリアクセス制御回路19にデー
タブロックを転送し、メモリアクセス制御回路19は、
転送されたデータブロックを半導体メモリ1のアドレス
0から順次書込む。
【0036】サービスプロセッサ23は、磁気ディスク
装置4からのデータ転送が完了すると、テーブル15を
参照して、ステータス欄が ”1”のデータを磁気ディ
スク装置5から読出すことをディスク制御回路22に指
示する。
装置4からのデータ転送が完了すると、テーブル15を
参照して、ステータス欄が ”1”のデータを磁気ディ
スク装置5から読出すことをディスク制御回路22に指
示する。
【0037】従って、ディスク制御回路22は、磁気デ
ィスク装置5から、データの書込みと同一順にデータブ
ロックを読出させ、メモリアクセス制御回路20にデー
タブロックを転送し、メモリアクセス制御回路20は、
転送されたデータブロックを半導体メモリ1のアドレス
jから順次書込む。
ィスク装置5から、データの書込みと同一順にデータブ
ロックを読出させ、メモリアクセス制御回路20にデー
タブロックを転送し、メモリアクセス制御回路20は、
転送されたデータブロックを半導体メモリ1のアドレス
jから順次書込む。
【0038】従って、テーブル15のステータス欄に
”0”が記録されていなければ、半導体メモリ1には、
退避する前のデータが再び格納される。図6は本発明の
退避時間を説明する図である。
”0”が記録されていなければ、半導体メモリ1には、
退避する前のデータが再び格納される。図6は本発明の
退避時間を説明する図である。
【0039】図8と同様に、縦軸に時間を、横軸にアド
レスをとると、半導体メモリ1にデータがアドレスnま
で格納されている場合は、データ退避に要する時間は、
図8と同一のTであるが、データ量がアドレスn以下で
あれば、直線■に示す如く、常に時間T以下であり、図
8に比し斜線で示す部分の時間が短縮される。
レスをとると、半導体メモリ1にデータがアドレスnま
で格納されている場合は、データ退避に要する時間は、
図8と同一のTであるが、データ量がアドレスn以下で
あれば、直線■に示す如く、常に時間T以下であり、図
8に比し斜線で示す部分の時間が短縮される。
【0040】
【発明の効果】以上説明した如く、本発明は図6の斜線
部分に示す如く、データ退避時間を従来より短縮するこ
とが出来る。
部分に示す如く、データ退避時間を従来より短縮するこ
とが出来る。
【図1】 本発明の原理を説明するブロック図
【図2
】 本発明の一実施例を示す回路のブロック図
】 本発明の一実施例を示す回路のブロック図
【図3
】 図2の動作を説明する図
】 図2の動作を説明する図
【図4】 コマンドとレスポンスの一例を説明する図
【図5】 テーブルの一例を説明する図
【図6】
本発明の退避時間を説明する図
本発明の退避時間を説明する図
【図7】 従来技術の
一例を説明する図
一例を説明する図
【図8】 従来技術の問題点を説明
する図
する図
1 半導体メモリ
2、3 領域
4、5 磁気ディスク装置
6 半導体ディスク装置
7 上位装置
8、9 メモリアクセス制御部
10、11 不揮発性媒体制御部
12 制御手段
13、14 不揮発性媒体
15 テーブル
18 インタフェース回路
19、20 メモリアクセス制御回路21、22
ディスク制御回路 23 サービスプロセッサ
ディスク制御回路 23 サービスプロセッサ
Claims (1)
- 【請求項1】 上位装置(7) から転送されたデー
タを格納する半導体メモリ(1) と、該半導体メモリ
(1) をアクセスしてデータの書込み/読出しを行う
複数のメモリアクセス制御部(8) 〜(9) と、該
複数のメモリアクセス制御部(8) 〜(9) が読出
したデータを、複数の不揮発性媒体(13)〜(14)
に夫々書込む複数の不揮発性媒体制御部(10)〜(1
1)と、該複数の不揮発性媒体制御部(10)〜(11
)及びメモリアクセス制御部(8) 〜(9) にデー
タ退避を指示する制御手段(12)とを備えた半導体デ
ィスク装置(6) において、データ退避時に、該半導
体メモリ(1) に格納されたデータ量から、該データ
量を等分するアドレスと転送すべきデータ量を決定して
、データ退避を指示するコマンドと、該コマンドの実行
結果に基づき、退避させたデータを該半導体メモリ(1
) に書込ませるための制御情報を記録するテーブル(
15)と、を該制御手段(12)に設け、該制御手段(
12)がデータ退避を行わせる場合、前記コマンドによ
って、該半導体メモリ(1) に格納されたデータを等
分して、該複数のメモリアクセス制御部(8) 〜(9
) に同時に並行して読出させ、該複数の不揮発性媒体
制御部(10)〜(11)に夫々転送させて、該複数の
不揮発性媒体(13)〜(14)に夫々退避させること
を特徴とする半導体ディスク装置のデータ退避方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3047140A JPH04283825A (ja) | 1991-03-13 | 1991-03-13 | 半導体ディスク装置のデータ退避方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3047140A JPH04283825A (ja) | 1991-03-13 | 1991-03-13 | 半導体ディスク装置のデータ退避方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04283825A true JPH04283825A (ja) | 1992-10-08 |
Family
ID=12766806
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3047140A Withdrawn JPH04283825A (ja) | 1991-03-13 | 1991-03-13 | 半導体ディスク装置のデータ退避方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04283825A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0613151A3 (en) * | 1993-02-26 | 1995-03-22 | Tokyo Shibaura Electric Co | Semiconductor memory system with flash EEPROM. |
-
1991
- 1991-03-13 JP JP3047140A patent/JPH04283825A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0613151A3 (en) * | 1993-02-26 | 1995-03-22 | Tokyo Shibaura Electric Co | Semiconductor memory system with flash EEPROM. |
US5812814A (en) * | 1993-02-26 | 1998-09-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Alternative flash EEPROM semiconductor memory system |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980514 |