JPH04282892A - 薄膜多層基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は薄膜多層基板の製造方法
に係り、特にパターンの微細化が要求された薄膜多層基
板の製造方法に関する。

【０００２】近年、コンピュータシステムの高速化に伴
い、使用されるプリント基板には、パターンの微細化、
基板サイズの大型化、基板の多層化が要求され、この要
求を満たす為に薄膜多層基板が提供されている。そして
この薄膜多層基板においても、パターンのより微細化が
更に要求されており、これを実現するために、微細な層
間接続ＶＩＡ（以下、単にバイヤという）を安定して形
成することができる形成方法の確立が望まれている。

【０００３】

【従来の技術】図７は従来の薄膜多層基板のバイヤホー
ルの成形方法を示すブロック図、図８は図７に示す各工
程時の状態を示す図である。

【０００４】図８（Ａ）に示すように、先ず第１に基板
の母材１上に下地となる導体パターン２を形成する（工
程１１）。

【０００５】次に、図８（Ｂ）に示すように、母材１の
表面上に感光性ポリイミドによる絶縁体３を、スピンコ
ーター等の塗布装置を使用して塗布し（工程１２）、こ
れをプリベークして絶縁層６を形成する（工程１３、図
８（Ｃ））。尚、絶縁体３の塗布の前に絶縁体３と接着
性のある材料を予め母材１上に形成しておく。

【０００６】その後、図８（Ｄ）に示すようにガラスマ
スク４を重ねて、露光装置（図示せず）にてバイヤホー
ルのパターン４ａを絶縁層６に焼き付ける（工程１４）
。

【０００７】そして、超音波槽（図示せず）等にて専用
現像液を使い現像処理を行う（工程１５）と、図８（Ｅ
）に示すように絶縁層６の表面と導体パターン２とを連
通するバイヤホール５が形成される。

【０００８】最後に絶縁層６を硬化させて、母材１上に
導体パターン２、絶縁層６、及びバイヤホール５の形成
が終了する（工程１６、図８（Ｆ））。

【０００９】また、絶縁層６の膜厚を厚くしたい場合に
は、工程１２の絶縁体３の塗布工程から工程１６の硬化
工程までの工程を何度か繰り返して行う。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】感光性ポリイミドに露
光現像処理を施してバイヤホールを成形する従来の方法
では、感光性ポリイミド材料の感光特性や、感光性ポリ
イミドの塗布、露光、現像といった製造プロセスの条件
にばらつきがあり、一般的に、絶縁層６の厚さ寸法が１
５μｍの場合、直径が６０μｍ程度のバイヤホールが限
界とされ、それ以下のバイヤホールの形成は難しい。そ
して、バイヤホール５の形成が露光現像処理によるため
、絶縁層６が厚くなるとホール形成の精度が低下し、バ
イヤホール５の直径は更に大きなものとなる。

【００１１】更に、多数形成されるバイヤホール５には
寸法のばらつきが発生し、例えば、微細なパターン４ａ
を有したガラスマスク４を準備して微細なバイヤホール
を形成しようとした場合では、バイヤホール５が全く形
成されなかったり、パターン４ａよりも遙かに大きな径
寸法のバイヤホール５が形成されてしまうという事態が
発生する。

【００１２】従って、従来の方法ではバイヤホール５の
微細化が制限され、またこれによって導体パターン２の
パターンも大きくなるため、薄膜多層基板の高密度化は
困難であった。

【００１３】そこで本発明は上記課題に鑑みなされたも
ので、微細で且つ精度のあるバイヤホールを安定して形
成することのできる薄膜多層基板の製造方法を提供する
ことを目的とする。

【００１４】

【課題を解決するための手段】図１は本発明の原理構成
を示すブロック図である。

【００１５】上記目的を達成するために本発明は、バイ
ヤホール内のバイヤにより層間接続された薄膜多層基板
の製造方法において、基板母材に導体パターンを形成し
、更にその表面上に絶縁層を形成する導体パターン及び
絶縁層形成工程（工程６１）と、該絶縁層の表面上に、
薄膜状のメタルマスク用金属膜を形成するメタルマスク
用金属膜形成工程（工程６２）と、レジストにて、第１
のバイヤホールのパターンを有した第１のレジストパタ
ーンを、前記メタルマスク用金属膜の表面上に形成する
第１のレジストパターン形成工程（工程６３）と、該第
１のレジストパターンをマスクとして、前記メタルマス
ク用金属膜をエッチングすることにより、前記メタルマ
スク用金属膜に前記第１のバイヤホールのパターンに対
応した第２のバイヤホールのパターンを形成してメタル
マスクを形成するメタルマスク形成工程（工程６４）と
、前記メタルマスクの表面上に金属膜を形成してメタル
マスクを２重化するメタルマスク２重化工程（工程６５
）と、前記２重化されたメタルマスクをマスクとして前
記絶縁層をドライエッチングすることにより、前記絶縁
層に前記第２のバイヤホールのパターンに対応した前記
バイヤホールを形成するドライエッチング工程（工程６
６）とを有し、図１に示すように、工程６１から工程６
６まで順に進める構成である。

【００１６】

【作用】第１のレジストパターンはマスクとしてのみ作
用するためメタルマスク用金属膜上に薄く形成すればよ
い。このため、第１のバイヤホールのパターン形成時に
横広がりが無くなり、第１のバイヤホールのパターンは
精度が良好となる。また、レジスト自体は従来の感光性
ポリイミドに比べて微細パターンの形成に適した材料と
されている。以上の条件により、第１のレジストパター
ン形成工程では、微細な第１のバイヤホールのパターン
を第１のレジストパターン上に精度良く形成することが
できる。

【００１７】この第１のレジストパターンが形成された
メタルマスク用金属膜に、エッチングが施されてメタル
マスクが形成される。ここで、このメタルマスク用金属
膜は薄膜状であるため、エッチングによる浸食がメタル
マスク用金属膜の面方向へ広がる前に侵食がメタルマス
ク用金属膜の裏面まで貫通してパターンが形成される。 よって、第１のレジストパターン上の微細な第１のバイ
ヤホールのパターンは第２のバイヤホールのパターンと
してそのまま精度良くメタルマスク用金属膜に転写され
、精度の良いメタルマスクが形成される。

【００１８】また、このメタルマスクは薄膜状であるた
め、第２のバイヤホールのパターン以外にピンホール等
の欠陥部を多数有しており、このままでは絶縁層に対す
るマスクとして使用できない。そこで、メタルマスク２
重化工程においてメタルマスク上に金属膜を形成するこ
とにより、ピンホール等のメタルマスクの欠陥部を補修
し、完全なメタルマスクが構成される。

【００１９】ドライエッチングは、侵食方向がメタルマ
スクの面方向に広がらない方向性を有するため、絶縁層
には微細な第２のバイヤホールのパターンに精度よく対
応したバイヤホールが形成される。

【００２０】

【実施例】図２は本発明になる薄膜多層基板の製造方法
の第１実施例のブロック図、図３は図２に示す導体パタ
ーン形成工程２１からレジストパターン剥離工程２７ま
での各工程における状態を示す図、図４は図２に示す電
解めっき工程２８から最終的なウェットエッチング工程
３０までの各工程における状態を示す図である。

【００２１】図２に示す各工程について順を追って説明
する。

【００２２】先ず第１に、図３（Ａ）に示すように、基
板の母材４１の片面４１ａ上に、導体パターン４２と導
体パターン４２を配設する必要の無いスペースに試験用
の導体４３とを形成する。更に、後述するドライエッチ
ングによってこの導体パターン４２、導体４３が侵食さ
れないように、導体パターン４２、及び導体４３の上面
に耐ドライエッチング性のある例えば白金（Ｐｔ）４４
を約１μｍの厚さで形成する（工程２１）。

【００２３】次に、図３（Ｂ）に示すように、導体パタ
ーン４２を形成した面４１ａ上に絶縁層４５を一様に形
成する。この絶縁層４５は、熱硬化性ポリイミドをコー
ティングし、窒素（Ｎ２　）ベーク炉（図示せず）内に
て熱硬化することにより形成される（工程２２）。

【００２４】そして、上記の如く母材４１上に導体パタ
ーン４２、導体４３、絶縁層４５を設けた基板を、１０
−１Ｐａ程度の真空中にて　２００℃で１時間の加熱処
理を行う（工程２３）。このように加熱処理することに
より、絶縁層４５に吸着した水分が除去されると共に、
絶縁層４５上に付着した有機物が分解、固着し、後に絶
縁層４５上に形成されるメタルマスク用金属膜４６Ａの
部分的欠落が減少し、絶縁層４５とメタルマスク用金属
膜４６Ａとの密着性が向上するという効果がある。

【００２５】次に、図３（Ｃ）に示すように、絶縁層４
５の表面上にメタルマスク用金属膜４６Ａをスパッタリ
ングにて薄膜状に形成する（工程２４）。このメタルマ
スク用金属膜４６Ａは、絶縁層４５側に約　０．２μｍ
の厚さでスパッタリングされたクロム（Ｃｒ）４６ｂと
、その上方に約１μｍの厚さでスパッタリングされた銅
（Ｃｕ）４６ａとにより２層構造とされている。銅（Ｃ
ｕ）４６ａはメタルマスク用金属膜４６Ａの主要材料で
あり、白金（Ｐｔ）よりは劣るものの耐ドライエッチン
グ性のある金属として選定されている。クロム（Ｃｒ）
４６ｂは、銅（Ｃｕ）４６ａが絶縁層４５から剥離する
ことを防止する作用をしている。

【００２６】次に、図３（Ｄ）に示すように、メタルマ
スク用金属膜４６Ａの表面上に、バイヤホールのパター
ン（以下、単にバイヤパターンという）４８ａを有した
レジストパターン４８を形成する（工程２５）。このレ
ジストパターン４８は、メタルマスク用金属膜４６Ａ上
にレジスト４７を１０μｍ以下の厚さでコーティングし
、これを露光現像処理することにより形成される。

【００２７】ここで、このレジスト４７は、上述した感
光性ポリイミドに比べて耐久性、耐熱性は劣るものの、
微細加工に適した材料とされている。また、レジストパ
ターン４８はメタルマスク用金属膜４６Ａにパターンを
形成するためのマスクとしてのみ作用するため、メタル
マスク用金属膜４６Ａ上に薄く形成することができる。 従って、レジスト４７の露光現像処理工程においては、
バイヤパターン４８ａが横広がり無く転写され、その結
果、レジストパターン４８には微細なバイヤパターン４
８ａ（直径寸法＝２０〜３０μｍ）が精度良く形成され
る。

【００２８】また、このレジストパターン形成工程にお
いて、導体４３の上方の部位に、検査用の肉眼で確認で
きる大きさのドーナツ状のドーナツパターン４８ｂを形
成する。このドーナツパターン４８ｂは、後述するドラ
イエッチング工程時においてエッチングの進行状態を確
認するために設けられる。

【００２９】次に、図３（Ｄ）に示されるレジストパタ
ーン４８をマスクとして、平板状のメタルマスク用金属
膜４６Ａにウェットエッチングを行う（工程２６）。こ
のウェットエッチングはアルカリ性液をエッチング液と
して使用しているため、熱硬化性ポリイミドによる絶縁
層４５には侵食が起きない。従って、エッチングが終了
した段階では、図３（Ｅ）に示すように、メタルマスク
用金属膜４６Ａにバイヤパターン４８ａと同一形状のバ
イヤパターン４６ｃと、ドーナツパターン４６ｄとが形
成され、メタルマスク用金属膜４６Ａはメタルマスク４
６となる。

【００３０】ここで、メタルマスク用金属膜４６Ａが上
述したように薄膜状に形成されている点に注目する。こ
のようにすることにより、エッチングによる浸食がメタ
ルマスク用金属膜４６Ａの裏面まで貫通してパターン４
６ｃ，４６ｄが完成するまでの時間が短くなるため、そ
の間に侵食がメタルマスク用金属膜４６Ａの面方向へ広
がることが防止される。従って、レジストパターン４８
の微細なバイヤパターン４８ａは、横へ広がることなく
そのまま精度良くメタルマスク用金属膜４６Ａに転写さ
れ、微細な精度の良いバイヤパターン４６ｃが形成され
たメタルマスク４６が形成される。

【００３１】次に、不要となったレジストパターン４８
の剥離を行う（工程２７）。剥離後の状態を図３（Ｆ）
に示す。

【００３２】次に、図４（Ａ）に示すように、バイヤパ
ターン４６ｃとドーナツパターン４６ｄを形成したメタ
ルマスク４６に、銅（Ｃｕ）４９の電解めっきを５μｍ
の厚さで全面に行う（工程２８）。この銅（Ｃｕ）４９
は、電解めっきであることから、金属のない部分にはめ
っきされず、よって、バイヤパターン４６ｃとドーナツ
パターン４６ｄを除くメタルマスク４６の表面上にめっ
きされる。

【００３３】ここで、メタルマスク４６は、上述したよ
うに微細なバイヤパターン４６ｃを形成しうるように薄
膜状に形成されているが、薄膜状であるがために、図３
（Ｃ）で説明したメタルマスク用金属膜４６Ａの形成工
程において、同図に示すように、バイヤパターン４６ｃ
以外にピンホール４６ｅ等の欠陥が多数形成されてしま
う。従って、メタルマスク４６のみをマスクとして絶縁
層４５にバイヤホールを形成しようとすると、バイヤパ
ターン４６ｃの部分だけではなくピンホール４６ｅの部
分にも同様にホールが形成されてしまう。更にこのホー
ルにバイヤと同様に導体が設けられると、層間の短絡事
故に発展する可能性があるため好ましくない。

【００３４】そこで、上記の如く銅（Ｃｕ）４９の電解
めっきを行い、メタルマスクを２重化することにより、
図４（Ａ）に示すように、銅（Ｃｕ）４９がピンホール
４６ｅを埋め、欠陥部の無い完全なメタルマスク４６を
構成することができる。

【００３５】次に、ＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ　Ｉｏｎ
　Ｅｔｃｈｉｎｇ＝反応性イオンエッチング）装置にて
、酸素ガス（Ｏ２　）又は、（Ｏ２　＋ＣＦ４　）ガス
を使い、メタルマスク４６と銅４９との２重化構造のメ
タルマスク５０をマスクとして、絶縁層４５のドライエ
ッチングを行う（工程２９）。図４（Ｂ）にドライエッ
チング終了後の状態を示すように、この工程により絶縁
層４５にバイヤホール４５ａが形成される。

【００３６】ここでこのドライエッチングは、侵食方向
がメタルマスク５０の面方向に広がり難いという方向性
を有しているため、バイヤホール４５ａは、直径寸法が
バイヤパターン４６ｃとほぼ同等か、或いは若干大きく
なった程度に形成される。即ち、微細で精度の良いバイ
ヤパターン４６ｃにより、微細なバイヤホール４５ａが
精度良く絶縁層４５に形成される。

【００３７】また、ドーナツパターン４６ｄの部分にお
いてもバイヤパターン４６ｃの部分と同様に侵食が進み
、ドーナツホール４５ｂが形成される。このため、オペ
レータは、ドーナツホール４５ｂの形成状態を確認する
ことによって、バイヤホール４５ａの形成状態を知るこ
とができ、これによりバイヤホール４５ａのエッチング
不足や、エッチングオーバーによるバイヤホール４５ａ
の肥大等が防止できる。

【００３８】また、導体パターン４２は、上述したよう
に耐ドライエッチング性の白金４４が表面に形成されて
いるため、ドライエッチング工程中に侵食されてしまう
ことが防止されている。

【００３９】最後に、再びウェットエッチングを行い、
不要となった２重化構造のメタルマスク５０を剥離する
（工程３０）。このウェットエッチングが終了した状態
を図４（Ｃ）に示す。

【００４０】そして、このバイヤホール４５ａ内に、導
体であるバイヤを形成し、その上部に上層パターンを形
成する（工程３１）。この状態における基板表面は図４
（Ａ）に示す状態と同一となり、よって上述した各工程
を繰り返すことによりバイヤで各層間の導体パターンが
接続された薄膜多層基板が構成される。

【００４１】このように本実施例のバイヤホールの形成
方法によれば、直径寸法が２０〜３０μｍ程度であり、
直径寸法が６０μｍ程度であった従来のバイヤホール５
に比べて微細化されたバイヤホール４５ａを、精度良く
安定して絶縁層４５に形成することができる。これは、
上述した本実施例の形成方法において、大略、以下に示
す作用によるものである。

【００４２】■レジスト４７の微細加工に適した特性と
、レジスト４７をメタルマスク用金属膜４６Ａ上に薄く
形成できるという点により、レジストパターン４８に微
細なバイヤパターン４８ａが形成される。

【００４３】■メタルマスク用金属膜４６Ａを薄膜状と
することにより、レジストパターン４８の微細なバイヤ
パターン４８ａが精度良く転写され、微細で精度の良い
メタルマスク４６が形成される。

【００４４】■侵食方向に方向性を有するドライエッチ
ングと、メタルマスク４６の微細なバイヤパターン４６
ｃとにより、絶縁層４５に微細なバイヤホール４５ａが
精度良く形成される。

【００４５】■更に、メタルマスク４６が薄膜状である
ことによる欠陥は、２重化構造のメタルマスク５０とし
たことにより補修される。

【００４６】また、上述したように、従来のバイヤホー
ルの形成方法では、絶縁層の厚さ寸法が大きくなると、
限界とされるバイヤホールの径寸法も増大する傾向にあ
るが、本実施例の形成方法では上記■項のドライエッチ
ングの方向性を有する特性によりバイヤホール４５ａの
横方向への広がりが抑えられるため、厚い絶縁層におい
ても微細なバイヤホールを確実に形成することができる
。即ち、本実施例によれば、微細なバイヤホールを絶縁
層の厚さ寸法に影響されることなく形成することができ
る。

【００４７】更に、従来の形成方法では絶縁層の材料が
感光性ポリイミドに限定されてしまうが、本実施例の形
成方法では絶縁層の材料が限定されない。このため、コ
ストの低下を図った絶縁層材料等のように、絶縁層材料
の多方面の開発が期待できる。

【００４８】図５は本発明になる薄膜多層基板の製造方
法の第２実施例のブロック図、図６は図５に示すスパッ
タ工程３２からウェットエッチング工程３４までの各工
程における状態を示す図である。

【００４９】この第２実施例においては、図５中、工程
２７までは上記第１実施例と同じであり、図３（Ｆ）に
示す状態の基板が形成されている。

【００５０】次に、図６（Ａ）に示すように、メタルマ
スク用金属膜４６Ａ上にスパッタ膜５１を形成する（工
程３２）。このスパッタ膜５１は、約　０．１μｍの厚
さでスパッタリングされたクロム（Ｃｒ）５１ｂと、そ
の上方に約１μｍの厚さでスパッタリングされた銅（Ｃ
ｕ）５１ａとにより２層構造とされている。クロム（Ｃ
ｒ）５１ｂは、上述したメタルマスク用金属膜４６Ａの
構造と同様に、銅（Ｃｕ）５１ａがメタルマスク４６か
ら剥離することを防止している。

【００５１】メタルマスク４６上の上記ピンホール４６
ｅはこのスパッタ膜５１により埋められ、ピンホール４
６ｅによる不具合はこの段階で防止される。ここでスパ
ッタ膜５１のピンホール４６ｅのある部位には凹部５１
ｃが形成されるが、絶縁層４５まで貫通したものでない
ため、後の工程には影響を及ぼさない。尚、スパッタ膜
５１には新たなピンホール５１ｄ等の欠陥も発生するが
、下層のピンホール４６ｅと、上層のピンホール５１ｄ
とが平面方向において重なる確率は非常に小さいもので
あり、メタルマスク４６の欠陥はスパッタ膜５１により
実質上完全に補修される。

【００５２】次に、スパッタ膜５１により塞がれたメタ
ルマスク４６のバイヤパターン４６ｃを再び開口するた
めに、図６（Ｂ）に示す如くレジストパターン５２をス
パッタ膜５１の表面上に形成する（工程３３）。このレ
ジストパターン５２には、上記レジストパターン４８と
同位置にバイヤパターン５２ａ及びドーナツパターン５
２ｂとが形成されている。

【００５３】そして、このレジストパターン５２をマス
クとしてウェットエッチングを再び行う（工程３４）。 図６（Ｃ）にウェットエッチングの終了状態を示すよう
に、スパッタ膜５１には、メタルマスク４６のバイヤパ
ターン４６ｃとドーナツパターン４６ｄと同一位置に、
夫々同一形状のバイヤパターン５１ｅとドーナツパター
ン５１ｆとが形成される。このように、メタルマスク４
６を形成し、これにバイヤパターン４６ｃを形成した上
記工程２４〜２６を再び繰り返すことにより、メタルマ
スク４６と、スパッタ膜５１との２重化構造であるメタ
ルマスク５３が形成され、メタルマスク４６が薄膜状で
あることによって発生した欠陥を補修することができる
。

【００５４】これ以降の工程は上記第１実施例と同一で
あり、絶縁層４５をドライエッチングすること（工程２
９）によりバイヤパターン４５ａが形成される。また、
レジストパターン５２はこのドライエッチング時に削除
され、２重化構造のメタルマスク５３が露出するため、
最後のウェットエッチング工程（工程３０）では、この
メタルマスク５３が削除される。

【００５５】更に、上述した第１及び第２実施例におい
ては、以下に示す変形例も可能である。■導体パターン
４２、及び導体４３の上面に形成された白金４４はアル
ミニウム（Ａｌ）でもよい。■ドライエッチングにて、
Ｏ２　ガスを使用すればＳｉＯ２も可能である。この場
合、終了後ＣＦ４　系ガスにてバイヤ底のＳｉＯ２を除
去する。■工程２３の真空加熱処理は、ドライＮ２　中
にて　２００℃以上にて加熱処理してもよい。■銅４６
ａ，５１ａの接着性を良好とするためのクロム４６ｂ，
５１ｂは、チタン（Ｔｉ）でも可能である。■銅４６ａ
，５１ａのスパッタリングの代わりに、無電銅めっきで
もよい。

【００５６】

【発明の効果】以上のように請求項１の発明によれば、
メタルマスクをレジストを使用した技術によって形成し
、且つ形成されたメタルマスクを２重化し、ドライエッ
チングによりバイヤホールを形成しているため、絶縁層
の厚さ寸法に影響されることなく、微細で且つ精度のあ
るバイヤホールを安定して絶縁層に形成することができ
、薄膜多層基板の微細化に寄与するところが大きい。 また、絶縁層の材料が限定されないため、絶縁層材料の
多方面にわたる開発が期待できる。

【００５７】また、請求項２の発明によれば、電解めっ
きを使用することにより、１つの工程でメタルマスクの
第２のバイヤホールのパターンに対応した金属膜が形成
され、形成された金属膜に新たにバイヤホールのパター
ンを形成する必要がない。このため薄膜多層基板の製造
工程が簡単となり、薄膜多層基板の製造コストの低減を
図ることがてきる。

【００５８】また、請求項３の発明によれば、メタルマ
スク２重化工程は、先に行われるメタルマスク用金属膜
形成工程と、第１のレジストパターン形成工程と、メタ
ルマスク形成工程とを繰り返して行うことによって行わ
れ、メタルマスク２重化工程のための新たな製造設備を
必要としない。従って、これによっても薄膜多層基板の
製造コストの低減を図ることがてきる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の原理構成を示すブロック図である。

【図２】本発明になる薄膜多層基板の製造方法の第１実
施例のブロック図である。

【図３】図２に示す導体パターン形成工程２１からレジ
ストパターン剥離工程２７までの各工程における状態を
示す図である。

【図４】図２に示す電解めっき工程２８から最終的なウ
ェットエッチング工程３０までの各工程における状態を
示す図である。

【図５】本発明になる薄膜多層基板の製造方法の第２実
施例のブロック図である。

【図６】図５に示すスパッタ工程３２からウェットエッ
チング工程３４までの各工程における状態を示す図であ
る。

【図７】従来の薄膜多層基板の製造方法の一例のブロッ
ク図である。

【図８】図７に示す各工程時の状態を示す図である。

【符号の説明】

２１〜３４，６１〜６６　　工程 ４５　　絶縁層 ４５ａ　　バイヤホール ４６，５０，５３　　メタルマスク ４６ｃ，４８ａ，５１ｅ，５２ａ　　バイヤホールのパ
ターン（バイヤパターン） ４６ｅ　　ピンホール ４６Ａ　　メタルマスク用金属膜 ４７　　レジスト ４８，５２　　レジストパターン ４８ｂ，５２ｂ　　ドーナツパターン ４９　　金属膜 ５１　　スパッタ膜

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　バイヤホール（４５ａ）内のバイヤに
   より層間接続された薄膜多層基板の製造方法において、
   基板母材（４１）に導体パターン（４２）を形成し、更
   にその表面上に絶縁層（４５）を形成する導体パターン
   及び絶縁層形成工程（６１）と、該絶縁層（４５）の表
   面上に、薄膜状のメタルマスク用金属膜（４６Ａ）を形
   成するメタルマスク用金属膜形成工程（６２）と、レジ
   スト（４７）にて、第１のバイヤホールのパターン（４
   ８ａ）を有した第１のレジストパターン（４８）を、前
   記メタルマスク用金属膜（４６Ａ）の表面上に形成する
   第１のレジストパターン形成工程（６３）と、該第１の
   レジストパターン（４８）をマスクとして、前記メタル
   マスク用金属膜（４６Ａ）をエッチングすることにより
   、前記メタルマスク用金属膜（４６Ａ）に前記第１のバ
   イヤホールのパターン（４８ａ）に対応した第２のバイ
   ヤホールのパターン（４６ｃ）を形成してメタルマスク
   （４６）を形成するメタルマスク形成工程（６４）と、
   前記メタルマスク（４６）の表面上に金属膜（４９，５
   １）を形成して前記メタルマスク（４６）を２重化する
   メタルマスク２重化工程（６５）と、前記２重化された
   メタルマスク（４６）をマスクとして前記絶縁層（４５
   ）をドライエッチングすることにより、前記絶縁層（４
   ５）に前記第２のバイヤホールのパターン（４６ｃ）に
   対応した前記バイヤホール（４５ａ）を形成するドライ
   エッチング工程（６６）とを有することを特徴とする薄
   膜多層基板の製造方法。
2. 【請求項２】　　前記メタルマスク２重化工程（６５）
   は、前記メタルマスク（４６）に電解めっきして前記金
   属膜（４９）を積層形成する電解めっき工程（２８）に
   よって行われることを特徴とする請求項１記載の薄膜多
   層基板の製造方法。
3. 【請求項３】　　前記メタルマスク２重化工程（６５）
   は、前記メタルマスク（４６）上にスパッタリングによ
   り金属膜（５１）を形成する金属膜形成工程（３２）と
   、前記レジスト（４７）にて、前記第２のバイヤホール
   のパターン（４６ｃ）と同一形状の第３のバイヤホール
   のパターン（５２ａ）を有した第２のレジストパターン
   （５２）を、前記金属膜（５１）上に形成する第２のレ
   ジストパターン形成工程（３３）と、該第２のレジスト
   パターン（５２）をマスクとして、前記金属膜（５１）
   をエッチングすることにより、前記金属膜（５１）に前
   記第２のバイヤホールのパターン（４６ｃ）と同一形状
   の第４のバイヤホールのパターン（５１ｅ）を形成する
   エッチング工程（３４）とによって行われることを特徴
   とする請求項１記載の薄膜多層基板の製造方法。