JPH04280602A - ガラス封止形サーミスタの製造方法 - Google Patents
ガラス封止形サーミスタの製造方法Info
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- JPH04280602A JPH04280602A JP4368791A JP4368791A JPH04280602A JP H04280602 A JPH04280602 A JP H04280602A JP 4368791 A JP4368791 A JP 4368791A JP 4368791 A JP4368791 A JP 4368791A JP H04280602 A JPH04280602 A JP H04280602A
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Landscapes
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- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、主に＋１００℃〜＋
３００℃の高温域における温度測定または温度補償に適
用されるガラス封止形サーミスタの製造方法に関し、さ
らに詳細には、該高温域にて連続使用されるサーミスタ
素体を温度、湿度及び物理的要因等による外部環境から
保護するとともに、一連の組立工程の自動化を可能なら
しめ単位時間当たりの製造数を向上して大量生産に対応
することのできるガラス封止形サーミスタの製造方法に
関するものである。
３００℃の高温域における温度測定または温度補償に適
用されるガラス封止形サーミスタの製造方法に関し、さ
らに詳細には、該高温域にて連続使用されるサーミスタ
素体を温度、湿度及び物理的要因等による外部環境から
保護するとともに、一連の組立工程の自動化を可能なら
しめ単位時間当たりの製造数を向上して大量生産に対応
することのできるガラス封止形サーミスタの製造方法に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、サーミスタ素子は、小形、簡易
構造及び設計の自由度が大きい等の理由より、暖房器、
エアコン、冷蔵庫、給湯器及び電気毛布等の家電用製品
または自動車、船舶、農業機械、制御機器及び工業計測
等の産業用製品に幅広く応用されている。
構造及び設計の自由度が大きい等の理由より、暖房器、
エアコン、冷蔵庫、給湯器及び電気毛布等の家電用製品
または自動車、船舶、農業機械、制御機器及び工業計測
等の産業用製品に幅広く応用されている。
【０００３】該サーミスタ素子を構造に関して分類する
と、マンガン、ニッケルまたはコバルト等の金属酸化物
を混合焼結して固体状に加工したものと、薄膜形成技術
により基板面に金属酸化物膜、シリコン膜、ゲルマニウ
ム膜または炭化シリコン膜等を形成したものと、に大別
することができる。
と、マンガン、ニッケルまたはコバルト等の金属酸化物
を混合焼結して固体状に加工したものと、薄膜形成技術
により基板面に金属酸化物膜、シリコン膜、ゲルマニウ
ム膜または炭化シリコン膜等を形成したものと、に大別
することができる。
【０００４】また、使用される温度領域においては、−
５０℃〜＋１２５℃範囲に該当する常温サーミスタ素子
と、＋１００℃〜３００℃範囲に該当する高温サーミス
タとに分類することもできる。
５０℃〜＋１２５℃範囲に該当する常温サーミスタ素子
と、＋１００℃〜３００℃範囲に該当する高温サーミス
タとに分類することもできる。
【０００５】なかでも、適用温度範囲が＋１００℃〜３
００℃に該当する高温サーミスタは、例えば近年価格の
低下並びに使用の簡便さ等の理由により購買及び利用頻
度が飛躍的に向上した電子レンジ等の比較的高温の装置
に関する温度制御に適用されている。
００℃に該当する高温サーミスタは、例えば近年価格の
低下並びに使用の簡便さ等の理由により購買及び利用頻
度が飛躍的に向上した電子レンジ等の比較的高温の装置
に関する温度制御に適用されている。
【０００６】上記高温サーミスタは、測温部であるサー
ミスタ素体に電気的入出力部を付与し、さらに保護部材
であるガラス等により被覆保護されることにより構成さ
れている。
ミスタ素体に電気的入出力部を付与し、さらに保護部材
であるガラス等により被覆保護されることにより構成さ
れている。
【０００７】従来のガラス封止形サーミスタの製造方法
を、図９及び図１０の外観図を参照することにより説明
する。
を、図９及び図１０の外観図を参照することにより説明
する。
【０００８】各種金属酸化物を混合焼結して略四角板状
に成型することによりサーミスタ素体１０が形成されて
おり、該サーミスタ素体１０は温度変化にともない素体
自身の保有する固体抵抗値が変化するという温度依存性
を有している。
に成型することによりサーミスタ素体１０が形成されて
おり、該サーミスタ素体１０は温度変化にともない素体
自身の保有する固体抵抗値が変化するという温度依存性
を有している。
【０００９】該サーミスタ素体１０の上面及び下面には
それぞれ導電性の良好なる銀等の第１電極１１及び第２
電極１２を、例えば物理的蒸着または塗着焼結等により
被膜形成する。
それぞれ導電性の良好なる銀等の第１電極１１及び第２
電極１２を、例えば物理的蒸着または塗着焼結等により
被膜形成する。
【００１０】一方、電気伝導性が良好且つ耐熱性を有す
るジュメット線を定寸に切断したものにより第１電線１
７及び第２電線１８が形成されている。
るジュメット線を定寸に切断したものにより第１電線１
７及び第２電線１８が形成されている。
【００１１】該第１電線１７及び第２電線１８を、前記
サーミスタ素体１０に形成された第１電極１１及び第２
電極１２にそれぞれ溶接または銀ろう等の導電材料にて
接続して、第１ろう付部１３及び第２ろう付部１４を形
成する。
サーミスタ素体１０に形成された第１電極１１及び第２
電極１２にそれぞれ溶接または銀ろう等の導電材料にて
接続して、第１ろう付部１３及び第２ろう付部１４を形
成する。
【００１２】このことにより、前記サーミスタ素体１０
の温度依存による抵抗値変化を、該第１電線１７及び第
２電線１８に電流を通電して電圧値変化として検出する
ことが可能になる。
の温度依存による抵抗値変化を、該第１電線１７及び第
２電線１８に電流を通電して電圧値変化として検出する
ことが可能になる。
【００１３】該サーミスタ素体１０及び各ろう付部等を
湿度または機械的振動等の外部環境から保護するために
、当該部をガラス等の保護部材１９により被覆する。
湿度または機械的振動等の外部環境から保護するために
、当該部をガラス等の保護部材１９により被覆する。
【００１４】さらに、前記第１電線１７及び第２電線１
８を、テフロン、ポリイミド等の絶縁性並びに耐熱性を
有するチューブにより被覆し、第１被覆電線１５及び第
２被覆電線１６を得る。
８を、テフロン、ポリイミド等の絶縁性並びに耐熱性を
有するチューブにより被覆し、第１被覆電線１５及び第
２被覆電線１６を得る。
【００１５】しかる後、前記第１被覆電線１５及び第２
被覆電線１６を介して、サーミスタ素体１０等の温度−
抵抗特性等を検査し適合品を選出することにより、ガラ
ス封止形サーミスタ１が製造される。
被覆電線１６を介して、サーミスタ素体１０等の温度−
抵抗特性等を検査し適合品を選出することにより、ガラ
ス封止形サーミスタ１が製造される。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のガラス封止形サーミスタの製造方法によれば、測温
体であるサーミスタ素体の各面に形成された各電極に、
被覆電線の露出電線部をろう付等により接着して電気的
に接続しているが、該被覆電線が柔軟性を有しているこ
と、また該素体の両面に電極が形成されていることより
、該電線のろう付等の一連の取付工程は人力による手作
業に依存するところが大であり、該工程を自動化するこ
とは非常に困難であるという問題点があった。
来のガラス封止形サーミスタの製造方法によれば、測温
体であるサーミスタ素体の各面に形成された各電極に、
被覆電線の露出電線部をろう付等により接着して電気的
に接続しているが、該被覆電線が柔軟性を有しているこ
と、また該素体の両面に電極が形成されていることより
、該電線のろう付等の一連の取付工程は人力による手作
業に依存するところが大であり、該工程を自動化するこ
とは非常に困難であるという問題点があった。
【００１７】また、前記サーミスタ素体の各電極に露出
電線部をろう付した後に、該サーミスタ素体等を保護ガ
ラス部材により封止保護する工程並びに各種の検査を行
う工程においても、該電線が可撓性を有していること等
により取扱性に劣るため、工程の規格均一化を図り自動
化することが困難であり、人力による手作業に依存せざ
るを得ないという問題点があった。
電線部をろう付した後に、該サーミスタ素体等を保護ガ
ラス部材により封止保護する工程並びに各種の検査を行
う工程においても、該電線が可撓性を有していること等
により取扱性に劣るため、工程の規格均一化を図り自動
化することが困難であり、人力による手作業に依存せざ
るを得ないという問題点があった。
【００１８】さらに、前記ガラス封止形サーミスタを製
造する工程は、該工程全般を通じて単体を製造するプロ
セスであり、単一過程が単一工程に対応するという構成
になっており、従って単位時間当たりの製造数に限界が
あり大量生産に不向きであるという問題点があった。
造する工程は、該工程全般を通じて単体を製造するプロ
セスであり、単一過程が単一工程に対応するという構成
になっており、従って単位時間当たりの製造数に限界が
あり大量生産に不向きであるという問題点があった。
【００１９】本発明は、上記事情に鑑みてなされたもの
であり、高温域にて連続使用されるサーミスタ素体を温
度、湿度及び物理的要因等による外部環境から保護する
とともに、一連の組立工程の自動化を可能ならしめ単位
時間当たりの製造数を向上することにより大量生産に対
応することのできるガラス封止形サーミスタの製造方法
を提供するものである。
であり、高温域にて連続使用されるサーミスタ素体を温
度、湿度及び物理的要因等による外部環境から保護する
とともに、一連の組立工程の自動化を可能ならしめ単位
時間当たりの製造数を向上することにより大量生産に対
応することのできるガラス封止形サーミスタの製造方法
を提供するものである。
【００２０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明は、素子搭載基板にサーミスタ素子が搭載
される導体パターンを複数形成する工程と、該導体パタ
ーンにサーミスタ素子を実装する工程と、該サーミスタ
素子を保護ガラス部材にて封止する工程と、前記導体パ
ターンに相応して素子搭載基板を切断する工程と、を有
することにより、上記目的を達成するものである。
に、この発明は、素子搭載基板にサーミスタ素子が搭載
される導体パターンを複数形成する工程と、該導体パタ
ーンにサーミスタ素子を実装する工程と、該サーミスタ
素子を保護ガラス部材にて封止する工程と、前記導体パ
ターンに相応して素子搭載基板を切断する工程と、を有
することにより、上記目的を達成するものである。
【００２１】
【作用】本発明においては、サーミスタ素子が搭載され
る導体パターンを、所定の規則性を有して素子搭載基板
の基板主面へ同時に複数形成し、該サーミスタ素子を導
体パターンの各々に順次搭載するとともにろう付等の溶
接により実装して、該サーミスタ素子と導体パターンと
の電気的接続を行っているため、可撓性を有する被覆電
線等を素体両面に形成された電極にろう付固定する等の
煩雑な作業工程を排除できるとともに当該工程を自動化
することができる。
る導体パターンを、所定の規則性を有して素子搭載基板
の基板主面へ同時に複数形成し、該サーミスタ素子を導
体パターンの各々に順次搭載するとともにろう付等の溶
接により実装して、該サーミスタ素子と導体パターンと
の電気的接続を行っているため、可撓性を有する被覆電
線等を素体両面に形成された電極にろう付固定する等の
煩雑な作業工程を排除できるとともに当該工程を自動化
することができる。
【００２２】また、前記素子搭載基板の複数の導体パタ
ーンに実装されたサーミスタ素子を、該素子搭載基板の
規則性を有する導体パターンに応じて保護ガラス部材に
より順次封止しているため、当該工程を自動化すること
ができるとともに複数同時にサーミスタ素体を封止保護
することも可能となる。
ーンに実装されたサーミスタ素子を、該素子搭載基板の
規則性を有する導体パターンに応じて保護ガラス部材に
より順次封止しているため、当該工程を自動化すること
ができるとともに複数同時にサーミスタ素体を封止保護
することも可能となる。
【００２３】また、前記素子搭載基板に複数実装された
各サーミスタ素子に各種規格に則った特性検査を行う工
程においても、該素子基板に形成された導体パターンが
規則性を有しているため、当該工程の自動化が可能であ
るとともに、該検査を整然と行うことができる。
各サーミスタ素子に各種規格に則った特性検査を行う工
程においても、該素子基板に形成された導体パターンが
規則性を有しているため、当該工程の自動化が可能であ
るとともに、該検査を整然と行うことができる。
【００２４】さらに、前記複数の導体パターンに実装さ
れるとともに保護ガラス部材により封止されたサーミス
タ素子を、該導体パターンに相応して切断し個々体に分
割しているため、単一の素子搭載基板より複数のガラス
封止形サーミスタを製造することが可能となる。
れるとともに保護ガラス部材により封止されたサーミス
タ素子を、該導体パターンに相応して切断し個々体に分
割しているため、単一の素子搭載基板より複数のガラス
封止形サーミスタを製造することが可能となる。
【００２５】
【実施例】本発明の実施例を、図面に基いて詳細に説明
する。
する。
【００２６】図１は同実施例の本発明に係わるガラス封
止形サーミスタを製造する工程を示すフローチャート、
図２は同実施例において素子搭載基板に導体パターンを
形成した状態を示す一部平面図、図３は同実施例におい
てサーミスタ素子を素子搭載ランドに搭載する状態を示
す一部斜視図、図４は同実施例においてサーミスタ素子
が実装された状態を示す一部平面図、図５は同実施例に
係わるガラス封止形サーミスタを示す一部を切欠いた斜
視図、図６は同実施例におけるガラス封止形サーミスタ
を示す一部を透視した平面図、図７は同実施例における
ガラス封止形サーミスタを示す一部を切欠いた側面図、
図８は本発明に係わる他の導体パターンを素子搭載基板
に形成した状態を示す平面図である。
止形サーミスタを製造する工程を示すフローチャート、
図２は同実施例において素子搭載基板に導体パターンを
形成した状態を示す一部平面図、図３は同実施例におい
てサーミスタ素子を素子搭載ランドに搭載する状態を示
す一部斜視図、図４は同実施例においてサーミスタ素子
が実装された状態を示す一部平面図、図５は同実施例に
係わるガラス封止形サーミスタを示す一部を切欠いた斜
視図、図６は同実施例におけるガラス封止形サーミスタ
を示す一部を透視した平面図、図７は同実施例における
ガラス封止形サーミスタを示す一部を切欠いた側面図、
図８は本発明に係わる他の導体パターンを素子搭載基板
に形成した状態を示す平面図である。
【００２７】図１に示すように、ガラス封止形サーミス
タの製造方法１００は、セラミック材料からなる板状の
未焼成成型体を準備する成型工程１０１と、該加工の際
に所定位置に分割溝を形成する分割溝形成工程１０２と
、該基板を焼成して素子搭載基板とする基板焼成工程１
０３と、該素子搭載基板にサーミスタ素子が搭載される
導体パターンを複数印刷する導体パターン印刷工程１０
４と、印刷された導体パターンを焼成する導体パターン
焼成工程１０５と、該導体パターンに導体保護ガラスを
塗着するとともに該導体保護ガラスを焼成する導体保護
ガラス塗着工程１０６及び導体保護ガラス焼成工程１０
７と、導体パターンにおける素子搭載ランドにろう付材
を印刷するろう付材印刷工程１０８と、前記サーミスタ
素子を該素子搭載ランドに搭載するサーミスタ素子搭載
工程１０９と、前記ろう付材を焼付けるろう付材焼付工
程１１０と、該サーミスタ素子に保護ガラス部材を塗着
する保護ガラス部材塗着工程１１１と、該保護ガラス部
材を焼成する保護ガラス部材焼成工程１１２と、を有し
ている。
タの製造方法１００は、セラミック材料からなる板状の
未焼成成型体を準備する成型工程１０１と、該加工の際
に所定位置に分割溝を形成する分割溝形成工程１０２と
、該基板を焼成して素子搭載基板とする基板焼成工程１
０３と、該素子搭載基板にサーミスタ素子が搭載される
導体パターンを複数印刷する導体パターン印刷工程１０
４と、印刷された導体パターンを焼成する導体パターン
焼成工程１０５と、該導体パターンに導体保護ガラスを
塗着するとともに該導体保護ガラスを焼成する導体保護
ガラス塗着工程１０６及び導体保護ガラス焼成工程１０
７と、導体パターンにおける素子搭載ランドにろう付材
を印刷するろう付材印刷工程１０８と、前記サーミスタ
素子を該素子搭載ランドに搭載するサーミスタ素子搭載
工程１０９と、前記ろう付材を焼付けるろう付材焼付工
程１１０と、該サーミスタ素子に保護ガラス部材を塗着
する保護ガラス部材塗着工程１１１と、該保護ガラス部
材を焼成する保護ガラス部材焼成工程１１２と、を有し
ている。
【００２８】前記ガラス封止形サーミスタの製造方法１
００における各工程を、図２から図７の相当する各図を
参照することにより詳述する。
００における各工程を、図２から図７の相当する各図を
参照することにより詳述する。
【００２９】（成型工程１０１）一般のセラミックス焼
結体の製造方法に基いて、セラミック材料粉末を、ドク
ターブレードまたは押出し成型機等により所定の幅及び
厚さを有するシート状に成型加工する。
結体の製造方法に基いて、セラミック材料粉末を、ドク
ターブレードまたは押出し成型機等により所定の幅及び
厚さを有するシート状に成型加工する。
【００３０】（分割溝形成工程１０２）前記シート状成
型体に、金型等を使用することにより所定の形状並びに
溝深さを有するように基板分割溝５０，５０´…を加工
するとともに、所定寸法に打抜き成型する。
型体に、金型等を使用することにより所定の形状並びに
溝深さを有するように基板分割溝５０，５０´…を加工
するとともに、所定寸法に打抜き成型する。
【００３１】なお、分割溝形成工程１０２により形成さ
れる基板分割溝５０，５０´…は、前記成型工程１０１
において同時に形成されるものであってもよい。
れる基板分割溝５０，５０´…は、前記成型工程１０１
において同時に形成されるものであってもよい。
【００３２】（基板焼成工程１０３）該成型加工基板を
、セラミックス焼結体となるように、所定の焼成温度に
て焼成して、素子搭載基板３０を形成する。
、セラミックス焼結体となるように、所定の焼成温度に
て焼成して、素子搭載基板３０を形成する。
【００３３】（導体パターン印刷工程１０４）前記素子
搭載基板３０の主面に、厚膜印刷法等を適用して、図２
に示すように規則性を有する導体パターン３１，３１´
を複数組形成する。
搭載基板３０の主面に、厚膜印刷法等を適用して、図２
に示すように規則性を有する導体パターン３１，３１´
を複数組形成する。
【００３４】ここで、該導体パターン３１，３１´…の
一組を観察すると、一対の細長導体の導体部３２，３２
´が形成されており、該導体部３２，３２´の各々の端
部には、幅広の素子搭載ランド３３，３３´と外部接続
ランド３４、３４´とが配設されている。
一組を観察すると、一対の細長導体の導体部３２，３２
´が形成されており、該導体部３２，３２´の各々の端
部には、幅広の素子搭載ランド３３，３３´と外部接続
ランド３４、３４´とが配設されている。
【００３５】（導体パターン焼成工程１０５）前記素子
搭載基板３０に印刷形成された導体パターン３１，３１
´…を、電気焼成炉等により所定の温度並びに時間を付
与することにより焼成する。
搭載基板３０に印刷形成された導体パターン３１，３１
´…を、電気焼成炉等により所定の温度並びに時間を付
与することにより焼成する。
【００３６】（導体保護ガラス塗着工程１０６）前記導
体パターン３１，３１´…における素子搭載ランド３３
，３３´及び外部接続ランド３４、３４´を除外する導
体部３２，３２´部に、導体部保護ガラス５２を厚膜印
刷法等により塗着する。
体パターン３１，３１´…における素子搭載ランド３３
，３３´及び外部接続ランド３４、３４´を除外する導
体部３２，３２´部に、導体部保護ガラス５２を厚膜印
刷法等により塗着する。
【００３７】この際、該導体部保護ガラス５２は、前記
導体パターン３１，３１´…の数量及び位置等に相応し
て塗着されるものとする。
導体パターン３１，３１´…の数量及び位置等に相応し
て塗着されるものとする。
【００３８】（導体保護ガラス焼成工程１０７）前記導
体部保護ガラス５２を、電気焼成炉等により所定の温度
並びに時間にて焼成することにより、図３に示すように
前記導体パターン３１，３１´…の導体部３２，３２´
を被覆保護する。
体部保護ガラス５２を、電気焼成炉等により所定の温度
並びに時間にて焼成することにより、図３に示すように
前記導体パターン３１，３１´…の導体部３２，３２´
を被覆保護する。
【００３９】（ろう付材印刷工程１０８）前記素子搭載
基板３０における導体パターン３１の素子搭載ランド３
３，３３´に、銀等のろう付材３５，３５´を印刷する
。
基板３０における導体パターン３１の素子搭載ランド３
３，３３´に、銀等のろう付材３５，３５´を印刷する
。
【００４０】（サーミスタ素子搭載工程１０９）前記素
子搭載ランド３３，３３´に搭載されるサーミスタ素子
４４は、図３に示されるように、板状のアルミナ等のセ
ラミックス基板４０の側面並びに上下平面の一部にかけ
て厚膜印刷焼成法等により、Ａｇ−Ｐｄ等の第１側面電
極４１及び第２側面電極４２を形成し、さらに上面に薄
膜形成技術等により金属酸化物膜、シリコン膜、ゲルマ
ニウム膜または炭化シリコン膜等を形成することにより
薄膜サーミスタ素体４３が形成されている。
子搭載ランド３３，３３´に搭載されるサーミスタ素子
４４は、図３に示されるように、板状のアルミナ等のセ
ラミックス基板４０の側面並びに上下平面の一部にかけ
て厚膜印刷焼成法等により、Ａｇ−Ｐｄ等の第１側面電
極４１及び第２側面電極４２を形成し、さらに上面に薄
膜形成技術等により金属酸化物膜、シリコン膜、ゲルマ
ニウム膜または炭化シリコン膜等を形成することにより
薄膜サーミスタ素体４３が形成されている。
【００４１】該サーミスタ素子４４を、前記ろう付材３
５，３５´が印刷された素子搭載ランド３３，３３´に
、例えば自動部品搭載装置等を使用して、図３の矢印の
如く搭載する。
５，３５´が印刷された素子搭載ランド３３，３３´に
、例えば自動部品搭載装置等を使用して、図３の矢印の
如く搭載する。
【００４２】この際、前記素子搭載基板３０に形成され
た導体パターン３１，３１´…に対応してサーミスタ素
子４４，４４´…は、所定位置に順次搭載されるように
なっている。
た導体パターン３１，３１´…に対応してサーミスタ素
子４４，４４´…は、所定位置に順次搭載されるように
なっている。
【００４３】（ろう付材焼付工程１１０）前記素子搭載
ランド３３，３３´に印刷されたろう付材３５，３５´
を焼付けることによりろう付固定部３６，３６´を形成
して、該素子搭載ランド３３，３３´と、前記サーミス
タ素子４４，４４´…の第１側面電極４１及び第２側面
電極４２と、をそれぞれ電気的に接続するとともに固定
する。
ランド３３，３３´に印刷されたろう付材３５，３５´
を焼付けることによりろう付固定部３６，３６´を形成
して、該素子搭載ランド３３，３３´と、前記サーミス
タ素子４４，４４´…の第１側面電極４１及び第２側面
電極４２と、をそれぞれ電気的に接続するとともに固定
する。
【００４４】ここで、該サーミスタ素子４４，４４´…
が、前記導体パターン３１，３１´…における各素子搭
載ランド３３，３３´に順次搭載された状態を、図４に
示す。
が、前記導体パターン３１，３１´…における各素子搭
載ランド３３，３３´に順次搭載された状態を、図４に
示す。
【００４５】（保護ガラス部材塗着工程１１１）前記導
体パターン３１，３１´…における素子搭載ランド３３
，３３´にろう付搭載されたサーミスタ素子４４，４４
´…を、図５の如く封止するとともに、前記導体部３２
，３２´を封止している導体部保護ガラス５２の一部に
重合するように保護ガラス部材５１，５１…を塗着する
。
体パターン３１，３１´…における素子搭載ランド３３
，３３´にろう付搭載されたサーミスタ素子４４，４４
´…を、図５の如く封止するとともに、前記導体部３２
，３２´を封止している導体部保護ガラス５２の一部に
重合するように保護ガラス部材５１，５１…を塗着する
。
【００４６】但し、前記導体パターン３１，３１´…に
おける外部接続ランド３４、３４´は、該保護ガラス部
材５１，５１…による塗着より露出されている必要があ
る。
おける外部接続ランド３４、３４´は、該保護ガラス部
材５１，５１…による塗着より露出されている必要があ
る。
【００４７】（保護ガラス部材焼成工程１１２）前記サ
ーミスタ素子４４，４４´…等に塗着された保護ガラス
部材５１，５１…を、電気炉等により所定の温度並びに
時間にて焼成することにより、該サーミスタ素子４４，
４４´…等を封止保護する。
ーミスタ素子４４，４４´…等に塗着された保護ガラス
部材５１，５１…を、電気炉等により所定の温度並びに
時間にて焼成することにより、該サーミスタ素子４４，
４４´…等を封止保護する。
【００４８】本工程終了後において、前記外部接続ラン
ド３４、３４´に電子計測器の測定端子等を当接し、通
電することにより該サーミスタ素子４４，４４´…の各
種規格に則った特性検査等を順次行い、該規格等に適合
しないものを選出する。
ド３４、３４´に電子計測器の測定端子等を当接し、通
電することにより該サーミスタ素子４４，４４´…の各
種規格に則った特性検査等を順次行い、該規格等に適合
しないものを選出する。
【００４９】しかる後、前記素子搭載基板３０を、該素
子搭載基板３０に形成された導体パターン３１，３１´
…に則って、図４等に示す基板分割溝５０，５０´…に
て切断し、個々体のガラス封止形サーミスタ５５，５５
´…を分割する。
子搭載基板３０に形成された導体パターン３１，３１´
…に則って、図４等に示す基板分割溝５０，５０´…に
て切断し、個々体のガラス封止形サーミスタ５５，５５
´…を分割する。
【００５０】このことは、前記素子搭載基板３０より同
時に複数のガラス封止形サーミスタ５５，５５´…を形
成している。
時に複数のガラス封止形サーミスタ５５，５５´…を形
成している。
【００５１】上記の各工程により製造された個別のガラ
ス封止形サーミスタ５５を、図６及び図７に示す。
ス封止形サーミスタ５５を、図６及び図７に示す。
【００５２】このようなガラス封止形サーミスタ５５，
５５´…は、素子搭載基板３０がセラミックスを材質と
するとともに前記サーミスタ素子４４，４４´…を封止
保護する保護ガラス部材５１，５１´…がガラス部材で
あることより、例えば庫内が高温にさらされる電子レン
ジ等の温度制御並びに管理等に適用することができる。
５５´…は、素子搭載基板３０がセラミックスを材質と
するとともに前記サーミスタ素子４４，４４´…を封止
保護する保護ガラス部材５１，５１´…がガラス部材で
あることより、例えば庫内が高温にさらされる電子レン
ジ等の温度制御並びに管理等に適用することができる。
【００５３】この際、外部との電気的接続を行うための
外部接続ランド３４、３４´が前記素子搭載基板３０の
端部に固定して設けられているため、該ガラス封止形サ
ーミスタ５５を検温センサとするとともに素子搭載基板
３０の端部を基板コネクタとして活用し、該端部形状に
合致した受容部を、該電子レンジ等の庫内に設けること
により、該ガラス封止形サーミスタ５５を自在に着脱す
ることが可能となり、従って任意の期間内または故障時
等において簡便に交換等を行うことが可能となる。
外部接続ランド３４、３４´が前記素子搭載基板３０の
端部に固定して設けられているため、該ガラス封止形サ
ーミスタ５５を検温センサとするとともに素子搭載基板
３０の端部を基板コネクタとして活用し、該端部形状に
合致した受容部を、該電子レンジ等の庫内に設けること
により、該ガラス封止形サーミスタ５５を自在に着脱す
ることが可能となり、従って任意の期間内または故障時
等において簡便に交換等を行うことが可能となる。
【００５４】本実施例によるガラス封止型サーミスタ５
５は、導体パターン印刷工程１０４において素子搭載基
板３０に規則性を有する複数の導体パターン３１，３１
´…を同一の工程にて形成し、ろう付材印刷工程１０８
において該導体パターン３１，３１´…の素子搭載ラン
ド３３，３３´にろう付材３５，３５´を印刷し、サー
ミスタ素子搭載工程１０９において該素子搭載ランド３
３，３３´の各々にサーミスタ素子４４，４４´…を順
次搭載し、さらにろう付材焼付工程１１０においてサー
ミスタ素子４４，４４´…の第１側面電極４１及び第２
側面電極４２を該素子搭載ランド３３，３３´にそれぞ
れろう付を行うことにより、前記サーミスタ素子４４，
４４´…を導体パターン３１，３１´…に実装している
ため、従来の可撓性を有する被覆電線等を所定の電極に
ろう付固定する等の煩雑な作業工程を排除でき、当該工
程を自動化することができる。
５は、導体パターン印刷工程１０４において素子搭載基
板３０に規則性を有する複数の導体パターン３１，３１
´…を同一の工程にて形成し、ろう付材印刷工程１０８
において該導体パターン３１，３１´…の素子搭載ラン
ド３３，３３´にろう付材３５，３５´を印刷し、サー
ミスタ素子搭載工程１０９において該素子搭載ランド３
３，３３´の各々にサーミスタ素子４４，４４´…を順
次搭載し、さらにろう付材焼付工程１１０においてサー
ミスタ素子４４，４４´…の第１側面電極４１及び第２
側面電極４２を該素子搭載ランド３３，３３´にそれぞ
れろう付を行うことにより、前記サーミスタ素子４４，
４４´…を導体パターン３１，３１´…に実装している
ため、従来の可撓性を有する被覆電線等を所定の電極に
ろう付固定する等の煩雑な作業工程を排除でき、当該工
程を自動化することができる。
【００５５】また、前記素子搭載基板３０の導体パター
ン３１，３１´…に整然と実装されたサーミスタ素子４
４，４４´…を、保護ガラス部材塗着工程１１１及び保
護ガラス部材焼成工程１１２において保護ガラス部材５
１，５１…により順次封止するとともに焼成しているた
め、当該工程の自動化が図れるとともに複数同時に封止
保護することも可能となる。
ン３１，３１´…に整然と実装されたサーミスタ素子４
４，４４´…を、保護ガラス部材塗着工程１１１及び保
護ガラス部材焼成工程１１２において保護ガラス部材５
１，５１…により順次封止するとともに焼成しているた
め、当該工程の自動化が図れるとともに複数同時に封止
保護することも可能となる。
【００５６】また、各種規格に則った特性検査を行うに
際しても、該素子搭載基板３０に形成された導体パター
ン３１，３１´…が所定の間隔を有して整然と配置され
ているため、該導体パターン３１，３１´…の外部接続
ランド３４、３４´を介して行われる当該工程を自動化
することが可能となる。
際しても、該素子搭載基板３０に形成された導体パター
ン３１，３１´…が所定の間隔を有して整然と配置され
ているため、該導体パターン３１，３１´…の外部接続
ランド３４、３４´を介して行われる当該工程を自動化
することが可能となる。
【００５７】さらに、導体パターン印刷工程１０４にお
いて、複数の導体パターン３１，３１´…を形成し、ろ
う付材印刷工程１０８においてろう付材３５，３５´を
素子搭載ランド３３，３３´に印刷し、サーミスタ素子
搭載工程１０９においてサーミスタ素子４４，４４´…
を該素子搭載ランド３３，３３´に搭載し、ろう付材焼
付工程１１０において該素子搭載ランド３３，３３´に
サーミスタ素子４４，４４´…をろう付固定し、さらに
保護ガラス部材塗着工程１１１により保護ガラス部材５
１，５１…をサーミスタ素子４４，４４´…等に塗着す
ることにより封止保護して、予め前記素子搭載基板３０
に形成されている基板分割溝５０，５０´…に沿って個
々体に分割することによりガラス封止形サーミスタ５５
，５５´…を形成しているため、前記一連の製造工程を
踏襲することにより、同時に複数のガラス封止形サーミ
スタ５５，５５´…を製造することができる。
いて、複数の導体パターン３１，３１´…を形成し、ろ
う付材印刷工程１０８においてろう付材３５，３５´を
素子搭載ランド３３，３３´に印刷し、サーミスタ素子
搭載工程１０９においてサーミスタ素子４４，４４´…
を該素子搭載ランド３３，３３´に搭載し、ろう付材焼
付工程１１０において該素子搭載ランド３３，３３´に
サーミスタ素子４４，４４´…をろう付固定し、さらに
保護ガラス部材塗着工程１１１により保護ガラス部材５
１，５１…をサーミスタ素子４４，４４´…等に塗着す
ることにより封止保護して、予め前記素子搭載基板３０
に形成されている基板分割溝５０，５０´…に沿って個
々体に分割することによりガラス封止形サーミスタ５５
，５５´…を形成しているため、前記一連の製造工程を
踏襲することにより、同時に複数のガラス封止形サーミ
スタ５５，５５´…を製造することができる。
【００５８】なお、本発明による導体パターン形成工程
２１において形成される導体パターンは、図８に示すよ
うに、サーミスタ素子４４の長手方向と細長の導体部６
２，６２´の長手方向とが平行となるように素子搭載基
板３０に実装される導体パターン６１並びに素子搭載ラ
ンド６３，６３´を構成したガラス封止形サーミスタ６
５であってもよい。
２１において形成される導体パターンは、図８に示すよ
うに、サーミスタ素子４４の長手方向と細長の導体部６
２，６２´の長手方向とが平行となるように素子搭載基
板３０に実装される導体パターン６１並びに素子搭載ラ
ンド６３，６３´を構成したガラス封止形サーミスタ６
５であってもよい。
【００５９】また、前記素子搭載基板３０に関しては、
高温域使用に対する耐性を有しておればよく、セラミッ
クスを例にとれば、 Ａｌ２Ｏ３ ，ＡｌＮ，ＺｒＯ２
等が望ましい。
高温域使用に対する耐性を有しておればよく、セラミッ
クスを例にとれば、 Ａｌ２Ｏ３ ，ＡｌＮ，ＺｒＯ２
等が望ましい。
【００６０】また、本実施例においてはサーミスタ素子
４４に薄膜製造工程による薄膜サーミスタ素体４３を適
用していたが、金属酸化物等を固体状に焼結したサーミ
スタ素体に電極を付設したものを、前記素子搭載ランド
３３，３３´に搭載するものであってもよい。
４４に薄膜製造工程による薄膜サーミスタ素体４３を適
用していたが、金属酸化物等を固体状に焼結したサーミ
スタ素体に電極を付設したものを、前記素子搭載ランド
３３，３３´に搭載するものであってもよい。
【００６１】さらに、前記保護ガラス部材塗着工程１１
１において、殊に外部接続ランド３４、３４´にマスキ
ングを施して、前記素子搭載基板３０全体に渡って保護
ガラス部材５１，５１…を塗着し、しかる後、該マスク
を剥離する等の方法を考慮することもできる。
１において、殊に外部接続ランド３４、３４´にマスキ
ングを施して、前記素子搭載基板３０全体に渡って保護
ガラス部材５１，５１…を塗着し、しかる後、該マスク
を剥離する等の方法を考慮することもできる。
【００６２】また、本実施例においては、素子搭載基板
３０を焼結する以前の分割溝形成工程１０２において基
板分割溝５０，５０´…を形成していたが、該工程を削
除し、前記保護ガラス部材塗着工程１１１等が終了した
段階において、カッティングマシン等を使用して個々体
に分割加工してもよい。
３０を焼結する以前の分割溝形成工程１０２において基
板分割溝５０，５０´…を形成していたが、該工程を削
除し、前記保護ガラス部材塗着工程１１１等が終了した
段階において、カッティングマシン等を使用して個々体
に分割加工してもよい。
【００６３】
【発明の効果】本発明に係わるガラス封止形サーミスタ
の製造方法は、上記のように構成されているため、以下
に記載するような効果を有する。
の製造方法は、上記のように構成されているため、以下
に記載するような効果を有する。
【００６４】（１）素子搭載基板にサーミスタ素子が搭
載される導体パターンを複数形成し、該導体パターンに
サーミスタ素子を実装しているため、該実装工程が導体
パターンの規則性に依存して自動化することが可能とな
り、従来の手作業により可撓性を有する被覆電線等を所
定の電極部位にろう付固定する等の煩雑な工程を排除で
き、従って製造工程の簡素化を図ることができるという
優れた効果を有する。
載される導体パターンを複数形成し、該導体パターンに
サーミスタ素子を実装しているため、該実装工程が導体
パターンの規則性に依存して自動化することが可能とな
り、従来の手作業により可撓性を有する被覆電線等を所
定の電極部位にろう付固定する等の煩雑な工程を排除で
き、従って製造工程の簡素化を図ることができるという
優れた効果を有する。
【００６５】（２）前記素子搭載基板にサーミスタ素子
が所定の規則性を有して複数実装されている状態におい
て、該サーミスタ素子を保護部材にて封止保護している
ため、該被覆保護工程の自動化が図れるとともに、複数
のサーミスタ素子を同時に封止することが可能となると
いう優れた効果を有する。
が所定の規則性を有して複数実装されている状態におい
て、該サーミスタ素子を保護部材にて封止保護している
ため、該被覆保護工程の自動化が図れるとともに、複数
のサーミスタ素子を同時に封止することが可能となると
いう優れた効果を有する。
【００６６】（３）前記素子搭載基板の導体パターンが
所定の間隔を有して整然と形成され、しかも該導体パタ
ーンに複数のサーミスタ素子がそれぞれ実装されている
ため、該サーミスタ素子の各種規格に則った特性検査を
行う該検査の併行化並びに自動化が可能となり、簡素化
及び機械化による検査の信頼性の向上が図れるという優
れた効果を有する。
所定の間隔を有して整然と形成され、しかも該導体パタ
ーンに複数のサーミスタ素子がそれぞれ実装されている
ため、該サーミスタ素子の各種規格に則った特性検査を
行う該検査の併行化並びに自動化が可能となり、簡素化
及び機械化による検査の信頼性の向上が図れるという優
れた効果を有する。
【００６７】（４）前記素子搭載基板に規則性を有して
形成された導体パターンに、複数のサーミスタ素子が実
装されるとともに保護部材により封止された状態におい
て、前記導体パターンに相応して素子搭載基板を切断す
ることにより個々体に分割しているため、前記一連の製
造工程を踏襲することにより、同一工程において複数の
ガラス封止形サーミスタを製造することができ、単位時
間当たりの製造数の向上を図ることによる大量生産が可
能となり、従って大幅な生産コストの削減を達成するこ
とができるという優れた効果を有する。
形成された導体パターンに、複数のサーミスタ素子が実
装されるとともに保護部材により封止された状態におい
て、前記導体パターンに相応して素子搭載基板を切断す
ることにより個々体に分割しているため、前記一連の製
造工程を踏襲することにより、同一工程において複数の
ガラス封止形サーミスタを製造することができ、単位時
間当たりの製造数の向上を図ることによる大量生産が可
能となり、従って大幅な生産コストの削減を達成するこ
とができるという優れた効果を有する。
【図１】 本発明に係わるガラス封止形サーミスタを
製造する工程を示すフローチャート
製造する工程を示すフローチャート
【図２】 同実施例における素子搭載基板に導体パタ
ーンを形成した状態を示す一部平面図
ーンを形成した状態を示す一部平面図
【図３】 同実施例におけるサーミスタ素子を素子搭
載ランドに搭載した状態を示す一部斜視図
載ランドに搭載した状態を示す一部斜視図
【図４】
同実施例においてサーミスタ素子を実装した状態を示す
一部平面図
同実施例においてサーミスタ素子を実装した状態を示す
一部平面図
【図５】 同実施例に係わるガラス封止形サーミスタ
を示す一部を切欠いた斜視図
を示す一部を切欠いた斜視図
【図６】 同実施例におけるガラス封止形サーミスタ
を示す一部を透視した平面図
を示す一部を透視した平面図
【図７】 同実施例におけるガラス封止形サーミスタ
を示す一部を切欠いた側面図
を示す一部を切欠いた側面図
【図８】 本発明に係わる他の導体パターンを素子搭
載基板に形成した状態を示す平面図
載基板に形成した状態を示す平面図
【図９】 従来のガラス封止形サーミスタの概観を示
す一部を透視した平面図
す一部を透視した平面図
【図１０】従来のガラス封止形サーミスタの概観を示す
一部を切欠いた側面図
一部を切欠いた側面図
３０ 素子搭載基板
３１ 導体パターン
３３ 素子搭載ランド
３４ 外部接続ランド
３５ ろう付材
３６ ろう付固定部
４４ サーミスタ素子
５０ 基板分割溝
５１ 保護ガラス部材
５２ 導体部保護ガラス
５５ ガラス封止形サーミスタ
１００ ガラス封止形サーミスタの製造方法１０１
成型工程 １０２ 分割溝形成工程 １０３ 基板焼成工程 １０４ 導体パターン印刷工程 １０５ 導体パターン焼成工程 １０６ 導体保護ガラス塗着工程 １０７ 導体保護ガラス焼成工程 １０８ ろう付材印刷工程 １０９ サーミスタ素子搭載工程 １１０ ろう付材焼付工程 １１１ 保護ガラス部材塗着工程 １１２ 保護ガラス部材焼成工程
成型工程 １０２ 分割溝形成工程 １０３ 基板焼成工程 １０４ 導体パターン印刷工程 １０５ 導体パターン焼成工程 １０６ 導体保護ガラス塗着工程 １０７ 導体保護ガラス焼成工程 １０８ ろう付材印刷工程 １０９ サーミスタ素子搭載工程 １１０ ろう付材焼付工程 １１１ 保護ガラス部材塗着工程 １１２ 保護ガラス部材焼成工程
Claims (1)
- 【請求項１】 素子搭載基板にサーミスタ素子が搭載
される導体パターンを複数形成する工程と、該導体パタ
ーンにサーミスタ素子を実装する工程と、該サーミスタ
素子を保護ガラス部材にて封止する工程と、前記導体パ
ターンに相応して素子搭載基板を切断する工程と、を有
することを特徴とするガラス封止形サーミスタの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4368791A JPH04280602A (ja) | 1991-03-08 | 1991-03-08 | ガラス封止形サーミスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4368791A JPH04280602A (ja) | 1991-03-08 | 1991-03-08 | ガラス封止形サーミスタの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04280602A true JPH04280602A (ja) | 1992-10-06 |
Family
ID=12670755
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4368791A Pending JPH04280602A (ja) | 1991-03-08 | 1991-03-08 | ガラス封止形サーミスタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04280602A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996034260A1 (de) * | 1995-04-28 | 1996-10-31 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zum herstellen eines temperaturfühlers und bauelement mit temperaturabhängigem widerstandswert |
| JP2005243827A (ja) * | 2004-02-25 | 2005-09-08 | Murata Mfg Co Ltd | Ｐｔｃ素子の選別方法 |
| CN107622849A (zh) * | 2017-09-22 | 2018-01-23 | 中国振华集团云科电子有限公司 | 一种热敏电阻器包封方法、热敏电阻器的制备方法以及热敏电阻器 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63299101A (ja) * | 1987-05-28 | 1988-12-06 | Tdk Corp | 高温センサ用リ−ド端子 |
| JPH01270302A (ja) * | 1988-04-22 | 1989-10-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜サーミスタ |
-
1991
- 1991-03-08 JP JP4368791A patent/JPH04280602A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63299101A (ja) * | 1987-05-28 | 1988-12-06 | Tdk Corp | 高温センサ用リ−ド端子 |
| JPH01270302A (ja) * | 1988-04-22 | 1989-10-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜サーミスタ |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996034260A1 (de) * | 1995-04-28 | 1996-10-31 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zum herstellen eines temperaturfühlers und bauelement mit temperaturabhängigem widerstandswert |
| JP2005243827A (ja) * | 2004-02-25 | 2005-09-08 | Murata Mfg Co Ltd | Ｐｔｃ素子の選別方法 |
| CN107622849A (zh) * | 2017-09-22 | 2018-01-23 | 中国振华集团云科电子有限公司 | 一种热敏电阻器包封方法、热敏电阻器的制备方法以及热敏电阻器 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
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