JPH04276081A - 無電解錫、鉛又はそれらの合金めっき方法 - Google Patents
無電解錫、鉛又はそれらの合金めっき方法Info
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- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/48—Coating with alloys
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/24—Reinforcing the conductive pattern
- H05K3/244—Finish plating of conductors, especially of copper conductors, e.g. for pads or lands
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
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- H05K3/3457—Solder materials or compositions; Methods of application thereof
- H05K3/3473—Plating of solder
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- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、銅又は銅合金に無電解
錫、鉛又はそれらの合金めっきを施す方法に関し、更に
詳述すると、簡易かつ効果的に錫塩や鉛塩を補給し得て
、厚付けめっきが可能な無電解錫、鉛又はそれらの合金
めっき方法に関する。
錫、鉛又はそれらの合金めっきを施す方法に関し、更に
詳述すると、簡易かつ効果的に錫塩や鉛塩を補給し得て
、厚付けめっきが可能な無電解錫、鉛又はそれらの合金
めっき方法に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】従来、
電子工業用部品、回路等の銅又は銅合金部分にはんだ付
け性を付与するため、電気めっき法により錫、鉛又は錫
・鉛合金めっき皮膜を形成することが行なわれているが
、電子装置の小型化に伴なって部品や回路等も微小化又
は複雑化し、電気めっき法ではめっきできない部分も生
じている。そこで、これらの部分にもめっき可能な無電
解錫、鉛又は錫・鉛合金めっき法が検討されている。 例えば、特開平１−１８４２７９号公報には、特定の有
機スルホン酸、該有機スルホン酸の錫及び鉛塩、次亜燐
酸ナトリウム（還元剤）及びチオ尿素（錯化剤）を主成
分とする無電解錫・鉛合金めっき浴を用いる方法が提案
されている。しかし、従来の無電解錫、鉛又は錫・鉛合
金めっき法は、めっき浴の金属補給を行なわず、金属濃
度が析出限界以下に低下したらそのまま廃棄する使い捨
てのバッチ方式が多く、このため主にめっき皮膜を薄く
形成する場合に採用されているもので、厚いめっき皮膜
を得る目的でめっき浴を連続使用する提案は殆んどなく
、従って連続使用に必要な連続的に一定の析出量を維持
できるめっき浴の補給管理方法については提案されてい
ない。
電子工業用部品、回路等の銅又は銅合金部分にはんだ付
け性を付与するため、電気めっき法により錫、鉛又は錫
・鉛合金めっき皮膜を形成することが行なわれているが
、電子装置の小型化に伴なって部品や回路等も微小化又
は複雑化し、電気めっき法ではめっきできない部分も生
じている。そこで、これらの部分にもめっき可能な無電
解錫、鉛又は錫・鉛合金めっき法が検討されている。 例えば、特開平１−１８４２７９号公報には、特定の有
機スルホン酸、該有機スルホン酸の錫及び鉛塩、次亜燐
酸ナトリウム（還元剤）及びチオ尿素（錯化剤）を主成
分とする無電解錫・鉛合金めっき浴を用いる方法が提案
されている。しかし、従来の無電解錫、鉛又は錫・鉛合
金めっき法は、めっき浴の金属補給を行なわず、金属濃
度が析出限界以下に低下したらそのまま廃棄する使い捨
てのバッチ方式が多く、このため主にめっき皮膜を薄く
形成する場合に採用されているもので、厚いめっき皮膜
を得る目的でめっき浴を連続使用する提案は殆んどなく
、従って連続使用に必要な連続的に一定の析出量を維持
できるめっき浴の補給管理方法については提案されてい
ない。
【０００３】一方、通常の無電解めっき法においては、
随時、めっき浴中の金属成分を分析し、消費された金属
量に比例して金属成分の補給を行なうことにより、めっ
き浴を管理しているが、本発明者らの検討によれば、無
電解錫、鉛又は錫・鉛合金めっき浴の場合は、めっきの
進行と共に被めっき物から溶出した銅がめっき浴中に溶
解、蓄積していくため、めっき浴中で錫及び鉛成分を簡
易にしかも正確に分析することが困難であり、上述した
通常のめっき浴管理方法は無電解錫、鉛又は錫・鉛合金
めっき浴に対しては適用し難いことを知見した。
随時、めっき浴中の金属成分を分析し、消費された金属
量に比例して金属成分の補給を行なうことにより、めっ
き浴を管理しているが、本発明者らの検討によれば、無
電解錫、鉛又は錫・鉛合金めっき浴の場合は、めっきの
進行と共に被めっき物から溶出した銅がめっき浴中に溶
解、蓄積していくため、めっき浴中で錫及び鉛成分を簡
易にしかも正確に分析することが困難であり、上述した
通常のめっき浴管理方法は無電解錫、鉛又は錫・鉛合金
めっき浴に対しては適用し難いことを知見した。
【０００４】本発明は上記事情に鑑みなされたもので、
無電解錫、鉛又は錫・鉛合金めっき浴中の錫や鉛分を容
易にかつ確実に管理でき、このため厚付けめっきが容易
であり、連続めっきが可能な無電解錫、鉛又はそれらの
合金めっき方法を提供することを目的とする。
無電解錫、鉛又は錫・鉛合金めっき浴中の錫や鉛分を容
易にかつ確実に管理でき、このため厚付けめっきが容易
であり、連続めっきが可能な無電解錫、鉛又はそれらの
合金めっき方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段及び作用】本発明者らは、
上記目的を達成するため種々検討を重ねた結果、水溶性
錫塩及び／又は水溶性鉛塩、これらの塩を溶解する酸、
及び錯化剤を含むめっき浴を用いて銅又は銅合金に対し
無電解錫、鉛又はそれらの合金めっきを施す場合、その
メカニズムは、被めっき物である銅又は銅合金の銅分が
めっき浴中に溶解するのと同時に該被めっき物上に錫、
鉛又は錫・鉛合金皮膜が析出形成されるもので、従って
めっきの進行につれてめっき浴中に銅分が増加、蓄積し
てくるものであるが、この際、めっき浴中に溶出する銅
イオン量と消費される錫及び／又は鉛の量との間に比例
関係が存在し、しかもこの溶出銅イオン濃度はめっき浴
中で容易にかつ正確に分析でき、従ってめっき浴中に溶
出する銅イオン濃度を分析し、その増加分に比例して錫
塩及び／又は鉛塩を補給することにより、上記銅又は銅
合金用無電解錫、鉛又はそれらの合金めっき浴の錫分や
鉛分の管理を容易にかつ確実に行なうことができること
を見出し、本発明を完成するに至ったものである。
上記目的を達成するため種々検討を重ねた結果、水溶性
錫塩及び／又は水溶性鉛塩、これらの塩を溶解する酸、
及び錯化剤を含むめっき浴を用いて銅又は銅合金に対し
無電解錫、鉛又はそれらの合金めっきを施す場合、その
メカニズムは、被めっき物である銅又は銅合金の銅分が
めっき浴中に溶解するのと同時に該被めっき物上に錫、
鉛又は錫・鉛合金皮膜が析出形成されるもので、従って
めっきの進行につれてめっき浴中に銅分が増加、蓄積し
てくるものであるが、この際、めっき浴中に溶出する銅
イオン量と消費される錫及び／又は鉛の量との間に比例
関係が存在し、しかもこの溶出銅イオン濃度はめっき浴
中で容易にかつ正確に分析でき、従ってめっき浴中に溶
出する銅イオン濃度を分析し、その増加分に比例して錫
塩及び／又は鉛塩を補給することにより、上記銅又は銅
合金用無電解錫、鉛又はそれらの合金めっき浴の錫分や
鉛分の管理を容易にかつ確実に行なうことができること
を見出し、本発明を完成するに至ったものである。
【０００６】従って、本発明は、水溶性錫塩及び／又は
水溶性鉛塩、これらの塩を溶解する酸、及び錯化剤を含
む無電解めっき浴を用いて銅又は銅合金に対し無電解錫
、鉛又はそれらの合金めっきを施すに際し、上記めっき
浴中に溶出する銅イオン濃度の増加分に比例して水溶性
錫塩及び／又は水溶性鉛塩を補給することを特徴とする
無電解錫、鉛又はそれらの合金めっき方法を提供する。
水溶性鉛塩、これらの塩を溶解する酸、及び錯化剤を含
む無電解めっき浴を用いて銅又は銅合金に対し無電解錫
、鉛又はそれらの合金めっきを施すに際し、上記めっき
浴中に溶出する銅イオン濃度の増加分に比例して水溶性
錫塩及び／又は水溶性鉛塩を補給することを特徴とする
無電解錫、鉛又はそれらの合金めっき方法を提供する。
【０００７】以下、本発明につき更に詳述すると、本発
明で用いられるめっき浴は、水溶性錫塩、水溶性鉛塩又
はそれらの混合物からなる金属塩成分と、これらの金属
塩を溶解する酸成分と、錯化剤とを主成分として含有す
るものである。
明で用いられるめっき浴は、水溶性錫塩、水溶性鉛塩又
はそれらの混合物からなる金属塩成分と、これらの金属
塩を溶解する酸成分と、錯化剤とを主成分として含有す
るものである。
【０００８】ここで、水溶性錫塩としては、例えば硫酸
第１錫、アルカンスルホン酸第１錫、塩化第１錫、アル
カノールスルホン酸第１錫、スルホコハク酸第１錫等が
挙げられる。また、水溶性鉛塩としては、例えば塩化鉛
、メタンスルホン酸鉛、酢酸鉛、アルカノールスルホン
酸鉛、スルホコハク酸鉛等が挙げられる。これら金属塩
成分の含有量は０．５〜３０ｇ／ｌ、特に１〜２０ｇ／
ｌとすることが好ましい。金属塩成分の含有量が少な過
ぎると析出速度が低下する傾向が生じる。酸成分として
は、例えばアルカンスルホン酸、塩酸、アルカノールス
ルホン酸、過塩素酸、スルホコハク酸、ホウフッ酸等が
挙げられる。これら酸成分の含有量は５０〜２５０ｇ／
ｌ、特に１００〜２００ｇ／ｌとすることが好ましい。 酸成分の含有量が少な過ぎると金属塩の沈殿が生じる場
合があり、また、多過ぎると析出速度が低下する傾向が
生じる。
第１錫、アルカンスルホン酸第１錫、塩化第１錫、アル
カノールスルホン酸第１錫、スルホコハク酸第１錫等が
挙げられる。また、水溶性鉛塩としては、例えば塩化鉛
、メタンスルホン酸鉛、酢酸鉛、アルカノールスルホン
酸鉛、スルホコハク酸鉛等が挙げられる。これら金属塩
成分の含有量は０．５〜３０ｇ／ｌ、特に１〜２０ｇ／
ｌとすることが好ましい。金属塩成分の含有量が少な過
ぎると析出速度が低下する傾向が生じる。酸成分として
は、例えばアルカンスルホン酸、塩酸、アルカノールス
ルホン酸、過塩素酸、スルホコハク酸、ホウフッ酸等が
挙げられる。これら酸成分の含有量は５０〜２５０ｇ／
ｌ、特に１００〜２００ｇ／ｌとすることが好ましい。 酸成分の含有量が少な過ぎると金属塩の沈殿が生じる場
合があり、また、多過ぎると析出速度が低下する傾向が
生じる。
【０００９】なお、上で述べたアルカンスルホン酸、ア
ルカノールスルホン酸としては、例えばメタンスルホン
酸、エタンスルホン酸、プロパンスルホン酸、２−プロ
パンスルホン酸、ブタンスルホン酸、２−ブタンスルホ
ン酸、ペンタンスルホン酸、ヘキサンスルホン酸、デカ
ンスルホン酸、ドデカンスルホン酸、イセチオン酸（２
−ヒドロキシエタン−１−スルホン酸）、２−ヒドロキ
シプロパン−１−スルホン酸、１−ヒドロキシプロパン
−２−スルホン酸、３−ヒドロキシプロパン−１−スル
ホン酸、２−ヒドロキシブタン−１−スルホン酸、４−
ヒドロキシブタン−１−スルホン酸、２−ヒドロキシペ
ンタン−１−スルホン酸、２−ヒドロキシヘキサン−１
−スルホン酸、２−ヒドロキシデカン−１−スルホン酸
、２−ヒドロキシドデカン−１−スルホン酸などが挙げ
られる。
ルカノールスルホン酸としては、例えばメタンスルホン
酸、エタンスルホン酸、プロパンスルホン酸、２−プロ
パンスルホン酸、ブタンスルホン酸、２−ブタンスルホ
ン酸、ペンタンスルホン酸、ヘキサンスルホン酸、デカ
ンスルホン酸、ドデカンスルホン酸、イセチオン酸（２
−ヒドロキシエタン−１−スルホン酸）、２−ヒドロキ
シプロパン−１−スルホン酸、１−ヒドロキシプロパン
−２−スルホン酸、３−ヒドロキシプロパン−１−スル
ホン酸、２−ヒドロキシブタン−１−スルホン酸、４−
ヒドロキシブタン−１−スルホン酸、２−ヒドロキシペ
ンタン−１−スルホン酸、２−ヒドロキシヘキサン−１
−スルホン酸、２−ヒドロキシデカン−１−スルホン酸
、２−ヒドロキシドデカン−１−スルホン酸などが挙げ
られる。
【００１０】錯化剤としては、例えば蓚酸、酒石酸、ク
エン酸、ＥＤＴＡ及びそれらの塩、チオ尿素、トリエタ
ノールアミン等が挙げられる。これら錯化剤の含有量は
３０〜２００ｇ／ｌ、特に５０〜１５０ｇ／ｌとするこ
とが好ましい。錯化剤の含有量が少な過ぎると浴の分解
が生じ易くなり、また、多過ぎると析出速度が低下する
傾向が生じる。これらの中ではチオ尿素が好ましいが、
チオ尿素の含有量は５０〜２００ｇ／ｌ、特に５０〜１
５０ｇ／ｌとすることが好適である。
エン酸、ＥＤＴＡ及びそれらの塩、チオ尿素、トリエタ
ノールアミン等が挙げられる。これら錯化剤の含有量は
３０〜２００ｇ／ｌ、特に５０〜１５０ｇ／ｌとするこ
とが好ましい。錯化剤の含有量が少な過ぎると浴の分解
が生じ易くなり、また、多過ぎると析出速度が低下する
傾向が生じる。これらの中ではチオ尿素が好ましいが、
チオ尿素の含有量は５０〜２００ｇ／ｌ、特に５０〜１
５０ｇ／ｌとすることが好適である。
【００１１】更に、めっき浴には還元剤が添加され得る
。還元剤としては、次亜リン酸又はその水溶性塩が用い
られ、その添加量は３０〜３００ｇ／ｌ、特に５０〜２
００ｇ／ｌとすることが好ましい。
。還元剤としては、次亜リン酸又はその水溶性塩が用い
られ、その添加量は３０〜３００ｇ／ｌ、特に５０〜２
００ｇ／ｌとすることが好ましい。
【００１２】本発明のめっき浴は、上記成分の他、通常
使用される添加剤として界面活性剤等を通常使用される
量で添加することができる。また、めっき浴のｐＨは０
〜３程度が好ましい。
使用される添加剤として界面活性剤等を通常使用される
量で添加することができる。また、めっき浴のｐＨは０
〜３程度が好ましい。
【００１３】以上のようなめっき浴を用いて本発明方法
を実施するには、該めっき浴中に表面の少なくとも一部
が銅又は銅合金にて形成されている被めっき物を浸漬す
るもので、これにより銅又は銅合金上に錫、鉛又は錫・
鉛合金めっき皮膜が形成される。この場合、めっき析出
と同時にめっき浴中に被めっき物から銅分が溶出する。 なお、めっき温度は６０〜９０℃とすることが好ましい
。
を実施するには、該めっき浴中に表面の少なくとも一部
が銅又は銅合金にて形成されている被めっき物を浸漬す
るもので、これにより銅又は銅合金上に錫、鉛又は錫・
鉛合金めっき皮膜が形成される。この場合、めっき析出
と同時にめっき浴中に被めっき物から銅分が溶出する。 なお、めっき温度は６０〜９０℃とすることが好ましい
。
【００１４】本発明においては、このめっき操作におい
てめっき浴中に溶出する銅イオン濃度を随時分析し、こ
の銅イオン濃度が所定の管理濃度となった時（所定量増
加した時）に、この増加分に比例した量の錫塩や鉛塩を
直接又は水に溶解して、或いはこの金属塩を含むめっき
浴として補給する。
てめっき浴中に溶出する銅イオン濃度を随時分析し、こ
の銅イオン濃度が所定の管理濃度となった時（所定量増
加した時）に、この増加分に比例した量の錫塩や鉛塩を
直接又は水に溶解して、或いはこの金属塩を含むめっき
浴として補給する。
【００１５】この場合、銅分の増加につれて錫塩や鉛塩
を単に追加補給するだけでもよいが、場合によっては銅
分が所定量増加したときにめっき浴の一部を廃棄し、そ
れに見合う新液を補給し、再び上記のような錫塩、鉛塩
の補給を行なうようにしてもよい。
を単に追加補給するだけでもよいが、場合によっては銅
分が所定量増加したときにめっき浴の一部を廃棄し、そ
れに見合う新液を補給し、再び上記のような錫塩、鉛塩
の補給を行なうようにしてもよい。
【００１６】更に、析出速度をめっき初期と後期とで一
定にするため、新液に銅塩を添加してめっき浴中の銅濃
度を予め例えば２〜１０ｇ／ｌに上げ、この状態でめっ
きを行なうと共に、めっき浴中の銅イオン濃度を随時分
析し、銅イオン濃度が所定管理範囲の上限値に達した時
、めっき浴の一部を排出すると共に、この排出めっき浴
量と同量の新しいめっき浴を補充する方法を採用しても
よい。この場合の銅源としては、硫酸銅、塩化銅、酢酸
銅、硝酸銅、蓚酸銅、水酸化銅、アルカンスルホン酸銅
、アルカノールスルホン酸銅、過塩素酸銅、ホウフッ化
銅、スルホコハク酸銅等の第一、第二銅塩；酸化第一銅
、酸化第二銅等の酸化銅；金属銅（板状、線状又は粉末
状）等が使用できる。
定にするため、新液に銅塩を添加してめっき浴中の銅濃
度を予め例えば２〜１０ｇ／ｌに上げ、この状態でめっ
きを行なうと共に、めっき浴中の銅イオン濃度を随時分
析し、銅イオン濃度が所定管理範囲の上限値に達した時
、めっき浴の一部を排出すると共に、この排出めっき浴
量と同量の新しいめっき浴を補充する方法を採用しても
よい。この場合の銅源としては、硫酸銅、塩化銅、酢酸
銅、硝酸銅、蓚酸銅、水酸化銅、アルカンスルホン酸銅
、アルカノールスルホン酸銅、過塩素酸銅、ホウフッ化
銅、スルホコハク酸銅等の第一、第二銅塩；酸化第一銅
、酸化第二銅等の酸化銅；金属銅（板状、線状又は粉末
状）等が使用できる。
【００１７】以上のようなめっき方法により、めっき浴
は、銅イオン濃度８〜１０ｇ／ｌの蓄積（処理量で約３
００μｍ・ｄｍ２／ｌ程度）又はそれ以上まで使用可能
である。
は、銅イオン濃度８〜１０ｇ／ｌの蓄積（処理量で約３
００μｍ・ｄｍ２／ｌ程度）又はそれ以上まで使用可能
である。
【００１８】なお、銅イオン濃度の定量方法としては、
原子吸光分析法等を採用することによって行なうことが
できるが、特に分析試料にシュウ酸、酒石酸等の錯化剤
を加え、ｐＨを４〜１１に調整し、過酸化水素水等の酸
化剤を加えて１価の銅イオンを２価の銅イオンに酸化し
、更にアンモニアやアミン類等の発色剤を加えた後、波
長６２０ｎｍで吸光度を測定する方法が簡単かつ正確に
全銅分を定量できる点から推奨される。
原子吸光分析法等を採用することによって行なうことが
できるが、特に分析試料にシュウ酸、酒石酸等の錯化剤
を加え、ｐＨを４〜１１に調整し、過酸化水素水等の酸
化剤を加えて１価の銅イオンを２価の銅イオンに酸化し
、更にアンモニアやアミン類等の発色剤を加えた後、波
長６２０ｎｍで吸光度を測定する方法が簡単かつ正確に
全銅分を定量できる点から推奨される。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明方法によれ
ば、めっき浴中の溶出銅イオン濃度を分析するだけで、
めっき浴を容易にかつ確実に管理して錫、鉛又はそれら
の合金めっき皮膜を連続的に形成できると共に、厚付け
が容易であり、電子工業用部品、回路等の銅又は銅合金
部分に対しはんだ付け性を付与する等のために錫、鉛又
は錫・鉛合金めっき皮膜を形成する方法として好適に採
用される。
ば、めっき浴中の溶出銅イオン濃度を分析するだけで、
めっき浴を容易にかつ確実に管理して錫、鉛又はそれら
の合金めっき皮膜を連続的に形成できると共に、厚付け
が容易であり、電子工業用部品、回路等の銅又は銅合金
部分に対しはんだ付け性を付与する等のために錫、鉛又
は錫・鉛合金めっき皮膜を形成する方法として好適に採
用される。
【００２０】
【実施例】以下、実施例を示して本発明を具体的に説明
するが、本発明は下記実施例によって限定されるもので
はない。
するが、本発明は下記実施例によって限定されるもので
はない。
【００２１】〔実施例１〕下記組成の無電解錫・鉛合金
めっき浴中に銅製品を入れ、浴温８０℃で無電解錫・鉛
合金めっきを行なった。この場合、めっき中に随時原子
吸光法により銅イオン濃度を分析し、この濃度が０．５
ｇ／ｌ増加する毎に下記補給液（１）〜（３）をそれぞ
れ下記の量において補給した。これにより、析出速度は
１３μｍ／１５分で、銅イオン濃度が浴中に少なくとも
８ｇ／ｌ蓄積されるまで一定に保持され、この時の総処
理量は２６０μｍ・ｄｍ２／ｌであった。
めっき浴中に銅製品を入れ、浴温８０℃で無電解錫・鉛
合金めっきを行なった。この場合、めっき中に随時原子
吸光法により銅イオン濃度を分析し、この濃度が０．５
ｇ／ｌ増加する毎に下記補給液（１）〜（３）をそれぞ
れ下記の量において補給した。これにより、析出速度は
１３μｍ／１５分で、銅イオン濃度が浴中に少なくとも
８ｇ／ｌ蓄積されるまで一定に保持され、この時の総処
理量は２６０μｍ・ｄｍ２／ｌであった。
【００２２】組 成
メタンスルホン酸
５０ｇ／ｌメタンスルホン酸錫
２０ｇ／ｌメタンスルホ
ン酸鉛 １３
ｇ／ｌチオ尿素
７５ｇ／ｌ次亜リン酸ナトリ
ウム ８０ｇ／ｌ
クエン酸
１５ｇ／ｌ塩化ラウリルピリジニウ
ム ５ｇ／ｌＥＤＴＡ
３ｇ／ｌｐＨ
２．０
補給液（１） ５ｍｌ／ｌ補給 メタンスルホン酸錫 ４０
０ｇ／ｌメタンスルホン酸
１８０ｇ／ｌ補給液（２） ５ｍｌ／ｌ補
給 メタンスルホン酸鉛 ３８
０ｇ／ｌメタンスルホン酸
２４０ｇ／ｌ補給液（３） １５ｍｌ／ｌ補給 チオ尿素
１２０ｇ／ｌ次亜リン酸ナトリウム
３ｇ／ｌクエン酸
２５ｇ／ｌ
５０ｇ／ｌメタンスルホン酸錫
２０ｇ／ｌメタンスルホ
ン酸鉛 １３
ｇ／ｌチオ尿素
７５ｇ／ｌ次亜リン酸ナトリ
ウム ８０ｇ／ｌ
クエン酸
１５ｇ／ｌ塩化ラウリルピリジニウ
ム ５ｇ／ｌＥＤＴＡ
３ｇ／ｌｐＨ
２．０
補給液（１） ５ｍｌ／ｌ補給 メタンスルホン酸錫 ４０
０ｇ／ｌメタンスルホン酸
１８０ｇ／ｌ補給液（２） ５ｍｌ／ｌ補
給 メタンスルホン酸鉛 ３８
０ｇ／ｌメタンスルホン酸
２４０ｇ／ｌ補給液（３） １５ｍｌ／ｌ補給 チオ尿素
１２０ｇ／ｌ次亜リン酸ナトリウム
３ｇ／ｌクエン酸
２５ｇ／ｌ
【
００２３】〔実施例２〕下記組成のめっき浴にメタンス
ルホン酸第一銅を加えて銅イオン濃度を４．５ｇ／ｌに
上げ、この中に銅製品を入れ、浴温８０℃で銅イオン濃
度の管理範囲を４．５〜５．０ｇ／ｌに設定し、無電解
めっきを行なった。この場合、銅イオン濃度が０．５ｇ
／ｌ増加する毎に（即ち、銅イオン濃度が５．０ｇ／ｌ
に達する毎に）浴の１／１０量を排出すると共に、この
排出量と同量の下記に示す補給液を補給することにより
、銅イオン濃度を上記管理範囲に保持した。この結果、
めっき速度は１３μｍ／１５分であり、補給を２０回行
なったが、析出速度は殆ど変わらなかった。なお、めっ
き浴中の銅分は原子吸光法により測定した。
００２３】〔実施例２〕下記組成のめっき浴にメタンス
ルホン酸第一銅を加えて銅イオン濃度を４．５ｇ／ｌに
上げ、この中に銅製品を入れ、浴温８０℃で銅イオン濃
度の管理範囲を４．５〜５．０ｇ／ｌに設定し、無電解
めっきを行なった。この場合、銅イオン濃度が０．５ｇ
／ｌ増加する毎に（即ち、銅イオン濃度が５．０ｇ／ｌ
に達する毎に）浴の１／１０量を排出すると共に、この
排出量と同量の下記に示す補給液を補給することにより
、銅イオン濃度を上記管理範囲に保持した。この結果、
めっき速度は１３μｍ／１５分であり、補給を２０回行
なったが、析出速度は殆ど変わらなかった。なお、めっ
き浴中の銅分は原子吸光法により測定した。
【００２４】
組 成
メタンスルホン酸
５０ｇ／ｌ メタンスルホン
酸錫 ２０ｇ
／ｌ メタンスルホン酸鉛
１３ｇ／ｌ メタンスルホ
ン酸第一銅（Ｃｕとして） ４．５ｇ／ｌ
チオ尿素
７５ｇ／ｌ 次亜リン酸ナ
トリウム ８０ｇ
／ｌ クエン酸
１５ｇ／ｌ 塩
化ラウリルピリジニウム
５ｇ／ｌ ＥＤＴＡ
３ｇ／ｌ
ｐＨ
２．０ 温度
８０℃ 補給液
５０ｇ／ｌ メタンスルホン
酸錫 ２０ｇ
／ｌ メタンスルホン酸鉛
１３ｇ／ｌ メタンスルホ
ン酸第一銅（Ｃｕとして） ４．５ｇ／ｌ
チオ尿素
７５ｇ／ｌ 次亜リン酸ナ
トリウム ８０ｇ
／ｌ クエン酸
１５ｇ／ｌ 塩
化ラウリルピリジニウム
５ｇ／ｌ ＥＤＴＡ
３ｇ／ｌ
ｐＨ
２．０ 温度
８０℃ 補給液
Claims (1)
- 【請求項１】 水溶性錫塩及び／又は水溶性鉛塩、こ
れらの塩を溶解する酸、及び錯化剤を含む無電解めっき
浴を用いて銅又は銅合金に対し無電解錫、鉛又はそれら
の合金めっきを施すに際し、上記めっき浴中に溶出する
銅イオン濃度の増加分に比例して水溶性錫塩及び／又は
水溶性鉛塩を補給することを特徴とする無電解錫、鉛又
はそれらの合金めっき方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3059642A JP2787142B2 (ja) | 1991-03-01 | 1991-03-01 | 無電解錫、鉛又はそれらの合金めっき方法 |
| TW081101408A TW223127B (ja) | 1991-03-01 | 1992-02-25 | |
| DE69219645T DE69219645T2 (de) | 1991-03-01 | 1992-02-27 | Verfahren zur stromlosen Plattierung von Zinn, Blei oder Zinn-Blei-Legierung |
| EP92103366A EP0503389B1 (en) | 1991-03-01 | 1992-02-27 | Process for electroless plating tin, lead or tin-lead alloy |
| US07/843,015 US5248527A (en) | 1991-03-01 | 1992-02-28 | Process for electroless plating tin, lead or tin-lead alloy |
| KR1019920003429A KR100241090B1 (ko) | 1991-03-01 | 1992-03-02 | 주석, 납 또는 주석-납 합금을 무전해 도금하는 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3059642A JP2787142B2 (ja) | 1991-03-01 | 1991-03-01 | 無電解錫、鉛又はそれらの合金めっき方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04276081A true JPH04276081A (ja) | 1992-10-01 |
| JP2787142B2 JP2787142B2 (ja) | 1998-08-13 |
Family
ID=13119079
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3059642A Expired - Lifetime JP2787142B2 (ja) | 1991-03-01 | 1991-03-01 | 無電解錫、鉛又はそれらの合金めっき方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5248527A (ja) |
| EP (1) | EP0503389B1 (ja) |
| JP (1) | JP2787142B2 (ja) |
| KR (1) | KR100241090B1 (ja) |
| DE (1) | DE69219645T2 (ja) |
| TW (1) | TW223127B (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001272389A (ja) * | 2000-03-24 | 2001-10-05 | Yoshikazu Kobayashi | 酸性無電解錫めっき液中の銅の定量方法および装置 |
| JP2002317275A (ja) * | 2001-04-17 | 2002-10-31 | Toto Ltd | 無電解スズめっき液の長寿命化方法 |
| JP2013227641A (ja) * | 2012-03-30 | 2013-11-07 | Ishihara Chem Co Ltd | スズ系メッキ液への補給方法 |
| JP2014034706A (ja) * | 2012-08-08 | 2014-02-24 | Ishihara Chemical Co Ltd | 無電解スズ系メッキ液用のペースト状スズ補給剤及び補給方法 |
| CN108495468A (zh) * | 2018-04-25 | 2018-09-04 | 佛山聚晨知识产权运营有限公司 | 一种印制电路板智能制造工艺 |
| CN112930041A (zh) * | 2021-01-29 | 2021-06-08 | 深圳市强达电路有限公司 | 一种二次蚀刻印制电路板的制作方法 |
Families Citing this family (196)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2267502B (en) * | 1992-05-28 | 1997-01-22 | Aligena Ag | Polymeric reaction products for use in immobilized buffered gels and membranes |
| DE4238765A1 (de) * | 1992-11-10 | 1994-05-11 | Stuebing Gmbh | Verfahren zur stromlosen Verzinnung von Leiterplatten und deren Verwendung |
| DE19653765A1 (de) * | 1996-12-23 | 1998-06-25 | Km Europa Metal Ag | Innen verzinntes Kupferrohr und Verfahren zur Beschichtung eines Kupferrohrs |
| DE19749382A1 (de) * | 1997-11-07 | 1999-05-27 | Atotech Deutschland Gmbh | Verzinnung von Kupferrohren |
| US6645550B1 (en) | 2000-06-22 | 2003-11-11 | Applied Materials, Inc. | Method of treating a substrate |
| US20040131792A1 (en) * | 2001-03-22 | 2004-07-08 | Bhattacharya Raghu N. | Electroless deposition of cu-in-ga-se film |
| US6824666B2 (en) * | 2002-01-28 | 2004-11-30 | Applied Materials, Inc. | Electroless deposition method over sub-micron apertures |
| US7138014B2 (en) | 2002-01-28 | 2006-11-21 | Applied Materials, Inc. | Electroless deposition apparatus |
| US6905622B2 (en) * | 2002-04-03 | 2005-06-14 | Applied Materials, Inc. | Electroless deposition method |
| US6899816B2 (en) * | 2002-04-03 | 2005-05-31 | Applied Materials, Inc. | Electroless deposition method |
| US6838114B2 (en) | 2002-05-24 | 2005-01-04 | Micron Technology, Inc. | Methods for controlling gas pulsing in processes for depositing materials onto micro-device workpieces |
| US6821347B2 (en) | 2002-07-08 | 2004-11-23 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and method for depositing materials onto microelectronic workpieces |
| US6955725B2 (en) | 2002-08-15 | 2005-10-18 | Micron Technology, Inc. | Reactors with isolated gas connectors and methods for depositing materials onto micro-device workpieces |
| US6642158B1 (en) * | 2002-09-23 | 2003-11-04 | Intel Corporation | Photo-thermal induced diffusion |
| US6821909B2 (en) * | 2002-10-30 | 2004-11-23 | Applied Materials, Inc. | Post rinse to improve selective deposition of electroless cobalt on copper for ULSI application |
| US7335396B2 (en) | 2003-04-24 | 2008-02-26 | Micron Technology, Inc. | Methods for controlling mass flow rates and pressures in passageways coupled to reaction chambers and systems for depositing material onto microfeature workpieces in reaction chambers |
| US7344755B2 (en) | 2003-08-21 | 2008-03-18 | Micron Technology, Inc. | Methods and apparatus for processing microfeature workpieces; methods for conditioning ALD reaction chambers |
| US7235138B2 (en) | 2003-08-21 | 2007-06-26 | Micron Technology, Inc. | Microfeature workpiece processing apparatus and methods for batch deposition of materials on microfeature workpieces |
| US7422635B2 (en) | 2003-08-28 | 2008-09-09 | Micron Technology, Inc. | Methods and apparatus for processing microfeature workpieces, e.g., for depositing materials on microfeature workpieces |
| US7056806B2 (en) | 2003-09-17 | 2006-06-06 | Micron Technology, Inc. | Microfeature workpiece processing apparatus and methods for controlling deposition of materials on microfeature workpieces |
| US7282239B2 (en) | 2003-09-18 | 2007-10-16 | Micron Technology, Inc. | Systems and methods for depositing material onto microfeature workpieces in reaction chambers |
| US7654221B2 (en) * | 2003-10-06 | 2010-02-02 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for electroless deposition of metals onto semiconductor substrates |
| US7827930B2 (en) | 2004-01-26 | 2010-11-09 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for electroless deposition of metals onto semiconductor substrates |
| US7323231B2 (en) * | 2003-10-09 | 2008-01-29 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and methods for plasma vapor deposition processes |
| US7581511B2 (en) | 2003-10-10 | 2009-09-01 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and methods for manufacturing microfeatures on workpieces using plasma vapor processes |
| US7647886B2 (en) | 2003-10-15 | 2010-01-19 | Micron Technology, Inc. | Systems for depositing material onto workpieces in reaction chambers and methods for removing byproducts from reaction chambers |
| US7064065B2 (en) * | 2003-10-15 | 2006-06-20 | Applied Materials, Inc. | Silver under-layers for electroless cobalt alloys |
| US20070111519A1 (en) * | 2003-10-15 | 2007-05-17 | Applied Materials, Inc. | Integrated electroless deposition system |
| US7465358B2 (en) * | 2003-10-15 | 2008-12-16 | Applied Materials, Inc. | Measurement techniques for controlling aspects of a electroless deposition process |
| WO2005038084A2 (en) * | 2003-10-17 | 2005-04-28 | Applied Materials, Inc. | Selective self-initiating electroless capping of copper with cobalt-containing alloys |
| US7205233B2 (en) | 2003-11-07 | 2007-04-17 | Applied Materials, Inc. | Method for forming CoWRe alloys by electroless deposition |
| US20060003570A1 (en) * | 2003-12-02 | 2006-01-05 | Arulkumar Shanmugasundram | Method and apparatus for electroless capping with vapor drying |
| US7258892B2 (en) | 2003-12-10 | 2007-08-21 | Micron Technology, Inc. | Methods and systems for controlling temperature during microfeature workpiece processing, e.g., CVD deposition |
| US7906393B2 (en) * | 2004-01-28 | 2011-03-15 | Micron Technology, Inc. | Methods for forming small-scale capacitor structures |
| US20050230350A1 (en) * | 2004-02-26 | 2005-10-20 | Applied Materials, Inc. | In-situ dry clean chamber for front end of line fabrication |
| US7584942B2 (en) * | 2004-03-31 | 2009-09-08 | Micron Technology, Inc. | Ampoules for producing a reaction gas and systems for depositing materials onto microfeature workpieces in reaction chambers |
| US8133554B2 (en) | 2004-05-06 | 2012-03-13 | Micron Technology, Inc. | Methods for depositing material onto microfeature workpieces in reaction chambers and systems for depositing materials onto microfeature workpieces |
| US7699932B2 (en) | 2004-06-02 | 2010-04-20 | Micron Technology, Inc. | Reactors, systems and methods for depositing thin films onto microfeature workpieces |
| EP1696052B1 (en) * | 2005-02-28 | 2010-10-06 | Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. | Improved fluxing methods |
| US7651934B2 (en) | 2005-03-18 | 2010-01-26 | Applied Materials, Inc. | Process for electroless copper deposition |
| WO2006102318A2 (en) | 2005-03-18 | 2006-09-28 | Applied Materials, Inc. | Electroless deposition process on a contact containing silicon or silicide |
| US7867900B2 (en) | 2007-09-28 | 2011-01-11 | Applied Materials, Inc. | Aluminum contact integration on cobalt silicide junction |
| JP2010070838A (ja) | 2008-09-22 | 2010-04-02 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | 金属表面処理水溶液および金属表面のウィスカ抑制方法 |
| EP2298960A1 (en) * | 2009-08-24 | 2011-03-23 | ATOTECH Deutschland GmbH | Method for electroless plating of tin and tin alloys |
| US9324576B2 (en) | 2010-05-27 | 2016-04-26 | Applied Materials, Inc. | Selective etch for silicon films |
| US10283321B2 (en) | 2011-01-18 | 2019-05-07 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma |
| US8771539B2 (en) | 2011-02-22 | 2014-07-08 | Applied Materials, Inc. | Remotely-excited fluorine and water vapor etch |
| US9064815B2 (en) | 2011-03-14 | 2015-06-23 | Applied Materials, Inc. | Methods for etch of metal and metal-oxide films |
| US8999856B2 (en) | 2011-03-14 | 2015-04-07 | Applied Materials, Inc. | Methods for etch of sin films |
| US8834958B2 (en) | 2011-07-08 | 2014-09-16 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Process of making negative electrode |
| US8771536B2 (en) | 2011-08-01 | 2014-07-08 | Applied Materials, Inc. | Dry-etch for silicon-and-carbon-containing films |
| US8679982B2 (en) | 2011-08-26 | 2014-03-25 | Applied Materials, Inc. | Selective suppression of dry-etch rate of materials containing both silicon and oxygen |
| US8679983B2 (en) | 2011-09-01 | 2014-03-25 | Applied Materials, Inc. | Selective suppression of dry-etch rate of materials containing both silicon and nitrogen |
| US8927390B2 (en) | 2011-09-26 | 2015-01-06 | Applied Materials, Inc. | Intrench profile |
| US8808563B2 (en) | 2011-10-07 | 2014-08-19 | Applied Materials, Inc. | Selective etch of silicon by way of metastable hydrogen termination |
| WO2013070436A1 (en) | 2011-11-08 | 2013-05-16 | Applied Materials, Inc. | Methods of reducing substrate dislocation during gapfill processing |
| CN102797001A (zh) * | 2012-07-11 | 2012-11-28 | 常州大学 | 基于氯化胆碱的化学镀锡溶液及其使用方法 |
| US9267739B2 (en) | 2012-07-18 | 2016-02-23 | Applied Materials, Inc. | Pedestal with multi-zone temperature control and multiple purge capabilities |
| US9373517B2 (en) | 2012-08-02 | 2016-06-21 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing with DC assisted RF power for improved control |
| US9034770B2 (en) | 2012-09-17 | 2015-05-19 | Applied Materials, Inc. | Differential silicon oxide etch |
| US9023734B2 (en) | 2012-09-18 | 2015-05-05 | Applied Materials, Inc. | Radical-component oxide etch |
| US9390937B2 (en) | 2012-09-20 | 2016-07-12 | Applied Materials, Inc. | Silicon-carbon-nitride selective etch |
| US9132436B2 (en) | 2012-09-21 | 2015-09-15 | Applied Materials, Inc. | Chemical control features in wafer process equipment |
| US8765574B2 (en) | 2012-11-09 | 2014-07-01 | Applied Materials, Inc. | Dry etch process |
| US8969212B2 (en) | 2012-11-20 | 2015-03-03 | Applied Materials, Inc. | Dry-etch selectivity |
| US9064816B2 (en) | 2012-11-30 | 2015-06-23 | Applied Materials, Inc. | Dry-etch for selective oxidation removal |
| US8980763B2 (en) | 2012-11-30 | 2015-03-17 | Applied Materials, Inc. | Dry-etch for selective tungsten removal |
| US9111877B2 (en) | 2012-12-18 | 2015-08-18 | Applied Materials, Inc. | Non-local plasma oxide etch |
| US8921234B2 (en) | 2012-12-21 | 2014-12-30 | Applied Materials, Inc. | Selective titanium nitride etching |
| US10256079B2 (en) | 2013-02-08 | 2019-04-09 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations |
| US9362130B2 (en) | 2013-03-01 | 2016-06-07 | Applied Materials, Inc. | Enhanced etching processes using remote plasma sources |
| US9040422B2 (en) | 2013-03-05 | 2015-05-26 | Applied Materials, Inc. | Selective titanium nitride removal |
| US8801952B1 (en) | 2013-03-07 | 2014-08-12 | Applied Materials, Inc. | Conformal oxide dry etch |
| US10170282B2 (en) | 2013-03-08 | 2019-01-01 | Applied Materials, Inc. | Insulated semiconductor faceplate designs |
| US20140271097A1 (en) | 2013-03-15 | 2014-09-18 | Applied Materials, Inc. | Processing systems and methods for halide scavenging |
| US8895449B1 (en) | 2013-05-16 | 2014-11-25 | Applied Materials, Inc. | Delicate dry clean |
| US9114438B2 (en) | 2013-05-21 | 2015-08-25 | Applied Materials, Inc. | Copper residue chamber clean |
| US9493879B2 (en) | 2013-07-12 | 2016-11-15 | Applied Materials, Inc. | Selective sputtering for pattern transfer |
| US9773648B2 (en) | 2013-08-30 | 2017-09-26 | Applied Materials, Inc. | Dual discharge modes operation for remote plasma |
| US8956980B1 (en) | 2013-09-16 | 2015-02-17 | Applied Materials, Inc. | Selective etch of silicon nitride |
| US8951429B1 (en) | 2013-10-29 | 2015-02-10 | Applied Materials, Inc. | Tungsten oxide processing |
| US9236265B2 (en) | 2013-11-04 | 2016-01-12 | Applied Materials, Inc. | Silicon germanium processing |
| US9576809B2 (en) | 2013-11-04 | 2017-02-21 | Applied Materials, Inc. | Etch suppression with germanium |
| US9520303B2 (en) | 2013-11-12 | 2016-12-13 | Applied Materials, Inc. | Aluminum selective etch |
| US9245762B2 (en) | 2013-12-02 | 2016-01-26 | Applied Materials, Inc. | Procedure for etch rate consistency |
| US9117855B2 (en) | 2013-12-04 | 2015-08-25 | Applied Materials, Inc. | Polarity control for remote plasma |
| US9287095B2 (en) | 2013-12-17 | 2016-03-15 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor system assemblies and methods of operation |
| US9263278B2 (en) | 2013-12-17 | 2016-02-16 | Applied Materials, Inc. | Dopant etch selectivity control |
| US9190293B2 (en) | 2013-12-18 | 2015-11-17 | Applied Materials, Inc. | Even tungsten etch for high aspect ratio trenches |
| US9287134B2 (en) | 2014-01-17 | 2016-03-15 | Applied Materials, Inc. | Titanium oxide etch |
| US9396989B2 (en) | 2014-01-27 | 2016-07-19 | Applied Materials, Inc. | Air gaps between copper lines |
| US9293568B2 (en) | 2014-01-27 | 2016-03-22 | Applied Materials, Inc. | Method of fin patterning |
| US9385028B2 (en) | 2014-02-03 | 2016-07-05 | Applied Materials, Inc. | Air gap process |
| US9499898B2 (en) | 2014-03-03 | 2016-11-22 | Applied Materials, Inc. | Layered thin film heater and method of fabrication |
| US9299575B2 (en) | 2014-03-17 | 2016-03-29 | Applied Materials, Inc. | Gas-phase tungsten etch |
| US9299538B2 (en) | 2014-03-20 | 2016-03-29 | Applied Materials, Inc. | Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves |
| US9299537B2 (en) | 2014-03-20 | 2016-03-29 | Applied Materials, Inc. | Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves |
| US9136273B1 (en) | 2014-03-21 | 2015-09-15 | Applied Materials, Inc. | Flash gate air gap |
| US9903020B2 (en) | 2014-03-31 | 2018-02-27 | Applied Materials, Inc. | Generation of compact alumina passivation layers on aluminum plasma equipment components |
| US9269590B2 (en) | 2014-04-07 | 2016-02-23 | Applied Materials, Inc. | Spacer formation |
| US9309598B2 (en) | 2014-05-28 | 2016-04-12 | Applied Materials, Inc. | Oxide and metal removal |
| US9847289B2 (en) | 2014-05-30 | 2017-12-19 | Applied Materials, Inc. | Protective via cap for improved interconnect performance |
| US9406523B2 (en) | 2014-06-19 | 2016-08-02 | Applied Materials, Inc. | Highly selective doped oxide removal method |
| US9378969B2 (en) | 2014-06-19 | 2016-06-28 | Applied Materials, Inc. | Low temperature gas-phase carbon removal |
| US9425058B2 (en) | 2014-07-24 | 2016-08-23 | Applied Materials, Inc. | Simplified litho-etch-litho-etch process |
| US9159606B1 (en) | 2014-07-31 | 2015-10-13 | Applied Materials, Inc. | Metal air gap |
| US9496167B2 (en) | 2014-07-31 | 2016-11-15 | Applied Materials, Inc. | Integrated bit-line airgap formation and gate stack post clean |
| US9378978B2 (en) | 2014-07-31 | 2016-06-28 | Applied Materials, Inc. | Integrated oxide recess and floating gate fin trimming |
| US9165786B1 (en) | 2014-08-05 | 2015-10-20 | Applied Materials, Inc. | Integrated oxide and nitride recess for better channel contact in 3D architectures |
| US9659753B2 (en) | 2014-08-07 | 2017-05-23 | Applied Materials, Inc. | Grooved insulator to reduce leakage current |
| US9553102B2 (en) | 2014-08-19 | 2017-01-24 | Applied Materials, Inc. | Tungsten separation |
| US9355856B2 (en) | 2014-09-12 | 2016-05-31 | Applied Materials, Inc. | V trench dry etch |
| US9478434B2 (en) | 2014-09-24 | 2016-10-25 | Applied Materials, Inc. | Chlorine-based hardmask removal |
| US9368364B2 (en) | 2014-09-24 | 2016-06-14 | Applied Materials, Inc. | Silicon etch process with tunable selectivity to SiO2 and other materials |
| US9613822B2 (en) | 2014-09-25 | 2017-04-04 | Applied Materials, Inc. | Oxide etch selectivity enhancement |
| US9966240B2 (en) | 2014-10-14 | 2018-05-08 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for internal surface conditioning assessment in plasma processing equipment |
| US9355922B2 (en) | 2014-10-14 | 2016-05-31 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for internal surface conditioning in plasma processing equipment |
| US11637002B2 (en) | 2014-11-26 | 2023-04-25 | Applied Materials, Inc. | Methods and systems to enhance process uniformity |
| US9299583B1 (en) | 2014-12-05 | 2016-03-29 | Applied Materials, Inc. | Aluminum oxide selective etch |
| US10573496B2 (en) | 2014-12-09 | 2020-02-25 | Applied Materials, Inc. | Direct outlet toroidal plasma source |
| US10224210B2 (en) | 2014-12-09 | 2019-03-05 | Applied Materials, Inc. | Plasma processing system with direct outlet toroidal plasma source |
| US9502258B2 (en) | 2014-12-23 | 2016-11-22 | Applied Materials, Inc. | Anisotropic gap etch |
| US9343272B1 (en) | 2015-01-08 | 2016-05-17 | Applied Materials, Inc. | Self-aligned process |
| US11257693B2 (en) | 2015-01-09 | 2022-02-22 | Applied Materials, Inc. | Methods and systems to improve pedestal temperature control |
| US9373522B1 (en) | 2015-01-22 | 2016-06-21 | Applied Mateials, Inc. | Titanium nitride removal |
| US9449846B2 (en) | 2015-01-28 | 2016-09-20 | Applied Materials, Inc. | Vertical gate separation |
| US20160225652A1 (en) | 2015-02-03 | 2016-08-04 | Applied Materials, Inc. | Low temperature chuck for plasma processing systems |
| US9728437B2 (en) | 2015-02-03 | 2017-08-08 | Applied Materials, Inc. | High temperature chuck for plasma processing systems |
| US9881805B2 (en) | 2015-03-02 | 2018-01-30 | Applied Materials, Inc. | Silicon selective removal |
| US9741593B2 (en) | 2015-08-06 | 2017-08-22 | Applied Materials, Inc. | Thermal management systems and methods for wafer processing systems |
| US9691645B2 (en) | 2015-08-06 | 2017-06-27 | Applied Materials, Inc. | Bolted wafer chuck thermal management systems and methods for wafer processing systems |
| US9349605B1 (en) | 2015-08-07 | 2016-05-24 | Applied Materials, Inc. | Oxide etch selectivity systems and methods |
| US10504700B2 (en) | 2015-08-27 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection |
| US10504754B2 (en) | 2016-05-19 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection |
| US10522371B2 (en) | 2016-05-19 | 2019-12-31 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection |
| US9865484B1 (en) | 2016-06-29 | 2018-01-09 | Applied Materials, Inc. | Selective etch using material modification and RF pulsing |
| US10629473B2 (en) | 2016-09-09 | 2020-04-21 | Applied Materials, Inc. | Footing removal for nitride spacer |
| US10062575B2 (en) | 2016-09-09 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Poly directional etch by oxidation |
| US9934942B1 (en) | 2016-10-04 | 2018-04-03 | Applied Materials, Inc. | Chamber with flow-through source |
| US9721789B1 (en) | 2016-10-04 | 2017-08-01 | Applied Materials, Inc. | Saving ion-damaged spacers |
| US10546729B2 (en) | 2016-10-04 | 2020-01-28 | Applied Materials, Inc. | Dual-channel showerhead with improved profile |
| US10062585B2 (en) | 2016-10-04 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Oxygen compatible plasma source |
| US10062579B2 (en) | 2016-10-07 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Selective SiN lateral recess |
| US9947549B1 (en) | 2016-10-10 | 2018-04-17 | Applied Materials, Inc. | Cobalt-containing material removal |
| US9768034B1 (en) | 2016-11-11 | 2017-09-19 | Applied Materials, Inc. | Removal methods for high aspect ratio structures |
| US10163696B2 (en) | 2016-11-11 | 2018-12-25 | Applied Materials, Inc. | Selective cobalt removal for bottom up gapfill |
| US10026621B2 (en) | 2016-11-14 | 2018-07-17 | Applied Materials, Inc. | SiN spacer profile patterning |
| US10242908B2 (en) | 2016-11-14 | 2019-03-26 | Applied Materials, Inc. | Airgap formation with damage-free copper |
| US10566206B2 (en) | 2016-12-27 | 2020-02-18 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for anisotropic material breakthrough |
| US10403507B2 (en) | 2017-02-03 | 2019-09-03 | Applied Materials, Inc. | Shaped etch profile with oxidation |
| US10431429B2 (en) | 2017-02-03 | 2019-10-01 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for radial and azimuthal control of plasma uniformity |
| US10043684B1 (en) | 2017-02-06 | 2018-08-07 | Applied Materials, Inc. | Self-limiting atomic thermal etching systems and methods |
| US10319739B2 (en) | 2017-02-08 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Accommodating imperfectly aligned memory holes |
| US10943834B2 (en) | 2017-03-13 | 2021-03-09 | Applied Materials, Inc. | Replacement contact process |
| US10319649B2 (en) | 2017-04-11 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Optical emission spectroscopy (OES) for remote plasma monitoring |
| US11276590B2 (en) | 2017-05-17 | 2022-03-15 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone semiconductor substrate supports |
| US11276559B2 (en) | 2017-05-17 | 2022-03-15 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow |
| US10049891B1 (en) | 2017-05-31 | 2018-08-14 | Applied Materials, Inc. | Selective in situ cobalt residue removal |
| US10497579B2 (en) | 2017-05-31 | 2019-12-03 | Applied Materials, Inc. | Water-free etching methods |
| US10920320B2 (en) | 2017-06-16 | 2021-02-16 | Applied Materials, Inc. | Plasma health determination in semiconductor substrate processing reactors |
| US10541246B2 (en) | 2017-06-26 | 2020-01-21 | Applied Materials, Inc. | 3D flash memory cells which discourage cross-cell electrical tunneling |
| US10858748B2 (en) | 2017-06-30 | 2020-12-08 | Apollo Energy Systems, Inc. | Method of manufacturing hybrid metal foams |
| US10727080B2 (en) | 2017-07-07 | 2020-07-28 | Applied Materials, Inc. | Tantalum-containing material removal |
| US10541184B2 (en) | 2017-07-11 | 2020-01-21 | Applied Materials, Inc. | Optical emission spectroscopic techniques for monitoring etching |
| US10354889B2 (en) | 2017-07-17 | 2019-07-16 | Applied Materials, Inc. | Non-halogen etching of silicon-containing materials |
| US10043674B1 (en) | 2017-08-04 | 2018-08-07 | Applied Materials, Inc. | Germanium etching systems and methods |
| US10170336B1 (en) | 2017-08-04 | 2019-01-01 | Applied Materials, Inc. | Methods for anisotropic control of selective silicon removal |
| US10297458B2 (en) | 2017-08-07 | 2019-05-21 | Applied Materials, Inc. | Process window widening using coated parts in plasma etch processes |
| US10283324B1 (en) | 2017-10-24 | 2019-05-07 | Applied Materials, Inc. | Oxygen treatment for nitride etching |
| US10128086B1 (en) | 2017-10-24 | 2018-11-13 | Applied Materials, Inc. | Silicon pretreatment for nitride removal |
| US10256112B1 (en) | 2017-12-08 | 2019-04-09 | Applied Materials, Inc. | Selective tungsten removal |
| US10903054B2 (en) | 2017-12-19 | 2021-01-26 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone gas distribution systems and methods |
| US11328909B2 (en) | 2017-12-22 | 2022-05-10 | Applied Materials, Inc. | Chamber conditioning and removal processes |
| US10854426B2 (en) | 2018-01-08 | 2020-12-01 | Applied Materials, Inc. | Metal recess for semiconductor structures |
| US10964512B2 (en) | 2018-02-15 | 2021-03-30 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus and methods |
| US10679870B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-06-09 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus |
| TWI716818B (zh) | 2018-02-28 | 2021-01-21 | 美商應用材料股份有限公司 | 形成氣隙的系統及方法 |
| US10593560B2 (en) | 2018-03-01 | 2020-03-17 | Applied Materials, Inc. | Magnetic induction plasma source for semiconductor processes and equipment |
| US10319600B1 (en) | 2018-03-12 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Thermal silicon etch |
| US10497573B2 (en) | 2018-03-13 | 2019-12-03 | Applied Materials, Inc. | Selective atomic layer etching of semiconductor materials |
| US10573527B2 (en) | 2018-04-06 | 2020-02-25 | Applied Materials, Inc. | Gas-phase selective etching systems and methods |
| US10490406B2 (en) | 2018-04-10 | 2019-11-26 | Appled Materials, Inc. | Systems and methods for material breakthrough |
| US10699879B2 (en) | 2018-04-17 | 2020-06-30 | Applied Materials, Inc. | Two piece electrode assembly with gap for plasma control |
| US10886137B2 (en) | 2018-04-30 | 2021-01-05 | Applied Materials, Inc. | Selective nitride removal |
| US10872778B2 (en) | 2018-07-06 | 2020-12-22 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods utilizing solid-phase etchants |
| US10755941B2 (en) | 2018-07-06 | 2020-08-25 | Applied Materials, Inc. | Self-limiting selective etching systems and methods |
| US10672642B2 (en) | 2018-07-24 | 2020-06-02 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for pedestal configuration |
| US10892198B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-01-12 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved performance in semiconductor processing |
| US11049755B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor substrate supports with embedded RF shield |
| US11062887B2 (en) | 2018-09-17 | 2021-07-13 | Applied Materials, Inc. | High temperature RF heater pedestals |
| US11417534B2 (en) | 2018-09-21 | 2022-08-16 | Applied Materials, Inc. | Selective material removal |
| US11682560B2 (en) | 2018-10-11 | 2023-06-20 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for hafnium-containing film removal |
| US11121002B2 (en) | 2018-10-24 | 2021-09-14 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for etching metals and metal derivatives |
| US11437242B2 (en) | 2018-11-27 | 2022-09-06 | Applied Materials, Inc. | Selective removal of silicon-containing materials |
| US11721527B2 (en) | 2019-01-07 | 2023-08-08 | Applied Materials, Inc. | Processing chamber mixing systems |
| US10920319B2 (en) | 2019-01-11 | 2021-02-16 | Applied Materials, Inc. | Ceramic showerheads with conductive electrodes |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS575854A (en) * | 1980-06-12 | 1982-01-12 | Fuji Electric Co Ltd | Production of tin-plated article |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2230602A (en) * | 1938-03-31 | 1941-02-04 | Battelle Memorial Institute | Method of coating metals with lead |
| GB1058210A (en) * | 1965-12-20 | 1967-02-08 | Shipley Co | Tin coating of metallic surfaces by immersion |
| US3689292A (en) * | 1970-12-07 | 1972-09-05 | John M Preston | Tin immersion plating bath and method |
| JPS5057927A (ja) * | 1973-09-25 | 1975-05-20 | ||
| US4093466A (en) * | 1975-05-06 | 1978-06-06 | Amp Incorporated | Electroless tin and tin-lead alloy plating baths |
| US4194913A (en) * | 1975-05-06 | 1980-03-25 | Amp Incorporated | Electroless tin and tin-lead alloy plating baths |
| USRE30434E (en) * | 1978-12-21 | 1980-11-11 | Amp Incorporated | Electroless tin and tin-lead alloy plating baths |
| US4234631A (en) * | 1979-07-20 | 1980-11-18 | Amp Incorporated | Method for immersion deposition of tin and tin-lead alloys |
| JPS56112496A (en) * | 1980-02-05 | 1981-09-04 | Mitsubishi Electric Corp | Plating method |
| US5143544A (en) * | 1990-06-04 | 1992-09-01 | Shipley Company Inc. | Tin lead plating solution |
-
1991
- 1991-03-01 JP JP3059642A patent/JP2787142B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1992
- 1992-02-25 TW TW081101408A patent/TW223127B/zh active
- 1992-02-27 DE DE69219645T patent/DE69219645T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1992-02-27 EP EP92103366A patent/EP0503389B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-02-28 US US07/843,015 patent/US5248527A/en not_active Expired - Fee Related
- 1992-03-02 KR KR1019920003429A patent/KR100241090B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS575854A (en) * | 1980-06-12 | 1982-01-12 | Fuji Electric Co Ltd | Production of tin-plated article |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001272389A (ja) * | 2000-03-24 | 2001-10-05 | Yoshikazu Kobayashi | 酸性無電解錫めっき液中の銅の定量方法および装置 |
| JP2002317275A (ja) * | 2001-04-17 | 2002-10-31 | Toto Ltd | 無電解スズめっき液の長寿命化方法 |
| JP2013227641A (ja) * | 2012-03-30 | 2013-11-07 | Ishihara Chem Co Ltd | スズ系メッキ液への補給方法 |
| JP2014034706A (ja) * | 2012-08-08 | 2014-02-24 | Ishihara Chemical Co Ltd | 無電解スズ系メッキ液用のペースト状スズ補給剤及び補給方法 |
| CN108495468A (zh) * | 2018-04-25 | 2018-09-04 | 佛山聚晨知识产权运营有限公司 | 一种印制电路板智能制造工艺 |
| CN112930041A (zh) * | 2021-01-29 | 2021-06-08 | 深圳市强达电路有限公司 | 一种二次蚀刻印制电路板的制作方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5248527A (en) | 1993-09-28 |
| TW223127B (ja) | 1994-05-01 |
| EP0503389A3 (en) | 1993-12-29 |
| DE69219645D1 (de) | 1997-06-19 |
| KR920018241A (ko) | 1992-10-21 |
| DE69219645T2 (de) | 1997-12-18 |
| KR100241090B1 (ko) | 2000-03-02 |
| JP2787142B2 (ja) | 1998-08-13 |
| EP0503389A2 (en) | 1992-09-16 |
| EP0503389B1 (en) | 1997-05-14 |
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