JPH04276080A - 薄膜形成装置及び薄膜の形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】（目次）・産業上の利用分野・従来の技術 ・発明が解決しようとする課題 ・課題を解決するための手段 ・作用 ・実施例 ・発明の効果

【０００２】

【産業上の利用分野】本発明は、薄膜形成装置及び薄膜
形成方法に関し、より詳しくは、互いに周波数の異なる
電圧を電極間に印加して反応ガスをプラズマ化すること
により、形成される膜に生ずる歪みを低減することがで
きる薄膜形成装置及び薄膜形成方法に関する。

【０００３】近年、半導体装置の高集積化に伴い、Ａｌ
配線等の断線が発生しやすくなっている。このため、Ａ
ｌ配線等の保護膜の低ストレス化、膜厚の均一性が要望
されている。また、同時に、大量要求、コスト低減のた
め量産性の向上も要望されている。

【０００４】

【従来の技術】従来、プラズマＣＶＤ装置を用いて絶縁
膜を形成する場合、反応ガスをプラズマ化する電力の周
波数により、図４に示すように、１〜２ＭＨｚを境とし
て高い周波数で引張応力が生じ、低い周波数で圧縮応力
が生じるという問題がある。これについては次のように
考えられている。即ち、低周波ではイオンが電界の変化
に追随可能なため、形成膜は過剰のイオンが打ち込まれ
、膜の構成粒子が互いに押し広げられるため圧縮応力が
生じる。一方、高周波では電界の変化に追随できるのは
電子だけであるため、多少不足する程度にイオンが形成
膜中に含まれ、引張応力が生じる。

【０００５】そこで、形成する膜の低ストレス化を図る
ため、次のようにして反応ガスをプラズマ化する方法が
知られている。 （１）２つの異なる周波数、即ち１〜２ＭＨｚよりも高
い周波数及び低い周波数の電圧／電流を印加する。 （２）また、形成膜に取り込まれるイオンの量を調整す
るため、上記の高い周波数及び低い周波数の電力を適当
な大きさの比率で印加する。

【０００６】図５（ａ）〜（ｃ）は、このような方法に
より絶縁膜を形成する場合に用いられるプラズマＣＶＤ
装置の構成を示す図である。

【０００７】図５（ａ）において、２はチャンバ１内に
設けられている一方の電極で、例えば周波数４００　ｋ
Ｈｚの電力を供給するための電源４が接続されている。 ３は一方の電極２に対向するようにチャンバ１内に設け
られている、被堆積基板６を載置する他方の電極で、例
えば周波数１３．５６　ＭＨｚの電力を供給するための
電源５が接続されている。また、反応ガスはシャワー状
の一方の電極２内部を通過して他方の電極３に対向する
面から放出されるようになっている。

【０００８】このような装置を用いて絶縁膜を形成する
場合、次のようにする。即ち、電極３にウエハ６を載置
した後、チャンバ１内を減圧する。次いで、電極２を通
過して反応ガスをチャンバ１内に導入し、所定の圧力に
保持する。続いて、電極２に周波数４００　ｋＨｚの電
圧／電流を印加する（図５（ｂ））とともに、電極３に
周波数１３．５６　ＭＨｚの電圧／電流を印加する（図
５（ｃ））。このとき、形成膜に打ち込まれるイオンの
量を調整するため、周波数１３．５６　ＭＨｚの電圧／
電流と周波数４００　ｋＨｚの電圧／電流の比率を調整
する。これにより、形成される絶縁膜の歪みを低減する
ことができる。

【０００９】また、現在最も処理能力が高く、量産性に
優れたプラズマＣＶＤ装置は図６に示すような構成を有
している。即ち、被堆積基板６を載置すべき電極８，９
を互いに対向させて設置し、対向する電極８，９間に一
定の周波数の逆相の電圧／電流を印加して反応ガスをプ
ラズマ化するというものである。これにより、均一性を
確保しつつ、載置密度を高くして処理能力の向上を図っ
ている。この装置においては、形成膜の歪みについては
特別な対策がなされておらず、歪みの低減が望まれてい
る。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】従って、図７に示すよ
うに、上記の２つの装置の長所を確保すべく、被堆積基
板６を対向させて載置密度を高くし、かつ対向する電極
８，９毎に異なる周波数の電圧／電流を印加して歪みの
低減を図ろうとした場合、次のような問題がある。即ち
、対向する電極８，９間に異なる周波数の電圧／電流を
適当な大きさの比率で印加する（図５（ｂ），（ｃ））
と、電極８，９間に発生するプラズマの密度には電極８
，９に印加する電圧／電流の大きさの偏りに従って偏り
が生じるため、対向する被堆積基板６の間で膜厚や膜質
のバラツキが生じることは避けられない。

【００１１】このため、２種類の異なる周波数の電圧／
電流の印加によるプラズマ化方法を用いずに、図６に示
す通常のプラズマ化方法を用いて均一性を向上するとと
もに、基板加熱を低温で行って形成膜の歪みを低減して
いるが、基板加熱が低温ということで密度等他の膜質が
悪化してしまうという問題がある。

【００１２】本発明は、かかる従来の問題点に鑑みてな
されたもので、形成される膜の歪みを低減しつつ、量産
性を確保し、かつ被堆積基板間でより均一な膜厚や膜質
の膜を形成することができる薄膜形成装置及び薄膜形成
方法を提供することを目的とするものである。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上記課題は、第１に、反
応ガスをプラズマ化して膜形成が行われるチャンバと、
該チャンバ内に設けられ、膜形成される被堆積基板を載
置すべき対向する電極と、該対向する電極間に互いに逆
相の電圧／電流を印加することができるように接続され
た第１の電源と、前記電極間に同相の電圧／電流を印加
することができるように接続された第２の電源とを有す
る薄膜形成装置によって達成され、第２に、第１の発明
に記載の第１の電源及び第２の電源は互いに異なる周波
数を有する逆相の電圧／電流及び同相の電圧／電流を供
給することができるようになっており、かつ前記対向す
る電極間に前記逆相の電圧／電流及び同相の電圧／電流
を同時に或いはどちらか一方を選択的に印加することが
できるようになっていることを特徴とする薄膜形成装置
によって達成され、第３に、対向する電極に被堆積基板
を載置した後、反応ガスを導入し、その後互いに異なる
周波数を有する逆相の電圧／電流及び同相の電圧／電流
をともに前記電極間に印加して前記反応ガスをプラズマ
化し、前記被堆積基板表面に膜形成を行うことを特徴と
する薄膜の形成方法によって達成され、第４に、前記逆
相の電圧／電流及び同相の電圧／電流のうち少なくとも
どちらか一方を間欠的に印加することを特徴とする第３
の発明に記載の薄膜の形成方法によって達成される。

【００１４】

【作用】本発明の薄膜形成装置及び薄膜の形成方法にお
いては、膜の形成される被堆積基板を載置すべき対向す
る電極と、該対向する電極間に互いに逆相の電圧／電流
を印加することができるように接続された第１の電源と
、前記電極間に同相の電圧／電流を印加することができ
るように接続された第２の電源とを有している。

【００１５】このため、対向する電極間に逆相の電圧／
電流を、かつ対向する電極に同相の電圧／電流を印加し
た場合、逆相の電圧により対向する電極間に対称に電界
がかかり、従って対向する電極間にイオンと電子とが対
称的な分布で形成される。一方、同相の電圧による電界
は電極と例えばアースとなっているチャンバとの間にか
かるため、対向する電極間の対称な電界には影響を及ぼ
さない。従って、対向する電極間でのプラズマ密度の分
布状態は対称性を保持できるため、被堆積基板上には膜
厚や膜質の均一な膜が堆積する。更に、対向する電極の
それぞれに被堆積基板を載置するようになっているので
、載置密度を高くし、処理能力の向上を図ることができ
る。

【００１６】また、第１の電源及び第２の電源は互いに
異なる周波数を有する逆相の電圧／電流及び同相の電圧
／電流を供給することができるようになっており、かつ
前記対向する電極間に前記逆相の電圧／電流及び同相の
電圧／電流を同時に或いはどちらか一方を選択的に印加
することができるようになっている。特に、同相の電圧
／電流の周波数を逆相の電圧／電流の周波数よりも高く
、例えば電圧／電流の変化に対して電子は追随するが、
イオンは追随しない周波数にしておくことにより、逆相
の電圧／電流により対向する電極間に生じているイオン
及び電子のうち電子のみを同相の電界により移動させる
ことができる。これにより、イオン及び電子の分布によ
って電極間に生じるＤＣバイアスを変動させ、その結果
、形成膜に含まれるイオンや電子の量や分布を変化させ
ることができるので、形成膜の歪みを変化させることが
できる。更に、上記に加えて、逆相の電圧／電流及び同
相の電圧／電流の大きさを適当な比率に調整することに
より、或いはそれぞれの印加時間の比率を調整すること
により、対向する電極間の空間的なイオンや電子の密度
の分布状態を適度に調整することができる。これにより
、形成膜に含まれるイオンや電子の量及びその分布状態
を適度に調整し、形成膜の歪みを低減することができる
。

【００１７】

【実施例】（１）第１及び第２の実施例図２（ａ）〜（
ｃ）は、第１の実施例のプラズマＣＶＤ装置の構成図で
ある。

【００１８】図２（ａ）において、１１はチャンバ１０
内に設けられ、ウエハ（被堆積基板）１５を載置できる
ようになっている一方の電極で、電極１１の先端部には
、ウエハ１５の載置密度を高めるため、２つの板面がウ
エハ載置面となっている複数の平板が接続され、かつこ
れらの平板は、板面が互いに対向するように一定の間隔
を保って並行に配置されている。１２はチャンバ１０内
に設けられている他方の電極で、一方の電極１１と同様
に、２つの板面がウエハ載置面となっている複数の平板
が電極１２の先端部に接続され、かつこれらの平板は、
板面が互いに対向するように一定の間隔を保って並行に
配置されている。そして、電極１１のウエハ載置面と電
極１２のウエハ載置面とが対向するように、電極１１の
各平板と電極１２の各平板とが交互に配置されている。

【００１９】また、１３は各電極１１，１２に周波数４
００　ｋＨｚの電力を供給するための第１の電源で、第
１の電源１３の対の出力端子はトランス１６を介してそ
れぞれ電極１１，１２に接続されており、これにより、
電極１１，１２に印加される電圧／電流は互いに逆相と
なる。１４は各電極１１，１２に周波数１３．５６　Ｍ
Ｈｚの電力を供給するための第２の電源で、電極１１，
１２に印加される電圧／電流が互いに同相となるように
接続されている。そして、第１の電源１３はトランス１
６を介して電極１１と１２との間に逆相の電圧／電流を
印加し、また、第２の電源１４の一方の電極は両方の電
極１１及び１２と直接接続され、電極１１及び１２に同
相の電圧／電流を印加する。１７ａ，１７ｂは、第１の
電源１３と、第２の電源１４と、電極１１又は１２とが
それぞれ対応する端子に接続されている方向性結合器で
、ローパスフィルタとハイパスフィルタとの組合せから
なる。一方の方向性結合器１７ａは第１の電源１３及び
第２の電源１４の一方の出力端子から供給された電圧／
電流を電極１１に選択的に送り、かつ第１の電源１３又
は第２の電源１４からの信号が互いに反対の電源１４又
は１３に入らないようになっている。また、他方の方向
性結合器１７ｂは第１の電源１３及び第２の電源１４の
他方の出力端子から供給された電圧／電流を電極１２に
選択的に送り、かつ第１の電源１３又は第２の電源１４
からの信号が互いに反対の電源１４又は１３に入らない
ようになっている。なお、図２（ｂ），（ｃ）はそれぞ
れ第１の電源１３，第２の電源１４から供給される電流
の波形を示している。

【００２０】更に、１８ａ，１８ｂはトリガ発生器１９
からの信号を受けて、一定周期であって、オン時間幅及
び立ち上がり時間の制御された矩形波を発生する信号発
生器である。

【００２１】以上のように、本発明の第１の実施例のプ
ラズマＣＶＤ装置においては、ウエハ１５を載置すべき
対向する電極１１，１２と、対向する電極１１，１２間
に互いに逆相の電圧／電流を印加することができるよう
に接続された第１の電源１３と、電極１１，１２に同相
の電圧／電流を印加することができるように接続された
第２の電源１４とを有している。このため、対向する電
極１１と１２との間に逆相の電圧／電流及び同相の電圧
／電流を印加した場合、それぞれの電極１１，１２から
見た対向する電極１１と１２との間の電界分布はほぼ対
称的になる。従って、対向する電極１１と１２との間で
の、それぞれの電極１１，１２から見たイオン及び電子
の分布状態は対称となり、ウエハ１５上に膜厚及び膜質
の均一な膜を形成することができる。

【００２２】また、互いに異なる周波数を有する逆相の
電圧／電流及び同相の電圧／電流を同時に或いはどちら
か一方を選択的に印加することができるようになってい
る。このため、逆相の電圧／電流及び同相の電圧／電流
の大きさを適当な比率に調整することにより、或いはそ
れぞれの印加時間の比率を調整することにより、形成膜
に含まれることとなるイオンや電子の密度や分布状態を
調整することができる。

【００２３】次に、図２（ａ）〜（ｃ）に示すプラズマ
ＣＶＤ装置を用いてＳｉ３Ｎ４　膜を形成する第２の実
施例の膜の形成方法について図２（ａ）〜（ｃ）及び図
３（ａ１），（ａ２）を参照しながら説明する。図３（
ａ１）は信号発生器１８ａから発生する信号を示し、図
３（ａ２）は信号発生器１８ｂから発生する信号を示す
。

【００２４】まず、電極１１，１２の互いに対向するウ
エハ載置面にウエハ１５を載置した後、チャンバ１０内
を減圧する。次いで、反応ガスとして約３００ＳＣＣＭ
　のシラン（ＳｉＨ４）ガス／約２４００ＳＣＣＭのア
ンモニア（ＮＨ３　）ガスからなる混合ガスを導入口か
らチャンバ１０内に導入し、所定の圧力約１Ｔｏｒｒに
保持するとともに、ウエハ載置面の下に埋め込まれた不
図示のヒータによりウエハを加熱し、約３５０　℃に保
持する。

【００２５】続いて、第１の電源１３をオンして電極１
１と１２との間に周波数４００　ｋＨｚ，平均出力２０
０　Ｗの逆相の電圧／電流を印加する（図２（ｂ））と
ともに、第２の電源１４をオンして電極１１と１２とに
周波数１３．５６　ＭＨｚ，平均出力１５０　Ｗの同相
の電圧／電流を印加する（図２（ｃ））。このとき、形
成されるＳｉ３Ｎ４　膜に含まれるイオンや電子の量を
適度に調整してＳｉ３Ｎ４　膜の歪みを低減するために
上記の第１の電源１３及び第２の電源１４の出力は調整
されている。また、トリガ発生器１９により、信号発生
器１８ａからは、図３（ａ１）に示すように、連続信号
が発生するので、第１の電源１３から電圧／電流が連続
的に供給される。一方、信号発生器１８ｂからは、図３
（ａ２）に示すように、周期（Ｔ１）１０ｍｓ（周波数
１００　Ｈｚに相当），幅（ｔ１）５ｍｓの矩形波が発
生し、従って、第２の電源１４から同じ周期（Ｔ１），
幅（ｔ１）の高周波の電圧／電流が供給される。

【００２６】このような電圧／電流が電極１１，１２に
並列に印加されることにより次のようにしてＳｉ３Ｎ４
　膜の形成が行われる。即ち、対向する電極１１と１２
との間に印加される逆相の電圧により、対向する電極１
１と１２との間に対称に電界がかかるため、反応ガスが
プラズマ化し、対向する電極１１と１２との間に正の電
荷を有するイオンと負の電荷を有する電子とが形成され
る。一方、同相の電圧による電界は電極１１及び１２と
例えばアースとなっているチャンバ１０との間にかかる
ため、それぞれの電極１１，１２から見た対向する電極
１１と１２との間の対称な電界には影響を及ぼさない。 従って、対向する電極１１と１２との間での、それぞれ
の電極１１，１２から見たイオン及び電子の分布状態は
互いに対称となる。

【００２７】また、逆相の電圧／電流（図２（ｂ））及
び同相の電圧／電流（図２（ｃ））を対向する電極１１
と１２との間に同時に印加し、かつ同相の電圧／電流の
周波数を逆相の電圧／電流の周波数よりも高くしている
ので、逆相の電圧により対向する電極１１と１２との間
に生じているイオン及び電子のうち、電子のみが同相の
電界により移動する。また、第１の電源１３及び第２の
電源１４の電圧／電流の大きさ及びそれぞれの印加時間
の比率が適当に調整されているので、Ｓｉ３Ｎ４　膜中
に打ち込まれることとなるイオンや電子の量及びその分
布状態も最適になっている。

【００２８】以上の状態を所定の時間保持することによ
り、所定の膜厚のＳｉ３Ｎ４　膜が形成される。

【００２９】以上のように、第２の実施例によれば、膜
形成の間中、対向する電極１１と１２との間でのイオン
や電子の分布状態は互いに対称となっているので、ウエ
ハ１５内及びウエハ１５間で膜厚及び膜質の均一なＳｉ
３Ｎ４　膜がウエハ１５上に形成される。また、形成さ
れたＳｉ３Ｎ４　膜中に含まれたイオンや電子の量及び
その分布状態が最適になっているので、Ｓｉ３Ｎ４　膜
の歪みを低減することができる。更に、ウエハの載置密
度を大きくすることができるので、量産性を確保するこ
とができる。

【００３０】なお、上記の第２の実施例の膜形成の方法
によれば、一方の電源１３からのみ間欠的に電圧／電流
を供給しているので、第１の電源１３及び第２の電源１
４の電圧／電流の大きさを一定にしておくことにより、
信号発生器１８ａの矩形波の幅（ｔ１）のみの調整で形
成膜の歪みの調整が行える。このため、調整作業が容易
になる。

【００３１】（２）第３及び第４の実施例次に、第１の
実施例のＣＶＤ装置を用いて、第３の実施例の膜の形成
方法について図２（ａ）〜（ｃ）及び図３（ｂ１），（
ｂ２）を参照しながら説明する。図３（ｂ１）は信号発
生器１８ａから発生する信号を示し、図３（ｂ２）は信
号発生器１８ｂから発生する信号を示す。

【００３２】第３の実施例において、第２の実施例の場
合と異なるところは、信号発生器１８ａ，１８ｂから周
期Ｔ２（一定），幅ｔ２，ｔ３（ｔ２＝ｔ３）を有する
矩形波信号がともに間欠的に発生し、かつ信号発生器１
８ｂの信号が信号発生器１８ａの信号よりも時間ｔ４程
遅延していることである。いま、Ｔ２＝１０ｍｓ，ｔ２
＝ｔ３＝１ｍｓ，ｔ４＝０．５　ｍｓとなっており、他
のガスの種類，チャンバ１０内の圧力，高周波電力の条
件は第２の実施例と同一になっている。

【００３３】このような信号発生器１８ａ，１８ｂによ
りＳｉ３Ｎ４　膜の形成を行う場合、電極１１，１２の
双方ともに間歇的に電圧／電流を印加する以外は、第２
の実施例と同様な方法により行える。この場合、図３（
ｂ１），（ｂ２）に示すように、それぞれの周波数の電
圧／電流を単独で印加する時間があり、ウエハ１５面内
及びバッチ内ウエハ１５間の分布の向上が図れ、また一
層制御性の良い歪み制御と膜質の制御を行うことができ
る。

【００３４】以上のような第３の実施例の膜形成方法に
より形成されたＳｉ３Ｎ４　膜は、本願発明者の調査に
よれば、応力１×１０９　（ダイン／ｃｍ２　，圧縮応
力），屈折率２．０１，絶縁耐圧約９（ＭＶ／ｃｍ）の
特性を有していることが判明した。また、ウエハ１５上
に形成された膜厚の分布も同一面内及び同一バッチ内と
もに±２．０　％（３σの範囲で）となった。なお、従
来の場合、応力は１×１０１０（ダイン／ｃｍ２　）で
あった。これにより、Ｓｉ３Ｎ４　膜の歪みを低減しつ
つ、ウエハ１５内及びウエハ１５間でより均一な膜厚や
膜質の膜を形成することができる。更に、量産性を確保
することもできる。

【００３５】なお、第４の実施例として、図３（ｃ１）
，（ｃ２）に示すような信号発生器１８ａ，１８ｂの信
号の印加の仕方もある。図３（ｃ１）は信号発生器１８
ａから発生する信号を示し、図３（ｃ２）は信号発生器
１８ｂから発生する信号を示す。

【００３６】即ち、第４の実施例において、第３の実施
例の場合と比較して、信号発生器１８ａ，１８ｂから周
期Ｔ３（一定），幅ｔ５，ｔ６（ｔ５＜ｔ６）を有する
矩形波信号がともに間欠的に発生していることは同じで
あるが、低周波，逆相の電圧／電流を発生する電源１１
を制御する信号発生器１８ａの信号が高周波，同相の電
圧／電流を発生する電源１２を制御する信号発生器１８
ｂの信号よりも時間ｔ７遅延して印加され、時間ｔ８早
く切られていることが異なっている。

【００３７】このような信号発生器１８ａ，１８ｂによ
り例えばＳｉ３Ｎ４　膜の形成を行う場合、ほぼ第３の
実施例と同様な方法により行える。

【００３８】このような第４の実施例によれば、放電の
初期に印加される信号発生器１８ｂの信号により各電極
１１，１２にイオンの集中が生じ、次に、遅れて印加さ
れる信号発生器１８ａの信号により、電極１１，１２間
に電界が生じるが、各電極１１，１２に集中しているイ
オンの正電荷により、信号発生器１８ａの信号による印
加の開始時に電極１１，１２間にかかる電圧を低く抑え
ることができる。このため、高い電圧による異常放電が
抑えられ、半導体素子にダメージが与えられるのを防止
することができる。また、第３の実施例と同様に、間欠
的に印加される逆相及び同相の電圧／電流の大きさと印
加時間の比率を適度に調整することにより、ウエハ１５
面内及びバッチ内ウエハ１５間の分布の向上が図れ、ま
た一層制御性の良い歪み制御を行うことができる。

【００３９】

【発明の効果】以上のように、本発明の膜形成装置及び
膜の形成方法においては、膜形成される被堆積基板を載
置すべき対向する電極と、該対向する電極間に互いに逆
相の電圧／電流を印加することができるように接続され
た第１の電源と、前記電極間に同相の電圧／電流を印加
することができるように接続された第２の電源とを有し
ている。このため、対向する電極間に逆相の電圧／電流
及び同相の電圧／電流を印加した場合、それぞれの電極
から見た対向する電極間の電界分布はほぼ対称的になる
。従って、対向する電極間でのプラズマの発生状態は互
いに対称となり、被堆積基板上に膜厚及び膜質の均一な
膜を形成することができる。

【００４０】また、第１の電源及び第２の電源はそれぞ
れ互いに異なる周波数を有する逆相の電圧／電流及び同
相の電圧／電流を供給することができるようになってお
り、かつ前記対向する電極間に前記逆相の電圧／電流を
及び対向する電極に同相の電圧／電流を同時に或いはど
ちらか一方を選択的に印加することができるようになっ
ている。このため、逆相の電圧／電流及び同相の電圧／
電流の大きさを適当な比率に調整することにより、或い
はそれぞれの印加時間の比率を調整することにより、形
成膜中のプラズマイオンの密度や分布状態を調整するこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の膜形成装置について説明する構成図で
ある。

【図２】本発明の第１の実施例のプラズマＣＶＤ装置に
ついて説明する図である。

【図３】本発明の第２〜第４の実施例の膜形成方法につ
いて説明する電極への電圧印加のタイミングチャートで
ある。

【図４】従来例の周波数による形成膜の応力の種類につ
いて説明する図である。

【図５】従来例のプラズマＣＶＤ装置について説明する
図である。

【図６】他の従来例のプラズマＣＶＤ装置について説明
する図である。

【図７】従来例の問題点について説明する図である。

【符号の説明】

１，７，１０　　チャンバ、 ２，３，８，９，１１，１２　　電極、４，５，１０　
　電源、 ６　　被堆積基板、 １３　　第１の電源、 １４　　第２の電源、 １５　　ウエハ（被堆積基板）、 １６　　トランス、 １７ａ，１７ｂ　　方向性結合器、 １８ａ，１８ｂ　　信号発生器、 １９　　トリガ発生器。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　反応ガスをプラズマ化して膜形成が行
   われるチャンバと、該チャンバ内に設けられ、膜形成さ
   れる被堆積基板を載置すべき対向する電極と、該対向す
   る電極間に互いに逆相の電圧／電流を印加することがで
   きるように接続された第１の電源と、前記電極間に同相
   の電圧／電流を印加することができるように接続された
   第２の電源とを有する薄膜形成装置。
2. 【請求項２】　　請求項１記載の第１の電源及び第２の
   電源から互いに異なる周波数を有する逆相の電圧／電流
   及び同相の電圧／電流を供給することができるようにな
   っており、かつ前記対向する電極間に前記逆相の電圧／
   電流及び同相の電圧／電流を同時に或いはどちらか一方
   を選択的に印加することができるようになっていること
   を特徴とする薄膜形成装置。
3. 【請求項３】　　対向する電極に被堆積基板を載置した
   後、反応ガスを導入し、その後互いに異なる周波数を有
   する逆相の電圧／電流及び同相の電圧／電流をともに前
   記電極間に印加して前記反応ガスをプラズマ化し、前記
   被堆積基板表面に膜形成を行うことを特徴とする薄膜の
   形成装置。
4. 【請求項４】　　前記逆相の電圧／電流及び同相の電圧
   ／電流のうち少なくともどちらか一方を間欠的に印加す
   ることを特徴とする請求項３記載の薄膜の形成装置。