JPH04276068A - スパッタリング用ターゲットの製造方法 - Google Patents
スパッタリング用ターゲットの製造方法Info
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- JPH04276068A JPH04276068A JP3064089A JP6408991A JPH04276068A JP H04276068 A JPH04276068 A JP H04276068A JP 3064089 A JP3064089 A JP 3064089A JP 6408991 A JP6408991 A JP 6408991A JP H04276068 A JPH04276068 A JP H04276068A
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Links
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Landscapes
- Powder Metallurgy (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＡｇ と遷移金属粉末と
の合金からなるスパッタリング膜を得るために用いられ
るターゲットに関するものである。
の合金からなるスパッタリング膜を得るために用いられ
るターゲットに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】Ａｇ と遷移金属粉末との合金からなる
スパッタリング膜は例えばハードディスクの下地膜とし
て有用である。従来、このようなＡｇ と遷移金属粉末
との合金からなるスパッタリング膜を形成するために用
いられるターゲットの製造方法としては、Ａｇ と遷移
金属粉末とを混合溶解して鋳造する溶解法や、Ａｇ 粉
末と遷移金属粉末との混合粉末を加熱加圧して成形焼結
する焼結法が採用されていた。
スパッタリング膜は例えばハードディスクの下地膜とし
て有用である。従来、このようなＡｇ と遷移金属粉末
との合金からなるスパッタリング膜を形成するために用
いられるターゲットの製造方法としては、Ａｇ と遷移
金属粉末とを混合溶解して鋳造する溶解法や、Ａｇ 粉
末と遷移金属粉末との混合粉末を加熱加圧して成形焼結
する焼結法が採用されていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし上記溶解法では
Ａｇ 溶解物と遷移金属溶解物とは相溶性が悪く均一に
混合せず、偏折が多くてスパッタリングの際のエロージ
ョンの不均一や組成変動等の問題点が生じ、また上記焼
結法では組成が不均一になり、粒子間の接合強度が不足
して割れが発生する等の問題点があった。
Ａｇ 溶解物と遷移金属溶解物とは相溶性が悪く均一に
混合せず、偏折が多くてスパッタリングの際のエロージ
ョンの不均一や組成変動等の問題点が生じ、また上記焼
結法では組成が不均一になり、粒子間の接合強度が不足
して割れが発生する等の問題点があった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は上記従来の課題
を解決するための手段として、Ａｇ 粉末と遷移金属粉
末との混合物を機械的合金化し、得られた合金粉末を加
熱加圧して所定形状に成形焼結するスパッタリング用タ
ーゲットの製造方法を提供するものである。
を解決するための手段として、Ａｇ 粉末と遷移金属粉
末との混合物を機械的合金化し、得られた合金粉末を加
熱加圧して所定形状に成形焼結するスパッタリング用タ
ーゲットの製造方法を提供するものである。
【０００５】本発明において、Ａｇ 粉末に混合される
遷移金属粉末としては、Ｃｒ，Ｃｏ が主体となるが、
これらに加えてあるいはこれらに代えてＴｉ，Ｖ， Ｍ
ｏ，Ｔａ，Ｚｒ，Ｗ，Ｎｉ，等の粉末の一種または二種
以上が用いられてもよい。上記遷移金属が二種以上用い
られる時は金属単体粉末を混合してもよいし、また合金
粉末が用いられてもよい。上記Ａｇ 粉末および遷移金
属粉末の望ましい粒径は５０μｍ以下である。このよう
な金属あるいは合金粉末は溶融物を噴霧することによっ
て粉末化する方法によって製造されることが望ましい。
遷移金属粉末としては、Ｃｒ，Ｃｏ が主体となるが、
これらに加えてあるいはこれらに代えてＴｉ，Ｖ， Ｍ
ｏ，Ｔａ，Ｚｒ，Ｗ，Ｎｉ，等の粉末の一種または二種
以上が用いられてもよい。上記遷移金属が二種以上用い
られる時は金属単体粉末を混合してもよいし、また合金
粉末が用いられてもよい。上記Ａｇ 粉末および遷移金
属粉末の望ましい粒径は５０μｍ以下である。このよう
な金属あるいは合金粉末は溶融物を噴霧することによっ
て粉末化する方法によって製造されることが望ましい。
【０００６】更に本発明においてはＡｇ 粉末と遷移金
属粉末以外に第三成分として更にＳｉ，Ａｌ，Ｍｇ 等
の粉末が添加されてもよい。上記第三成分を添加する場
合には遷移金属粉末とは別個に粉末として混合されても
よいし、あらかじめ遷移金属と上記第三成分との合金を
粉末化してもよい。
属粉末以外に第三成分として更にＳｉ，Ａｌ，Ｍｇ 等
の粉末が添加されてもよい。上記第三成分を添加する場
合には遷移金属粉末とは別個に粉末として混合されても
よいし、あらかじめ遷移金属と上記第三成分との合金を
粉末化してもよい。
【０００７】本発明においては通常Ａｇ 粉末は上記混
合粉末中に０．１〜６ａｔｏｍｉｃ％（原子％，以下ａ
ｔ％とする）添加され、上記第三成分が添加される場合
は、遷移金属としてＣｒ を選択した場合には通常０．
２〜５ａｔ％、Ｃｏ を選択した場合には通常０．２〜
３０ａｔ％程度とされる。
合粉末中に０．１〜６ａｔｏｍｉｃ％（原子％，以下ａ
ｔ％とする）添加され、上記第三成分が添加される場合
は、遷移金属としてＣｒ を選択した場合には通常０．
２〜５ａｔ％、Ｃｏ を選択した場合には通常０．２〜
３０ａｔ％程度とされる。
【０００８】上記混合粉末は酸素等の活性ガスが１００
０ｐｐｍ 以下の実質的に不活性ガス雰囲気下で乾式で
高エネルギー粉砕することにより機械的合金化せられる
。上記機械的合金化方法（ＭＡ法）の詳細は米国特許第
３，５９１，３６２号明細書に記載されている。
０ｐｐｍ 以下の実質的に不活性ガス雰囲気下で乾式で
高エネルギー粉砕することにより機械的合金化せられる
。上記機械的合金化方法（ＭＡ法）の詳細は米国特許第
３，５９１，３６２号明細書に記載されている。
【０００９】上記機械的合金化により製造された合金粉
末は通常５０μｍ以下の微粒子であり、加熱加圧するこ
とにより所定形状に成形されるが、望ましい成形法とし
ては熱間静水圧プレス法がある。
末は通常５０μｍ以下の微粒子であり、加熱加圧するこ
とにより所定形状に成形されるが、望ましい成形法とし
ては熱間静水圧プレス法がある。
【００１０】
【作用】機械的合金化の過程において、混合粉末は機械
的に粉砕され、そして金属間反応によって合金化する。 したがって相溶性の悪いＡｇ と遷移金属でもそれに関
わらず均一な合金化が可能である。このようにして得ら
れた均一な合金粒子を加熱加圧して所定形状に成形して
ターゲットを製造する。
的に粉砕され、そして金属間反応によって合金化する。 したがって相溶性の悪いＡｇ と遷移金属でもそれに関
わらず均一な合金化が可能である。このようにして得ら
れた均一な合金粒子を加熱加圧して所定形状に成形して
ターゲットを製造する。
【００１１】
【発明の効果】したがって本発明においては、相溶性の
悪いＡｇ と遷移金属であっても均一な組成の合金粉末
の焼結体からなるターゲットが得られる。
悪いＡｇ と遷移金属であっても均一な組成の合金粉末
の焼結体からなるターゲットが得られる。
【００１２】
【実施例】表１に示す組成のＣｒ−Ａｇ 混合粉末をＭ
Ａ法により合金化して得られた合金粉末を用いて熱間静
水圧プレス法によって径６インチの円盤状ターゲットを
製造する。得られたターゲット表面のＡｇ 量をｘ軸お
よびｙ軸に沿って所定個所で分析し、その変動巾ΔＣ（
ａｔ％）を求めた。その結果は表１に示される。
Ａ法により合金化して得られた合金粉末を用いて熱間静
水圧プレス法によって径６インチの円盤状ターゲットを
製造する。得られたターゲット表面のＡｇ 量をｘ軸お
よびｙ軸に沿って所定個所で分析し、その変動巾ΔＣ（
ａｔ％）を求めた。その結果は表１に示される。
【表１】
【００１３】表１において、比較例は混合粉末をＭＡ法
によって合金化することなく、単に熱間静水圧プレス法
によってターゲットを製造した場合である。表１をみる
と、ターゲット内におけるＡｇ の組成的バラツキは、
本発明の場合は比較例に比して極めて小さいものである
ことが明らかである。
によって合金化することなく、単に熱間静水圧プレス法
によってターゲットを製造した場合である。表１をみる
と、ターゲット内におけるＡｇ の組成的バラツキは、
本発明の場合は比較例に比して極めて小さいものである
ことが明らかである。
Claims (1)
- 【請求項１】Ａｇ 粉末と遷移金属粉末との混合物を機
械的合金化し、得られた合金粉末を加熱加圧して所定形
状に成形焼結することを特徴とするスパッタリング用タ
ーゲットの製造方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3064089A JPH04276068A (ja) | 1991-03-04 | 1991-03-04 | スパッタリング用ターゲットの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3064089A JPH04276068A (ja) | 1991-03-04 | 1991-03-04 | スパッタリング用ターゲットの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04276068A true JPH04276068A (ja) | 1992-10-01 |
Family
ID=13248003
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3064089A Pending JPH04276068A (ja) | 1991-03-04 | 1991-03-04 | スパッタリング用ターゲットの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04276068A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1681361A1 (en) * | 2003-10-10 | 2006-07-19 | National Institute for Materials Science | Highly ductile chromium alloy containing silver |
-
1991
- 1991-03-04 JP JP3064089A patent/JPH04276068A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1681361A1 (en) * | 2003-10-10 | 2006-07-19 | National Institute for Materials Science | Highly ductile chromium alloy containing silver |
| EP1681361A4 (en) * | 2003-10-10 | 2008-04-23 | Nat Inst For Materials Science | HIGHLY DUCTILE CHROME ALLOY CONTAINING SILVER |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20001114 |