JPH04274348A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
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- JPH04274348A JPH04274348A JP3061368A JP6136891A JPH04274348A JP H04274348 A JPH04274348 A JP H04274348A JP 3061368 A JP3061368 A JP 3061368A JP 6136891 A JP6136891 A JP 6136891A JP H04274348 A JPH04274348 A JP H04274348A
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- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 30
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- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 13
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- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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-
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は固体撮像装置に関し、特
に低反射率の封止樹脂膜を形成したガラスキャップにて
封止した固体撮像装置に関する。
に低反射率の封止樹脂膜を形成したガラスキャップにて
封止した固体撮像装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】固体撮像装置において特に単板カラー撮
像用の固体撮像装置では、近年、ガラス基板上に形成さ
れた色フィルタを接着する構造のものからウェハ上に直
接色フィルタを形成するオンチップカラーフィルタ構造
のものが主力となりつつある。
像用の固体撮像装置では、近年、ガラス基板上に形成さ
れた色フィルタを接着する構造のものからウェハ上に直
接色フィルタを形成するオンチップカラーフィルタ構造
のものが主力となりつつある。
【０００３】このような色フィルタを接着しない構造で
生じる大きな問題の１つは入射光がボンディングワイヤ
で反射してゴーストが生じることである。従来の色フィ
ルタを接着する構造のものでは、色フィルタの端面から
光が入射すると著しいゴーストが現れるため、これを避
けるべくボンディングワイヤ付近を含めた撮像素子チッ
プ周辺部を遮光する遮光板を色フィルタを利用して精度
よく装着するのが常であり、このようなゴーストが生じ
ることはなかった。
生じる大きな問題の１つは入射光がボンディングワイヤ
で反射してゴーストが生じることである。従来の色フィ
ルタを接着する構造のものでは、色フィルタの端面から
光が入射すると著しいゴーストが現れるため、これを避
けるべくボンディングワイヤ付近を含めた撮像素子チッ
プ周辺部を遮光する遮光板を色フィルタを利用して精度
よく装着するのが常であり、このようなゴーストが生じ
ることはなかった。
【０００４】一方、オンチップフィルタ構造では、遮光
板を精度良く確実に保持することが困難であるため、従
来の遮光板を装置しない構造が用いられている。そのた
め、チップ上のパッドから引き出されるアルミニウムあ
るいは金のボンディングワイヤ付近に容易に光が入射す
ることになる。このことは、ウェハ上に色フィルタを形
成しない白黒デバイスについても同様である。
板を精度良く確実に保持することが困難であるため、従
来の遮光板を装置しない構造が用いられている。そのた
め、チップ上のパッドから引き出されるアルミニウムあ
るいは金のボンディングワイヤ付近に容易に光が入射す
ることになる。このことは、ウェハ上に色フィルタを形
成しない白黒デバイスについても同様である。
【０００５】この様子を図面を用いて説明する。図４は
白色封止樹脂付の透明ガラスキャップにより封止された
従来のオンチップフィルタ構造のカラーデバイス乃至白
黒デバイスの固体撮像装置の斜視図であり、また、図５
はそのボンディングワイヤ付近の断面図である。
白色封止樹脂付の透明ガラスキャップにより封止された
従来のオンチップフィルタ構造のカラーデバイス乃至白
黒デバイスの固体撮像装置の斜視図であり、また、図５
はそのボンディングワイヤ付近の断面図である。
【０００６】図４、図５に示されるように、内部に引き
出し電極６ａが形成され、外周部に外部リード６ｂが設
けられたパッケージ６に、中央部に撮像面７ｂを有し周
辺部に電極パッド７ａが形成されている固体撮像素子チ
ップ７が搭載されている。固体撮像素子チップ７からは
アルミニウムのボンディングワイヤ８が引き出されてパ
ッケージの引き出し電極６ａへ接続されている。このパ
ッケージは封止面側に白色封止樹脂膜２２が設けられて
いる透明ガラスキャップ２１により封止される。
出し電極６ａが形成され、外周部に外部リード６ｂが設
けられたパッケージ６に、中央部に撮像面７ｂを有し周
辺部に電極パッド７ａが形成されている固体撮像素子チ
ップ７が搭載されている。固体撮像素子チップ７からは
アルミニウムのボンディングワイヤ８が引き出されてパ
ッケージの引き出し電極６ａへ接続されている。このパ
ッケージは封止面側に白色封止樹脂膜２２が設けられて
いる透明ガラスキャップ２１により封止される。
【０００７】図４、図５に示された従来例においては、
レンズを通過してきた光ｃがボンディングワイヤに当た
るとその反射光ｄは撮像面７ｂへむかって進むことにな
り、ボンディングワイヤ８のゴースト像が発生して画質
を劣化させる。
レンズを通過してきた光ｃがボンディングワイヤに当た
るとその反射光ｄは撮像面７ｂへむかって進むことにな
り、ボンディングワイヤ８のゴースト像が発生して画質
を劣化させる。
【０００８】このような不都合を解消するための対策と
して、図６に示すようなボンディングワイヤ付近を含め
た撮像素子チップ周辺部を、低反射率の封止樹脂膜で遮
光する、遮光機能を備えた透明ガラスキャップを用いる
方法が試みられている。図６の（ａ）は、この用途に用
いられる透明ガラスキャップの平面図であり、図６の（
ｂ）はそのＸ−Ｙ線断面図である。同図に示されるよう
に、透明ガラスキャップ３１の封止内面側表面には、光
入射開口窓３３および第１スリット３４の部分を除いて
低反射率の封止樹脂膜３２が形成されている。
して、図６に示すようなボンディングワイヤ付近を含め
た撮像素子チップ周辺部を、低反射率の封止樹脂膜で遮
光する、遮光機能を備えた透明ガラスキャップを用いる
方法が試みられている。図６の（ａ）は、この用途に用
いられる透明ガラスキャップの平面図であり、図６の（
ｂ）はそのＸ−Ｙ線断面図である。同図に示されるよう
に、透明ガラスキャップ３１の封止内面側表面には、光
入射開口窓３３および第１スリット３４の部分を除いて
低反射率の封止樹脂膜３２が形成されている。
【０００９】図７はこの封止樹脂付の透明ガラスキャッ
プ３１を用いて、パッケージ６に搭載されている固体撮
像素子チップ７を封止した場合のボンディングワイヤ付
近の断面図である。このような透明ガラスキャップを用
いる場合には低反射率の封止樹脂膜３２がボンディング
ワイヤ８への入射光に対する遮光膜として機能するので
、図５の従来例で問題となったゴーストは発生しなくな
る。
プ３１を用いて、パッケージ６に搭載されている固体撮
像素子チップ７を封止した場合のボンディングワイヤ付
近の断面図である。このような透明ガラスキャップを用
いる場合には低反射率の封止樹脂膜３２がボンディング
ワイヤ８への入射光に対する遮光膜として機能するので
、図５の従来例で問題となったゴーストは発生しなくな
る。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
のガラスフィルタを接着しないような構造、例えばオン
チップフィルタ構造を持つ固体撮像素子では、チップ周
辺部への光入射を防止するような遮光板が採用し難いた
め、ボンディングワイヤのゴースト像が避けられない欠
点があった。
のガラスフィルタを接着しないような構造、例えばオン
チップフィルタ構造を持つ固体撮像素子では、チップ周
辺部への光入射を防止するような遮光板が採用し難いた
め、ボンディングワイヤのゴースト像が避けられない欠
点があった。
【００１１】また、低反射率封止樹脂膜を備えた透明ガ
ラスキャップを用いた場合では、封止するときの加圧、
加熱により封止樹脂が流動化し図７において矢印で示す
応力Ｓがかかる。そのため、封止樹脂にクラック３９が
発生したり、光入射開口窓３３が小さくなったりする問
題が起こる。
ラスキャップを用いた場合では、封止するときの加圧、
加熱により封止樹脂が流動化し図７において矢印で示す
応力Ｓがかかる。そのため、封止樹脂にクラック３９が
発生したり、光入射開口窓３３が小さくなったりする問
題が起こる。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の固体撮像装置は
、固体撮像素子をパッケージに搭載して透明ガラスキャ
ップで封止したものであって、前記透明ガラスキャップ
は、封入内面側表面に前記固体撮像素子の光電変換有効
領域部分に光入射開口窓を有し、かつボンディングワイ
ヤの頂点より外側にスリットを有する低反射率の封止樹
脂膜が形成されたものである。
、固体撮像素子をパッケージに搭載して透明ガラスキャ
ップで封止したものであって、前記透明ガラスキャップ
は、封入内面側表面に前記固体撮像素子の光電変換有効
領域部分に光入射開口窓を有し、かつボンディングワイ
ヤの頂点より外側にスリットを有する低反射率の封止樹
脂膜が形成されたものである。
【００１３】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。図１の（ａ）は、本発明の第１の実施例に
用いる透明ガラスキャップの平面図であり、図１の（ｂ
）は図１の（ａ）の透明ガラスキャップを用いて封止し
た固体撮像装置の断面構造の模式図である。
て説明する。図１の（ａ）は、本発明の第１の実施例に
用いる透明ガラスキャップの平面図であり、図１の（ｂ
）は図１の（ａ）の透明ガラスキャップを用いて封止し
た固体撮像装置の断面構造の模式図である。
【００１４】図１の（ａ）、（ｂ）に示すように、封止
内面側表面に低反射率の封止樹脂膜２を設けた透明ガラ
スキャップ１を用いて固体撮像素子チップ７の搭載され
たパッケージ６を封止する。
内面側表面に低反射率の封止樹脂膜２を設けた透明ガラ
スキャップ１を用いて固体撮像素子チップ７の搭載され
たパッケージ６を封止する。
【００１５】低反射率の封止樹脂膜２を形成する材料に
は、例えば黒色封止樹脂が用いられる。封止樹脂膜２に
は、封止するときにパッケージ内に発生するガスを流出
させる第１スリット４と、パッケージ６と接する外周部
分と光入射開口窓３のある内側部分とを分ける第２スリ
ット５とが設けられている。
は、例えば黒色封止樹脂が用いられる。封止樹脂膜２に
は、封止するときにパッケージ内に発生するガスを流出
させる第１スリット４と、パッケージ６と接する外周部
分と光入射開口窓３のある内側部分とを分ける第２スリ
ット５とが設けられている。
【００１６】この第２スリット５は、ボンディングワイ
ヤ６の頂点より外側に設けられる。そのため、この第２
スリット５を通る入射光ａ、ｂはボンディングワイヤ８
の外側に反射するだけで有効画素領域には到達しないの
で、ゴーストは発生しない。また、封止するときに第２
スリット５が設けられているため、加圧や加熱が加えら
れた際に低反射率の封止樹脂膜２に応力が加わることが
なくなり、封止樹脂膜にクラックが入ったり、開口窓が
小さくなったりすることがなくなる。
ヤ６の頂点より外側に設けられる。そのため、この第２
スリット５を通る入射光ａ、ｂはボンディングワイヤ８
の外側に反射するだけで有効画素領域には到達しないの
で、ゴーストは発生しない。また、封止するときに第２
スリット５が設けられているため、加圧や加熱が加えら
れた際に低反射率の封止樹脂膜２に応力が加わることが
なくなり、封止樹脂膜にクラックが入ったり、開口窓が
小さくなったりすることがなくなる。
【００１７】図２の（ａ）は本発明の第２の実施例に用
いる透明ガラスキャップの平面図であり、図２の（ｂ）
は、そのＸ−Ｙ線断面図である。
いる透明ガラスキャップの平面図であり、図２の（ｂ）
は、そのＸ−Ｙ線断面図である。
【００１８】透明ガラスキャップ１１の封止内面側表面
には、中央に光入射開口窓１３を有する、低反射率の封
止樹脂膜１２が形成されている。この封止樹脂膜１２に
も、第１の実施例の場合と同様に、封止工程中にパッケ
ージ内に発生するガスが流出させるための第１スリット
１４と、封止工程中の加圧・加熱による封止樹脂の応力
を抑制するための第２スリット１５とが設けられている
。
には、中央に光入射開口窓１３を有する、低反射率の封
止樹脂膜１２が形成されている。この封止樹脂膜１２に
も、第１の実施例の場合と同様に、封止工程中にパッケ
ージ内に発生するガスが流出させるための第１スリット
１４と、封止工程中の加圧・加熱による封止樹脂の応力
を抑制するための第２スリット１５とが設けられている
。
【００１９】図３の（ａ）は図２の（ａ）のコーナ部の
拡大図であり、図３の（ｂ）は本発明の第２の実施例の
、図３の（ａ）の部分に対応する部分の断面図である。
拡大図であり、図３の（ｂ）は本発明の第２の実施例の
、図３の（ａ）の部分に対応する部分の断面図である。
【００２０】本実施例では、先の実施例の場合よりも第
２スリット１５の幅が狭くなされている。本実施例では
、第２スリットの幅を適当な値（例えば、０．２ｍｍ）
に選定し、低反射率の封止樹脂の材料を適切に選択すれ
ば、封止作業中に封止樹脂膜に加わる応力Ｓを過大なも
のとすることなしに第２スリット１５を完全に埋めるこ
とができ、周辺部への入射光をシャットアウトすること
ができる。
２スリット１５の幅が狭くなされている。本実施例では
、第２スリットの幅を適当な値（例えば、０．２ｍｍ）
に選定し、低反射率の封止樹脂の材料を適切に選択すれ
ば、封止作業中に封止樹脂膜に加わる応力Ｓを過大なも
のとすることなしに第２スリット１５を完全に埋めるこ
とができ、周辺部への入射光をシャットアウトすること
ができる。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の固体撮像
装置は、光入射開口窓を規定する内側部分とパッケージ
に当接する外側部分との間にスリットを有する遮光性封
止樹脂膜がその表面に形成されている透明ガラスキャッ
プを用いて封止したものであるので、以下の効果を奏す
ることができる。
装置は、光入射開口窓を規定する内側部分とパッケージ
に当接する外側部分との間にスリットを有する遮光性封
止樹脂膜がその表面に形成されている透明ガラスキャッ
プを用いて封止したものであるので、以下の効果を奏す
ることができる。
【００２２】■ ボンディングワイヤへの入射光を遮
断することができるので、ボンディングワイヤからの反
射光によって生じるゴーストを防止することができる。
断することができるので、ボンディングワイヤからの反
射光によって生じるゴーストを防止することができる。
【００２３】■ 封止工程中に封止樹脂膜に過大な応
力が作用することがなくなるので、この膜にクラックが
発生することがなくなる。
力が作用することがなくなるので、この膜にクラックが
発生することがなくなる。
【００２４】■ 封止工程中に封止樹脂膜が光入射開
口窓へ押し出されることがなくなり、有効光電変換領域
が狭められることがなくなる。
口窓へ押し出されることがなくなり、有効光電変換領域
が狭められることがなくなる。
【図１】本発明の第１の実施例に用いられる透明ガラス
キャップの平面図と第１の実施例の断面図。
キャップの平面図と第１の実施例の断面図。
【図２】本発明の第２の実施例に用いられる透明ガラス
キャップの平面図とそのＸ−Ｙ線断面図。
キャップの平面図とそのＸ−Ｙ線断面図。
【図３】図２の部分拡大図と第２の実施例の部分断面図
。
。
【図４】第１の従来例の斜視図。
【図５】第１の従来例の部分断面図。
【図６】第２の従来例に用いられる透明ガラスキャップ
の平面図と断面図。
の平面図と断面図。
【図７】第２の従来例の部分断面図。
１、１１、２１、３１ 透明ガラスキャップ２、１２
、３２ 低反射率の封止樹脂膜３、１３、３３ 光
入射開口窓 ４、１４、３４ 第１スリット ５、１５ 第２スリット ６ パッケージ ７ 固体撮像素子チップ ８ ボンディングワイヤ
、３２ 低反射率の封止樹脂膜３、１３、３３ 光
入射開口窓 ４、１４、３４ 第１スリット ５、１５ 第２スリット ６ パッケージ ７ 固体撮像素子チップ ８ ボンディングワイヤ
Claims (1)
- 【請求項１】 固体撮像素子をパッケージ上に搭載し
、封入内面側表面に前記固体撮像素子の有効光電変換領
域に対応した個所に光入射開口窓を有しかつボンディン
グワイヤの頂点より外側にスリットを有する低反射率の
封止樹脂膜が形成されている透明ガラスキャップを用い
て封止した固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3061368A JP2684861B2 (ja) | 1991-03-01 | 1991-03-01 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3061368A JP2684861B2 (ja) | 1991-03-01 | 1991-03-01 | 固体撮像装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04274348A true JPH04274348A (ja) | 1992-09-30 |
| JP2684861B2 JP2684861B2 (ja) | 1997-12-03 |
Family
ID=13169156
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3061368A Expired - Fee Related JP2684861B2 (ja) | 1991-03-01 | 1991-03-01 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2684861B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014142644A (ja) * | 2014-02-12 | 2014-08-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
| US9842872B2 (en) | 2011-02-18 | 2017-12-12 | Sony Corporation | Solid-state imaging apparatus |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103151362B (zh) * | 2011-12-07 | 2016-03-23 | 原相科技股份有限公司 | 晶圆级图像芯片封装及包含所述封装的光学结构 |
-
1991
- 1991-03-01 JP JP3061368A patent/JP2684861B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9842872B2 (en) | 2011-02-18 | 2017-12-12 | Sony Corporation | Solid-state imaging apparatus |
| JP2014142644A (ja) * | 2014-02-12 | 2014-08-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2684861B2 (ja) | 1997-12-03 |
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