JPH04271143A - 半導体装置 - Google Patents
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- JPH04271143A JPH04271143A JP915891A JP915891A JPH04271143A JP H04271143 A JPH04271143 A JP H04271143A JP 915891 A JP915891 A JP 915891A JP 915891 A JP915891 A JP 915891A JP H04271143 A JPH04271143 A JP H04271143A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 49
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 144
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 144
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims abstract description 46
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 44
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 44
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 21
- 150000003609 titanium compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 16
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 23
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 22
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 22
- 238000013508 migration Methods 0.000 abstract description 8
- 230000005012 migration Effects 0.000 abstract description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 131
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 20
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 15
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 14
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 14
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 11
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 9
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 8
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 8
- 239000002585 base Substances 0.000 description 7
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 7
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 6
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- KLZUFWVZNOTSEM-UHFFFAOYSA-K Aluminum fluoride Inorganic materials F[Al](F)F KLZUFWVZNOTSEM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 5
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 5
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910018594 Si-Cu Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910008465 Si—Cu Inorganic materials 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- IRPGOXJVTQTAAN-UHFFFAOYSA-N 2,2,3,3,3-pentafluoropropanal Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C=O IRPGOXJVTQTAAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical class O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XROWMBWRMNHXMF-UHFFFAOYSA-J titanium tetrafluoride Chemical class [F-].[F-].[F-].[F-].[Ti+4] XROWMBWRMNHXMF-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 3
- XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N Fluoroform Chemical compound FC(F)F XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 239000001272 nitrous oxide Substances 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 2
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 2
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101150034533 ATIC gene Proteins 0.000 description 1
- 229910018125 Al-Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018182 Al—Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018520 Al—Si Inorganic materials 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910007156 Si(OH)4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910008479 TiSi2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- DFJQEGUNXWZVAH-UHFFFAOYSA-N bis($l^{2}-silanylidene)titanium Chemical compound [Si]=[Ti]=[Si] DFJQEGUNXWZVAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 125000005372 silanol group Chemical group 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、アルミ多層配線構造
を有する半導体装置に関するものである。
を有する半導体装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】半導体装置では、通常、半導体基板上に
素子を形成した後に、素子間や、外部回路と電気的に接
続するために、各種配線が必要である。
素子を形成した後に、素子間や、外部回路と電気的に接
続するために、各種配線が必要である。
【0003】従来、これらの配線としては、多結晶シリ
コン膜、高融点金属膜、高融点金属シリサイド膜、アル
ミやアルミ合金膜などが用いられてきた。
コン膜、高融点金属膜、高融点金属シリサイド膜、アル
ミやアルミ合金膜などが用いられてきた。
【0004】このうち、最近の高速・高集積デバイスで
は、配線抵抗を小さくする必要があり、比抵抗の小さい
、アルミやアルミ合金膜による多層配線構造が必須とな
っている。
は、配線抵抗を小さくする必要があり、比抵抗の小さい
、アルミやアルミ合金膜による多層配線構造が必須とな
っている。
【0005】図9は、このような、従来のアルミ多層配
線構造を有する半導体装置の例として、DRAM(Dy
namic Random Access Me
mory)デバイスの構造を示す断面図である。
線構造を有する半導体装置の例として、DRAM(Dy
namic Random Access Me
mory)デバイスの構造を示す断面図である。
【0006】図において、1はシリコン半導体基板、2
はシリコン半導体基板1の表面に形成されたDRAM素
子(スタック・セル)、3はDRAM素子(スタック・
セル)2上に堆積された下地絶縁膜、4は下地絶縁膜3
上に形成された第1層のアルミ配線、5は第1層のアル
ミ配線4上に堆積された層間絶縁膜、6は第1層のアル
ミ配線4と第2層のアルミ配線を接続するために設けら
れた接続孔、7は層間絶縁膜5上に形成された第2層の
アルミ配線、8はこれらの半導体素子や配線を、外部か
ら侵入してくる水分等から保護するために堆積された保
護絶縁膜、である。
はシリコン半導体基板1の表面に形成されたDRAM素
子(スタック・セル)、3はDRAM素子(スタック・
セル)2上に堆積された下地絶縁膜、4は下地絶縁膜3
上に形成された第1層のアルミ配線、5は第1層のアル
ミ配線4上に堆積された層間絶縁膜、6は第1層のアル
ミ配線4と第2層のアルミ配線を接続するために設けら
れた接続孔、7は層間絶縁膜5上に形成された第2層の
アルミ配線、8はこれらの半導体素子や配線を、外部か
ら侵入してくる水分等から保護するために堆積された保
護絶縁膜、である。
【0007】図9に示す様なアルミ多層配線構造を有す
る従来の半導体装置において、第1層のアルミ配線4と
第2層のアルミ配線7との接続部である接続孔6の安定
性は、デバイスの歩留りや信頼性レベルを左右する重要
な技術的ポイントである。
る従来の半導体装置において、第1層のアルミ配線4と
第2層のアルミ配線7との接続部である接続孔6の安定
性は、デバイスの歩留りや信頼性レベルを左右する重要
な技術的ポイントである。
【0008】以下、図9に示す従来の半導体装置の製造
フローを、接続孔6の形成方法の部分を主体にして概説
する。
フローを、接続孔6の形成方法の部分を主体にして概説
する。
【0009】なお、多層配線構造としては、前述の様に
、多結晶シリコン配線、高融点金属配線、高融点金属シ
リサイド配線、および、アルミ配線を組み合わせたもの
が、一般的であるが、ここでは簡略化して、図9に示す
ように、第1層の配線4、第2層の配線7が、ともに、
アルミ配線であるアルミ2層配線構造の場合について述
べる。
、多結晶シリコン配線、高融点金属配線、高融点金属シ
リサイド配線、および、アルミ配線を組み合わせたもの
が、一般的であるが、ここでは簡略化して、図9に示す
ように、第1層の配線4、第2層の配線7が、ともに、
アルミ配線であるアルミ2層配線構造の場合について述
べる。
【0010】図10から図16に、その製造フローを示
す。
す。
【0011】まず、シリコン半導体基板1の表面に、素
子分離用酸化膜301、トランスファー・ゲート電極3
02、不純物拡散層303、ワード線304、記憶ノー
ド305、キャパシタ絶縁膜306、セル・プレート3
07から構成されたDRAM素子(スタック・セル)2
を形成する(図10)。
子分離用酸化膜301、トランスファー・ゲート電極3
02、不純物拡散層303、ワード線304、記憶ノー
ド305、キャパシタ絶縁膜306、セル・プレート3
07から構成されたDRAM素子(スタック・セル)2
を形成する(図10)。
【0012】次に、DRAM素子(スタック・セル)2
の形成されたシリコン半導体基板1上の全面に、第1の
絶縁膜3を堆積した後、写真製版やエッチング法を用い
て所望の部分にコンタクト孔308を開孔する。この後
、以下のようにして第1層のアルミ配線4を形成する。
の形成されたシリコン半導体基板1上の全面に、第1の
絶縁膜3を堆積した後、写真製版やエッチング法を用い
て所望の部分にコンタクト孔308を開孔する。この後
、以下のようにして第1層のアルミ配線4を形成する。
【0013】最近のサブミクロン・デバイスでは、■コ
ンタクト孔308での第1層のアルミ配線4とシリコン
半導体基板1の不純物拡散層303との異常反応(アロ
イスパイク)による接合リークを防止し、■第1層のア
ルミ配線4中のシリコンが固相エピタキシャル成長によ
りコンタクト孔308に析出することにより発生するコ
ンタクト不良を防止し、■第1層のアルミ配線4の上層
に形成される層間絶縁膜5や保護絶縁膜8の膜応力によ
り配線が断線を起こす「ストレス・マイグレーション」
にたいする耐性を高めるなどの理由から、第1層のアル
ミ配線4として、窒化チタン(TiN)やチタン・タン
グステン(TiW)などのバリアメタル膜310と、A
l−Si、Al−Si−Cu、などのアルミ合金膜31
1を組み合わせた構造の配線が用いられる。なお、これ
らの膜は、通常、スパッタ法で堆積される。このように
して堆積された膜を写真製版やエッチング法を用い、第
1層のアルミ配線4としてパターニングする。ここでア
ルミ配線とはこのような多層構造を有するものをも指す
(図11)。
ンタクト孔308での第1層のアルミ配線4とシリコン
半導体基板1の不純物拡散層303との異常反応(アロ
イスパイク)による接合リークを防止し、■第1層のア
ルミ配線4中のシリコンが固相エピタキシャル成長によ
りコンタクト孔308に析出することにより発生するコ
ンタクト不良を防止し、■第1層のアルミ配線4の上層
に形成される層間絶縁膜5や保護絶縁膜8の膜応力によ
り配線が断線を起こす「ストレス・マイグレーション」
にたいする耐性を高めるなどの理由から、第1層のアル
ミ配線4として、窒化チタン(TiN)やチタン・タン
グステン(TiW)などのバリアメタル膜310と、A
l−Si、Al−Si−Cu、などのアルミ合金膜31
1を組み合わせた構造の配線が用いられる。なお、これ
らの膜は、通常、スパッタ法で堆積される。このように
して堆積された膜を写真製版やエッチング法を用い、第
1層のアルミ配線4としてパターニングする。ここでア
ルミ配線とはこのような多層構造を有するものをも指す
(図11)。
【0014】更に、第1層のアルミ配線4上の全面に、
層間絶縁膜5を堆積する。層間絶縁膜5としては、例え
ば、化学気相成長法(CVD:ChemicalVap
orDeposition)により堆積したシリコン酸
化膜321と、無機塗布絶縁膜322と、CVD法によ
り堆積したシリコン酸化膜323を、組み合わせた絶縁
膜が用いられる(図12)。
層間絶縁膜5を堆積する。層間絶縁膜5としては、例え
ば、化学気相成長法(CVD:ChemicalVap
orDeposition)により堆積したシリコン酸
化膜321と、無機塗布絶縁膜322と、CVD法によ
り堆積したシリコン酸化膜323を、組み合わせた絶縁
膜が用いられる(図12)。
【0015】シリコン酸化膜321は、通常、シラン(
SiH4 )ガスと、酸素O2 ガス、あるいは、亜酸
化窒素(N2 O)ガスを用い、300〜450℃の堆
積温度で熱やプラズマを利用したCVD法により堆積す
る。 最近は、ステップカバレッジを良いという特徴を持つ、
TEOS(Tetra−Ethyl−Ortho−Si
licate)等の有機シラン系の材料も用いられる。
SiH4 )ガスと、酸素O2 ガス、あるいは、亜酸
化窒素(N2 O)ガスを用い、300〜450℃の堆
積温度で熱やプラズマを利用したCVD法により堆積す
る。 最近は、ステップカバレッジを良いという特徴を持つ、
TEOS(Tetra−Ethyl−Ortho−Si
licate)等の有機シラン系の材料も用いられる。
【0016】平坦化のために用いる無機塗布絶縁膜32
2としては、シラノール(Si(OH)4 )などを主
成分とするものが一般的である。これを、回転塗布後、
400〜450℃の温度でベークし、シリコン酸化膜化
することによりCVD法で形成したシリコン酸化膜32
1の表面を平坦化する。
2としては、シラノール(Si(OH)4 )などを主
成分とするものが一般的である。これを、回転塗布後、
400〜450℃の温度でベークし、シリコン酸化膜化
することによりCVD法で形成したシリコン酸化膜32
1の表面を平坦化する。
【0017】ただ、この無機塗布絶縁膜322は、吸湿
性が高く、後述する接続孔6やその側壁に露出すると、
ガス放出など悪影響を及ぼすので、接続孔6やその側壁
に露出しないようにフッ素系ガスや、Arガスによるド
ライ・エッチング法によりエッチバックする。
性が高く、後述する接続孔6やその側壁に露出すると、
ガス放出など悪影響を及ぼすので、接続孔6やその側壁
に露出しないようにフッ素系ガスや、Arガスによるド
ライ・エッチング法によりエッチバックする。
【0018】その上に、シリコン酸化膜321の形成と
同様の方法によりシリコン酸化膜323を堆積する。
同様の方法によりシリコン酸化膜323を堆積する。
【0019】次に写真製版法とエッチング法により、第
1層のアルミ配線4と電気的接続をとる部分の層間絶縁
膜5を除去して接続孔6を開孔する。
1層のアルミ配線4と電気的接続をとる部分の層間絶縁
膜5を除去して接続孔6を開孔する。
【0020】つまり、写真製版法により接続孔開孔部6
以外の領域をフォトレジスト324で覆った後に、例え
ば、フッ酸系溶液による湿式エッチング、CHF3 と
O2 等を主成分ガスとした反応性イオンエッチング法
、を組み合わせたテーパー・エッチング法により、層間
絶縁膜5を選択的に除去し、接続孔6を開孔するのであ
る。
以外の領域をフォトレジスト324で覆った後に、例え
ば、フッ酸系溶液による湿式エッチング、CHF3 と
O2 等を主成分ガスとした反応性イオンエッチング法
、を組み合わせたテーパー・エッチング法により、層間
絶縁膜5を選択的に除去し、接続孔6を開孔するのであ
る。
【0021】なお、フォトレジスト324及び、エッチ
ング時に生ずる反応生成物等は、エッチング後に酸素(
O2 )プラズマや湿式化学処理法を用いて除去する。
ング時に生ずる反応生成物等は、エッチング後に酸素(
O2 )プラズマや湿式化学処理法を用いて除去する。
【0022】接続孔6形成工程中に、CHF3 等のフ
ッ素系ガスや酸素ガスのプラズマにさらされるため、接
続孔6の第1層のアルミ配線4の最表面には100オン
グストローム程度のアルミの変質層(フッ化物や酸化物
層で絶縁性を有する)201ができている。これを除去
し、安定なコンタクト抵抗を得るために、後述する第2
層のアルミ配線7を堆積するまえに、まず、Arイオン
202によるスパッタ・エッチングを行う(図14)。
ッ素系ガスや酸素ガスのプラズマにさらされるため、接
続孔6の第1層のアルミ配線4の最表面には100オン
グストローム程度のアルミの変質層(フッ化物や酸化物
層で絶縁性を有する)201ができている。これを除去
し、安定なコンタクト抵抗を得るために、後述する第2
層のアルミ配線7を堆積するまえに、まず、Arイオン
202によるスパッタ・エッチングを行う(図14)。
【0023】その後、真空中で連続して、第2層のアル
ミ配線7を形成する。第2層のアルミ配線7の材料とし
ては、Al−Si、Al−Si−Cu、Al−Cu等の
アルミ合金膜が用いられる。これらの膜はスパッタ法で
堆積され、第1層のアルミ配線4と同様に、写真製版や
エッチング法により、配線としてパターニングされる(
図15)。
ミ配線7を形成する。第2層のアルミ配線7の材料とし
ては、Al−Si、Al−Si−Cu、Al−Cu等の
アルミ合金膜が用いられる。これらの膜はスパッタ法で
堆積され、第1層のアルミ配線4と同様に、写真製版や
エッチング法により、配線としてパターニングされる(
図15)。
【0024】さらに、接続孔6での第1層のアルミ配線
4と第2層のアルミ配線7の電気的接続を良好にするた
めに、第2層のアルミ配線7形成後、400〜450℃
程度の温度で熱処理をおこなう。
4と第2層のアルミ配線7の電気的接続を良好にするた
めに、第2層のアルミ配線7形成後、400〜450℃
程度の温度で熱処理をおこなう。
【0025】最後に、これらの半導体素子や配線を外部
から侵入してくる水分等から保護するために、シリコン
酸化膜やシリコン窒化膜等の保護絶縁膜8を、第2層の
アルミ配線7上に、CVD法を用いて堆積する(図16
)。
から侵入してくる水分等から保護するために、シリコン
酸化膜やシリコン窒化膜等の保護絶縁膜8を、第2層の
アルミ配線7上に、CVD法を用いて堆積する(図16
)。
【0026】
【発明が解決しようとする課題】従来のアルミ多層配線
構造は以上のようにして形成されていたので、配線の微
細化に伴い、接続孔6の径も小さくなり、サブミクロン
・レベルの接続孔6では、第1層のアルミ配線4と第2
層のアルミ配線7との電気的接続の安定性、信頼性が悪
化するという問題点があった。
構造は以上のようにして形成されていたので、配線の微
細化に伴い、接続孔6の径も小さくなり、サブミクロン
・レベルの接続孔6では、第1層のアルミ配線4と第2
層のアルミ配線7との電気的接続の安定性、信頼性が悪
化するという問題点があった。
【0027】前述のように、従来第2層のアルミ配線7
を堆積する前に、Arイオンによるスパッタ・エッチン
グを行っていた。これは、図17に示すように、接続孔
6の第1層のアルミ配線4の表面に形成されたアルミの
変質層(フッ化物や酸化物)201をArイオン202
により除去するものであった。
を堆積する前に、Arイオンによるスパッタ・エッチン
グを行っていた。これは、図17に示すように、接続孔
6の第1層のアルミ配線4の表面に形成されたアルミの
変質層(フッ化物や酸化物)201をArイオン202
により除去するものであった。
【0028】たしかに、接続孔6のアスペクト比B/A
(Aは接続孔6の径、Bは層間絶縁膜5の膜厚)が1以
下と比較的小さい従来のデバイス構造の場合には、図1
7に示すように、Arイオン202によりスパッタされ
たアルミのフッ化物や酸化物・粒子203が、接続孔6
の外部まで十分に飛散するため、アルミの変質層201
を除去し、清浄な表面にすることができた。
(Aは接続孔6の径、Bは層間絶縁膜5の膜厚)が1以
下と比較的小さい従来のデバイス構造の場合には、図1
7に示すように、Arイオン202によりスパッタされ
たアルミのフッ化物や酸化物・粒子203が、接続孔6
の外部まで十分に飛散するため、アルミの変質層201
を除去し、清浄な表面にすることができた。
【0029】しかし、アスペクト比が1を超えるサブミ
クロン・レベルの接続孔6では、図18に示すように、
Arイオン202によりスパッタされたアルミのフッ化
物や酸化物の粒子203の一部が接続孔6の側壁に妨げ
られ、接続孔6の外部まで飛散できず、接続孔6の内部
に再付着してフッ化物や酸化物の残存粒子204が残っ
てしてしまう。
クロン・レベルの接続孔6では、図18に示すように、
Arイオン202によりスパッタされたアルミのフッ化
物や酸化物の粒子203の一部が接続孔6の側壁に妨げ
られ、接続孔6の外部まで飛散できず、接続孔6の内部
に再付着してフッ化物や酸化物の残存粒子204が残っ
てしてしまう。
【0030】そのため、そのまま、真空中で連続して第
2層のアルミ配線7を堆積した場合でも、図19に示す
ように電気的接続をとるべき接続孔6の第1層のアルミ
配線4と第2層のアルミ配線7の界面205に、残存粒
子204が存在することになり、前述のフローで示した
ような第2層のアルミ配線7の形成後の400〜450
℃程度の熱処理では、界面205における第1層のアル
ミ配線4と第2層のアルミ配線7のミキシングを十分に
行わせることができない。
2層のアルミ配線7を堆積した場合でも、図19に示す
ように電気的接続をとるべき接続孔6の第1層のアルミ
配線4と第2層のアルミ配線7の界面205に、残存粒
子204が存在することになり、前述のフローで示した
ような第2層のアルミ配線7の形成後の400〜450
℃程度の熱処理では、界面205における第1層のアル
ミ配線4と第2層のアルミ配線7のミキシングを十分に
行わせることができない。
【0031】その結果、接続孔6のコンタクト抵抗(以
下、接続孔抵抗と称す。)の増加やオープン不良を引き
起こす。
下、接続孔抵抗と称す。)の増加やオープン不良を引き
起こす。
【0032】また、上述の400〜450℃の熱処理に
より、初期の接続孔抵抗値は正常となったものでも、界
面205のミキシングは十分にはなされていないので、
エレクトロ・マイグレーション耐量や、ストレス・マイ
グレーション耐量などの接続孔6の信頼性が劣化すると
いう問題があった。
より、初期の接続孔抵抗値は正常となったものでも、界
面205のミキシングは十分にはなされていないので、
エレクトロ・マイグレーション耐量や、ストレス・マイ
グレーション耐量などの接続孔6の信頼性が劣化すると
いう問題があった。
【0033】このような問題は、アスペクト比が益々大
きくなる今後のサブミクロン・デバイス、ハーフミクロ
ンデバイスの接続孔では、さらに深刻となってくるもの
である。
きくなる今後のサブミクロン・デバイス、ハーフミクロ
ンデバイスの接続孔では、さらに深刻となってくるもの
である。
【0034】アスペクト比だけで言えば、シリコン半導
体基板1と第1層のアルミ配線4とのコンタクト孔30
8(図11)や、図示しないアルミ以外の下層配線につ
いても同様のこととがいえるが、フッ酸や他の最適な酸
・アルカリ洗浄を用いることにより、表面に形成された
自然酸化膜や変質層等を選択的に除去することが可能で
ある。
体基板1と第1層のアルミ配線4とのコンタクト孔30
8(図11)や、図示しないアルミ以外の下層配線につ
いても同様のこととがいえるが、フッ酸や他の最適な酸
・アルカリ洗浄を用いることにより、表面に形成された
自然酸化膜や変質層等を選択的に除去することが可能で
ある。
【0035】これに対し、接続孔6の場合、第2の配線
7が、酸やアルカリの溶液に弱いアルミ配線であるため
、このような強い酸やアルカリ洗浄を用いることができ
ず、スパッタエッチが必要となるのである。
7が、酸やアルカリの溶液に弱いアルミ配線であるため
、このような強い酸やアルカリ洗浄を用いることができ
ず、スパッタエッチが必要となるのである。
【0036】この発明は、前記のような問題を解決する
ためになされたもので、下層のアルミ配線と上層のアル
ミ配線との接続部である接続孔において、下層のアルミ
配線と上層のアルミ配線の界面のミキシングを促進し、
成膜時の異物付着による欠陥などのない安定な接続孔抵
抗を得ると共に、接続孔のエレクトロ・マイグレーショ
ン耐量やストレス・マイグレーション耐量などの信頼性
レベルをも向上させ、高品質で高歩留の半導体装置を得
ることを目的としている。
ためになされたもので、下層のアルミ配線と上層のアル
ミ配線との接続部である接続孔において、下層のアルミ
配線と上層のアルミ配線の界面のミキシングを促進し、
成膜時の異物付着による欠陥などのない安定な接続孔抵
抗を得ると共に、接続孔のエレクトロ・マイグレーショ
ン耐量やストレス・マイグレーション耐量などの信頼性
レベルをも向上させ、高品質で高歩留の半導体装置を得
ることを目的としている。
【0037】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体装
置は、半導体基板上の下層のアルミ配線と、下層のアル
ミ配線と接続孔を介して接するチタン膜及びチタン膜上
に形成したチタン化合物膜並びにチタン化合物膜上に形
成したアルミ配線とからなる上層のアルミ配線とを有す
る。
置は、半導体基板上の下層のアルミ配線と、下層のアル
ミ配線と接続孔を介して接するチタン膜及びチタン膜上
に形成したチタン化合物膜並びにチタン化合物膜上に形
成したアルミ配線とからなる上層のアルミ配線とを有す
る。
【0038】
【作用】チタン膜はフッ素や酸素との結合力が強いので
、下層のアルミ配線の表面にスパッタエッチ時の再付着
によるアルミのフッ化物や酸化物・粒子が残存しても、
これらをチタンのフッ化物や酸化物として取り込み、分
解させ、かつ、下層のアルミ配線と金属間化合物TiA
l3 を形成することにより界面を十分に反応させてミ
キシングを行う。
、下層のアルミ配線の表面にスパッタエッチ時の再付着
によるアルミのフッ化物や酸化物・粒子が残存しても、
これらをチタンのフッ化物や酸化物として取り込み、分
解させ、かつ、下層のアルミ配線と金属間化合物TiA
l3 を形成することにより界面を十分に反応させてミ
キシングを行う。
【0039】チタン化合物膜は、下層のアルミ配線と接
するチタン膜が、チタン化合物膜上のアルミ配線と先に
反応してしまうのを防止し、チタン膜が下層のアルミ配
線と優先的に反応するように作用する。
するチタン膜が、チタン化合物膜上のアルミ配線と先に
反応してしまうのを防止し、チタン膜が下層のアルミ配
線と優先的に反応するように作用する。
【0040】
【実施例】以下、この発明の一実施例を説明する。
【0041】図1において、1はシリコン半導体基板、
2はシリコン半導体基板1表面に形成されたDRAM素
子(スタック・セル)、3はDRAM素子(スタック・
セル)2上に堆積された下地絶縁膜、4は下地絶縁膜3
上に形成された第1層のアルミ配線、5は第1層のアル
ミ配線4上に堆積された層間絶縁膜、6は第1層のアル
ミ配線4上に開孔された接続孔、100は、チタン膜1
01、チタン膜101の上に堆積された窒化チタン膜1
02、窒化チタン膜102の上に堆積されたアルミある
いはアルミ合金膜103から成る、層間絶縁膜5上に形
成された第2層のアルミ配線、8は配線を外部環境から
保護するために堆積された保護絶縁膜、206はチタン
膜101と第1層のアルミ配線4の反応による金属間化
合物(TiAl3 )層である。すなわち従来技術の場
合と同様に、第1層の配線、第2層の配線が、ともにア
ルミ配線である「アルミ2層配線構造」を有した場合で
ある。
2はシリコン半導体基板1表面に形成されたDRAM素
子(スタック・セル)、3はDRAM素子(スタック・
セル)2上に堆積された下地絶縁膜、4は下地絶縁膜3
上に形成された第1層のアルミ配線、5は第1層のアル
ミ配線4上に堆積された層間絶縁膜、6は第1層のアル
ミ配線4上に開孔された接続孔、100は、チタン膜1
01、チタン膜101の上に堆積された窒化チタン膜1
02、窒化チタン膜102の上に堆積されたアルミある
いはアルミ合金膜103から成る、層間絶縁膜5上に形
成された第2層のアルミ配線、8は配線を外部環境から
保護するために堆積された保護絶縁膜、206はチタン
膜101と第1層のアルミ配線4の反応による金属間化
合物(TiAl3 )層である。すなわち従来技術の場
合と同様に、第1層の配線、第2層の配線が、ともにア
ルミ配線である「アルミ2層配線構造」を有した場合で
ある。
【0042】図1に示す本発明の一実施例の半導体装置
において、第2層のアルミ配線100の形成方法につい
て説明する。
において、第2層のアルミ配線100の形成方法につい
て説明する。
【0043】従来技術の場合と同様にして図13に示す
ように層間絶縁膜5を設けて接続孔6を形成し、アルミ
の変質層201を除去して安定な接続孔抵抗を得るため
にArイオン202によるスパッタ・エッチングを行う
(図2)。
ように層間絶縁膜5を設けて接続孔6を形成し、アルミ
の変質層201を除去して安定な接続孔抵抗を得るため
にArイオン202によるスパッタ・エッチングを行う
(図2)。
【0044】ただ、アスペクト比が1を越えるサブミク
ロン・レベルの接続孔6の場合、Arイオン202によ
るスパッタ・エッチングだけでは、前述のように、Ar
イオンによりスパッタされたアルミのフッ化物や酸化物
・粒子の再付着が発生するため、接続孔6の第1層のア
ルミ配線の最表面(界面)205には、わずかに残存粒
子204が存在する(図3)。
ロン・レベルの接続孔6の場合、Arイオン202によ
るスパッタ・エッチングだけでは、前述のように、Ar
イオンによりスパッタされたアルミのフッ化物や酸化物
・粒子の再付着が発生するため、接続孔6の第1層のア
ルミ配線の最表面(界面)205には、わずかに残存粒
子204が存在する(図3)。
【0045】そこで、後述する作用で残存粒子204を
分解し、下層のアルミ配線4と反応して金属間化合物を
形成するするために、真空中で連続してチタン膜101
をスパッタ法により50〜150オングストローム程度
、全面に堆積する(図4)。
分解し、下層のアルミ配線4と反応して金属間化合物を
形成するするために、真空中で連続してチタン膜101
をスパッタ法により50〜150オングストローム程度
、全面に堆積する(図4)。
【0046】次に、チタン膜101上に、窒化チタン膜
102を500〜1000オングストローム程度堆積す
る(図5)。堆積方法としては、通常、Tiターゲット
を用い、Ar+N2 雰囲気下でスパッタする反応性ス
パッタ法が用いられる。
102を500〜1000オングストローム程度堆積す
る(図5)。堆積方法としては、通常、Tiターゲット
を用い、Ar+N2 雰囲気下でスパッタする反応性ス
パッタ法が用いられる。
【0047】この窒化チタン膜102は、接続孔6にお
いて、第1層のアルミ配線4と接するチタン膜101が
、後述する第2層のアルミ配線103と先に反応してし
まうのを抑制する作用をする。
いて、第1層のアルミ配線4と接するチタン膜101が
、後述する第2層のアルミ配線103と先に反応してし
まうのを抑制する作用をする。
【0048】その後、連続して、第2層のアルミ配線と
して、例えば、Al−Si−Cu膜103をスパッタ法
で堆積し(図6)、次に、チタン膜101、窒化チタン
膜102、及び、Al−Si−Cu膜103からなる3
層構造の第2層のアルミ配線100を、第1層のアルミ
配線4と同様に、写真製版やエッチング法により、配線
としてパターニングする。
して、例えば、Al−Si−Cu膜103をスパッタ法
で堆積し(図6)、次に、チタン膜101、窒化チタン
膜102、及び、Al−Si−Cu膜103からなる3
層構造の第2層のアルミ配線100を、第1層のアルミ
配線4と同様に、写真製版やエッチング法により、配線
としてパターニングする。
【0049】さらに、300〜450℃の温度で、15
〜60分程度の熱処理をおこない、接続孔6の第1層の
アルミ配線4の界面205に存在している残存粒子20
4をチタン膜101の作用により分解し、かつ、第1層
のアルミ配線4とチタン膜101を反応させ、金属間化
合物層TiAl3 206を形成し、第1層のアルミ配
線4と第2層のアルミ配線100の界面のミキシングを
促進する(図7)。
〜60分程度の熱処理をおこない、接続孔6の第1層の
アルミ配線4の界面205に存在している残存粒子20
4をチタン膜101の作用により分解し、かつ、第1層
のアルミ配線4とチタン膜101を反応させ、金属間化
合物層TiAl3 206を形成し、第1層のアルミ配
線4と第2層のアルミ配線100の界面のミキシングを
促進する(図7)。
【0050】最後に、これらの半導体素子や配線を外部
から侵入してくる水分等から保護するために、シリコン
酸化膜やシリコン窒化膜等の保護絶縁膜8を、第2層の
アルミ配線100上に、CVD法を用いて堆積する(図
8)。
から侵入してくる水分等から保護するために、シリコン
酸化膜やシリコン窒化膜等の保護絶縁膜8を、第2層の
アルミ配線100上に、CVD法を用いて堆積する(図
8)。
【0051】ここで図20、図21を用いて前記熱処理
によって生じる効果について説明する。
によって生じる効果について説明する。
【0052】チタン膜101は、アルミの変質層201
を構成するフッ素や酸素との結合力が強く、300〜4
50℃の熱処理で、容易にチタンのフッ化物や酸化物を
形成する。そのため、第2層のアルミ配線100形成後
、前記条件によって熱処理を行うことにより、図20に
示すようにチタン膜101の下に存在する残存粒子20
4を、チタンの酸化物やフッ化物として取り込み、分解
する。さらに、図21に示すように、この熱処理で第1
層のアルミ配線4とチタン膜101を反応させ、金属間
化合物TiAl3 層206を形成することにより、界
面205のミキシングを促進させるという働きも行うの
である。
を構成するフッ素や酸素との結合力が強く、300〜4
50℃の熱処理で、容易にチタンのフッ化物や酸化物を
形成する。そのため、第2層のアルミ配線100形成後
、前記条件によって熱処理を行うことにより、図20に
示すようにチタン膜101の下に存在する残存粒子20
4を、チタンの酸化物やフッ化物として取り込み、分解
する。さらに、図21に示すように、この熱処理で第1
層のアルミ配線4とチタン膜101を反応させ、金属間
化合物TiAl3 層206を形成することにより、界
面205のミキシングを促進させるという働きも行うの
である。
【0053】なお、チタン膜101の膜厚については、
下記のように最適値が存在する。
下記のように最適値が存在する。
【0054】図22は界面205付近を拡大して示した
図である。通常第1層のアルミ配線4中には1〜2wt
.%程度シリコン207が添加されている。これはシリ
コン不純物拡散層303とのコンタクト孔308での接
合リーク防止のためであり、第1層のアルミ配線4のバ
リアメタル膜310として400〜2000μΩ・cm
程度の比抵抗の高い窒化チタン膜を用いても、シリコン
やアルミに対するバリア性が完全とは言えないからであ
る。
図である。通常第1層のアルミ配線4中には1〜2wt
.%程度シリコン207が添加されている。これはシリ
コン不純物拡散層303とのコンタクト孔308での接
合リーク防止のためであり、第1層のアルミ配線4のバ
リアメタル膜310として400〜2000μΩ・cm
程度の比抵抗の高い窒化チタン膜を用いても、シリコン
やアルミに対するバリア性が完全とは言えないからであ
る。
【0055】ここで第2層のアルミ配線100の形成後
、300〜450℃の熱処理を行うと、既述のようにチ
タン膜101は第1層のアルミ配線4と反応してTiA
l3等の金属間化合物層206を形成するが、同時にシ
リコン207とも反応し、TiSi2 208をも形成
する。
、300〜450℃の熱処理を行うと、既述のようにチ
タン膜101は第1層のアルミ配線4と反応してTiA
l3等の金属間化合物層206を形成するが、同時にシ
リコン207とも反応し、TiSi2 208をも形成
する。
【0056】そのため、第2層のアルミ配線100の下
地膜として用いるチタン膜101の膜厚が大きすぎると
、第1層のアルミ配線4中のシリコン207の濃度の低
下をまねき、コンタクト部308での接合リークが発生
してしまう。
地膜として用いるチタン膜101の膜厚が大きすぎると
、第1層のアルミ配線4中のシリコン207の濃度の低
下をまねき、コンタクト部308での接合リークが発生
してしまう。
【0057】一方、チタン膜101の膜厚が小さすぎる
と、図21で示したような、■界面205の残存粒子2
04を分解し、■また界面205において金属間化合物
TiAl3 層206を形成してミキシングを促進させ
るという作用が十分でなくなる。
と、図21で示したような、■界面205の残存粒子2
04を分解し、■また界面205において金属間化合物
TiAl3 層206を形成してミキシングを促進させ
るという作用が十分でなくなる。
【0058】この様な理由で、チタン膜101の膜厚に
は、上限、下限が存在し、実験によれば、50〜150
オングストローム程度が望ましい事がわかっている。
は、上限、下限が存在し、実験によれば、50〜150
オングストローム程度が望ましい事がわかっている。
【0059】次にチタン化合物膜102の働きについて
説明する。チタン化合物膜102が無い場合には、チタ
ン膜101は第1層のアルミ配線4と反応する前に、先
に上層のアルミ配線103とその界面で200〜300
℃程度の比較的低い温度で、容易に反応し金属間化合物
TiAl3 を形成してしまう。そのため、チタン膜1
01は界面205において残存粒子204を十分に分解
したり、下層のアルミ配線4と反応して金属間化合物を
形成する作用を果たさなくなってしまう。
説明する。チタン化合物膜102が無い場合には、チタ
ン膜101は第1層のアルミ配線4と反応する前に、先
に上層のアルミ配線103とその界面で200〜300
℃程度の比較的低い温度で、容易に反応し金属間化合物
TiAl3 を形成してしまう。そのため、チタン膜1
01は界面205において残存粒子204を十分に分解
したり、下層のアルミ配線4と反応して金属間化合物を
形成する作用を果たさなくなってしまう。
【0060】これに対し、チタン膜101の上に、アル
ミとの反応性が小さいチタン化合物膜102を設けると
、チタン膜101と第2層のアルミ配線103との反応
が抑制されるので、第2層のアルミ配線103形成後、
300〜450℃で熱処理する事により、残存粒子20
4を分解し、かつ界面205のミキシングを十分に行う
ことができる。
ミとの反応性が小さいチタン化合物膜102を設けると
、チタン膜101と第2層のアルミ配線103との反応
が抑制されるので、第2層のアルミ配線103形成後、
300〜450℃で熱処理する事により、残存粒子20
4を分解し、かつ界面205のミキシングを十分に行う
ことができる。
【0061】このため、窒化チタン膜102としては、
第2層のアルミ配線7との反応性が小さければ良いので
、接続孔抵抗の増加をできるだけ押さえるために100
〜200μΩ・cm程度の比抵抗の小さい窒化チタン膜
を用いる。なおこのような比抵抗を有する窒化チタン膜
を得るための成膜条件では成膜時に付着する異物が低減
する。
第2層のアルミ配線7との反応性が小さければ良いので
、接続孔抵抗の増加をできるだけ押さえるために100
〜200μΩ・cm程度の比抵抗の小さい窒化チタン膜
を用いる。なおこのような比抵抗を有する窒化チタン膜
を得るための成膜条件では成膜時に付着する異物が低減
する。
【0062】通常、Si基板とのコンタクト部でバリア
メタル膜として用いる窒化チタン膜310は、シリコン
やアルミに対するバリア性が必要であるので、400〜
2000μΩ・cm程度の比抵抗の高い膜が用いられる
が、この膜を接続孔6で用いると、接続孔抵抗が従来構
造に比べ、数倍に高くなってしまう。しかし接続孔6で
用いる窒化チタン膜102は、前述のように、チタン膜
101と第2層のアルミ配線103との反応を抑制する
ことが目的であり、アルミに対するバリア性はさほど必
要でない。そこで、100〜200μΩ・cm程度の比
抵抗の小さい膜を用いることができ、結果として、接続
孔抵抗の増加も、50%以下と実用上、問題のないレベ
ルにすることができる。
メタル膜として用いる窒化チタン膜310は、シリコン
やアルミに対するバリア性が必要であるので、400〜
2000μΩ・cm程度の比抵抗の高い膜が用いられる
が、この膜を接続孔6で用いると、接続孔抵抗が従来構
造に比べ、数倍に高くなってしまう。しかし接続孔6で
用いる窒化チタン膜102は、前述のように、チタン膜
101と第2層のアルミ配線103との反応を抑制する
ことが目的であり、アルミに対するバリア性はさほど必
要でない。そこで、100〜200μΩ・cm程度の比
抵抗の小さい膜を用いることができ、結果として、接続
孔抵抗の増加も、50%以下と実用上、問題のないレベ
ルにすることができる。
【0063】また、窒化チタン膜102の膜厚も、下層
のチタン膜101が上層のアルミ配線7と反応するのを
抑制すること、および、接続孔抵抗の増加を実用上、問
題のないレベルに抑えることから、500〜1000オ
ングストローム程度とすることが望ましい。
のチタン膜101が上層のアルミ配線7と反応するのを
抑制すること、および、接続孔抵抗の増加を実用上、問
題のないレベルに抑えることから、500〜1000オ
ングストローム程度とすることが望ましい。
【0064】なお、前記の実施例では、第2層のアルミ
配線100中の合金膜103とチタン膜101の反応を
抑制するために、チタン膜101上に窒化チタン膜10
2を設ける場合をのべたが、同じように両者の相互反応
を抑制する働きをする酸化チタン膜や酸窒化チタン膜な
どの他のチタン化合物膜であっても同様の効果を奏する
。
配線100中の合金膜103とチタン膜101の反応を
抑制するために、チタン膜101上に窒化チタン膜10
2を設ける場合をのべたが、同じように両者の相互反応
を抑制する働きをする酸化チタン膜や酸窒化チタン膜な
どの他のチタン化合物膜であっても同様の効果を奏する
。
【0065】これらの膜は、いずれも実施例と同様に、
反応性スパッタ法により堆積できる。つまり、酸化チタ
ン膜を堆積する場合はAr+O2 雰囲気中で、酸窒化
チタン膜を堆積する場合はAr+O2 +N2 雰囲気
中で、それぞれ、Tiをターゲットとしてスパッタすれ
ば膜堆積できる。
反応性スパッタ法により堆積できる。つまり、酸化チタ
ン膜を堆積する場合はAr+O2 雰囲気中で、酸窒化
チタン膜を堆積する場合はAr+O2 +N2 雰囲気
中で、それぞれ、Tiをターゲットとしてスパッタすれ
ば膜堆積できる。
【0066】また、前記実施例では、アルミ2層配線構
造について述べたが、3層以上のアルミ多層配線構造の
半導体装置に適用しても同様の効果を奏する。
造について述べたが、3層以上のアルミ多層配線構造の
半導体装置に適用しても同様の効果を奏する。
【0067】また、前記実施例では、半導体基板表面に
DRAM素子が形成された半導体装置に適用した場合を
述べたが、他のアルミ多層配線構造を有する半導体装置
に適用しても同様の効果を奏する。
DRAM素子が形成された半導体装置に適用した場合を
述べたが、他のアルミ多層配線構造を有する半導体装置
に適用しても同様の効果を奏する。
【0068】例えば、半導体基板表面にSRAM(St
atic RandomAccess Memor
y)素子を形成したものに、本発明によるアルミ多層配
線構造を適用した実施例を図23に示す。
atic RandomAccess Memor
y)素子を形成したものに、本発明によるアルミ多層配
線構造を適用した実施例を図23に示す。
【0069】簡単にその構成の説明を行うと、1はシリ
コン半導体基板、410はシリコン半導体基板1表面に
形成されたSRAM素子〔ダブルウェル・CMOS(C
omplementary Metal Oxid
e Semi−conductor)構造〕、411
はP形ウェル領域、412はN形ウェル領域、413は
素子分離用酸化膜、414はゲート電極、415はN形
不純物拡散層、416はP形不純物拡散層、417は多
結晶シリコン配線、418はコンタクト孔、3はSRA
M素子310上に堆積された下地絶縁膜、4は下地絶縁
膜3上に形成された第1層のアルミ配線、5は第1層の
アルミ配線4上に堆積された層間絶縁膜、6は第1層の
アルミ配線4上に開孔された接続孔、100は層間絶縁
膜5上に形成された第2層のアルミ配線、101は第2
層のアルミ配線100の下地膜であり、第1層のアルミ
配線4と接する層であるチタン膜、102は第2層のア
ルミ配線100の下地膜であり、チタン膜101の上に
堆積された窒化チタン膜、103は窒化チタン膜102
の上に堆積されたアルミ、あるいはアルミ合金膜、8は
配線を外部環境から保護するために堆積された保護絶縁
膜、206はチタン膜101と第1層のアルミ配線4の
反応による金属間化合物(TiAl3 )層である。
コン半導体基板、410はシリコン半導体基板1表面に
形成されたSRAM素子〔ダブルウェル・CMOS(C
omplementary Metal Oxid
e Semi−conductor)構造〕、411
はP形ウェル領域、412はN形ウェル領域、413は
素子分離用酸化膜、414はゲート電極、415はN形
不純物拡散層、416はP形不純物拡散層、417は多
結晶シリコン配線、418はコンタクト孔、3はSRA
M素子310上に堆積された下地絶縁膜、4は下地絶縁
膜3上に形成された第1層のアルミ配線、5は第1層の
アルミ配線4上に堆積された層間絶縁膜、6は第1層の
アルミ配線4上に開孔された接続孔、100は層間絶縁
膜5上に形成された第2層のアルミ配線、101は第2
層のアルミ配線100の下地膜であり、第1層のアルミ
配線4と接する層であるチタン膜、102は第2層のア
ルミ配線100の下地膜であり、チタン膜101の上に
堆積された窒化チタン膜、103は窒化チタン膜102
の上に堆積されたアルミ、あるいはアルミ合金膜、8は
配線を外部環境から保護するために堆積された保護絶縁
膜、206はチタン膜101と第1層のアルミ配線4の
反応による金属間化合物(TiAl3 )層である。
【0070】同様に、シリコン半導体基板1表面に形成
される素子は、DRAM素子やSRAM素子以外の他の
素子、例えば、EPROM(Erasable Pr
ogramable Read Only Me
mory)素子、E2 PROM(Electrica
l Erasable Programable
ROM)素子、マイクロ・コンピューター回路素子、
CMOS論理回路素子、バイポーラ・トランジスター素
子等、他の構造の素子であってもよい。
される素子は、DRAM素子やSRAM素子以外の他の
素子、例えば、EPROM(Erasable Pr
ogramable Read Only Me
mory)素子、E2 PROM(Electrica
l Erasable Programable
ROM)素子、マイクロ・コンピューター回路素子、
CMOS論理回路素子、バイポーラ・トランジスター素
子等、他の構造の素子であってもよい。
【0071】
【発明の効果】以上のようにこの発明の半導体装置は、
半導体基板上の下層のアルミ配線と、下層のアルミ配線
と接続孔を介して接するチタン膜及びチタン膜上に形成
したチタン化合物膜並びにチタン化合物膜上に形成した
アルミ配線とからなる上層のアルミ配線を有し、チタン
膜はスパッタエッチ時の再付着によるアルミのフッ化物
や酸化物の粒子をチタンのフッ化物や酸化物として取り
込み、分解させ、かつ、下層のアルミ配線と金属間化合
物TiAl3 を形成することにより界面を十分に反応
させてミキシングを行い、チタン化合物膜はこれを支援
するので、サブミクロン・レベルの接続孔においても、
接続孔抵抗が安定となり、また、エレクトロ・マイグレ
ーション耐量やストレス・マイグレーション耐量等の接
続孔の信頼性レベルも向上させて高品質で高歩留の半導
体装置を得ることができる。
半導体基板上の下層のアルミ配線と、下層のアルミ配線
と接続孔を介して接するチタン膜及びチタン膜上に形成
したチタン化合物膜並びにチタン化合物膜上に形成した
アルミ配線とからなる上層のアルミ配線を有し、チタン
膜はスパッタエッチ時の再付着によるアルミのフッ化物
や酸化物の粒子をチタンのフッ化物や酸化物として取り
込み、分解させ、かつ、下層のアルミ配線と金属間化合
物TiAl3 を形成することにより界面を十分に反応
させてミキシングを行い、チタン化合物膜はこれを支援
するので、サブミクロン・レベルの接続孔においても、
接続孔抵抗が安定となり、また、エレクトロ・マイグレ
ーション耐量やストレス・マイグレーション耐量等の接
続孔の信頼性レベルも向上させて高品質で高歩留の半導
体装置を得ることができる。
【図1】この発明の一実施例による半導体装置を示す断
面図である。
面図である。
【図2】図1の実施例におけるアルミ2層配線構造の形
成フローを示す図である。
成フローを示す図である。
【図3】図1の実施例におけるアルミ2層配線構造の形
成フローを示す図である。
成フローを示す図である。
【図4】図1の実施例におけるアルミ2層配線構造の形
成フローを示す図である。
成フローを示す図である。
【図5】図1の実施例におけるアルミ2層配線構造の形
成フローを示す図である。
成フローを示す図である。
【図6】図1の実施例におけるアルミ2層配線構造の形
成フローを示す図である。
成フローを示す図である。
【図7】図1の実施例におけるアルミ2層配線構造の形
成フローを示す図である。
成フローを示す図である。
【図8】図1の実施例におけるアルミ2層配線構造の形
成フローを示す図である。
成フローを示す図である。
【図9】従来の半導体装置を示す断面図である。
【図10】従来の半導体装置におけるアルミ2層配線構
造の形成フローを示す図である。
造の形成フローを示す図である。
【図11】従来の半導体装置におけるアルミ2層配線構
造の形成フローを示す図である。
造の形成フローを示す図である。
【図12】従来の半導体装置におけるアルミ2層配線構
造の形成フローを示す図である。
造の形成フローを示す図である。
【図13】従来の半導体装置におけるアルミ2層配線構
造の形成フローを示す図である。
造の形成フローを示す図である。
【図14】従来の半導体装置におけるアルミ2層配線構
造の形成フローを示す図である。
造の形成フローを示す図である。
【図15】従来の半導体装置におけるアルミ2層配線構
造の形成フローを示す図である。
造の形成フローを示す図である。
【図16】従来の半導体装置におけるアルミ2層配線構
造の形成フローを示す図である。
造の形成フローを示す図である。
【図17】従来のアルミ2層配線構造の問題点を示す図
である。
である。
【図18】従来のアルミ2層配線構造の問題点を示す図
である。
である。
【図19】従来のアルミ2層配線構造の問題点を示す図
である。
である。
【図20】本発明におけるチタン膜とチタン化合物の作
用を示す図である。
用を示す図である。
【図21】本発明におけるチタン膜とチタン化合物の作
用を示す図である。
用を示す図である。
【図22】チタン膜の膜厚の最適値が存在することを示
す図である。
す図である。
【図23】この発明の他の実施例による半導体装置を示
す断面図である。
す断面図である。
1 シリコン半導体基板
4 第1層のアルミ配線
6 接続孔
101 チタン膜
102 窒化チタン膜
103 第2層のアルミ配線
Claims (1)
- 【請求項1】 半導体基板上の下層のアルミ配線と、
前記下層のアルミ配線と接続孔を介して接するチタン膜
及び前記チタン膜上に形成したチタン化合物膜並びに前
記チタン化合物膜上に形成したアルミ配線とからなる上
層のアルミ配線と、を有することを特徴とする半導体装
置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP915891A JPH04271143A (ja) | 1991-01-29 | 1991-01-29 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP915891A JPH04271143A (ja) | 1991-01-29 | 1991-01-29 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04271143A true JPH04271143A (ja) | 1992-09-28 |
Family
ID=11712815
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP915891A Pending JPH04271143A (ja) | 1991-01-29 | 1991-01-29 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04271143A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009277683A (ja) * | 2008-05-12 | 2009-11-26 | Fujitsu Microelectronics Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
US9437525B2 (en) | 2013-04-30 | 2016-09-06 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
-
1991
- 1991-01-29 JP JP915891A patent/JPH04271143A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009277683A (ja) * | 2008-05-12 | 2009-11-26 | Fujitsu Microelectronics Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
US9437525B2 (en) | 2013-04-30 | 2016-09-06 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
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