JPH0427106A - 鉄系磁性多層膜 - Google Patents
鉄系磁性多層膜Info
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/32—Spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、大きな磁性抵抗変化率を有し、該特性につい
ての再現性が優れて安定しており、かつ動作磁場が小さ
く、磁界センサや磁気抵抗効果型ヘッドとして有用な鉄
系磁性多層膜に関するものである。
ての再現性が優れて安定しており、かつ動作磁場が小さ
く、磁界センサや磁気抵抗効果型ヘッドとして有用な鉄
系磁性多層膜に関するものである。
従来の技術
金属の原子径オーダーの厚さで周期的に積層された薄膜
は、バルク状の金属とは異なった特性を示すため、近年
人工格子という新素材として注目されるようになってき
た。
は、バルク状の金属とは異なった特性を示すため、近年
人工格子という新素材として注目されるようになってき
た。
この人工格子の1種として、単結晶基体上に強磁性金属
層と反強磁性金属層とを交互に積層しt;磁性多層膜が
あり、これまで、鉄−クロム型、ニッケルークロム型及
び鉄−マンガン型多層膜(特開昭60−189906号
公報)などが知られている。また、鉄−クロム型につい
ては極低温(4,2K)において40%をも超える磁気
抵抗変化を示すという報告もある(フィジカル、レビュ
ー、レターズ、61巻、2472ページ、1988年)
。
層と反強磁性金属層とを交互に積層しt;磁性多層膜が
あり、これまで、鉄−クロム型、ニッケルークロム型及
び鉄−マンガン型多層膜(特開昭60−189906号
公報)などが知られている。また、鉄−クロム型につい
ては極低温(4,2K)において40%をも超える磁気
抵抗変化を示すという報告もある(フィジカル、レビュ
ー、レターズ、61巻、2472ページ、1988年)
。
これらの磁性多層膜の主な用途は磁気抵抗効果素子であ
り、ビデオムーヒーのシリンダー近傍に配置してテープ
走行の際のテープを検出するためのセンサのみならず広
く磁場を検出するためのセンサや磁気抵抗型ヘッドなど
として利用が可能である。
り、ビデオムーヒーのシリンダー近傍に配置してテープ
走行の際のテープを検出するためのセンサのみならず広
く磁場を検出するためのセンサや磁気抵抗型ヘッドなど
として利用が可能である。
ところで、磁気抵抗効果素子については、室温における
磁気抵抗変化率が大きく、動作磁場か小さいことが要求
されるが、これまで知られている単層型鉄ニツケル合金
及びコバルトニッケル合金磁性膜は、動作磁場は小さく
微少磁場の検出には好都合であるが、磁気抵抗変化率は
2〜3%と小さい。またFe −Cr型多層膜は磁気抵
抗変化率は大きいものの動作磁場が約20kOeと極め
て大きく、いずれも利用範囲が制限されるのを免れない
。
磁気抵抗変化率が大きく、動作磁場か小さいことが要求
されるが、これまで知られている単層型鉄ニツケル合金
及びコバルトニッケル合金磁性膜は、動作磁場は小さく
微少磁場の検出には好都合であるが、磁気抵抗変化率は
2〜3%と小さい。またFe −Cr型多層膜は磁気抵
抗変化率は大きいものの動作磁場が約20kOeと極め
て大きく、いずれも利用範囲が制限されるのを免れない
。
また、鉄−クロム型多層膜において、鉄とクロム層の界
面での各元素の拡散状態について厳密な制御はなされて
おらず、したがって、膜構造や成膜条件等による効果に
ついては、これまで何も知られてはいなかった。
面での各元素の拡散状態について厳密な制御はなされて
おらず、したがって、膜構造や成膜条件等による効果に
ついては、これまで何も知られてはいなかった。
般に、鉄とクロムの2つの元素を交互に積層して鉄−ク
ロム型多層膜を形成する場合、界面での各々の元素の拡
散状態について厳密な制御を行わないと、鉄とクロム層
の層間1:厚さ12Å以上の鉄クロム合金層が介在して
しまい、磁気特性の著しい劣化を免れない。
ロム型多層膜を形成する場合、界面での各々の元素の拡
散状態について厳密な制御を行わないと、鉄とクロム層
の層間1:厚さ12Å以上の鉄クロム合金層が介在して
しまい、磁気特性の著しい劣化を免れない。
発明が解決しようとする課題
本発明は、磁気抵抗効果素子に要求される特性、すなわ
ち大きい磁気抵抗変化特性、該特性についての優れて安
定した再現性及び小さい動作磁場を備えた鉄系磁性多層
膜を得ることを目的としてなされたものである。
ち大きい磁気抵抗変化特性、該特性についての優れて安
定した再現性及び小さい動作磁場を備えた鉄系磁性多層
膜を得ることを目的としてなされたものである。
課題を解決するだめの手段
本発明者らは、前記の磁気抵抗効果素子としての要求特
性を満たした鉄系磁性多層膜を開発するために、鋭意研
究を重ねた結果、基体にクロムと鉄とを交互に蒸着積層
して鉄系磁性多層膜を形成させる際に、該基体温度を所
定温度に保持することにより、クロム層と鉄層の境界面
に鉄クロム合金層が所定厚さで形成されること、及び該
鉄クロム合金層を介してその上下に形成された鉄とクロ
ム層、及び鉄と鉄層の磁気的な結合がもたらされ、その
目的が達成されることを見出し、この知見に基づいて本
発明をなすに至った。
性を満たした鉄系磁性多層膜を開発するために、鋭意研
究を重ねた結果、基体にクロムと鉄とを交互に蒸着積層
して鉄系磁性多層膜を形成させる際に、該基体温度を所
定温度に保持することにより、クロム層と鉄層の境界面
に鉄クロム合金層が所定厚さで形成されること、及び該
鉄クロム合金層を介してその上下に形成された鉄とクロ
ム層、及び鉄と鉄層の磁気的な結合がもたらされ、その
目的が達成されることを見出し、この知見に基づいて本
発明をなすに至った。
すなわち、本発明は、基体上に鉄クロム合金層を介して
クロム層と鉄屑を交互に任意の順序で積層して成る多層
構造の磁性膜において、前記鉄クロム合金層の厚さを2
〜10人に調整したことを特徴とする鉄系磁性多層膜及
び基体上に、基体温度を50〜350°Cの範囲の温度
に保持してクロムと鉄を交互に任意の順序で複数回蒸着
することを特徴とする前記鉄系磁性多層膜の製造方法を
提供するものである。
クロム層と鉄屑を交互に任意の順序で積層して成る多層
構造の磁性膜において、前記鉄クロム合金層の厚さを2
〜10人に調整したことを特徴とする鉄系磁性多層膜及
び基体上に、基体温度を50〜350°Cの範囲の温度
に保持してクロムと鉄を交互に任意の順序で複数回蒸着
することを特徴とする前記鉄系磁性多層膜の製造方法を
提供するものである。
以下、本発明の詳細な説明する。
本発明に用いる基体は特に制限されず、例えば酸化マグ
ネシウム、ガラス、ケイ素単結晶、ガリウムーヒ素単結
晶なとが用いられる。
ネシウム、ガラス、ケイ素単結晶、ガリウムーヒ素単結
晶なとが用いられる。
本発明においては、各鉄層及び/又は各クロム層の厚さ
は一定である必要はなく、また一定にする場合には、各
鉄屑の厚さを一定にし、各クロム層の厚さも一定にして
もよいし、また、各鉄層の厚さを一定にして各クロム層
の厚さのみを変えてもよいし、また、逆に各クロム層の
厚さを一定にして各鉄屑の厚さのみを変えてもよい。さ
らに必要ならば各クロム層と各鉄屑の両方の厚さを同時
に変えることもできる。また、鉄クロム合金層の厚さは
鉄層及びクロム層の厚さや蒸着条件等により変わる。
は一定である必要はなく、また一定にする場合には、各
鉄屑の厚さを一定にし、各クロム層の厚さも一定にして
もよいし、また、各鉄層の厚さを一定にして各クロム層
の厚さのみを変えてもよいし、また、逆に各クロム層の
厚さを一定にして各鉄屑の厚さのみを変えてもよい。さ
らに必要ならば各クロム層と各鉄屑の両方の厚さを同時
に変えることもできる。また、鉄クロム合金層の厚さは
鉄層及びクロム層の厚さや蒸着条件等により変わる。
本発明の鉄系磁性多層膜においては、それを構成するク
ロム層の厚さを6〜60人、好ましくは8〜30Aの範
囲内で、鉄屑の厚さを20〜200人、好ましくは25
〜80人の範囲内で、かつ鉄クロム合金層の厚さを2〜
10人の範囲内でそれぞれ選ぶ必要かある。クロム層の
厚さが6人未満では連続膜として成膜することか不可能
となるし、60人を超えると層間の距離か遠くなって層
間の磁気的結合作用が失われる。また、鉄層の厚さか2
0人未満では、核層か室温で強磁性を示さなくなるし、
200人を超えると層間の距離が遠くなって層間での磁
気的結合作用が失われる。さらに、鉄クロム合金層の厚
さについては、それを2人未満とすることは現実には極
めて困難であるし、それが10人を超えると磁気特性が
低下するのを免れない。
ロム層の厚さを6〜60人、好ましくは8〜30Aの範
囲内で、鉄屑の厚さを20〜200人、好ましくは25
〜80人の範囲内で、かつ鉄クロム合金層の厚さを2〜
10人の範囲内でそれぞれ選ぶ必要かある。クロム層の
厚さが6人未満では連続膜として成膜することか不可能
となるし、60人を超えると層間の距離か遠くなって層
間の磁気的結合作用が失われる。また、鉄層の厚さか2
0人未満では、核層か室温で強磁性を示さなくなるし、
200人を超えると層間の距離が遠くなって層間での磁
気的結合作用が失われる。さらに、鉄クロム合金層の厚
さについては、それを2人未満とすることは現実には極
めて困難であるし、それが10人を超えると磁気特性が
低下するのを免れない。
多層構造の繰り返し回数は5〜100回、好ましくは2
0〜80回の範囲とするのが好ましい。繰り返し回数が
5回未満では多層化による効果の向上が十分ではなく磁
気抵抗変化率が小さいし、100回を超えると膜質が劣
化して磁気抵抗変化率が小さくなる。
0〜80回の範囲とするのが好ましい。繰り返し回数が
5回未満では多層化による効果の向上が十分ではなく磁
気抵抗変化率が小さいし、100回を超えると膜質が劣
化して磁気抵抗変化率が小さくなる。
次に、添付図面に従って本発明をさらに詳細に説明する
。
。
第1図は、本発明の鉄系磁性多層膜の1例の構造を示す
拡大断面図であって、この図においては基体Aの上に、
クロム層B、、 BI Bs、 Ba、 Bsと鉄層C
1,C2,Cs、 C4,Csとがそれぞれの各層境界
面間の鉄クロム合金層DI、 B2. D、、 Da、
Ds、 B6. D?。
拡大断面図であって、この図においては基体Aの上に、
クロム層B、、 BI Bs、 Ba、 Bsと鉄層C
1,C2,Cs、 C4,Csとがそれぞれの各層境界
面間の鉄クロム合金層DI、 B2. D、、 Da、
Ds、 B6. D?。
D、、 D、を介して交互に積層されている。そして、
これらの層の中のクロム層Bl+ Bz、 B3. B
4. BSはいずれも同じ層厚を有しているが、鉄層の
C+、 Cs。
これらの層の中のクロム層Bl+ Bz、 B3. B
4. BSはいずれも同じ層厚を有しているが、鉄層の
C+、 Cs。
C6とC,、C,とは異なった層厚を有している。
第2図は、第1図と異なった例の拡大断面図であって、
この図においては、クロム層BI+ B2.B3+B4
+ Bsはいずれも同じ層厚を有するが、鉄層C1゜C
m、 C1,C4はすべて異なった層厚を有している。
この図においては、クロム層BI+ B2.B3+B4
+ Bsはいずれも同じ層厚を有するが、鉄層C1゜C
m、 C1,C4はすべて異なった層厚を有している。
これらの図において、クロム層と鉄層の関係を逆にする
こともできる。
こともできる。
第3図は、第1図及び第2図とは異なつI;さらに別の
例の拡大断面図であって、この図においては、クロム層
Bl+ Bz、 Bsはいずれも同じ層厚を有し、また
鉄層C,,C,、C,もいずれも同じ層厚を有している
。
例の拡大断面図であって、この図においては、クロム層
Bl+ Bz、 Bsはいずれも同じ層厚を有し、また
鉄層C,,C,、C,もいずれも同じ層厚を有している
。
第1図及び第2図のように、クロム層又は鉄層の各層の
層厚を異なったものとすることにより、磁気抵抗効果素
子としての特性を著しく向上させることができる。例え
ば、第1図に示す積層体を形成させた多層膜においてク
ロム層を10人で一定とし、鉄層を30人で一定とし、
鉄クロム合金層を6人とした場合、磁化は14koeの
印加磁場で漸く飽和し、磁気抵抗変化率は室温で7〜8
%であるが、クロム層の中のBl+ Bs、 Bsを2
0人に変えると、磁化は8 koeの印加磁場で飽和し
、磁気抵抗変化率は室温で9%以上になる。
層厚を異なったものとすることにより、磁気抵抗効果素
子としての特性を著しく向上させることができる。例え
ば、第1図に示す積層体を形成させた多層膜においてク
ロム層を10人で一定とし、鉄層を30人で一定とし、
鉄クロム合金層を6人とした場合、磁化は14koeの
印加磁場で漸く飽和し、磁気抵抗変化率は室温で7〜8
%であるが、クロム層の中のBl+ Bs、 Bsを2
0人に変えると、磁化は8 koeの印加磁場で飽和し
、磁気抵抗変化率は室温で9%以上になる。
このように層厚を変えることにより動作磁場が小さくな
り、磁気抵抗変化率が大きくなるのは、反強磁性体とし
てのクロムの中間層を介して上下に隣合って存在する強
磁性体としての鉄の層同士の間に磁気的結合力が働き、
その境界面に生じている高い磁気モーメントのエネルギ
ー状態において電子が磁気散乱されるが、この境界面に
生じる高いエネルギー状態が、鉄層自体の厚さや中間層
のクロム層の厚さにより影響されるためと考えられる。
り、磁気抵抗変化率が大きくなるのは、反強磁性体とし
てのクロムの中間層を介して上下に隣合って存在する強
磁性体としての鉄の層同士の間に磁気的結合力が働き、
その境界面に生じている高い磁気モーメントのエネルギ
ー状態において電子が磁気散乱されるが、この境界面に
生じる高いエネルギー状態が、鉄層自体の厚さや中間層
のクロム層の厚さにより影響されるためと考えられる。
したがって、これは通常の鉄系磁性多層膜においてみら
れる強磁性体の異方性磁気抵抗効果(例えば特公平2−
8470号公報参照)とは異なる現象であり、これを利
用すればクロム反強磁性体層を通しての鉄強磁性体の磁
気的結合力を制御することも可能である。
れる強磁性体の異方性磁気抵抗効果(例えば特公平2−
8470号公報参照)とは異なる現象であり、これを利
用すればクロム反強磁性体層を通しての鉄強磁性体の磁
気的結合力を制御することも可能である。
前記した各偶とは異なって、必要ならば各層の層厚を同
時に異なったものとしてもよいし、また3種以上の異な
った層厚の組み合わせを用いてもよい。
時に異なったものとしてもよいし、また3種以上の異な
った層厚の組み合わせを用いてもよい。
本発明の鉄系磁性多層膜を製造するには、前記した適当
な基体、例えば酸化マグネシウム、ガラス、ケイ素単結
晶、ガリウムーヒ素単結晶などの上に、該基体温度を5
0〜350°Cの範囲の温度に保持して、所定のクロム
物質及び鉄物質とを、任意の順序で、真空蒸着法、化学
蒸着法など慣用の方法により蒸着させる。この際各層の
厚さを膜厚計により測定しながら、基体上への物質の蒸
着量をシャッターの開閉により制御するのが有利である
。
な基体、例えば酸化マグネシウム、ガラス、ケイ素単結
晶、ガリウムーヒ素単結晶などの上に、該基体温度を5
0〜350°Cの範囲の温度に保持して、所定のクロム
物質及び鉄物質とを、任意の順序で、真空蒸着法、化学
蒸着法など慣用の方法により蒸着させる。この際各層の
厚さを膜厚計により測定しながら、基体上への物質の蒸
着量をシャッターの開閉により制御するのが有利である
。
このようにして、クロム層−鉄クロム合金層−鉄層ある
いは鉄層−鉄クロム合金層−クロム層から成る層構造体
がその各層所定の厚さで形成される。
いは鉄層−鉄クロム合金層−クロム層から成る層構造体
がその各層所定の厚さで形成される。
次いで、クロムと鉄を交互に任意の順序で蒸着する操作
を繰り返すことにより積層し、これを必要な厚さになる
まで継続して、成膜する。従って、最終の蒸着層は前記
第1図のような鉄層あるいは前記第2図のようなりロム
層になる。通常、最終的な全体の厚さは0.01〜1μ
mの範囲内で選ばれる。
を繰り返すことにより積層し、これを必要な厚さになる
まで継続して、成膜する。従って、最終の蒸着層は前記
第1図のような鉄層あるいは前記第2図のようなりロム
層になる。通常、最終的な全体の厚さは0.01〜1μ
mの範囲内で選ばれる。
特に有利な基体は、酸化マグネシウム系のもの、特にM
g0(100)単結晶基板である。このものは取り扱い
やすく、磁気抵抗変化率が他の基体に比べて大きいので
望ましい。
g0(100)単結晶基板である。このものは取り扱い
やすく、磁気抵抗変化率が他の基体に比べて大きいので
望ましい。
基体温度が前記所定範囲を逸脱すると、鉄クロム合金層
の厚さの制御が不十分となる。特に有利な基体温度は、
酸化マグネシウム基体の場合で100〜300°C1ガ
ラス基体の場合で50〜250°Cである。
の厚さの制御が不十分となる。特に有利な基体温度は、
酸化マグネシウム基体の場合で100〜300°C1ガ
ラス基体の場合で50〜250°Cである。
発明の効果
本発明の鉄系磁性多層膜は、大きい磁気抵抗変化特性、
該特性についての優れて安定した再現性及び小さい動作
磁場を有しているので、磁界センサや磁気抵抗効果型ノ
\ツドとして有用である。
該特性についての優れて安定した再現性及び小さい動作
磁場を有しているので、磁界センサや磁気抵抗効果型ノ
\ツドとして有用である。
実施例
次に実施例によって、本発明をさらに詳細に説明する。
各試料の磁気特性として磁気抵抗変化率を次のとおり測
定した。
定した。
試料の形状を0.3X 1.0+++m2の短冊状とし
、4端子法で抵抗を測定した。磁場は7 koeまで印
加し、測定電流は30〜300μAの範囲とし、測定温
度は室温及び77°にとした 実施例1 到達圧力5x 1o−” Torrの真空槽内に耽○(
100)単結晶基体を置き、蒸着材料として純度99.
99%の鉄とクロムを用い、電子銃により、蒸着圧力2
×10−’Torrにおいて、基体上に先ずクロム層を
、次いで鉄層をそれぞれ蒸着させた。この際、基体温度
を厳密に110°Cに保つことで鉄層とクロム層の両者
の境界面で形成されるFeCr合金層の厚さを2人にな
るように制御した。この際、各層厚は水晶式膜厚計でモ
ニターし、シャッターを開閉することにより制御した。
、4端子法で抵抗を測定した。磁場は7 koeまで印
加し、測定電流は30〜300μAの範囲とし、測定温
度は室温及び77°にとした 実施例1 到達圧力5x 1o−” Torrの真空槽内に耽○(
100)単結晶基体を置き、蒸着材料として純度99.
99%の鉄とクロムを用い、電子銃により、蒸着圧力2
×10−’Torrにおいて、基体上に先ずクロム層を
、次いで鉄層をそれぞれ蒸着させた。この際、基体温度
を厳密に110°Cに保つことで鉄層とクロム層の両者
の境界面で形成されるFeCr合金層の厚さを2人にな
るように制御した。この際、各層厚は水晶式膜厚計でモ
ニターし、シャッターを開閉することにより制御した。
このようにして得られたクロム層の厚さは13人、鉄屑
の厚さは21人であった。
の厚さは21人であった。
この蒸着操作を30回繰り返すことにより厚さ0.11
μmの鉄系磁性多層膜を得た。
μmの鉄系磁性多層膜を得た。
実施例2
到達圧力4 X 10−” Torr、蒸着圧力8 X
10− ” Torr。
10− ” Torr。
基体温度160°C1境界面で形成されるFeCr合金
層の厚さを3人になるように制御したこと以外は実施例
1と同様にして、厚さ0,11μm1各クロム層の厚さ
13人、各鉄層の厚さ21人の鉄系磁性多層膜を得た。
層の厚さを3人になるように制御したこと以外は実施例
1と同様にして、厚さ0,11μm1各クロム層の厚さ
13人、各鉄層の厚さ21人の鉄系磁性多層膜を得た。
実施例3
到達圧力4 X 10−” Torr、基体温度260
°C1境界面で形成されるFeCr合金層の厚さを5人
になるように制御したこと以外は実施例1と同様にして
、厚さ0,11μm1各クロム層の厚さ13人、各鉄屑
の厚さ21人の鉄系磁性多層膜を得た。
°C1境界面で形成されるFeCr合金層の厚さを5人
になるように制御したこと以外は実施例1と同様にして
、厚さ0,11μm1各クロム層の厚さ13人、各鉄屑
の厚さ21人の鉄系磁性多層膜を得た。
実施例4
到達圧力3 X 10−” Torr、基体温度320
℃、境界面で形成されるFeCr合金層の厚さを6人に
なるように制御したこと以外は実施例1と同様にして、
厚さ0,11μm、各クロム層の厚さ13人、各鉄層の
厚さ21人の鉄系磁性多層膜を得た。
℃、境界面で形成されるFeCr合金層の厚さを6人に
なるように制御したこと以外は実施例1と同様にして、
厚さ0,11μm、各クロム層の厚さ13人、各鉄層の
厚さ21人の鉄系磁性多層膜を得た。
実施例5
蒸着圧力3 X 10′−9Torr、基体温度52°
Cとしたこと以外は実施例1と同様にして、厚さ0.1
1μm1各クロム層の厚さ13人、各鉄屑の厚さ21人
の鉄系磁性多層膜を得た。
Cとしたこと以外は実施例1と同様にして、厚さ0.1
1μm1各クロム層の厚さ13人、各鉄屑の厚さ21人
の鉄系磁性多層膜を得た。
実施例6〜10
基体をガラス基体に代え、境界面で形成されるFeCr
合金層の厚さをそれぞれ3.5.6.8及び2人になる
ように制御したこと以外はそれぞれ対応する実施例1〜
5と同様にして厚さ0.11μm、各クロム層の厚さ1
3人、各鉄層の厚さ21人の鉄系磁性多層膜を得た。
合金層の厚さをそれぞれ3.5.6.8及び2人になる
ように制御したこと以外はそれぞれ対応する実施例1〜
5と同様にして厚さ0.11μm、各クロム層の厚さ1
3人、各鉄層の厚さ21人の鉄系磁性多層膜を得た。
比較例1
到達圧力3 X 10−”Torr、基体温度420°
C1境界面で形成されるFeCr合金層の厚さを12人
になるように制御したこと以外は実施例1と同様にして
、厚さ0.11μm1各クロム層の厚さ13人、各鉄層
の厚さ21人の鉄系磁性多層膜を得た。
C1境界面で形成されるFeCr合金層の厚さを12人
になるように制御したこと以外は実施例1と同様にして
、厚さ0.11μm1各クロム層の厚さ13人、各鉄層
の厚さ21人の鉄系磁性多層膜を得た。
比較例2
基体をガラス基体に代え、境界面で形成されるFeCr
合金層の厚さを14人になるように制御したこと以外は
比較例1と同様にして、厚さ0.11μm1各クロム層
の厚さ13人、各鉄層の厚さ21人の鉄系磁性多層膜を
得た。
合金層の厚さを14人になるように制御したこと以外は
比較例1と同様にして、厚さ0.11μm1各クロム層
の厚さ13人、各鉄層の厚さ21人の鉄系磁性多層膜を
得た。
比較例3
到達圧力4 X 10−” Torr、蒸着圧力3 X
10−’Torr。
10−’Torr。
基体温度550°C1境界面で形成されるFeCr合金
層の厚さを20人になるように制御したこと以外は実施
例1と同様にして、厚さ0.11μm1各クロム層の厚
さ13人、各鉄屑の厚さ21人の鉄系磁性多層膜を得た
。
層の厚さを20人になるように制御したこと以外は実施
例1と同様にして、厚さ0.11μm1各クロム層の厚
さ13人、各鉄屑の厚さ21人の鉄系磁性多層膜を得た
。
比較例4
基体をガラス基体に代え、境界面で形成されるFeCr
合金層の厚さを22人になるように制御したこと以外は
比較例3と同様にして、厚さO−0−11p各クロム層
の厚さ13A、各鉄層の厚さ21人の鉄系磁性多層膜を
得た。
合金層の厚さを22人になるように制御したこと以外は
比較例3と同様にして、厚さO−0−11p各クロム層
の厚さ13A、各鉄層の厚さ21人の鉄系磁性多層膜を
得た。
各実施例及び比較例の試料について、その磁気抵抗変化
特性を求めた。その結果を次表に示す。
特性を求めた。その結果を次表に示す。
また、この表に示した各試料について、FeCr合金層
の厚さと磁気抵抗変化率との関係及び基板温度と磁気抵
抗変化率との関係をそれぞれ第4図及び第5図に示す。
の厚さと磁気抵抗変化率との関係及び基板温度と磁気抵
抗変化率との関係をそれぞれ第4図及び第5図に示す。
これら図中の実線AはMgO基体を用いた場合であり、
また破線Bはガラス基体を用いた場合である。
また破線Bはガラス基体を用いた場合である。
この表から明らかなように、鉄層とクロム層の間に形成
される鉄クロム合金層の厚さを厳密に2〜lO人の範囲
に調整することによって、磁気抵抗変化率の大きい鉄系
磁性多層膜を生成することができる。
される鉄クロム合金層の厚さを厳密に2〜lO人の範囲
に調整することによって、磁気抵抗変化率の大きい鉄系
磁性多層膜を生成することができる。
第1図ないし第3図は本発明の鉄系磁性多層膜の構造例
を示す断面図、第4図及び第5図は各実施例及び比較例
の磁性多層膜について、FeCr合金層の厚さと磁気抵
抗変化率との関係及び基板温度と磁気抵抗変化率との関
係をそれぞれ示すグラフである。 図中Aは基体、Bl+ B2+ B3. B4.Bsは
クロム層、CI+ Cz、 C3,C4,C5は鉄層、
DI、D2.D3.DI、Da。 Da、 D7+ Da、 Dsは鉄クロム合金層である
。
を示す断面図、第4図及び第5図は各実施例及び比較例
の磁性多層膜について、FeCr合金層の厚さと磁気抵
抗変化率との関係及び基板温度と磁気抵抗変化率との関
係をそれぞれ示すグラフである。 図中Aは基体、Bl+ B2+ B3. B4.Bsは
クロム層、CI+ Cz、 C3,C4,C5は鉄層、
DI、D2.D3.DI、Da。 Da、 D7+ Da、 Dsは鉄クロム合金層である
。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 基体上に鉄クロム合金層を介してクロム層と鉄層を
交互に任意の順序で積層して成る多層構造の磁性膜にお
いて、前記鉄クロム合金層の厚さを2〜10Åに調整し
たことを特徴とする鉄系磁性多層膜。 2 鉄層の厚さ20〜200Å及びクロム層の厚さ6〜
60Åを有する請求項1記載の鉄系磁性多層膜。 3 基体温度を50〜350℃の範囲の温度に保持して
成膜したものである請求項1又は2記載の鉄系磁性多層
膜。 4 基体上に、基体温度を50〜350℃の範囲の温度
に保持してクロムと鉄を交互に任意の順序で複数回蒸着
することを特徴とする請求項1又は2記載の鉄系磁性多
層膜の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2131190A JPH0427106A (ja) | 1990-05-23 | 1990-05-23 | 鉄系磁性多層膜 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2131190A JPH0427106A (ja) | 1990-05-23 | 1990-05-23 | 鉄系磁性多層膜 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0427106A true JPH0427106A (ja) | 1992-01-30 |
Family
ID=15052126
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2131190A Pending JPH0427106A (ja) | 1990-05-23 | 1990-05-23 | 鉄系磁性多層膜 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0427106A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05266436A (ja) * | 1991-08-26 | 1993-10-15 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 磁気抵抗センサ |
-
1990
- 1990-05-23 JP JP2131190A patent/JPH0427106A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05266436A (ja) * | 1991-08-26 | 1993-10-15 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 磁気抵抗センサ |
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