KR101897916B1 - 이지-콘 상태의 자성층을 구비한 자기터널 접합 소자 - Google Patents

이지-콘 상태의 자성층을 구비한 자기터널 접합 소자 Download PDF

Info

Publication number
KR101897916B1
KR101897916B1 KR1020170078034A KR20170078034A KR101897916B1 KR 101897916 B1 KR101897916 B1 KR 101897916B1 KR 1020170078034 A KR1020170078034 A KR 1020170078034A KR 20170078034 A KR20170078034 A KR 20170078034A KR 101897916 B1 KR101897916 B1 KR 101897916B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
magnetic layer
free magnetic
magnetic
heavy metal
Prior art date
Application number
KR1020170078034A
Other languages
English (en)
Inventor
임상호
권형근
이성래
Original Assignee
고려대학교 산학협력단
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 고려대학교 산학협력단 filed Critical 고려대학교 산학협력단
Priority to KR1020170078034A priority Critical patent/KR101897916B1/ko
Priority to PCT/KR2018/006893 priority patent/WO2018236121A1/ko
Priority to CN201880002969.9A priority patent/CN109564968B/zh
Application granted granted Critical
Publication of KR101897916B1 publication Critical patent/KR101897916B1/ko
Priority to US16/235,102 priority patent/US11121306B2/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N50/00—Galvanomagnetic devices
    • H10N50/80—Constructional details
    • H10N50/85—Magnetic active materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N50/00—Galvanomagnetic devices
    • H10N50/80—Constructional details
    • H01L43/10—
    • H01L43/02—
    • H01L43/08—
    • H01L43/12—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N50/00—Galvanomagnetic devices
    • H10N50/01—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N50/00—Galvanomagnetic devices
    • H10N50/10—Magnetoresistive devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Hall/Mr Elements (AREA)
  • Mram Or Spin Memory Techniques (AREA)
  • Thin Magnetic Films (AREA)

Abstract

본 발명은 자기터널접합 소자 및 그 제조 방법을 제공한다. 이 자기터널 접합 소자는 중금속층, 상기 중금속층 상에 배치된 자유 자성층, 및 상기 자유 자성층 상에 배치된 터널 절연층을 포함한다. 상기 중금속층은 백금이고, 상기 자유 자성층은 코발트(Co)이고, 상기 자유 자성층의 자화 상태는 콘(cone) 상태를 가지고, 상기 자유 자성층은 양의 1차 수직자기 이방성 상수 및 음의 2차 수직자기 이방성 상수를 가지고, 상기 터널 절연층은 MgO일 수 있다.

Description

이지-콘 상태의 자성층을 구비한 자기터널 접합 소자{Magnetic Tunnel Junction Device with a magnetic layer of easy-cone state}
본 발명은 자기터널 접합 소자에 관한 것이며, 보다 상세하게는 이지-콘 상태의 자성층을 구비한 자기터널 접합 소자에 관한 것이다.
수직자기이방성 (Perpendicular Magnetic Anisotropy; PMA)은 자기 메모리 (MRAM)의 고집적화와 데이터 유지에 중요한 높은 열적 안정성 특성과 직접적으로 연관이 되는 매우 중요한 특성이다. 수직자기이방성은 박막의 벌크 고유 특성 또는 계면에 의해 발현될 수 있다. 희토류-3d 천이금속 비정질 합금, CoPd 및 CoPt 등의 다층박막, L10 구조를 가지는 FePt, CoPt 등의 금속간 화합물 등 현재까지 여러 형태의 재료들에서 수직자기이방성에 관한 연구가 진행되었다. 그러나 희토류-3d 천이금속 비정질 합금과 CoPt(Pd) 다층박막은 PMA 에너지 밀도가 충분하지 않으며, 상대적으로 낮은 후속-열처리 온도에서 PMA 특성이 열화된다. 따라서, 소자에 적용하기엔 적합하지 않다. 이에 비해 L10 구조를 가지는 FePt와 CoPt 등의 금속간 화합물은 큰 PMA 에너지 밀도를 가지며, 후속-열처리 안정성도 우수하여 각광을 받아왔다. 그러나 역시 금속간 화합물의 높은 장거리 규칙도를 형성하기 위하여 섭씨 600도 이상의 굉장히 높은 공정 온도 조건이 요구되기 때문에, 자기 메모리 소자 제조 공정에 적합하지 않다. 따라서, 제조가 용이하면서도 후속-열처리 안정성이 우수하고 PMA 에너지 밀도 또한 상당히 높은 수준을 보이기 때문에, Co나 CoFeB 합금을 기반으로 하는 중금속층-자성층-절연층 삼층박막이 많이 응용되고 있다.
자기 메모리 응용에서 주로 사용되는 나노미터 수준의 삼층박막의 수직자기이방성은 일반적으로 계면 특성에 의한 기여가 큰 것으로 알려져 있다. 따라서 삼층박막의 PMA는 계면의 상태에 의해 그 특성이 결정된다. 중금속층-자성층-절연층 삼층박막에서는 스퍼터링 과정에서 발생하는 계면 거칠기나 자성층의 산화로 인해 PMA 에너지 밀도가 크게 감소할 수 있다.
중금속층-자성층-절연층의 삼층박박에서의 PMA는 두 가지 성분의 합으로도 기술할 수 있다. PMA는 일차 수직자기이방성 (first-order PMA)과 이차 수직자기이방성 (second-order PMA)을 포함한다. 두 에너지의 부호와 상대적인 크기에 따라, 자성 박막의 자화 용이축 (easy axis)은 면내 방향 (in-plane), 수직 방향 (out-of-plane), 면내와 수직 사이 기울어진 방향 (easy-cone), 그리고 면내와 수직 방향이 공존하는 (coexistence) 상태를 가질 수 있다. 계면 상태와 자성층의 두께를 조절을 통해 자화 용이 방향을 제어할 수 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 첫 번째 과제는 이지-콘(esay-cone) 상태의 자성층을 포함하는 자기터널접합을 구현하기 위하여 큰 PMA 에너지 밀도와 고온 후속-열처리에서 구조적 붕괴 없이 특성을 유지하는 중금속층-자성층-절연층 삼층박막을 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 두 번째 과제는 이지-콘(esay-cone) 상태의 자성층을 포함하는 자기터널접합을 구현하기 위하여 상기 중금속층-자성층-절연층 기반의 삼층박막의 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 자기터널 접합 소자는 중금속층, 상기 중금속층 상에 배치된 자유 자성층, 및 상기 자유 자성층 상에 배치된 터널 절연층을 포함한다. 상기 중금속층은 백금이고, 상기 자유 자성층은 코발트(Co)이고, 상기 자유 자성층의 자화 상태는 콘(cone) 상태를 가지고, 상기 자유 자성층은 양의 1차 수직자기 이방성 상수 및 음의 2차 수직자기 이방성 상수를 가지고, 상기 터널 절연층은 MgO일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 자유 자성층의 두께는 1.4 nm 내지 1.8 nm이고, 상기 자유 자성층의 자화는 증착과 동시에는 면내 방향으로 정렬되고, 상기 자유 자성층의 자화는 열처리에 의하여 이지-콘 상태로 정렬될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 자기터널 접합 소자는 중금속층, 상기 중금속층 상에 배치된 자유 자성층, 및 상기 자유 자성층 상에 배치된 터널 절연층을 포함한다. 상기 자기터널 접합 소자의 제조 방법은, DC 스퍼터링을 이용하여 순차적으로 상기 시드층, 상기 중금속층, 상기 자유 자성층을 증착하고, RF 스퍼터링을 이용하여 상기 자유 자성층 상에 터널 절연층을 증착하여, 상기 자유 자성층의 두께에 따라 복수의 시료를 제작하는 단계; 상기 자유 자성층의 두께에 따른 시료 별로 제1 차 수직 자기 이방성 상수와 제2 차 수직 자기 이방성 상수를 측정하고, 이지-콘(easy-cone) 상태를 만족하는 확인하는 단계; 및 상기 시료들이 이지-콘 상태를 만족하지 않는 경우, 후속 열처리 온도를 증가시키거나 상기 터널 절연층의 RF 스퍼터링을 증가시키어 시료를 다시 준비하는 단계; 및 상기 시료들이 이지-콘 상태를 만족하는 경우, 조건을 만족하는 자유 자성층의 두께, 후속 열처리 온도, 및 RF 스퍼터링 전력으로 자기터널 접합 소자를 제작한다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 후속 열처리 온도는 섭씨 275도 내지 400도 일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 터널 절연층을 증착하기 위한 RF 스퍼터링의 전력은 1.10 W/cm2 이상일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 자유 자성층의 두께는 1.4 nm 내지 1.8 nm일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 자성층 위에 절연층을 스퍼터링 방법으로 증착시킬 경우, 상기 절연층의 하부의 자성층의 산화가 불가피하게 발생한다. 상기 자성층의 두께가 수 나노미터에 불과하다는 점을 고려했을 때, 상기 절연층의 스퍼터링 증착은 PMA 특성의 열화를 조장할 수 있는 치명적인 단점으로 작용할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 절연층의 스퍼터링 전력, 후속 열처리, 또는 자성층의 두께를 조절하여 중금속층과 자성층 또는 자성층과 절연층의 계면에서 발생하는 PMA 특성을 제어할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 절연층의 스퍼터링 전력, 후속-열처리 온도 및 자성층의 두께 조절 등을 통해 열적 안정성 특성을 크게 향상 시키거나 이지-콘(easy-cone) 상태를 갖는 자성층을 제조함으로써 스핀토크에 의한 자화반전 속도를 크게 개선할 수 있다.
도 1은 1차 수직 자기이방성 상수와 2차 수직 이방성 상수의 좌표에서 표시된 자성층의 위상 다이어그램(phase diagram)이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 시료들의 구조를 나타내는 단면도들이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 삼층구조인 Pt/Co(0.6 nm)/MgO(2.0nm)에 대한 X-선 광전자 분광법 스펙트럼이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 삼층구조인 Pt/Co(0.6 nm)/MgO(2.0nm)에 대한 정규화된 자화값 (M/Ms)-인가자기장 (H) 이력곡선이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 삼층구조인 Pt/Co(t Co)/MgO(P MgO,t MgO)에 대한 MstCo- tCo 그래프를 도시한 것이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 삼층구조인 Pt/Co(tCo)/MgO(PMgO,tMgO)에 대하여 tCo에 따른 PMA 에너지 밀도 (K eff)를 도시한 그래프이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 터널 절연층의 RF 스퍼터링 전력 및 후속-열처리에 따른 2차 수직 자기 이방성 상수를 나타내는 결과이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 차 수직 자기 이방성 상수와 제2 차 수직 자기 이방성 상수로 표시된 위상 다이어그램이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 자기터널 접합 소자의 제조 방법을 설명하는 흐름도이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 자기터널 접합 소자를 나타내는 단면도이다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 자기터널 접합 소자를 나타내는 단면도이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 자기터널 접합은 스핀전달토크(Spin transfer torque MRAM; STT-MRAM)에 적용될 수 있다. 구체적으로, 자기터널 접합은 중금속층, 상기 중금속층 상에 배치된 자유 자성층, 상기 자유 자성층 상에 배치된 터널 절연층, 및 상기 터널 절연층 상에 배치된 고정 자성층을 포함한다. 상기 자유 자성층은 이지-콘 상태를 가진다. 상기 고정 자성층은 수직으로 자화되어 있으며, 상기 자유 자성층은 극각(polar angle; θE)을 가지고 이지-콘 상태를 가질 수 있다. 이에 따라, STT-MRAM의 스위칭 시간(tsw)을 지배하는 인큐베이션(incubation) 시간을 효과적으로 감소시킬 수 있다. 이로 인해 스위칭 전류 밀도(Jsw)가 감소될 수 있다.
다만, 상기 콘 상태의 자유 자성층의 극각에 기인하여, 터널자기저항(tunneling magnetoresistance; TMR)이 감소하여, 독출(read-out) 효율이 감소할 수 있다. 그러나 ΔTMR ∝ cosθ 의 관계를 가진다. 여기서, θ는 고정자성층과 자유 자성층의 자화 벡터의 사잇각이다. θE ≤ 20도 일 때, ΔTMR의 감소는 경미한 수준이다. 상기 자유 자성층이 콘 상태를 가지는 경우, STT-MRAM의 열안정성(thermal stability;Δ)는 기존의 수준으로 유지하되, 스위칭 전류 밀도(Jsw)를 22 퍼센트, 그리고 스위칭 시간(tsw)를 56 퍼센트 경감시킬 수 있다. 다만, 이러한 특성 개선은 단지 8%에 불과한 TMR의 감소를 제공한다. 따라서, 고정 자성층은 수직 자화된 상태를 가지면서, 상기 자유 자성층에 콘 상태를 제공하는 구조와 방법이 요구된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 우리는 상기 자유 자성층에 이지-콘 상태를 제공하기 위한 조건을 조사하였다. 상기 자유 자성층은 양의 1차 수직자기 이방성 상수(K1eff) 음의 2차 수직자기 이방성 상수(K2)를 가진다. 특히, 상기 자유 자성층의 2차 수직자기 이방성 상수(K2)가 K2 < -1/2 K1eff 조건을 만족하여야 한다. 특정한 후속-열처리 조건 및 상기 자유 자성층의 두께에서 위의 조건을 만족한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 보다 상세하게 설명한다. 이하, 바람직한 실시예를 들어 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다. 그러나 이들 실시예는 본 발명을 보다 구체적으로 설명하기 위한 것으로, 실험 조건, 물질 종류 등에 의하여 본 발명이 제한되거나 한정되지는 않는다는 것은 당업계의 통상의 지식을 가진 자에게 자명할 것이다. 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다. 도면들에 있어서, 구성요소는 명확성을 기하기 위하여 과장되어진 것이다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호로 표시된 부분들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
도 1은 1차 수직 자기이방성 상수와 2차 수직 이방성 상수의 좌표에서 표시된 자성층의 위상 다이어그램(phase diagram)이다.
도 1을 참조하면, 자성 박막은 일차 수직자기이방성 (first-order PMA; K1eff)과 이차 수직자기이방성 (second-order PMA; K2)을 포함한다. K1eff 와 K2의 부호와 상대적인 크기에 따라, 자성 박막의 자화 용이축 (easy axis)은 면내 방향 (in-plane) 상태, 수직 방향 (out-of-plane), 면내(in-plane)와 수직 사이 기울어진 방향 (easy-cone) 상태, 그리고 면내와 수직 방향이 공존하는 (coexistence) 상태를 가질 수 있다. 계면 상태와 자성층의 두께를 조절을 통해 자화 용이 방향을 제어할 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 시료들의 구조를 나타내는 단면도들이다.
도 2를 참조하면, 제1 시료(11)는 Si 기판/Ta(5nm)/Pt(5nm)/Co(tco)/MgO(2nm)/Ta(3nm) 구조이다. 코발층 자성층의 두께(tco)는 0.6nm 내지 2.0nm이다. Ta(5nm)/Pt(5nm)/Co(tco)는 순차적을 DC 스퍼터링을 통하여 증착된다. MgO(2nm)는 RF 스퍼터링을 통하여 증착되고, RF 스퍼터링 파워는 4.39 W/cm2이다.
제2 시료(12)는 Si기판/Ta(5nm)/Pt(5nm)/Co(tco)/MgO(2nm)/Ta(3nm) 구조이다. 코발층 자성층의 두께( tco)는 0.6nm 내지 2.0nm이다. Ta(5nm)/Pt(5nm)/Co(tco)는 순차적을 DC 스퍼터링을 통하여 증착된다. MgO(2nm)는 RF 스퍼터링을 통하여 증착되고, RF 스퍼터링 파워는 1.109 W/cm2이다.
제3 시료(13)는 Si기판/Ta(5nm)/Pt(5nm)/Co(tco)/Cu(2nm)/Ta(3nm) 구조이다. 코발층 자성층의 두께(tco)는 1nm 내지 2.0nm이다. Ta(5nm)/Pt(5nm)/Co(tco)/Cu(2nm)/Ta(3nm)는 순차적을 DC 스퍼터링을 통하여 증착된다.
Si 기판(110)은 습식-산화(wet-oxidation) Si/SiO2의 기판이다. 상기 Si 기판 상에 Ta (5.0nm) 의 씨앗층(120)을 형성한 후, Pt (5.0nm)의 중금속층(130)을 형성한다. 상기 중금속층 상에 자성층(140)의 두께 (tCo) 변화를 주었다. 상기 자유 자성층(140) 상에 터널 절연층(150)이 배치되고, 터널 절연층은 MgO가 사용된다. 상기 터널 절연층은 RF 스퍼터링 전력 변화(PMgO)에 따라 증착을 진행하였다. 상부에는 추가적인 산화를 방지하기 위하여 Ta(3.0 nm)의 보호층(180)을 형성한다.
각 층들은 마그네트론 스퍼터링 증착 방법을 통해 증착되었다. 챔버의 기저 압(base pressure) 는 5 × 10-8 Torr 이며, 증착은 Ar 가스 주입을 통하여 1 또는 2 × 10-3 Torr에서 시행하였다. 증착 과정 중, 모든 층은 진공을 깨지 않은 상태 (In-situ) 로 이루어 졌으며, 각 층은 단일 타겟(Ta, Pt, Co, MgO)으로 증착하였다.
씨앗층(120)은 Ta, Ta/Ru, Ta/Pt/Ru와 같이 Ta을 포함하며 계면 거칠기를 조절할 수 있는 단일층 혹은 그 이상의 복합층을 포함할 수 있다. 계면 거칠기는 최적의 Ta의 두께에서 최소화될 수 있다.
상기 자유 자성층(140)은 Co 외에 단일 물질인 Fe나 합금인 CoFeB 등을 포함할 수 있다. 상기 자유 자성층(140)은 일차 수직자기이방성 상수(K1eff) 및 이차 수직자기이방성 상수(K2)을 가진다. 자성층의 두께를 조절하여 자기이방성을 조절 할 수 있다.
터널 절연층(150)은 MgO, AlOx, GdOx 등과 같은 절연층을 포함할 수 있다. 상기 터널 절연층을 증착할 때 인가하는 스퍼터링 전력에 따라 자성층 혹은 중금속층까지 침투하는 산소량을 조절할 수 있다. 상기 터널 절연층의 두께 또한 침투하는 산소량과 비례하기 때문에 동일한 방법으로 조절할 수 있다. 상기 절연층의 스퍼터링 전력을 조정하여 계면 거칠기를 조절 할 수 있다.
중금속층/자성층 사이의 계면 거칠기 또는 자성층/절연층 사이의 계면 거칠기를 조절하여 이차 수직자기이방성 에너지 밀도를 조절 할 수 있다. 또한, 후속 열처리 공정 조건을 조정하여 계면 거칠기를 조절 할 수 있다.
MgO의 스퍼터링 전력 또는 두께를 낮춰줌으로써 자성층으로 침투하는 산소량을 억제할 수 있다. 한편, MgO의 스퍼터링 전력을 증가시키면, 이차 수직자기이방성 상수가 음의 값으로 증가한다. 또한 고온 열처리를 통하여 침투된 산소의 역확산을 유도하고, 이차 수직자기이방성 상수가 음의 값으로 증가한다.
박막의 두께는 증착 속도로부터 정확하게 시간을 제어함으로써 조절하였다. 박막속도를 정확하게 측정하기 위하여, 증착된 박막의 두께는 표면거칠기단차 박막두께측정기 (Surface Profiler)를 사용하여 정확하게 측정하였다. 제작된 시료의 산화량을 추산하기 위하여 X-선 광전자 분광법 스펙트럼(XPS: X-ray Photoelectron Spectroscopy)을 사용하였다. 또한 자기적 특성을 분석하기 위하여 진동시료자력계(VSM: Vibrating Sample Magnetometer)와 초전도 양자간섭 측정소자(SQUID: Superconducting Quantum Interference Device)를 이용하였다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 삼층구조인 Pt/Co(0.6 nm)/MgO(2.0nm)에 대한 X-선 광전자 분광법 스펙트럼이다.
도 3을 참조하면, (a)와 (b)는 각각 PMgO = 4.39 W/cm2 와 1.10 W/cm2의 조건에서 적층이 된 제1 시료(11) 및 제2 시료(12)의 삼층박막이다. (c)는 해당 시편의 열처리 전 2p3 /2 스펙트럼 영역을 확대한 결과이다. 피팅을 통하여 산화된 코발트(Co)의 양을 추산할 수 있다. 추산된 양에 의하면 PMgO = 4.39 W/cm2의 경우, 코발트(Co) 산화물의 함량이 91.9%이며, PMgO = 1.10 W/cm2의 경우 코발트(Co) 산화물의 함량이 83.9% 정도로 스퍼터링 전력을 낮췄을 때 Co의 산화를 억제할 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 삼층구조인 Pt/Co(0.6 nm)/MgO(2.0nm)에 대한 정규화된 자화값 (M/Ms)-인가자기장 (H) 이력곡선이다.
도 4를 참조하면, 측정 온도는 100 K이다. 상당한 두께의 코발트(Co) 산화물이 형성되었다면, 자성층(140)에 교환바이어스 (Exchange bias)가 인가될 수 있다. 이력곡선이 음의 인가 자기장 방향으로 치우쳐 있다. MgO 터널 절연층의 두께가 2.0 nm 정도로 두꺼워지면서, 상당한 양의 코발트(Co) 산화물이 형성됨을 확인할 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 삼층구조인 Pt/Co(t Co)/MgO(P MgO,t MgO)에 대한 MstCo- tCo 그래프를 도시한 것이다.
도 5를 참조하면, x절편을 통해 Magnetic Dead Layer(MDL)의 값을 도출할 수 있다. 기울기를 통해 시료 전체의 평균 포화자화(Ms) 값을 구할 수 있다. MgO의 스퍼터링 전력과 두께가 줄어들수록, 즉 산소의 침투량이 감소할수록, MDL값이 현저히 감소하는 것을 관측할 수 있다. 한 예로, 열처리 전 상태에서 PMgO = 4.39 W/cm2, tMgO = 2.0 nm 일 때와 PMgO = 1.10 W/cm2, tMgO = 1.0 nm 일 때 MDL 값이 0.2 nm 정도의 차이가 발생하는 것을 확인할 수 있다. 동일하게 (a)와 (b)에서도 열처리를 진행하게 되면, 침투한 산소의 역확산에 의해 MDL값이 점차적으로 감소하는 것을 확인할 수 있다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 삼층구조인 Pt/Co(tCo)/MgO(PMgO,tMgO)에 대하여 tCo에 따른 PMA 에너지 밀도 (K eff)를 도시한 그래프이다.
도 6을 참조하면, (a) PMgO = 4.39 W/cm2, tMgO = 2.0 nm일 때 비해 MgO의 스퍼터링 전력이 감소하였을 때, (b) PMgO = 1.10 W/cm2, tMgO = 2.0 nm일 때, PMA 에너지 밀도(Keff)가 더욱 향상된 것을 확인할 수 있다. 각각의 경우, 관측된 최대 PMA 에너지 밀도(Keff)값이 1.88 × 107과 1.99 × 107 erg/cm3 으로 기존에 알려진 삼층박막에서 관측된 수치에 비해 월등히 큰 값을 보인다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 터널 절연층의 RF 스퍼터링 전력 및 후속-열처리에 따른 2차 수직 자기 이방성 상수를 나타내는 결과이다.
도 7을 참조하면, MgO 터널 절연층의 RF 스퍼터링 전력이 4.39 W/cm2인 경우, 모든 후속-열처리 온도(섭씨 20도 내지 섭씨 400도)에서 음의 K2값을 보인다.
그러나, MgO 터널 절연층의 RF 스퍼터링 전력이 1.10 W/cm2인 경우, K2는 후속-열처리 온도에 따라 양의 값 또는 음의 값을 보인다.
한편, Pt/Co/Cu 구조의 시료의 경우, 모든 열처리 온도에서 K2값은 다른 시료에 비하여 작고 영에 접근한다. 이는 Pt/Co의 하부 계면 또는 Co/MgO 상부 계면이 MgO 층의 증착 과정에서 영향을 받는 것으로 해석된다.
MgO의 RF 스퍼터링 전력과 무관하게, 열처리 온도가 증가할수록, K2가 음의 값을 가지도록 증가한다. 이러한 특성은 열처리 온도에 따라 Co/MgO 계면에 구조 변화가 있다고 해석된다.
MgO의 RF 스터링 전력을 증가시키거나, 열처리 온도를 증가시키면,
음의 K2는 음의 값을 가진 특성을 얻을 수 있다.
자유 자성층(140)이 이지-콘 상태를 유지하기 위하여, 상기 자유 자성층(140)은 양의 1차 수직자기 이방성 상수(K1eff)와 음의 2차 수직자기 이방성 상수(K2)를 가진다. 특히, 상기 자유 자성층의 2차 수직자기 이방성 상수(K2)가 K2 < -1/2 K1eff 조건을 만족하여야 한다.
PMA가 계면 효과에 기인한 것으로 가정하면, 1차 수직 자기 이방성 상수는 1차 계면 수직자기 이방성 에너지와 탈자화(demagnetization) 에너지의 경쟁관계에 있다. 따라서, 1차 수직 자기 이방성 상수는 자성 박막의 두께에 반비례한다. 따라서, 자성 박막의 두께를 감소시키면, 양의 1차 수직자기 이방성 상수(K1eff)을 얻을 수 있다. 바람직하게는, 상기 자성 박막의 두께는 1.6 nm 이하 일 수 있다.
한편, 2차 수직 자기 이방성 상수는 박막 내의 1차 수직 자기 이방성 에너지의 공간 분포에 의존할 수 있다. 2차 수직자기 이방성 상수(K2)가 K2 < -1/2 K1eff 조건을 만족하면서 음의 값을 갖도록 1) 터널 절연층의 스퍼터링 전력을 조절하거나 2) 후속-열처리 온도를 조절할 수 있다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 차 수직 자기 이방성 상수와 제2 차 수직 자기 이방성 상수로 표시된 위상 다이어그램이다.
도 8을 참조하면, MgO 터널 절연층의 스퍼터링 전력이 4.39 W/cm2인 경우, 제1 차 수직 자기 이방성 상수(K1eff)와 제2 차 수직 자기 이방성 상수(K2)의 좌표로 위상 다이어 그램이 표시된다. 열처리를 하지 않은 증착 상태와 열처리 온도가 섭씨 250도 인 경우에서는(a), 이지-콘 상태에 코발트 자성층의 두께는 발견되지 않는다.
그러나, 열처리 온도가 섭씨 300도 인 경우(c)에는, 코발트 자성층의 두께가 1.56nm인 경우에 이지-콘 상태가 발견된다.
열처리 온도가 섭씨 310도 인 경우에, 코발트 자성층의 두께가 1.58nm인 경우에 이지-콘 상태가 발견된다. 열처리 온도가 섭씨 275도 인 경우에, 코발트 자성층의 두께가 1.56nm인 경우에 이지-콘 상태가 발견된다.
따라서, 이지-콘 상태의 자성층을 위하여, 자유 자성층의 두께는 1.56nm 내지 1.58 nm이고, 열처리 온도는 섭씨 275 내지 섭씨 400도 수준일 수 있다. 열처리 온도가 증가함에 따라, 제2 차 수직 자기 이방성 상수(K2)의 절대값이 증가하므로, 적절한 자유 자성층의 두께를 선택한 후, 열처리 온도를 증가시키어, 이지-콘 상태를 얻을 수 있다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 자기터널 접합 소자의 제조 방법을 설명하는 흐름도이다.
도 9를 참조하면, 자기터널 접합 소자는 중금속층, 상기 중금속층 상에 배치된 자유 자성층, 및 상기 자유 자성층 상에 배치된 터널 절연층을 포함할 수 있다.
자기터널 접합 소자를 제조하기 위한 초기 조건을 설정한다. 상기 초기 조건은 후속 열처리 온도, 터널 절연층의 스퍼터링 전력을 포함할 수 있다. 또한, 상기 초기 조건은 중금속층, 자유 자성층, 및 터널 절연층의 두께 및 물질을 포함할 수 있다.
DC 스퍼터링을 이용하여 순차적으로 상기 시드층, 상기 중금속층, 상기 자유 자성층을 증착하고, RF 스퍼터링을 이용하여 상기 자유 자성층 상에 터널 절연층을 증착하여, 상기 자유 자성층의 두께에 따라 복수의 시료를 제작한다(S110).
이어서, 상기 자유 자성층의 두께에 따른 시료 별로 제1 차 수직 자기 이방성 상수와 제2 차 수직 자기 이방성 상수를 측정하고, 이지-콘(easy-cone) 상태를 만족하는 확인한다(S130, S140).
이어서, 상기 시료들이 이지-콘 상태를 만족하지 않는 경우, 후속 열처리 온도를 증가시키거나 상기 터널 절연층의 RF 스퍼터링을 증가시키어 시료를 다시 준비한다(S160).
상기 시료들이 이지-콘 상태를 만족하는 경우, 조건을 만족하는 자유 자성층의 두께, 후속 열처리 온도, 및 RF 스퍼터링 전력으로 자기터널 접합 소자를 제작한다(S170).
최종적으로 선택된 상기 후속 열처리 온도는 섭씨 275도 내지 400도 일 수 있다. 상기 터널 절연층을 증착하기 위한 RF 스퍼터링의 전력은 1.10 W/cm2 이상일 수 있다. 상기 자유 자성층의 두께는 1.4 nm 내지 1.8 nm일 수 있다. 상기 터널접합 소자는 Pt(5nm)/Co(tco)/MgO(2nm) 구조를 포함할 수 있다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 자기터널 접합 소자를 나타내는 단면도이다.
도 10을 참조하면, 자기터널 접합 소자(100)는 중금속층(130), 상기 중금속층 상에 배치된 자유 자성층(140), 및 상기 자유 자성층 상에 배치된 터널 절연층을 포함할 수 있다. 상기 자기터널 접합 소자는 STT-MRAM을 구성할 수 있다. 상기 중금속층은 백금이고, 상기 자유 자성층은 코발트(Co)이고, 상기 자유 자성층의 자화 상태는 이지-콘(esay-cone) 상태를 가지고, 상기 자유 자성층은 양의 1차 수직자기 이방성 상수 및 음의 2차 수직자기 이방성 상수를 가지고, 상기 터널 절연층은 MgO일 수 있다.
상기 자유 자성층의 두께는 1.4 nm 내지 1.8 nm이고, 상기 자유 자성층의 자화는 증착과 동시에는 면내 방향으로 정렬되고, 상기 자유 자성층의 자화는 열처리에 의하여 이지-콘 상태로 정렬될 수 있다.
상기 중금속층(130)의 하부에는 씨앗층(120)이 배치되고, 상기 씨앗층은 Ta(5nm)일 수 있다. 상기 씨앗층(120)의 하부에는 기판(110)이 배치될 수 있다. 상기 기판은 실리콘 기판일 수 있다.
상기 터널 절연층(150)은 MgO(2 nm)이고, 상기 터널 절연층은 RF 스퍼터링으로 형성될 수 있다.
상기 터널 절연층(150) 상에는 고정 자성층(160)이 배치될 수 있다. 상기 상기 고정 자성층은 수직 자기 이방성을 가지는 수직 자화 상태를 가질 수 있다. 상기 고정 자성층의 재질은 Co, Fe, Ni, 및 이들을 중에서 적어도 하나를 포함하는 합금일 수 있다. 구체적으로, 상기 고정 자성층은 CoFeB일 수 있다.
상기 고정 자성층 상에는 인위적 반강자성층(synthetic antiferromagnet ;SAF, 170)이 배치될 수 있다. 상기 인위적 반강자성층(170)은 상기 고정 자정층의 자화 방향을 고정시킬 수 있다. 인위적 반강자성층(170)은 [Pt/Co]n의 하부 다층 박막(172), Ru 도전성 스페이서층(173), 및 [Pt/Co]n의 상부 다층 박막(174)을 포함할 수 있다.
상기 인위적 반강자성층(170) 상에는 보호층이 배치될 수 있다. 상기 보호층(180)은 Ta일 수 있다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 자기터널 접합 소자를 나타내는 단면도이다.
도 11을 참조하면, 자기터널 접합 소자(200)는 중금속층(130), 상기 중금속층 상에 배치된 자유 자성층(140), 및 상기 자유 자성층 상에 배치된 터널 절연층을 포함할 수 있다. 상기 자기터널 접합 소자(200)는 스핀-토크 진동자(Spin torque oscillator; STO)를 구성할 수 있다.
상기 중금속층(130)은 백금이고, 상기 자유 자성층(140)은 코발트(Co)이고, 상기 자유 자성층(140)의 자화 상태는 이지-콘(esay-cone) 상태를 가지고, 상기 자유 자성층(140)은 양의 1차 수직자기 이방성 상수 및 음의 2차 수직자기 이방성 상수를 가지고, 상기 터널 절연층은 MgO일 수 있다.
상기 자유 자성층의 두께는 1.4 nm 내지 1.8 nm이고, 상기 자유 자성층의 자화는 증착과 동시에는 면내 방향으로 정렬되고, 상기 자유 자성층의 자화는 열처리에 의하여 이지-콘 상태로 정렬될 수 있다.
상기 중금속층(130)의 하부에는 씨앗층(120)이 배치되고, 상기 씨앗층은 Ta(5nm)일 수 있다. 상기 씨앗층(120)의 하부에는 기판(110)이 배치될 수 있다. 상기 기판은 실리콘 기판일 수 있다.
상기 터널 절연층(150)은 MgO(2 nm)이고, 상기 터널 절연층은 RF 스퍼터링으로 형성될 수 있다.
상기 터널 절연층(150) 상에는 고정 자성층(160)이 배치될 수 있다. 상기 상기 고정 자성층(160)은 수직 자기 이방성을 가지는 수직 자화 상태를 가질 수 있다. 상기 고정 자성층(160)의 재질은 Co, Fe, Ni, 및 이들을 중에서 적어도 하나를 포함하는 합금일 수 있다. 구체적으로, 상기 고정 자성층은 Co 또는 CoFeB일 수 있다.
상기 고정 자성층 상에는 보호층(180)이 배치될 수 있다. 상기 보호층은 Ta일 수 있다.
상기 자유 자성층(140)이 수직자기이방성을 가질 때와는 달리 이지-콘 상태인 경우, 외부 자기장이 없어도 자기 발진 (microwave oscillation)이 가능하다. 이지-콘 상태의 경우, 이미 초기 상태에서 특정 극각 (θE)를 갖고 자화가 용하다. 이로 인해, 평형 각도 (θeq = θE)에서 유효 이방성 자기장 (effective anisotropy field, Heff)이 0의 값을 갖기 때문이다.
이상에서는 본 발명을 특정의 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 이러한 실시예에 한정되지 않으며, 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 특허청구범위에서 청구하는 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 실시할 수 있는 다양한 형태의 실시예들을 모두 포함한다.
120: 씨앗층
130: 중금속층
140: 자유 자성층
150: 터널 절연층

Claims (6)

  1. 중금속층, 상기 중금속층 상에 배치된 자유 자성층, 및 상기 자유 자성층 상에 배치된 터널 절연층을 포함하는 자기터널 접합 소자에 있어서,
    상기 중금속층은 백금이고,
    상기 자유 자성층은 코발트(Co)이고,
    상기 자유 자성층의 자화 상태는 콘(cone) 상태를 가지고,
    상기 자유 자성층은 양의 1차 수직자기 이방성 상수 및 음의 2차 수직자기 이방성 상수를 가지고,
    상기 터널 절연층은 MgO이고,
    상기 자유 자성층의 자화는 증착과 동시에는 면내 방향으로 정렬되고,
    상기 자유 자성층의 자화는 열처리에 의하여 이지-콘 상태로 정렬되는 것을 특징으로 하는 자기터널 접합 소자.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 자유 자성층의 두께는 1.4 nm 내지 1.8 nm이고,
    상기 열처리 온도는 섭씨 275도 내지 400도 인 것을 특징으로 하는 자기터널 접합 소자.
  3. 중금속층, 상기 중금속층 상에 배치된 자유 자성층, 및 상기 자유 자성층 상에 배치된 터널 절연층을 포함하는 자기터널 접합 소자의 제조 방법에 있어서,
    DC 스퍼터링을 이용하여 순차적으로 시드층, 상기 중금속층, 상기 자유 자성층을 증착하고, RF 스퍼터링을 이용하여 상기 자유 자성층 상에 터널 절연층을 증착하여, 상기 자유 자성층의 두께에 따라 복수의 시료를 제작하는 단계;
    상기 자유 자성층의 두께에 따른 시료 별로 제1 차 수직 자기 이방성 상수와 제2 차 수직 자기 이방성 상수를 측정하고, 이지-콘(easy-cone) 상태를 만족하는 확인하는 단계; 및
    상기 시료들이 이지-콘 상태를 만족하지 않는 경우, 후속 열처리 온도를 증가시키거나 상기 터널 절연층의 RF 스퍼터링을 증가시키어 시료를 다시 준비하는 단계; 및
    상기 시료들이 이지-콘 상태를 만족하는 경우, 조건을 만족하는 자유 자성층의 두께, 후속 열처리 온도, 및 RF 스퍼터링 전력으로 자기터널 접합 소자를 제작하는 것을 특징으로 하는 자기터널 접합 소자의 제조 방법.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 후속 열처리 온도는 섭씨 275도 내지 400도 인 것을 특징으로 하는 자기터널 접합 소자의 제조 방법.
  5. 제3 항에 있어서,
    상기 터널 절연층을 증착하기 위한 RF 스퍼터링의 전력은 1.10 W/cm2 이상인 것을 특징으로 하는 자기터널 접합 소자의 제조 방법.
  6. 제3 항에 있어서,
    상기 자유 자성층의 두께는 1.4 nm 내지 1.8 nm인 것을 특징으로 하는 자기터널 접합 소자의 제조 방법.
KR1020170078034A 2017-06-20 2017-06-20 이지-콘 상태의 자성층을 구비한 자기터널 접합 소자 KR101897916B1 (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170078034A KR101897916B1 (ko) 2017-06-20 2017-06-20 이지-콘 상태의 자성층을 구비한 자기터널 접합 소자
PCT/KR2018/006893 WO2018236121A1 (ko) 2017-06-20 2018-06-19 이지-콘 상태의 자성층을 구비한 자기터널 접합 소자
CN201880002969.9A CN109564968B (zh) 2017-06-20 2018-06-19 磁性隧道结装置及其制造方法
US16/235,102 US11121306B2 (en) 2017-06-20 2018-12-28 Magnetic tunnel junction device with magnetic layer of easy-cone state

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170078034A KR101897916B1 (ko) 2017-06-20 2017-06-20 이지-콘 상태의 자성층을 구비한 자기터널 접합 소자

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR101897916B1 true KR101897916B1 (ko) 2018-10-31

Family

ID=64099907

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170078034A KR101897916B1 (ko) 2017-06-20 2017-06-20 이지-콘 상태의 자성층을 구비한 자기터널 접합 소자

Country Status (4)

Country Link
US (1) US11121306B2 (ko)
KR (1) KR101897916B1 (ko)
CN (1) CN109564968B (ko)
WO (1) WO2018236121A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200127720A (ko) * 2019-05-03 2020-11-11 고려대학교 산학협력단 이지-콘 상태의 자유층을 가지는 자기 터널 접합 소자

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111243816A (zh) * 2020-01-16 2020-06-05 东华理工大学 磁化材料、制备方法、垂直磁化膜结构、电子自旋器件
US11630168B2 (en) * 2021-02-03 2023-04-18 Allegro Microsystems, Llc Linear sensor with dual spin valve element having reference layers with magnetization directions different from an external magnetic field direction
CN113707804B (zh) * 2021-08-27 2023-12-15 致真存储(北京)科技有限公司 一种自旋轨道矩磁存储器及其制备方法
CN114002252B (zh) * 2021-12-31 2022-04-26 季华实验室 多层薄膜材料的垂直磁各向异性检测方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9245608B2 (en) * 2011-09-22 2016-01-26 Qualcomm Incorporated Thermally tolerant perpendicular magnetic anisotropy coupled elements for spin-transfer torque switching device
US20140001586A1 (en) * 2012-06-28 2014-01-02 Industrial Technology Research Institute Perpendicularly magnetized magnetic tunnel junction device
KR102199622B1 (ko) * 2013-01-11 2021-01-08 삼성전자주식회사 용이 콘 이방성을 가지는 자기 터널 접합 소자들을 제공하는 방법 및 시스템
JP6276588B2 (ja) * 2013-12-27 2018-02-07 三星電子株式会社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 磁気トンネル接合素子
KR101698532B1 (ko) * 2015-03-18 2017-01-20 한양대학교 산학협력단 메모리 소자
WO2016186178A1 (ja) * 2015-05-21 2016-11-24 国立研究開発法人産業技術総合研究所 ノンコリニア磁気抵抗素子
WO2016196157A1 (en) * 2015-06-05 2016-12-08 Allegro Microsystems, Llc Spin valve magnetoresistance element with improved response to magnetic fields
CN105633111B (zh) * 2016-03-08 2018-09-21 华中科技大学 一种电场辅助写入型磁隧道结单元及其写入方法
KR102612437B1 (ko) * 2016-10-31 2023-12-13 삼성전자주식회사 자기 기억 소자
KR101738828B1 (ko) * 2016-12-14 2017-05-22 고려대학교 산학협력단 수직자기이방성을 갖는 합금 박막

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200127720A (ko) * 2019-05-03 2020-11-11 고려대학교 산학협력단 이지-콘 상태의 자유층을 가지는 자기 터널 접합 소자
WO2020226293A1 (ko) * 2019-05-03 2020-11-12 고려대학교 산학협력단 이지-콘 상태의 자유층을 가지는 자기 터널 접합 소자
KR102617267B1 (ko) * 2019-05-03 2023-12-21 고려대학교 산학협력단 이지-콘 상태의 자유층을 가지는 자기 터널 접합 소자

Also Published As

Publication number Publication date
WO2018236121A1 (ko) 2018-12-27
CN109564968A (zh) 2019-04-02
US11121306B2 (en) 2021-09-14
US20190140164A1 (en) 2019-05-09
CN109564968B (zh) 2022-11-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101897916B1 (ko) 이지-콘 상태의 자성층을 구비한 자기터널 접합 소자
US11563170B2 (en) Fully compensated synthetic ferromagnet for spintronics applications
Jeong et al. Termination layer compensated tunnelling magnetoresistance in ferrimagnetic Heusler compounds with high perpendicular magnetic anisotropy
US10878985B2 (en) Spin orbit torque generating materials
Hayakawa et al. Dependence of giant tunnel magnetoresistance of sputtered CoFeB/MgO/CoFeB magnetic tunnel junctions on MgO barrier thickness and annealing temperature
US9705075B2 (en) Cobalt (Co) and platinum (Pt)-based multilayer thin film having inverted structure and method for manufacturing same
Parkin et al. Giant tunnelling magnetoresistance at room temperature with MgO (100) tunnel barriers
Oogane et al. Large tunnel magnetoresistance in magnetic tunnel junctions using Co2MnX (X= Al, Si) Heusler alloys
KR102597922B1 (ko) 스핀 전달 토크의 애플리케이션에 의해 스위칭될 수 있는 호이슬러 화합물의 고도로 텍스처링된 박막 형성용 템플레이팅층
CN105826462B (zh) 用于霍斯勒化合物的织构化膜的底层
WO2015062174A1 (zh) 一种用于温度传感器的纳米磁性多层膜及其制造方法
US10431733B2 (en) Perpendicular magnetic tunnel junction devices with high thermal stability
US10903416B2 (en) Alloy thin films exhibiting perpendicular magnetic anisotropy
CN110970551A (zh) 用于具有体积单轴磁结晶各向异性的磁性层的自旋转移力矩切换的装置和方法
US10858730B2 (en) Multilayer thin films exhibiting perpendicular magnetic anisotropy
US10566522B2 (en) Platinum and cobalt/copper-based multilayer thin film having low saturation magnetization and fabrication method thereof
KR102432900B1 (ko) 수직 자화막 및 이를 포함하는 자기 장치
US9666215B2 (en) Termination layer-compensated tunneling magnetoresistance in ferrimagnetic Heusler compounds with high perpendicular magnetic anisotropy
KR20230118765A (ko) 스핀궤도 토크(spin-orbit torque, SOT) 기반 자기터널 접합 및 이의 제조 방법
KR102323401B1 (ko) 자기 터널 접합 소자, 이를 이용한 자기 메모리 장치 및 그 제조 방법
Sun et al. Buffer-layer dependence of interface magnetic anisotropy in Co 2 Fe 0.4 Mn 0.6 Si Heusler alloy ultrathin films
KR102560822B1 (ko) 스핀궤도 토크(spin-orbit torque, SOT) 기반 자기 터널 접합 및 이의 제조 방법
US20160293836A1 (en) Platinum and cobalt/copper-based multilayer thin film having low saturation magnetization and fabrication method thereof
Hattori et al. Tunnel magnetoresistance effect in magnetic tunnel junctions using a Co2MnSi (110) electrode

Legal Events

Date Code Title Description
GRNT Written decision to grant