JP2871990B2 - 磁気抵抗効果素子薄膜 - Google Patents
磁気抵抗効果素子薄膜Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気センサーや薄膜磁気
ヘッドなどに用いられる磁気抵抗効果素子薄膜に関する
ものである。
ヘッドなどに用いられる磁気抵抗効果素子薄膜に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】強磁性金属層と非強磁性金属層を数オン
グストロームから数十オングストロームの膜厚で交互に
積層させた、いわゆる人工格子薄膜のなかで、Ｆｅ／Ｃ
ｒ人工格子やＣｏ／Ｃｕ人工格子は、大きな磁気抵抗効
果を持つことが近年発見された。例えばＦｅ／Ｃｒ人工
格子膜の磁気抵抗比（磁気抵抗変化率）は室温において
も１０〜２０％程度の値（フィジカルレビューレターズ
（ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｒｅｖｉｅｗ Ｌｅｔｔｅｒ
ｓ）、第６１巻２１号２４７２ページ（１９８８）ある
いは特開平３−１５０８８１号公報）を示し、従来から
知られているパーマロイ薄膜（４〜５％）の磁気抵抗比
を大きく上回っている。
グストロームから数十オングストロームの膜厚で交互に
積層させた、いわゆる人工格子薄膜のなかで、Ｆｅ／Ｃ
ｒ人工格子やＣｏ／Ｃｕ人工格子は、大きな磁気抵抗効
果を持つことが近年発見された。例えばＦｅ／Ｃｒ人工
格子膜の磁気抵抗比（磁気抵抗変化率）は室温において
も１０〜２０％程度の値（フィジカルレビューレターズ
（ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｒｅｖｉｅｗ Ｌｅｔｔｅｒ
ｓ）、第６１巻２１号２４７２ページ（１９８８）ある
いは特開平３−１５０８８１号公報）を示し、従来から
知られているパーマロイ薄膜（４〜５％）の磁気抵抗比
を大きく上回っている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】感度の高い磁気センサ
ーや薄膜磁気ヘッドへの応用を考えると磁気抵抗比は大
きければ大きいほど好ましく、このために様々な強磁性
材料と非磁性材料を組み合わせた人工格子薄膜の研究が
進められている。本発明は従来報告されているよりも大
きな磁気抵抗効果を示す磁気抵抗効果素子薄膜を提供し
ようとするものである。
ーや薄膜磁気ヘッドへの応用を考えると磁気抵抗比は大
きければ大きいほど好ましく、このために様々な強磁性
材料と非磁性材料を組み合わせた人工格子薄膜の研究が
進められている。本発明は従来報告されているよりも大
きな磁気抵抗効果を示す磁気抵抗効果素子薄膜を提供し
ようとするものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、磁性層と非磁
性層を交互に基板に垂直な方向に積層した人工格子構造
を有する磁気抵抗効果素子薄膜において、磁性層が基板
に垂直な方向に磁化容易軸を持つ垂直磁化膜であること
を特徴とする磁気抵抗効果素子薄膜である。基板垂直方
向に磁化容易軸を持つ垂直磁化膜としては、Ｃｏ−Ｃｒ
合金、Ｔｂ−Ｆｅ合金、Ｍｎ−Ｂｉ合金のいずれかであ
ることが望ましい。
性層を交互に基板に垂直な方向に積層した人工格子構造
を有する磁気抵抗効果素子薄膜において、磁性層が基板
に垂直な方向に磁化容易軸を持つ垂直磁化膜であること
を特徴とする磁気抵抗効果素子薄膜である。基板垂直方
向に磁化容易軸を持つ垂直磁化膜としては、Ｃｏ−Ｃｒ
合金、Ｔｂ−Ｆｅ合金、Ｍｎ−Ｂｉ合金のいずれかであ
ることが望ましい。
【０００５】
【作用】Ｆｅ／ＣｒやＣｏ／Ｃｕに代表される磁性層と
非磁性層をオングストロームオーダーの膜厚で交互に積
層した人工格子薄膜では、磁場が０の場合は磁性層の持
つ磁気モーメントが非磁性層を介して反強磁性的に結合
しており、これに磁場をかけると磁気モーメントが強磁
性的に揃うことが知られている。磁性層の磁気モーメン
トが反強磁性的に結合している状態は、磁性層と非磁性
層の界面における電子の散乱が大きくなるために抵抗が
高く、磁気モーメントが強磁性的に揃った状態は電子の
散乱が小さくなるために抵抗が小さくなり、両者の差が
磁気抵抗を与える。Ｆｅ／ＣｒやＣｏ／Ｃｕ等の人工格
子では、磁性層の磁気モーメントは薄膜構造に由来する
形状磁気異方性のために薄膜面内に倒れている。これに
対して本発明の人工格子では、磁性層が基板に垂直な方
向に磁化容易軸を持つ（垂直磁気異方性を有する）垂直
磁化膜であるために、磁場が０の状態であっても磁性層
の磁気モーメントは薄膜面内から立ち上がり、かつ隣り
合う磁性層の磁気モーメントは互いに反強磁性的に結合
している。このような構成にすると、磁場がないときと
磁場をかけ強磁性層の磁気モーメントを揃えたときの、
磁性層と非磁性層界面における電子の散乱能の差が大き
くなるために磁気抵抗変化率が大きくなると考えられ
る。
非磁性層をオングストロームオーダーの膜厚で交互に積
層した人工格子薄膜では、磁場が０の場合は磁性層の持
つ磁気モーメントが非磁性層を介して反強磁性的に結合
しており、これに磁場をかけると磁気モーメントが強磁
性的に揃うことが知られている。磁性層の磁気モーメン
トが反強磁性的に結合している状態は、磁性層と非磁性
層の界面における電子の散乱が大きくなるために抵抗が
高く、磁気モーメントが強磁性的に揃った状態は電子の
散乱が小さくなるために抵抗が小さくなり、両者の差が
磁気抵抗を与える。Ｆｅ／ＣｒやＣｏ／Ｃｕ等の人工格
子では、磁性層の磁気モーメントは薄膜構造に由来する
形状磁気異方性のために薄膜面内に倒れている。これに
対して本発明の人工格子では、磁性層が基板に垂直な方
向に磁化容易軸を持つ（垂直磁気異方性を有する）垂直
磁化膜であるために、磁場が０の状態であっても磁性層
の磁気モーメントは薄膜面内から立ち上がり、かつ隣り
合う磁性層の磁気モーメントは互いに反強磁性的に結合
している。このような構成にすると、磁場がないときと
磁場をかけ強磁性層の磁気モーメントを揃えたときの、
磁性層と非磁性層界面における電子の散乱能の差が大き
くなるために磁気抵抗変化率が大きくなると考えられ
る。
【０００６】
【実施例】以下本発明の実施例について説明する。
【０００７】本発明の磁気抵抗効果素子薄膜は、図１の
断面図に示すように、基板１と、人工格子膜の基板の密
着性あるいは結晶性を改善するためのバッファー層２、
基板に垂直な方向に磁化容易軸を持つ（垂直磁気異方性
を有する）垂直磁化膜層３と非磁性層４とをオングスト
ロームオーダーの膜厚で交互に積層した人工格子膜、お
よび人工格子膜を酸化などの外部環境から守るための保
護膜５から成る。バッファー層２あるいは保護膜５は特
に必要がなければなくてもかまわない。また垂直磁化膜
層３と非磁性層４の積層順は任意である。
断面図に示すように、基板１と、人工格子膜の基板の密
着性あるいは結晶性を改善するためのバッファー層２、
基板に垂直な方向に磁化容易軸を持つ（垂直磁気異方性
を有する）垂直磁化膜層３と非磁性層４とをオングスト
ロームオーダーの膜厚で交互に積層した人工格子膜、お
よび人工格子膜を酸化などの外部環境から守るための保
護膜５から成る。バッファー層２あるいは保護膜５は特
に必要がなければなくてもかまわない。また垂直磁化膜
層３と非磁性層４の積層順は任意である。
【０００８】本発明の実施例にあたっては図２に示した
超高真空電子ビーム蒸着装置ならびに図３に示したイオ
ンビームスパッタ装置を用いて行った。
超高真空電子ビーム蒸着装置ならびに図３に示したイオ
ンビームスパッタ装置を用いて行った。
【０００９】図２の蒸着装置の真空チャンバー内には３
つの電子ビーム蒸着源６ａ、６ｂ、６ｃ、基板をマウン
トした基板ホルダー７、基板加熱用ヒータ８、３つの電
子ビーム蒸着源の蒸着速度をモニターするための水晶振
動子膜厚計９ａ、９ｂ、９ｃ、３つの蒸着源から出た分
子線束の開閉を行うためのシャッター１０ａ、１０ｂ、
１０ｃ、真空ゲージ１１を備え、ゲートバルブ１２をと
おしてイオンポンプ１３により真空排気される。超高真
空を得るためにチャンバーの外周にはヒーターがとりつ
けられ、ベーキングができるようになっている。到達真
空度は３ｘ１０- 1 0 トール、蒸着時の真空度は１０
- 9 トール台であった。
つの電子ビーム蒸着源６ａ、６ｂ、６ｃ、基板をマウン
トした基板ホルダー７、基板加熱用ヒータ８、３つの電
子ビーム蒸着源の蒸着速度をモニターするための水晶振
動子膜厚計９ａ、９ｂ、９ｃ、３つの蒸着源から出た分
子線束の開閉を行うためのシャッター１０ａ、１０ｂ、
１０ｃ、真空ゲージ１１を備え、ゲートバルブ１２をと
おしてイオンポンプ１３により真空排気される。超高真
空を得るためにチャンバーの外周にはヒーターがとりつ
けられ、ベーキングができるようになっている。到達真
空度は３ｘ１０- 1 0 トール、蒸着時の真空度は１０
- 9 トール台であった。
【００１０】図３のイオンビームスパッタ装置は、２つ
のカウフマン型のイオンソース１４ａ、１４ｂ、ターゲ
ット１５ａ、１５ｂ、基板をマウントした基板ホルダー
５、基板加熱ヒータ６、２つのターゲットからスパッタ
された原子のスパッタ速度をモニターするための水晶振
動子膜厚計９ａ、９ｂ、２つのスパッタ源からでた分子
線束の開閉を行うためのシャッター１０ａ、１０ｂ、真
空ゲージ１１、図示していないアルゴンボンベより供給
されるアルゴンガスの流量を制御するためのマスフロー
コントローラ１６ａ、１６ｂを備え、図示してないゲー
トバルブを通してクライオポンプにより真空排気され
る。到達真空度は５ｘ１０- 8 トール、スパッタ時のア
ルゴンガス圧は２ｘ１０- 4 トールであった。
のカウフマン型のイオンソース１４ａ、１４ｂ、ターゲ
ット１５ａ、１５ｂ、基板をマウントした基板ホルダー
５、基板加熱ヒータ６、２つのターゲットからスパッタ
された原子のスパッタ速度をモニターするための水晶振
動子膜厚計９ａ、９ｂ、２つのスパッタ源からでた分子
線束の開閉を行うためのシャッター１０ａ、１０ｂ、真
空ゲージ１１、図示していないアルゴンボンベより供給
されるアルゴンガスの流量を制御するためのマスフロー
コントローラ１６ａ、１６ｂを備え、図示してないゲー
トバルブを通してクライオポンプにより真空排気され
る。到達真空度は５ｘ１０- 8 トール、スパッタ時のア
ルゴンガス圧は２ｘ１０- 4 トールであった。
【００１１】磁気抵抗はフォトリソグラフィーにより作
製したパターンを用い、室温、１０キロエルステッドま
での磁場中で直流４端子法により測定した。端子取り出
しはアルミニウムワイヤを超音波ボンディングにより行
った。磁気抵抗比は、
製したパターンを用い、室温、１０キロエルステッドま
での磁場中で直流４端子法により測定した。端子取り出
しはアルミニウムワイヤを超音波ボンディングにより行
った。磁気抵抗比は、
【００１２】
【数１】
【００１３】で定義するものとする。ここでＲ（Ｈ＝Ｈ
0 ｋＯｅ）は磁場Ｈ0 における薄膜の抵抗を示してい
る。 （実施例１）垂直磁化を有する材料としてコバルト・ク
ロム（Ｃｏ・Ｃｒ）合金、非磁性金属として銅（Ｃｕ）
を用いた実施例について説明する。本実施例においては
Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃｕの純金属を電子ビーム蒸着源に充填
し、コバルト・クロム合金の組成は２つの電子ビーム蒸
着源の蒸着速度を調整して目的の組成（Ｃｒ濃度：２０
原子％）になるようコントロールした。この組成のＣｏ
・Ｃｒ合金薄膜は垂直磁化膜となる。バッファー層、保
護膜としてはともに純Ｃｒを用い、膜厚はそれぞれ１０
０オングストロームとした。Ｃｏ・Ｃｒ合金層の膜厚が
１５オングストロームでＣｕ層の薄膜を変えた人工格子
膜、およびＣｕ層の膜厚が１０オングストロームでＣｏ
・Ｃｒ合金層の膜厚を変えた人工格子膜を超高真空蒸着
法により作製し、磁気抵抗変化率を測定した。結果をそ
れぞれ表１および２に示す。なお基板はガラス、人工周
期の繰り返し数は３０回、蒸着中の基板温度は３０℃で
あった。表１および表２に示すようにいくつかのサンプ
ルにおいて磁気抵抗比が２０％をこえ、最大値は４８％
であった。
0 ｋＯｅ）は磁場Ｈ0 における薄膜の抵抗を示してい
る。 （実施例１）垂直磁化を有する材料としてコバルト・ク
ロム（Ｃｏ・Ｃｒ）合金、非磁性金属として銅（Ｃｕ）
を用いた実施例について説明する。本実施例においては
Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃｕの純金属を電子ビーム蒸着源に充填
し、コバルト・クロム合金の組成は２つの電子ビーム蒸
着源の蒸着速度を調整して目的の組成（Ｃｒ濃度：２０
原子％）になるようコントロールした。この組成のＣｏ
・Ｃｒ合金薄膜は垂直磁化膜となる。バッファー層、保
護膜としてはともに純Ｃｒを用い、膜厚はそれぞれ１０
０オングストロームとした。Ｃｏ・Ｃｒ合金層の膜厚が
１５オングストロームでＣｕ層の薄膜を変えた人工格子
膜、およびＣｕ層の膜厚が１０オングストロームでＣｏ
・Ｃｒ合金層の膜厚を変えた人工格子膜を超高真空蒸着
法により作製し、磁気抵抗変化率を測定した。結果をそ
れぞれ表１および２に示す。なお基板はガラス、人工周
期の繰り返し数は３０回、蒸着中の基板温度は３０℃で
あった。表１および表２に示すようにいくつかのサンプ
ルにおいて磁気抵抗比が２０％をこえ、最大値は４８％
であった。
【００１４】
【表１】
【００１５】
【表２】
【００１６】（実施例２）垂直磁化を有する材料がコバ
ルト・クロム（Ｃｏ・Ｃｒ）合金（Ｃｒ濃度：２０原子
％）で、非磁性金属を変えた実施例について説明する。
本実施例においてはＣｏ、Ｃｒおよび非磁性金属を電子
ビーム蒸着源に充填し、コバルト・クロム合金の組成は
実施例１と同様、２つの電子ビーム蒸着源の蒸着速度を
調整して目的の組成（Ｃｒ濃度：２０原子％）になるよ
うコントロールした。バッファー層、保護膜としてはと
もに純Ｃｒを用い、膜厚はそれぞれ１００オングストロ
ームとした。Ｃｏ・Ｃｒ合金層の膜厚が１５オングスト
ロームで非磁性層の膜厚が９オングストロームの人工格
子膜、ならびにＣｏ・Ｃｒ合金層の膜厚が２オングスト
ロームで非磁性層の膜厚が１０オングストロームの人工
格子膜を超高真空蒸着法により作製し、磁気抵抗変化率
を測定した。非磁性金属を変えたときの磁気抵抗比をそ
れぞれ表３および４に示す。なお基板はシリコン（１０
０）、人工周期の繰り返し数は３０回、蒸着中の基板温
度は３０℃であった。表３および表４に示すように、Ｃ
ｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｐｄ等において磁気抵抗比が２
０％をこえる磁気抵抗効果素子膜が得られた。
ルト・クロム（Ｃｏ・Ｃｒ）合金（Ｃｒ濃度：２０原子
％）で、非磁性金属を変えた実施例について説明する。
本実施例においてはＣｏ、Ｃｒおよび非磁性金属を電子
ビーム蒸着源に充填し、コバルト・クロム合金の組成は
実施例１と同様、２つの電子ビーム蒸着源の蒸着速度を
調整して目的の組成（Ｃｒ濃度：２０原子％）になるよ
うコントロールした。バッファー層、保護膜としてはと
もに純Ｃｒを用い、膜厚はそれぞれ１００オングストロ
ームとした。Ｃｏ・Ｃｒ合金層の膜厚が１５オングスト
ロームで非磁性層の膜厚が９オングストロームの人工格
子膜、ならびにＣｏ・Ｃｒ合金層の膜厚が２オングスト
ロームで非磁性層の膜厚が１０オングストロームの人工
格子膜を超高真空蒸着法により作製し、磁気抵抗変化率
を測定した。非磁性金属を変えたときの磁気抵抗比をそ
れぞれ表３および４に示す。なお基板はシリコン（１０
０）、人工周期の繰り返し数は３０回、蒸着中の基板温
度は３０℃であった。表３および表４に示すように、Ｃ
ｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｐｄ等において磁気抵抗比が２
０％をこえる磁気抵抗効果素子膜が得られた。
【００１７】
【表３】
【００１８】
【表４】
【００１９】（実施例３）非磁性層をＣｕとし、垂直磁
化膜となる材料を変えた実施例について説明する。本実
施例においては、Ｃｕ、垂直磁化膜となる材料、および
バッファー層・保護膜用の金属としてのＣｒを電子ビー
ム蒸着源に充填した。バッファー層ならびに保護膜の膜
厚を１００オングストローム、非磁性金属層のＣｕ層の
膜厚を１５オングストローム、垂直磁化となる強磁性層
の膜厚を９オングストロームとし、その種類を変えた人
工格子を超高真空蒸着法にて作製し、磁気抵抗比を測定
した。結果を表５に示す。なお基板はシリコン（１０
０）、人工周期の繰り返し数は３０回、蒸着中の基板温
度は３０℃であった。また本実施例で用いた強磁性金属
は単層膜としたときに垂直磁化膜となることを確認し
た。比較例として、単層膜では垂直磁化膜にならないＣ
ｏを強磁性層とした場合についても示してある。表中の
合金組成は原子％表示である。表５に示すように強磁性
層として垂直磁化膜を用いると磁気抵抗比が２０％をこ
える磁気抵抗効果薄膜が得られることがわかる。
化膜となる材料を変えた実施例について説明する。本実
施例においては、Ｃｕ、垂直磁化膜となる材料、および
バッファー層・保護膜用の金属としてのＣｒを電子ビー
ム蒸着源に充填した。バッファー層ならびに保護膜の膜
厚を１００オングストローム、非磁性金属層のＣｕ層の
膜厚を１５オングストローム、垂直磁化となる強磁性層
の膜厚を９オングストロームとし、その種類を変えた人
工格子を超高真空蒸着法にて作製し、磁気抵抗比を測定
した。結果を表５に示す。なお基板はシリコン（１０
０）、人工周期の繰り返し数は３０回、蒸着中の基板温
度は３０℃であった。また本実施例で用いた強磁性金属
は単層膜としたときに垂直磁化膜となることを確認し
た。比較例として、単層膜では垂直磁化膜にならないＣ
ｏを強磁性層とした場合についても示してある。表中の
合金組成は原子％表示である。表５に示すように強磁性
層として垂直磁化膜を用いると磁気抵抗比が２０％をこ
える磁気抵抗効果薄膜が得られることがわかる。
【００２０】
【表５】
【００２１】（実施例６）比磁性層をＰｄとし、垂直磁
化膜となる材料を変えた実施例について説明する。本実
施例においては、イオンビームスパッタ装置を用いて磁
気抵抗効果膜を成膜した。Ｐｄならびに垂直磁化膜とな
る合金をターゲットとした。バッファー層と保護膜はＰ
ｄとし、その膜厚は１００オングストロームとした。非
磁性金属層のＰｄ層の膜厚を１０オングストローム、垂
直磁化となる強磁性層の膜厚を２オングストロームと
し、その種類を変えて人工格子を作製し、磁気抵抗比を
測定した。結果を表６に示す。なお基板はシリコン（１
１１）、人工周期の繰り返し数は３０回、蒸着中の基板
温度は３０℃であった。また本実施例で用いた強磁性金
属は単層膜としたときに垂直磁化膜となることを確認し
た。比較例として、単層膜では垂直磁化膜にならないＣ
ｏを強磁性層とした場合についても示してある。表中の
合金組成は原子％表示である。表６に示すように強磁性
層として垂直磁化膜を用いると磁気抵抗比が２０％をこ
える磁気抵抗効果薄膜が得られることがわかる。
化膜となる材料を変えた実施例について説明する。本実
施例においては、イオンビームスパッタ装置を用いて磁
気抵抗効果膜を成膜した。Ｐｄならびに垂直磁化膜とな
る合金をターゲットとした。バッファー層と保護膜はＰ
ｄとし、その膜厚は１００オングストロームとした。非
磁性金属層のＰｄ層の膜厚を１０オングストローム、垂
直磁化となる強磁性層の膜厚を２オングストロームと
し、その種類を変えて人工格子を作製し、磁気抵抗比を
測定した。結果を表６に示す。なお基板はシリコン（１
１１）、人工周期の繰り返し数は３０回、蒸着中の基板
温度は３０℃であった。また本実施例で用いた強磁性金
属は単層膜としたときに垂直磁化膜となることを確認し
た。比較例として、単層膜では垂直磁化膜にならないＣ
ｏを強磁性層とした場合についても示してある。表中の
合金組成は原子％表示である。表６に示すように強磁性
層として垂直磁化膜を用いると磁気抵抗比が２０％をこ
える磁気抵抗効果薄膜が得られることがわかる。
【００２２】
【表６】
【００２３】
【発明の効果】以上実施例を用いて説明したように本発
明によれば、室温における磁気抵抗変化率が２０％を越
えるような磁気抵抗効果素子薄膜を得ることができる。
この磁気抵抗効果素子薄膜は磁気抵抗変化率が大きいた
めに高感度の磁気センサーや薄膜磁気ヘッドとして用い
ることができる。
明によれば、室温における磁気抵抗変化率が２０％を越
えるような磁気抵抗効果素子薄膜を得ることができる。
この磁気抵抗効果素子薄膜は磁気抵抗変化率が大きいた
めに高感度の磁気センサーや薄膜磁気ヘッドとして用い
ることができる。
【図１】本発明の磁気抵抗効果素子薄膜の構造を示す断
面模式図である。
面模式図である。
【図２】本発明の実施例で用いた超高真空蒸着装置の概
略図である。
略図である。
【図３】本発明の実施例で用いたイオンビームスパッタ
装置の概略図である。
装置の概略図である。
１ 基板 ２ バッファー層 ３ 垂直磁化膜層 ４ 非磁性層 ５ 保護膜 ６ａ、６ｂ、６ｃ 電子ビーム蒸着源 ７ 基板ホルダー ８ 基板加熱ヒーター ９ａ、９ｂ、９ｃ 膜厚計 １０ａ、１０ｂ、１０ｃ シャッター １１ 真空ゲージ １２ ゲートバルブ １３ イオンポンプ １４ａ、１４ｂ イオンソース １５ａ、１５ｂ ターゲット １６ａ、１６ｂ マスフローコントローラ
Claims (2)
- 【請求項１】磁性層と非磁性層を交互に基板に垂直な方
向に積層した人工格子構造を有する磁気抵抗効果素子薄
膜において、磁性膜が基板に垂直な方向に磁化容易軸を
持つ垂直磁化膜であることを特徴とする磁気抵抗効果素
子薄膜。 - 【請求項２】 前記磁性膜が Ｃｏ−Ｃｒ合金、Ｔｂ−Ｆ
ｅ合金、Ｍｎ−Ｂｉ合金のいずれかよりなることを特徴
とする請求項１記載の磁気抵抗効果素子薄膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5026379A JP2871990B2 (ja) | 1993-02-16 | 1993-02-16 | 磁気抵抗効果素子薄膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5026379A JP2871990B2 (ja) | 1993-02-16 | 1993-02-16 | 磁気抵抗効果素子薄膜 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06244476A JPH06244476A (ja) | 1994-09-02 |
| JP2871990B2 true JP2871990B2 (ja) | 1999-03-17 |
Family
ID=12191893
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5026379A Expired - Fee Related JP2871990B2 (ja) | 1993-02-16 | 1993-02-16 | 磁気抵抗効果素子薄膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2871990B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6280813B1 (en) * | 1999-10-08 | 2001-08-28 | International Business Machines Corporation | Magnetic recording media with antiferromagnetically coupled ferromagnetic films as the recording layer |
| CN111337865B (zh) * | 2020-04-07 | 2020-11-10 | 上海交通大学 | 基于非易失调谐的低频感应式磁传感器 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58135432A (ja) * | 1982-02-05 | 1983-08-12 | Anelva Corp | 圧力センサ |
| JPH0223681A (ja) * | 1988-07-12 | 1990-01-25 | Nec Corp | 磁気抵抗効果素子 |
| JP2957235B2 (ja) * | 1990-06-18 | 1999-10-04 | ティーディーケイ株式会社 | 磁性多層膜 |
| MY108176A (en) * | 1991-02-08 | 1996-08-30 | Hitachi Global Storage Tech Netherlands B V | Magnetoresistive sensor based on oscillations in the magnetoresistance |
| JP3171453B2 (ja) * | 1991-03-29 | 2001-05-28 | 株式会社東芝 | 磁気抵抗効果素子 |
| JP2610376B2 (ja) * | 1991-03-29 | 1997-05-14 | 株式会社東芝 | 磁気抵抗効果素子 |
-
1993
- 1993-02-16 JP JP5026379A patent/JP2871990B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06244476A (ja) | 1994-09-02 |
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