JPH04270248A

JPH04270248A - ベンジルフェニルケトン誘導体

Info

Publication number: JPH04270248A
Application number: JP41682690A
Authority: JP
Inventors: Kazuhiro Takagi; 高木　和裕; Masahiro Yasueda; 安枝　正博; Hiroshi Hamaguchi; 浜口　洋
Original assignee: Nihon Nohyaku Co Ltd
Current assignee: Nihon Nohyaku Co Ltd
Priority date: 1990-12-29
Filing date: 1990-12-29
Publication date: 1992-09-25
Anticipated expiration: 2015-01-24
Also published as: JP3002791B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】【産業上の利用分野】

【０００１】本発明の一般式（Ｉ）で表されるベンジル
フェニルケトン誘導体は各種化学品、医薬、農薬等の中
間体として有用な化合物である。

【従来技術】

【０００２】ベンジルフェニルケトン類の代表的な製造
方法としては、例えばフリ−デルクラフツ法（　Ａｎｎ
．　Ｃｈｅｍ．，　４７９，４２（１９３０），　Ｊ．
Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，５５，１０７３（１９３３
），　Ｊ．Ｃ．Ｓ．，１９３８，１４０２．），グリニ
ア−ル法（Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，５５，７０
３（１９３０），　同５４，３４５（１９３２）等があ
るが、これらの製造方法ではＸ、Ｙ及びＺ等の置換基の
種類及び置換位置により製造困難な化合物もある。

【０００３】又、Ｊ．Ｏｒｇ，Ｃｈｅｍ．，４３，３８
１７（１９７８）及びＵＳＰ　３，６００，３９４　号
には本発明の製造方法と類似の方法が開示されているが
、これらの方法では特定の置換基のみであり、使用する
塩基の量が多く、更に改良が求められている。

【発明の構成】

【０００４】本発明は一般式（Ｉ）（式中、Ｘは同一又は異なっても良く、水素原子、ハロ
ゲン原子、低級アルキル基、低級ハロアルキル基、シア
ノ基、低級アルコキシ基、低級ハロアルコキシ基、低級
アルコキシアルキル基、フェノキシ基、メチレンジオキ
シ基、ジオキソラン基、同一又は異なっても良い低級ア
ルキル基から選択される１〜２個の置換基を有しても良
いアミノ基を示し、ｍは１〜５の整数を示し、Ｙは同一
又は異なっても良く、水素原子、水酸基、ハロゲン原子
、シアノ基、ニトロ基、低級アルキル基、低級アルコキ
シ基、低級ハロアルコキシ基、低級アルケニルオキシ基
、低級アルコキシカルボニル基、低級アルキルスルホニ
ルオキシ基、低級アルキルチオ基、低級アルキルスルフ
ィニル基、低級アルキルスルホニル基、低級ハロアルキ
ルチオ基、低級ハロアルキルスルフィニル基、低級ハロ
アルキルスルホニル基、アミノ基、低級アルキルカルボ
ニルアミノ基、低級アルキルスルホニルアミノ基又は同
一又は異なっても良い低級アルキル基から選択される１
〜２個の置換基により置換されても良いアミノカルボニ
ル基を示し、ｎは１〜４の整数を示し、Ｚはシアノ基、
低級アルコキシカルボニル基又は同一又は異なっても良
い低級アルキル基から選択される１〜２個の置換基によ
り置換されても良いアミノスルホニル基を示す。但し、
Ｙが４−シアノ基でＺが水素原子を示す場合、Ｘは水素
原子、４−塩素原子又は４−シアノ基を示すことはない
。）で表されるベンジルフェニルケトン誘導体及びこれ
らの化合物を含む一般式（Ｉ）で表される一部公知の化
合物を含むベンジルフェニルケトン誘導体の製造方法に
関するものである。

【０００５】本発明の一般式（Ｉ）で表されるベンジル
フェニルケトン誘導体の製造方法を図示すると、例えば
下記に示すことができる。（式中、Ｘ、Ｙ、Ｚ、Ｒ、ｍ及びｎは前記に同じ。）

【
０００６】即ち、一般式（ＩＩＩ）　で表される安息香
酸類と一般式（ＩＩ）で表されるトルエン類とを、一般
式（ＩＩＩ）　で表される安息香酸類に対して１〜２倍
モルの塩基の存在下にジメチルホルムアミド、ジメチル
アセトアミド、ジメチルスルホキシド及びスルホランか
ら選択される１種以上の非プロトン性極性溶媒中で反応
させることにより製造することができる。

【０００７】本反応で使用する非プロトン性極性溶媒と
してはジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、
ジメチルスルホキシド及びスルホランから選択される１
種以上の非プロトン性極性溶媒を使用することができる
。

【０００８】本反応で使用できる塩基としては無機又は
有機塩基を使用することができ、例えばナトリウム、カ
リウム等のアルカリ金属類若しくはカルシウム、マグネ
シウム等のアルカリ土類金属類の水酸化物若しくは炭酸
塩、水素化ナトリウム、水素化リチウム等のアルカリ金
属水素化物類等の無機塩基、トリエチルアミン、ＤＢＵ
（ジアザビシクロウンデセン）、ＤＡＢＣＯ（ジアザビ
シクロオクタン）等のアミン類、ナトリウムアミド、Ｌ
ＤＡ（リチウムジイソプロピルアミド）等のアルカリ金
属アミド類、ナトリウムメトキシド、カリウム−ｔ−ブ
トキシド等のアルカリ金属アルコキシド類等の有機塩基
を使用することができ、好ましくは水素化ナトリウム、
水素化リチウム等のアルカリ金属水素化物類、ナトリウ
ムメトキシド、カリウム−ｔ−ブトキシド等のアルカリ
金属アルコキシド類を使用するのが良い。

【０００９】塩基の使用量は一般式（ＩＩＩ）　で表さ
れる安息香酸類に対して１〜２倍モルの範囲から適宜選
択して使用すれば良い。本反応は等モル反応であるので
、各反応剤を等モル使用すれば良いが、一方を過剰に使
用することもできる。反応温度は０℃乃至使用する有機
溶媒の沸点域の範囲から選択すれば良く、好ましくは室
温乃至５０℃の範囲が良い。反応時間は反応規模、反応
温度等により一定しないが、数分乃至４８時間の範囲か
ら選択すれば良い。

【００１０】反応終了後、目的物を含む反応系から常法
により単離し、必要に応じて蒸留法、再結晶法等により
生成することにより目的物を製造することができる。

【００１１】以下に本発明の一般式（Ｉ）で表されるベ
ンジルフェニルケトン誘導体の代表例を表１に示す。一般式（Ｉ）

【００１２】注：　　ｓ：　　一　　　ｂｓ：　　幅広
い一重線。　　ｄ：　　二重線。　　ｂｄ：　　　幅広
い二重線。ｔ：　　三重線。　　　　ｑ：四重線。　　
ｓｅｐｔｅｔ：　七重線。ｍ：　　複雑な分裂線。

【００１３】以下に本発明の代表的な実施例を示すが、
本発明はこれらに限定されるものではない。実施例１　　３−シアノベンジルフェニルケトンの製造
（化合物Ｎｏ．　１）６．８ｇ（１７０ミリモル）の６０％油性水素化ナトリ
ウムを５０ｍｌのジメチルホルムアミドに懸濁させ、室
温で攪拌下に１０．８ｇ（８６ミリモル）の安息香酸メ
チル及び１０．０ｇ（８６ミリモル）のｍ−トルニトリ
ルの混合物を滴下し、室温下に３０分、更に５０℃に加
熱下で６時間反応を行った。反応終了後、反応液を氷水
に注ぎ、３６％塩酸で中和して、析出した目的物を結晶
として８．３ｇ得た。物性．ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３／ＴＭＳ．　δ値，　ｐｐｍ
．）４．３５（ｓ，２Ｈ），　７．４１−７．６６（ｍ
，６Ｈ），　７．９８−８．１７（ｍ，３Ｈ）．収率．
　４６％．

【００１４】実施例２　　４−シアノベンジルフェニル
ケトンの製造（化合物Ｎｏ．　２）１４．０ｇ（３４０ミリモル）の６０％油性水素化ナト
リウムを５０ｍｌのジメチルホルムアミドに懸濁させ、
室温で攪拌下に２１．５ｇ（１７１ミリモル）の安息香
酸メチル及び２０．０ｇ（１７１ミリモル）のｐ−トル
ニトリルの混合物を滴下し、室温下に３０分、更に５０
℃に加熱下で３時間反応を行った。反応終了後、反応液
を氷水に注ぎ、３６％塩酸で中和して、析出した目的物
を結晶として２８．０ｇ得た。物性．ｍｐ．（融点）１１４℃．ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３／ＴＭＳ．　δ値，　ｐｐｍ．）４
．３４（ｓ，２Ｈ），　７．３３−７．６７（ｍ，７Ｈ
），　７．９５−８．０５（ｍ，２Ｈ）．収率．　７８
％．

【００１５】実施例３　　３−クロロフェニル（４−シ
アノベンジル）ケトンの製造（化合物Ｎｏ．　４）３−
１．１６．２ｇ（４０５ミリモル）の６０％油性水素化
ナトリウムを３００ｍｌのジメチルホルムアミドに懸濁
させ、室温で攪拌下に４６．２ｇ（１７１ミリモル）の
ｍ−クロロ安息香酸メチル及び３１．７ｇ（２７１ミリ
モル）のｐ−トルニトリルの混合物を滴下し、室温下に
３０分、更に４０℃に加熱下で６時間反応を行った。反応終了後、反応液を氷水に注ぎ、３６％塩酸で中和し
て、析出した目的物を結晶として５９．７ｇ得た。物性．ｍｐ．　１１６℃．ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３／ＴＭＳ．　δ値，　ｐｐｍ．）４
．３７（ｓ，２Ｈ），　７．２０−７．４３（ｍ，４Ｈ
），７．５０−７．６７（ｍ，３Ｈ），　７．８２−７
．８６（ｍ，１Ｈ）．収率．　８６％．

【００１６】３−２．０．８０ｇ（７．１ミリモル）のカリウム−ｔ−ブトキ
シドを２０ｍｌのジメチルホルムアミドに溶解し、１．
０ｇ（５．９ミリモル）のｍ−クロロ安息香酸メチル及
び５ｍｌジメチルホルムアミドに溶解した０．７０ｇ（
５．９ミリモル）のｐ−トルニトリルの溶液を室温下に
攪拌しながら滴下し、滴下終了後、更に室温下で３時間
反応を行った。反応終了後、反応液を氷水中に注ぎ１８
％塩酸で中和し、析出した目的物を濾集し、乾燥させる
ことにより目的物を結晶として１．２ｇ得た。物性．ｍｐ．１１３℃．ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３／ＴＭＳ．　δ値，　ｐｐｍ．）４
．３７（ｓ，２Ｈ），　７．２０−７．４３（ｍ，４Ｈ
），　７．５０−７．６７（ｍ，３Ｈ），　７．８２−
７．８６（ｍ，１Ｈ）．収率．　７９％．

【００１７】実施例４　　４−シアノベンジル（２，５
−ジクロロフェニル）ケトンの製造（化合物Ｎｏ．　２
７）６．６ｇ（１６０ミリモル）の６０％油性水素化ナ
トリウムを２００ｍｌのジメチルホルムアミドに懸濁さ
せ、室温で攪拌下に１９．１ｇ（８２ミリモル）の２、
５−ジクロロ安息香酸イソプロピル及び９．６ｇ（８２
ミリモル）のｐ−トルニトリルの混合物を滴下し、室温
下に３０分、更に６０℃に加熱下で６時間反応を行った
。反応終了後、反応液を氷水に注ぎ、３６％塩酸で中和
して、析出した目的物を結晶として２１．２ｇ得た。物性．ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３／ＴＭＳ．　δ値，　ｐｐｍ
．）４．３１（ｓ，２Ｈ），　７．３３−７．４２（ｍ
，５Ｈ），　７．６０−７．６４（ｍ，２Ｈ）．収率．
　８９％．

【００１８】実施例５　　３−クロロ−４−シアノベン
ジル（３−クロロフェニル）ケトンの製造（化合物Ｎｏ
．　７）２．７ｇ（６８ミリモル）の６０％油性水素化ナトリウ
ムを１００ｍｌのジメチルホルムアミドに懸濁させ、室
温で攪拌下に２．９ｇ（１７ミリモル）のｍ−クロロ安
息香酸メチル及び２．５ｇ（１７ミリモル）の２─クロ
ロ−４−メチルベンゾニトリルの混合物を滴下し、室温
下に３０分、更に４０℃に加熱下で３時間反応を行った
。反応終了後、反応液を氷水に注ぎ、３６％塩酸で中和し
て、析出した目的物を結晶として４．４ｇ得た。物性．ｍｐ．１１６℃ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３／ＴＭＳ．　δ値，　ｐｐｍ．）４
．３３（ｓ，２Ｈ），　７．２３−７．２９（ｍ，１Ｈ
），　７．４１−７．６８（ｍ，４Ｈ），　７．８４−
７．９８（ｍ，２Ｈ）．収率．　８９％．

【００１９】実施例６　　４−〔２−（３−クロロフェ
ニル）−２−オキソエチル〕安息香酸メチルの製造（化
合物Ｎｏ．　５）２．３ｇ（５８ミリモル）の６０％油性水素化ナトリウ
ムを４０ｍｌのジメチルホルムアミドに懸濁させ、４０
℃で攪拌下に５．０ｇ（２９ミリモル）のｍ−クロロ安
息酸メチル及び４．４ｇ（２９ミリモル）のｐ−トルイ
ル酸メチルの混合物を滴下し、滴下後４０℃で４時間反
応を行った。反応終了後、反応液を氷水に注ぎ、１８％
塩酸で中和して、析出した目的物を結晶として７．３ｇ
得た。物性．ｍｐ．７７℃ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３／ＴＭＳ．　δ値，　ｐｐｍ．）３
．９０（ｓ，３Ｈ），　４．３２（ｓ，２Ｈ），　７．
３０−７．５６（ｍ，４Ｈ），　７．８４−８．０３（
ｍ，４Ｈ）．収率．　８７％．

【００２０】実施例７　　４−シアノベンジル（３−ト
リフルオロメチルフェニル）ケトンの製造（化合物Ｎｏ
．　２１）５．４ｇ（１３５ミリモル）の６０％油性水素化ナトリ
ウムを１００ｍｌのジメチルホルムアミドに懸濁させ、
室温で攪拌下に２０．８ｇ（１０２ミリモル）のｍ−ト
リフルオロメチル安息酸メチル及び１１．９ｇ（１０２
ミリモル）のｐ−トルニトリルの混合物を滴下し、室温
下に３０分、更に６０℃の加熱下で４時間反応を行った
。反応終了後、反応液を氷水に注ぎ、３６％塩酸で中和し
て、析出した目的物を結晶として２２．２ｇ得た。物性．ｍｐ．４５℃ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３／ＴＭＳ．　δ値，　ｐｐｍ．）４
．４１（ｓ，２Ｈ），　７．３３−７．４３（ｍ，２Ｈ
），　７．６１−７．６９（ｍ，３Ｈ），　７．８６（
ｂｄ，１Ｈ），８．１９（ｂｄ，１Ｈ），　８．２５（ｂｓ，１Ｈ）．
収率．　７５％．

【００２１】実施例８　　４−シアノベンジル（３−フ
ルオロフェニル）ケトンの製造（化合物Ｎｏ．　７）１
．５ｇ（３８ミリモル）の６０％油性水素化ナトリウム
を５０ｍｌのジメチルスルホキシドに懸濁させ、室温で
攪拌下に３．０ｇ（１９ミリモル）のｍ−クロロ安息香
酸メチル及び２．２ｇ（１９ミリモル）のｐ−トルニト
リルの混合物を滴下し、室温下で３．５時間反応を行っ
た。反応終了後、反応液を氷水に注ぎ、３６％塩酸で中
和して、析出した目的物を結晶として３．０ｇ得た。物性．ｍｐ．１１３℃ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３／ＴＭＳ．　δ値，　ｐｐｍ．）４
．３２（ｓ，２Ｈ），　７．２３−７．７９（ｍ，８Ｈ
）．収率．　６６％．

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】一般式（Ｉ）（式中、Ｘは同一又は異なっても良く、水素原子、ハロ
ゲン原子、低級アルキル基、低級ハロアルキル基、シア
ノ基、低級アルコキシ基、低級ハロアルコキシ基、低級
アルコキシアルキル基、フェノキシ基、メチレンジオキ
シ基、ジオキソラン基、同一又は異なっても良い低級ア
ルキル基から選択される１〜２個の置換基を有しても良
いアミノ基を示し、ｍは１〜５の整数を示し、Ｙは同一
又は異なっても良く、水素原子、水酸基、ハロゲン原子
、シアノ基、ニトロ基、低級アルキル基、低級アルコキ
シ基、低級ハロアルコキシ基、低級アルケニルオキシ基
、低級アルコキシカルボニル基、低級アルキルスルホニ
ルオキシ基、低級アルキルチオ基、低級アルキルスルフ
ィニル基、低級アルキルスルホニル基、低級ハロアルキ
ルチオ基、低級ハロアルキルスルフィニル基、低級ハロ
アルキルスルホニル基、アミノ基、低級アルキルカルボ
ニルアミノ基、低級アルキルスルホニルアミノ基又は同
一又は異なっても良い低級アルキル基から選択される１
〜２個の置換基により置換されても良いアミノカルボニ
ル基を示し、ｎは１〜４の整数を示し、Ｚはシアノ基、
低級アルコキシカルボニル基又は同一又は異なっても良
い低級アルキル基から選択される１〜２個の置換基によ
り置換されても良いアミノスルホニル基を示す。但し、
Ｙが４−シアノ基及びＺが水素原子を同時に示す場合、
Ｘは水素原子、４−塩素原子又は４−シアノ基を示すこ
とはない。）で表されるベンジルフェニルケトン誘導体
。
【請求項２】一般式（ＩＩＩ）（式中、Ｘは同一又は異なっても良く、水素原子、ハロ
ゲン原子、低級アルキル基、低級ハロアルキル基、シア
ノ基、低級アルコキシ基、低級ハロアルコキシ基、低級
アルコキシアルキル基、フェノキシ基、メチレンジオキ
シ基、ジオキソラン基、同一又は異なっても良い低級ア
ルキル基から選択される１〜２個の置換基を有しても良
いアミノ基を示し、Ｒは低級アルキル基を示し、ｍは１
〜５の整数を示す。）で表される安息香酸類と一般式（
ＩＩ）（式中、Ｙは同一又は異なっても良く、水素原子、水酸
基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、低級アルキル
基、低級アルコキシ基、低級ハロアルコキシ基、低級ア
ルケニルオキシ基、低級アルコキシカルボニル基、低級
アルキルスルホニルオキシ基、低級アルキルチオ基、低
級アルキルスルフィニル基、低級アルキルスルホニル基
、低級ハロアルキルチオ基、低級ハロアルキルスルフィ
ニル基、低級ハロアルキルスルホニル基、アミノ基、低
級アルキルカルボニルアミノ基、低級アルキルスルホニ
ルアミノ基又は同一又は異なっても良い低級アルキル基
から選択される１〜２個の置換基により置換されても良
いアミノカルボニル基を示し、ｎは１〜４の整数を示し
、Ｚはシアノ基、低級アルコキシカルボニル基又は同一
又は異なっても良い低級アルキル基から選択される１〜
２個の置換基により置換されても良いアミノスルホニル
基を示す。）で表されるトルエン類とを、一般式（ＩＩ
Ｉ）　で表される安息香酸類に対して１〜２倍モルの塩
基の存在下にジメチルホルムアミド、ジメチルアセトア
ミド、ジメチルスルホキシド及びスルホランから選択さ
れる１種以上の非プロトン性極性溶媒中で反応させるこ
とを特徴とする一般式（Ｉ）（式中、Ｘ、Ｙ、Ｚ、ｍ及びｎは前記に同じ。）で表さ
れるベンジルフェニルケトン誘導体の製造方法。
【請求項３】有機塩基が水素化ナトリウム、カリウム−
ｔ−ブトキシドである請求項第２項記載のベンジルフェ
ニルケトン誘導体の製造方法。