JPH04267331A - 銅薄膜の形成方法 - Google Patents
銅薄膜の形成方法Info
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
［発明の目的］
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造方法に
係わり、特に銅薄膜を選択的に形成する方法に関する。
係わり、特に銅薄膜を選択的に形成する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体装置の高集積化に伴い、配
線の微細化および多層化が進んできている。配線材料と
しては２．７５μΩ・ｃｍという低い比抵抗を有するア
ルミニウムを主成分とするアルミニウム合金がよく用い
られてきた。しかしながら、このアルミニウム合金から
なる配線にあっては、配線の微細化に伴う電流密度の増
加によってエレクトロマイグレーションが発生し、これ
により配線が断線するという問題が深刻となってきた。 また、配線に加わる熱ストレスによってストレスマイグ
レーションが生じ、これによっても断線不良の問題が生
じている。そこで、アルミニウムより低い比抵抗を有し
、かつアルミニウムより高い融点であり、さらに耐エレ
クトロマイグレーション及び耐ストレスマイグレーショ
ンに優れた銅、或いは銅を主成分とする配線が検討され
始めている。
線の微細化および多層化が進んできている。配線材料と
しては２．７５μΩ・ｃｍという低い比抵抗を有するア
ルミニウムを主成分とするアルミニウム合金がよく用い
られてきた。しかしながら、このアルミニウム合金から
なる配線にあっては、配線の微細化に伴う電流密度の増
加によってエレクトロマイグレーションが発生し、これ
により配線が断線するという問題が深刻となってきた。 また、配線に加わる熱ストレスによってストレスマイグ
レーションが生じ、これによっても断線不良の問題が生
じている。そこで、アルミニウムより低い比抵抗を有し
、かつアルミニウムより高い融点であり、さらに耐エレ
クトロマイグレーション及び耐ストレスマイグレーショ
ンに優れた銅、或いは銅を主成分とする配線が検討され
始めている。
【０００３】この銅等の配線の形成は、従来から行われ
ているアルミニウム膜の形成と同様にスパッタ法を用い
た成膜法により行われてきた。しかしながら、このスパ
ッタ法では本質的に段差被覆性が悪いため、配線の微細
化および多層化がますます進んできた現状では、配線の
断線が生じ易くなり、このため半導体装置の信頼性が低
下するという問題があった。
ているアルミニウム膜の形成と同様にスパッタ法を用い
た成膜法により行われてきた。しかしながら、このスパ
ッタ法では本質的に段差被覆性が悪いため、配線の微細
化および多層化がますます進んできた現状では、配線の
断線が生じ易くなり、このため半導体装置の信頼性が低
下するという問題があった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このように従来のスパ
ッタ法を用いた銅薄膜の形成方法は、微細な段差部にお
いて被覆性良く薄膜形成することができず、このため、
形成された薄膜から製造される銅配線に断線不良などが
生じ配線の信頼性が低下するといった問題を抱えていた
。本発明は上記実情を鑑みてなされたもので、その目的
は銅薄膜を良好にかつ下地材料によって選択的に形成す
る銅薄膜の形成方法を提供することである。［発明の構
成］
ッタ法を用いた銅薄膜の形成方法は、微細な段差部にお
いて被覆性良く薄膜形成することができず、このため、
形成された薄膜から製造される銅配線に断線不良などが
生じ配線の信頼性が低下するといった問題を抱えていた
。本発明は上記実情を鑑みてなされたもので、その目的
は銅薄膜を良好にかつ下地材料によって選択的に形成す
る銅薄膜の形成方法を提供することである。［発明の構
成］
【０００５】
【課題を解決するための手段】前述した問題を解決する
ため、本発明は、表面部が異なる材料層から構成された
試料にシクロペンタジエニル系銅化合物を導入し、この
銅化合物を加熱により分解することにより、前記材料層
のうちの少なくとも１つの表面に銅薄膜を選択的に形成
することを特徴とする銅薄膜の形成方法を提供する。
ため、本発明は、表面部が異なる材料層から構成された
試料にシクロペンタジエニル系銅化合物を導入し、この
銅化合物を加熱により分解することにより、前記材料層
のうちの少なくとも１つの表面に銅薄膜を選択的に形成
することを特徴とする銅薄膜の形成方法を提供する。
【０００６】
【作用】本発明による銅薄膜の形成方法であれば、表面
部が異なる材料層から構成された試料にシクロペンタジ
エニル系銅化合物を導入し、この銅化合物を分解するこ
とにより、前記材料層のうち少なくとも１つの表面に銅
薄膜を選択的に形成することができる。
部が異なる材料層から構成された試料にシクロペンタジ
エニル系銅化合物を導入し、この銅化合物を分解するこ
とにより、前記材料層のうち少なくとも１つの表面に銅
薄膜を選択的に形成することができる。
【０００７】この薄膜形成反応で用いられるシクロペン
タジエニル系銅化合物は粉末状の固体であり、例えば加
熱することにより昇華し、さらに加熱（例えば３００℃
〜４００℃程度）すると分解する。従って、例えば、上
記したシクロペンタジエニル系銅化合物を気体状態で導
入する場合、該銅化合物を昇華させて行えばよい。
タジエニル系銅化合物は粉末状の固体であり、例えば加
熱することにより昇華し、さらに加熱（例えば３００℃
〜４００℃程度）すると分解する。従って、例えば、上
記したシクロペンタジエニル系銅化合物を気体状態で導
入する場合、該銅化合物を昇華させて行えばよい。
【０００８】また、前述したように上記銅化合物は加熱
により分解する性質があるので、例えば加熱した試料基
板上において該化合物の分解を行えばよい。この場合、
このシクロペンタジエニル系銅化合物は試料基板表面に
吸着し、この表面部分で分解することにより銅薄膜が形
成される。ここでの反応は表面吸着過程が律速となって
いるため、微細な段差溝でも良好な被覆性を示す。
により分解する性質があるので、例えば加熱した試料基
板上において該化合物の分解を行えばよい。この場合、
このシクロペンタジエニル系銅化合物は試料基板表面に
吸着し、この表面部分で分解することにより銅薄膜が形
成される。ここでの反応は表面吸着過程が律速となって
いるため、微細な段差溝でも良好な被覆性を示す。
【０００９】さらに、前記銅化合物の表面吸着力は試料
表面の材料の種類、即ち表面の性質により大きく異なる
。例えば、極性を有する絶縁層、ｎ型導電層、金属層で
は大きく、ｐ型導電層、非極性絶縁層では小さい。前述
したようにシクロペンタジエニル系銅化合物の分解反応
は表面吸着過程が律速となっているので、表面吸着力の
大きな上記材料層では銅薄膜が形成され、これと反対に
表面吸着力の小さな上記材料層では銅薄膜が形成されな
いと思われる。以上のことから、銅薄膜の選択形成を良
好に行うことができ、この結果形成された薄膜から、信
頼性の良い銅配線を製造することが可能となる。
表面の材料の種類、即ち表面の性質により大きく異なる
。例えば、極性を有する絶縁層、ｎ型導電層、金属層で
は大きく、ｐ型導電層、非極性絶縁層では小さい。前述
したようにシクロペンタジエニル系銅化合物の分解反応
は表面吸着過程が律速となっているので、表面吸着力の
大きな上記材料層では銅薄膜が形成され、これと反対に
表面吸着力の小さな上記材料層では銅薄膜が形成されな
いと思われる。以上のことから、銅薄膜の選択形成を良
好に行うことができ、この結果形成された薄膜から、信
頼性の良い銅配線を製造することが可能となる。
【００１０】
【実施例】本発明による銅薄膜の形成方法に係わる一実
施例について図１〜図４の工程断面図を用いて説明する
。まず図１に示したようにシリコン基板１１上に例えば
膜厚０．５μｍのシリコン酸化膜１２と、ｐ型の不純物
として例えば砒素（Ａｓ）を例えば１．０×１０１６ｃ
ｍ−３程度添加した膜厚０．５μｍの多結晶シリコン膜
１３を形成した後、溝幅と溝間隔が共に０．５μｍのレ
ジストマスク１４を形成した。
施例について図１〜図４の工程断面図を用いて説明する
。まず図１に示したようにシリコン基板１１上に例えば
膜厚０．５μｍのシリコン酸化膜１２と、ｐ型の不純物
として例えば砒素（Ａｓ）を例えば１．０×１０１６ｃ
ｍ−３程度添加した膜厚０．５μｍの多結晶シリコン膜
１３を形成した後、溝幅と溝間隔が共に０．５μｍのレ
ジストマスク１４を形成した。
【００１１】次に、図２に示すようにレジストマスク１
４を用いて前記多結晶シリコン膜１３を例えば塩素系ガ
スを用いた反応性イオンエッチング法によりパターンに
エッチング加工した後、レジストマスク１４を除去し、
これを試料とした。
４を用いて前記多結晶シリコン膜１３を例えば塩素系ガ
スを用いた反応性イオンエッチング法によりパターンに
エッチング加工した後、レジストマスク１４を除去し、
これを試料とした。
【００１２】次に、この試料を真空容器に配置するとと
もに、ＣＶＤ用ソースとして例えばシクロペンタジエニ
ルトリエチルホスフィン銅（〔Ｃ５ Ｈ５ 〕〔Ｃｕ〕
〔（Ｃ２Ｈ５ ）３ Ｐ〕）の粉末原料を別に設けた容
器に入れた。さらに、該粉末原料を恒温槽内で例えば１
００℃に加熱して昇華（蒸発）せしめ、その蒸発物質１
５をＮ２ ，Ａｒ，Ｈ２ 等をキャリアガスとして前記
真空容器内に送り込み、前記試料に供給するとともに、
この試料を例えば４００℃に加熱した。ここで蒸発物質
１５の分圧を２〜３Ｔｏｒｒとした。その結果、銅薄膜
１６を多結晶シリコン膜１３の形成されないシリコン酸
化膜１２の露出部に、０．５μｍの厚さで段切れ等なく
形成することができた（図３）。即ち、銅薄膜１６をシ
リコン酸化膜１２上だけに選択的に形成することができ
た。
もに、ＣＶＤ用ソースとして例えばシクロペンタジエニ
ルトリエチルホスフィン銅（〔Ｃ５ Ｈ５ 〕〔Ｃｕ〕
〔（Ｃ２Ｈ５ ）３ Ｐ〕）の粉末原料を別に設けた容
器に入れた。さらに、該粉末原料を恒温槽内で例えば１
００℃に加熱して昇華（蒸発）せしめ、その蒸発物質１
５をＮ２ ，Ａｒ，Ｈ２ 等をキャリアガスとして前記
真空容器内に送り込み、前記試料に供給するとともに、
この試料を例えば４００℃に加熱した。ここで蒸発物質
１５の分圧を２〜３Ｔｏｒｒとした。その結果、銅薄膜
１６を多結晶シリコン膜１３の形成されないシリコン酸
化膜１２の露出部に、０．５μｍの厚さで段切れ等なく
形成することができた（図３）。即ち、銅薄膜１６をシ
リコン酸化膜１２上だけに選択的に形成することができ
た。
【００１３】この理由は次の通りである。即ち、シクロ
ペンタジエニルトリエチルホスフィン銅の蒸発物質１５
はシリコン酸化膜１２表面には吸着するが、ｐ型の多結
晶シリコン膜１３表面には吸着せず、シリコン酸化膜１
２表面でのみ薄膜形成反応が起こるからと考えられる。 ここで前述した蒸発物質１５が下地材料の違いにより選
択吸着を起こす理由は、酸化シリコンは極性を有する材
料であるので、蒸発物質１５を強く吸着するのに対し、
ｐ型の多結晶シリコンは電子受容性が大きいので、蒸発
物質１５中の酸化状態にある銅を還元することが困難で
あるからだと思われる。
ペンタジエニルトリエチルホスフィン銅の蒸発物質１５
はシリコン酸化膜１２表面には吸着するが、ｐ型の多結
晶シリコン膜１３表面には吸着せず、シリコン酸化膜１
２表面でのみ薄膜形成反応が起こるからと考えられる。 ここで前述した蒸発物質１５が下地材料の違いにより選
択吸着を起こす理由は、酸化シリコンは極性を有する材
料であるので、蒸発物質１５を強く吸着するのに対し、
ｐ型の多結晶シリコンは電子受容性が大きいので、蒸発
物質１５中の酸化状態にある銅を還元することが困難で
あるからだと思われる。
【００１４】このようにして形成した銅薄膜１６は配線
として用いることができ、残存する多結晶シリコン膜１
３をケミカルドライエッチング法（ＣＤＥ法）等で選択
的に除去することにより、極微細な銅配線を信頼性良く
形成することができた（図４）。
として用いることができ、残存する多結晶シリコン膜１
３をケミカルドライエッチング法（ＣＤＥ法）等で選択
的に除去することにより、極微細な銅配線を信頼性良く
形成することができた（図４）。
【００１５】なお、シクロペンタジエニルトリエチルホ
スフィン銅の蒸発物質１５が、ｐ型の多結晶シリコン膜
上に吸着しないという現象は、ｐ型の単結晶シリコンの
場合にも確認された。
スフィン銅の蒸発物質１５が、ｐ型の多結晶シリコン膜
上に吸着しないという現象は、ｐ型の単結晶シリコンの
場合にも確認された。
【００１６】次に、本発明による銅薄膜の形成方法に係
わる他の実施例について図５〜図７の工程断面図を用い
て説明する。まず、図５に示したようにシリコン基板２
１上に例えば膜厚０．５μｍのアルミニウムナイトライ
ド膜２２を形成し、さらにこのアルミニウムナイトライ
ド膜２２上に膜厚０．３μｍのアルミニウム膜２３を形
成し、その後溝幅が０．７μｍで溝間隔が０．３μｍの
レジストマスクを２４を形成した。次に、図６に示すよ
うにこのレジストマスク２４を用いてアルミニウム膜２
３を例えば塩素系ガスを用いた反応性イオンエッチング
法により配線にエッチング加工した後、レジストマスク
２４を除去し、これを試料とした。次に、この試料を真
空容器に配置するとともに、ＣＶＤ用ソースとして例え
ばシクロペンタジエニルトリエチルホスフィン銅の粉末
原料を別に設けた容器に入れた。さらに、該粉末原料を
恒温槽内で例えば１００℃に加熱して蒸発せしめ、その
蒸発物質２５をＮ２ ，Ａｒ，Ｈ２ 等をキャリアガス
として前記真空容器内に送り込み、前記試料に供給する
とともにこの試料を例えば４００℃に加熱した。ここで
、蒸発物質１５の分圧を２〜３Ｔｏｒｒとした。その結
果、図７に示すように薄膜２６を０．２μｍの厚さでア
ルミニウム配線２３の上部及び側部に形成した。即ち、
銅薄膜２６をアルミニウム配線２３表面のみに被覆性良
くかつ選択的に形成することができた。この構造であれ
ば、銅薄膜２６が被覆性良くアルミニウム配線２３表面
に形成されるので、アルミニウム２３がエレクトロマイ
グレーション等により断線しても、銅薄膜２６を通じて
電流が流れ、信頼性を確保することができる。この理由
は次の通りである。即ち、シクロペンタジエニルトリエ
チルホスフィン銅の蒸発物質１５はアルミニウム配線２
３表面には吸着するが、アルミニウムナイトライド膜２
２表面には吸着せず、アルミニウム配線２３表面でのみ
薄膜形成反応が起こるからであると考えられる。ここで
前述した蒸発物質１５が下地材料の違いにより選択吸着
を起こす理由は、アルミニウムナイトライドは非極性材
料であるので、蒸発物質１５に対してほとんど吸着力を
及ぼさないのに対し、アルミニウムは金属であり電子供
与性が大きいので、蒸発物質１５中の酸化状態にある銅
を容易に還元することができるからだと思われる。
わる他の実施例について図５〜図７の工程断面図を用い
て説明する。まず、図５に示したようにシリコン基板２
１上に例えば膜厚０．５μｍのアルミニウムナイトライ
ド膜２２を形成し、さらにこのアルミニウムナイトライ
ド膜２２上に膜厚０．３μｍのアルミニウム膜２３を形
成し、その後溝幅が０．７μｍで溝間隔が０．３μｍの
レジストマスクを２４を形成した。次に、図６に示すよ
うにこのレジストマスク２４を用いてアルミニウム膜２
３を例えば塩素系ガスを用いた反応性イオンエッチング
法により配線にエッチング加工した後、レジストマスク
２４を除去し、これを試料とした。次に、この試料を真
空容器に配置するとともに、ＣＶＤ用ソースとして例え
ばシクロペンタジエニルトリエチルホスフィン銅の粉末
原料を別に設けた容器に入れた。さらに、該粉末原料を
恒温槽内で例えば１００℃に加熱して蒸発せしめ、その
蒸発物質２５をＮ２ ，Ａｒ，Ｈ２ 等をキャリアガス
として前記真空容器内に送り込み、前記試料に供給する
とともにこの試料を例えば４００℃に加熱した。ここで
、蒸発物質１５の分圧を２〜３Ｔｏｒｒとした。その結
果、図７に示すように薄膜２６を０．２μｍの厚さでア
ルミニウム配線２３の上部及び側部に形成した。即ち、
銅薄膜２６をアルミニウム配線２３表面のみに被覆性良
くかつ選択的に形成することができた。この構造であれ
ば、銅薄膜２６が被覆性良くアルミニウム配線２３表面
に形成されるので、アルミニウム２３がエレクトロマイ
グレーション等により断線しても、銅薄膜２６を通じて
電流が流れ、信頼性を確保することができる。この理由
は次の通りである。即ち、シクロペンタジエニルトリエ
チルホスフィン銅の蒸発物質１５はアルミニウム配線２
３表面には吸着するが、アルミニウムナイトライド膜２
２表面には吸着せず、アルミニウム配線２３表面でのみ
薄膜形成反応が起こるからであると考えられる。ここで
前述した蒸発物質１５が下地材料の違いにより選択吸着
を起こす理由は、アルミニウムナイトライドは非極性材
料であるので、蒸発物質１５に対してほとんど吸着力を
及ぼさないのに対し、アルミニウムは金属であり電子供
与性が大きいので、蒸発物質１５中の酸化状態にある銅
を容易に還元することができるからだと思われる。
【００１７】なお、本発明は上述した実施例方法に限定
されるものではない。前者の実施例では、下地材料がシ
リコン酸化膜でこの酸化膜上に銅薄膜を形成する場合に
ついて述べたが、この場合、下地材料として他の極性を
有する絶縁膜、例えばシリコン窒化膜等の上にも形成さ
れた。
されるものではない。前者の実施例では、下地材料がシ
リコン酸化膜でこの酸化膜上に銅薄膜を形成する場合に
ついて述べたが、この場合、下地材料として他の極性を
有する絶縁膜、例えばシリコン窒化膜等の上にも形成さ
れた。
【００１８】また後者の実施例では、アルミニウム配線
を銅薄膜で被覆する場合について述べたが、アルミニウ
ム配線の他に他の金属配線、例えばタングステン、モリ
ブデン、金、白金等の各金属の配線や、ｎ型に不純物が
添加され自由電子が多く含まれ多結晶シリコンの配線上
にも銅薄膜は形成された。さらに、アルミニウムナイト
ライド膜の他に他の非極性絶縁膜、例えばボロンナイト
ライド膜やシリコンカーバイド膜を用いてもよく、これ
らの上にも銅薄膜は形成されなかった。要は、これらの
材料の組み合わせにおいて、電子供与性の材料の表面に
は銅薄膜が形成され、この材料と比較して相対的に電子
受容性の材料の表面には銅薄膜が形成されない。以上述
べた材料において、ｐ型，ｎ型の導電層としてｐ型，ｎ
型の多結晶シリコン膜を挙げたが、他のｐ型，ｎ型導電
層、例えばｐ型，ｎ型の単結晶シリコン層やｐ型，ｎ型
のＧａＡｓ層であってもかまわない。
を銅薄膜で被覆する場合について述べたが、アルミニウ
ム配線の他に他の金属配線、例えばタングステン、モリ
ブデン、金、白金等の各金属の配線や、ｎ型に不純物が
添加され自由電子が多く含まれ多結晶シリコンの配線上
にも銅薄膜は形成された。さらに、アルミニウムナイト
ライド膜の他に他の非極性絶縁膜、例えばボロンナイト
ライド膜やシリコンカーバイド膜を用いてもよく、これ
らの上にも銅薄膜は形成されなかった。要は、これらの
材料の組み合わせにおいて、電子供与性の材料の表面に
は銅薄膜が形成され、この材料と比較して相対的に電子
受容性の材料の表面には銅薄膜が形成されない。以上述
べた材料において、ｐ型，ｎ型の導電層としてｐ型，ｎ
型の多結晶シリコン膜を挙げたが、他のｐ型，ｎ型導電
層、例えばｐ型，ｎ型の単結晶シリコン層やｐ型，ｎ型
のＧａＡｓ層であってもかまわない。
【００１９】さらに、シクロペンタジエニル系銅化合物
としてシクロペンタジエニルトリエチルホスフィン銅を
用いたが、この代わりに、ホスフィン（Ｐ）がＡｓやＳ
ｂやＢｉのような５族の元素に置き換わったものや、さ
らにはエチル基（Ｃ２ Ｈ５ ）が他のアルキル基に置
き換わった様な材料でもよい。さらにまた、シクロペン
タジエニル（Ｃ５ Ｈ５ ）２つが銅イオンに配位した
化合物であってもよい。さらに、シクロペンタジエニル
は５員環構造であるが、６員環構造のものに置き換わっ
た化合物であってもよい。また、実施例では反応温度を
４００℃としたが、これに限られない。しかし、好まし
くは３００℃〜４５０℃程度が良い。
としてシクロペンタジエニルトリエチルホスフィン銅を
用いたが、この代わりに、ホスフィン（Ｐ）がＡｓやＳ
ｂやＢｉのような５族の元素に置き換わったものや、さ
らにはエチル基（Ｃ２ Ｈ５ ）が他のアルキル基に置
き換わった様な材料でもよい。さらにまた、シクロペン
タジエニル（Ｃ５ Ｈ５ ）２つが銅イオンに配位した
化合物であってもよい。さらに、シクロペンタジエニル
は５員環構造であるが、６員環構造のものに置き換わっ
た化合物であってもよい。また、実施例では反応温度を
４００℃としたが、これに限られない。しかし、好まし
くは３００℃〜４５０℃程度が良い。
【００２０】その他シクロペンタジエニル系銅化合物の
蒸発物質を基板近傍で分解する際に、同時に水素プラズ
マを導入し、水素ラジカル等の反応を利用することによ
り分解を促進する方法を行うと、さらによい効果が得ら
れる。
蒸発物質を基板近傍で分解する際に、同時に水素プラズ
マを導入し、水素ラジカル等の反応を利用することによ
り分解を促進する方法を行うと、さらによい効果が得ら
れる。
【００２１】また、基板を加熱する方法としては、抵抗
加熱による方法の他にイオンビームや電子ビーム等を照
射して加熱する方法等があり、いずれの方法を用いても
本発明は有効である。加熱をビーム等の照射により行う
場合は、ビームの照射された試料表面で局所的な分解反
応が起きるので、所望の微細領域にのみ選択的に銅薄膜
を形成することが可能である。
加熱による方法の他にイオンビームや電子ビーム等を照
射して加熱する方法等があり、いずれの方法を用いても
本発明は有効である。加熱をビーム等の照射により行う
場合は、ビームの照射された試料表面で局所的な分解反
応が起きるので、所望の微細領域にのみ選択的に銅薄膜
を形成することが可能である。
【００２２】さらにまた、シクロペンタジエニル系銅化
合物の導入方法は実施例に示した方法以外に、該銅化合
物のアルコール溶液を用いる方法であってもよい。即ち
、この方法では上記アルコール溶液を試料表面に盛り３
００〜４５０℃に加熱することにより、アルコールを蒸
発させるとともにシクロペンタジエニル系銅化合物を分
解させる。この方法によっても、試料表面に銅薄膜を被
覆性良くかつ選択的に形成することができた。さらに他
にも、シクロペンタジエニル系銅化合物の粉末体やプレ
スによる成形体の薄膜を試料表面に形成し加熱を行って
も良く、この方法によっても同様に銅薄膜を被覆性良く
かつ選択的に形成することができた。その他、本発明の
要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施することが
できる。
合物の導入方法は実施例に示した方法以外に、該銅化合
物のアルコール溶液を用いる方法であってもよい。即ち
、この方法では上記アルコール溶液を試料表面に盛り３
００〜４５０℃に加熱することにより、アルコールを蒸
発させるとともにシクロペンタジエニル系銅化合物を分
解させる。この方法によっても、試料表面に銅薄膜を被
覆性良くかつ選択的に形成することができた。さらに他
にも、シクロペンタジエニル系銅化合物の粉末体やプレ
スによる成形体の薄膜を試料表面に形成し加熱を行って
も良く、この方法によっても同様に銅薄膜を被覆性良く
かつ選択的に形成することができた。その他、本発明の
要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施することが
できる。
【００２３】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、シ
クロペンタジエニル系銅化合物の分解により、試料表面
の少なくとも１つの材料層の表面に選択的に銅薄膜を被
覆性良く形成できる。従って、極微細な銅配線を信頼性
良く形成することができる。
クロペンタジエニル系銅化合物の分解により、試料表面
の少なくとも１つの材料層の表面に選択的に銅薄膜を被
覆性良く形成できる。従って、極微細な銅配線を信頼性
良く形成することができる。
【図１】 本発明による銅薄膜の形成方法の一実施例
を示す工程断面図。
を示す工程断面図。
【図２】 本発明による銅薄膜の形成方法の一実施例
を示す工程断面図。
を示す工程断面図。
【図３】 本発明による銅薄膜の形成方法の一実施例
を示す工程断面図。
を示す工程断面図。
【図４】 本発明による銅薄膜の形成方法の一実施例
を示す工程断面図。
を示す工程断面図。
【図５】 本発明による銅薄膜の形成方法の他の実施
例を示す工程断面図。
例を示す工程断面図。
【図６】 本発明による銅薄膜の形成方法の他の実施
例を示す工程断面図。
例を示す工程断面図。
【図７】 本発明による銅薄膜の形成方法の他の実施
例を示す工程断面図。
例を示す工程断面図。
１１，２１…シリコン基板、１２…シリコン酸化膜、１
３…ｐ型の多結晶シリコン膜、１４，２４…レジストマ
スク、１５，２５…シクロペンタジエニルトリエチルホ
スフィン銅の蒸発物質、１６，２６…銅薄膜、２２…ア
ルミニウムナイトライド膜、２３…アルミニウム膜。
３…ｐ型の多結晶シリコン膜、１４，２４…レジストマ
スク、１５，２５…シクロペンタジエニルトリエチルホ
スフィン銅の蒸発物質、１６，２６…銅薄膜、２２…ア
ルミニウムナイトライド膜、２３…アルミニウム膜。
Claims (5)
- 【請求項１】 表面部が異なる材料層から構成された
試料にシクロペンタジエニル系銅化合物を導入し、この
銅化合物を加熱により分解することにより、前記材料層
のうちの少なくとも１つの表面に銅薄膜を選択的に形成
することを特徴とする銅薄膜の形成方法。 - 【請求項２】 前記材料層のうち少なくとも１つの層
は、極性を有する絶縁層又はｎ型導電層又は金属層であ
り、それ以外の層は、ｐ型導電層又は非極性絶縁層であ
ることを特徴とする請求項１記載の銅薄膜の形成方法。 - 【請求項３】 前記極性を有する絶縁層はシリコン酸
化物層、シリコン窒化物層であることを特徴とする請求
項２記載の銅薄膜の形成方法。 - 【請求項４】 前記ｎ型導電層はｎ型シリコン層であ
り、前記ｐ型導電層はｐ型シリコン層であることを特徴
とする請求項２記載の銅薄膜の形成方法。 - 【請求項５】 前記シクロペンタジエニル系銅化合物
はシクロペンタジエニルトリエチルホスフィン銅である
ことを特徴とする請求項１記載の銅薄膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2835991A JPH04267331A (ja) | 1991-02-22 | 1991-02-22 | 銅薄膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2835991A JPH04267331A (ja) | 1991-02-22 | 1991-02-22 | 銅薄膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04267331A true JPH04267331A (ja) | 1992-09-22 |
Family
ID=12246425
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2835991A Pending JPH04267331A (ja) | 1991-02-22 | 1991-02-22 | 銅薄膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04267331A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009149998A (ja) * | 2009-04-01 | 2009-07-09 | Canon Anelva Corp | 銅薄膜の気相成長装置 |
| JP2009149999A (ja) * | 2009-04-01 | 2009-07-09 | Canon Anelva Corp | 金属膜作製装置及び金属膜作製方法 |
-
1991
- 1991-02-22 JP JP2835991A patent/JPH04267331A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009149998A (ja) * | 2009-04-01 | 2009-07-09 | Canon Anelva Corp | 銅薄膜の気相成長装置 |
| JP2009149999A (ja) * | 2009-04-01 | 2009-07-09 | Canon Anelva Corp | 金属膜作製装置及び金属膜作製方法 |
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