JPH04265252A - 耐久性の優れた光学体の製造方法 - Google Patents
耐久性の優れた光学体の製造方法Info
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- JPH04265252A JPH04265252A JP3149550A JP14955091A JPH04265252A JP H04265252 A JPH04265252 A JP H04265252A JP 3149550 A JP3149550 A JP 3149550A JP 14955091 A JP14955091 A JP 14955091A JP H04265252 A JPH04265252 A JP H04265252A
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 33
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 112
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 52
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 29
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 28
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 8
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 43
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 42
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 38
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 21
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- ZVWKZXLXHLZXLS-UHFFFAOYSA-N zirconium nitride Chemical compound [Zr]#N ZVWKZXLXHLZXLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- -1 hafnium nitride Chemical class 0.000 claims description 2
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- CXOWYMLTGOFURZ-UHFFFAOYSA-N azanylidynechromium Chemical compound [Cr]#N CXOWYMLTGOFURZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 abstract 1
- 230000003449 preventive effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 118
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 40
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 13
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 12
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 11
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 10
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 10
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 8
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 5
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 5
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 239000005344 low-emissivity glass Substances 0.000 description 3
- 239000012788 optical film Substances 0.000 description 3
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 3
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 239000005340 laminated glass Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 1
- 229910007541 Zn O Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 1
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005280 amorphization Methods 0.000 description 1
- SJKRCWUQJZIWQB-UHFFFAOYSA-N azane;chromium Chemical compound N.[Cr] SJKRCWUQJZIWQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000005485 electric heating Methods 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 1
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は各種光学的機能を有する
耐久性の優れた光学体に関するものである。
耐久性の優れた光学体に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来からガラス、プラスチックなどの透
明基板に薄膜を形成して光学的機能を付加したものとし
て、ミラー、熱線反射ガラス、低放射ガラス、干渉フィ
ルター、カメラレンズやメガネレンズの反射防止コート
などがある。
明基板に薄膜を形成して光学的機能を付加したものとし
て、ミラー、熱線反射ガラス、低放射ガラス、干渉フィ
ルター、カメラレンズやメガネレンズの反射防止コート
などがある。
【0003】通常のミラーでは、無電解メッキ法でAg
が、または真空蒸着法、スパッタリング法などでAlや
Crなどが形成される。これらの中でCr膜は比較的丈
夫なのでコート面が露出した表面鏡としても一部用いら
れている。
が、または真空蒸着法、スパッタリング法などでAlや
Crなどが形成される。これらの中でCr膜は比較的丈
夫なのでコート面が露出した表面鏡としても一部用いら
れている。
【0004】熱線反射ガラスは、酸化チタンや酸化錫な
どがスプレー法、CVD 法あるいは浸漬法などで形成
されてきた。最近では、金属膜、窒化膜、錫をドープし
た酸化インジウム(ITO) などがスパッタリング法
でガラス板面に形成されたものが熱線反射ガラスとして
使われるようになってきた。スパッタリング法は膜厚コ
ントロールが容易で且つ複数の膜を連続して形成でき、
透明酸化膜と組み合せて、透過率、反射率、色調などを
設計することが可能である。このため意匠性を重視する
建築用などに需要が伸びている。
どがスプレー法、CVD 法あるいは浸漬法などで形成
されてきた。最近では、金属膜、窒化膜、錫をドープし
た酸化インジウム(ITO) などがスパッタリング法
でガラス板面に形成されたものが熱線反射ガラスとして
使われるようになってきた。スパッタリング法は膜厚コ
ントロールが容易で且つ複数の膜を連続して形成でき、
透明酸化膜と組み合せて、透過率、反射率、色調などを
設計することが可能である。このため意匠性を重視する
建築用などに需要が伸びている。
【0005】室内の暖房機や壁からの輻射熱を室内側に
反射する低放射ガラス(低放射率ガラス)は、銀を酸化
亜鉛で挟んだZnO/Ag/ZnOの3層系またはZn
O/Ag/ZnO/Ag/ZnO の5層系(特願昭6
1−280644 号参照)などの構成を持ち、複層ガ
ラスか合わせガラスの形で使われる。近年ヨーロッパの
寒冷地での普及が目ざましい。
反射する低放射ガラス(低放射率ガラス)は、銀を酸化
亜鉛で挟んだZnO/Ag/ZnOの3層系またはZn
O/Ag/ZnO/Ag/ZnO の5層系(特願昭6
1−280644 号参照)などの構成を持ち、複層ガ
ラスか合わせガラスの形で使われる。近年ヨーロッパの
寒冷地での普及が目ざましい。
【0006】レンズなどの反射防止コートは、酸化チタ
ン、酸化ジルコニウムなどの高屈折率膜と酸化シリコン
、フッ化マグネシウムなどの低屈折率膜を交互に積層し
ている。通常は真空蒸着法が用いられ、成膜時は基板加
熱をして耐擦傷性の向上を図っている。
ン、酸化ジルコニウムなどの高屈折率膜と酸化シリコン
、フッ化マグネシウムなどの低屈折率膜を交互に積層し
ている。通常は真空蒸着法が用いられ、成膜時は基板加
熱をして耐擦傷性の向上を図っている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】表面鏡や、単板の熱線
反射ガラス及びレンズなどの反射防止コートなどは、コ
ートされた膜が空気中に露出した状態で使用される。こ
のため、化学的な安定性や耐摩耗性に優れていなければ
ならない。一方、低放射ガラスでも複層ガラスまたは合
わせガラスになる前の運搬や取り扱い時の傷などにより
不良品が発生する。このため安定で耐摩耗性に優れた保
護膜も兼ねた光学薄膜が望まれている。
反射ガラス及びレンズなどの反射防止コートなどは、コ
ートされた膜が空気中に露出した状態で使用される。こ
のため、化学的な安定性や耐摩耗性に優れていなければ
ならない。一方、低放射ガラスでも複層ガラスまたは合
わせガラスになる前の運搬や取り扱い時の傷などにより
不良品が発生する。このため安定で耐摩耗性に優れた保
護膜も兼ねた光学薄膜が望まれている。
【0008】耐久性向上のためには通常化学的に安定で
透明な酸化膜が空気側に設けられる。これらの酸化膜と
しては酸化チタン、酸化錫、酸化タンタル、酸化ジルコ
ニウム、酸化珪素などがあり、必要な性能に応じて選択
され、使用されてきた。
透明な酸化膜が空気側に設けられる。これらの酸化膜と
しては酸化チタン、酸化錫、酸化タンタル、酸化ジルコ
ニウム、酸化珪素などがあり、必要な性能に応じて選択
され、使用されてきた。
【0009】しかし、酸化チタン、酸化ジルコニウムは
化学的安定性に優れているが、結晶質の膜になりやすく
表面の凹凸が大きくなる傾向があり、このため擦ったと
きの摩擦が大きくなり耐摩耗性に劣る。
化学的安定性に優れているが、結晶質の膜になりやすく
表面の凹凸が大きくなる傾向があり、このため擦ったと
きの摩擦が大きくなり耐摩耗性に劣る。
【0010】一方、酸化錫、酸化珪素はそれぞれ酸、ア
ルカリに弱く長期間の浸漬には耐えない。酸化タンタル
は、これら中では耐摩耗性と化学的安定性の両方を兼ね
備えているが、まだ耐摩耗性に関して十分とは言えない
。
ルカリに弱く長期間の浸漬には耐えない。酸化タンタル
は、これら中では耐摩耗性と化学的安定性の両方を兼ね
備えているが、まだ耐摩耗性に関して十分とは言えない
。
【0011】又、ジルコニウム等と珪素とを含む酸化物
を、プラスチック等のやわらかく傷つきやすい基体に形
成した膜上に設けようとする考えはあったが、耐摩耗性
、化学的安定性がプラスチックに比べはるかに高いガラ
ス基板が使用される用途、例えば自動車用、建築用等の
用途において、通常のガラス板とほぼ同様な使い方がで
きるような耐摩耗性及び耐久性の優れた被膜付ガラス基
板は知られていなかった。
を、プラスチック等のやわらかく傷つきやすい基体に形
成した膜上に設けようとする考えはあったが、耐摩耗性
、化学的安定性がプラスチックに比べはるかに高いガラ
ス基板が使用される用途、例えば自動車用、建築用等の
用途において、通常のガラス板とほぼ同様な使い方がで
きるような耐摩耗性及び耐久性の優れた被膜付ガラス基
板は知られていなかった。
【0012】
【課題を解決するための手段】本発明は前述の課題を解
決すべくなされたものであり、ガラス基板上に少なくと
も2層からなる光学薄膜が形成された光学体において、
空気側の最外層が、チタン、ジルコニウム、ハフニウム
、錫、タンタル、及びインジウムの群から選ばれる少な
くとも1種と、珪素とを含む酸化物を主成分とする非晶
質酸化膜からなることを特徴とする耐久性の優れた光学
体を提供するものである。
決すべくなされたものであり、ガラス基板上に少なくと
も2層からなる光学薄膜が形成された光学体において、
空気側の最外層が、チタン、ジルコニウム、ハフニウム
、錫、タンタル、及びインジウムの群から選ばれる少な
くとも1種と、珪素とを含む酸化物を主成分とする非晶
質酸化膜からなることを特徴とする耐久性の優れた光学
体を提供するものである。
【0013】図1は、本発明に係わる光学体の一例の断
面図を示したものであり、1は透明あるいは着色したガ
ラスからなる基板、2は金属、窒化物、炭化物、酸化物
あるいはこれらの複合物などからなる第1層、3は空気
側の最外層となる非晶質酸化膜、特に少なくともジルコ
ニウムと珪素とを含んだ酸化物からなる第2層を示す。
面図を示したものであり、1は透明あるいは着色したガ
ラスからなる基板、2は金属、窒化物、炭化物、酸化物
あるいはこれらの複合物などからなる第1層、3は空気
側の最外層となる非晶質酸化膜、特に少なくともジルコ
ニウムと珪素とを含んだ酸化物からなる第2層を示す。
【0014】図2は、本発明に係わる光学体の別の一例
の断面図を示したものであり、10 は上記基板1と同
様の各種基板、11 は透明誘電体膜からなる第1層、
12は窒化物膜からなる第2層、13は空気側の最外層
となる非晶質酸化膜、特に、少なくともジルコニウムと
珪素とを含んだ酸化物からなる第3層を示す。
の断面図を示したものであり、10 は上記基板1と同
様の各種基板、11 は透明誘電体膜からなる第1層、
12は窒化物膜からなる第2層、13は空気側の最外層
となる非晶質酸化膜、特に、少なくともジルコニウムと
珪素とを含んだ酸化物からなる第3層を示す。
【0015】本発明は上記したように少なくとも2層構
成よりなるが、場合によっては図1の基板1と第1層2
、第1層2と第2層3、あるいは、図2の基板10と第
1層11、第1層11と第2層12、又は第2層12と
第3層13との間に1層、又は複数の層を形成して付着
力向上や光学特性の調整の機能、又はその他各種機能を
持たしても良い。本発明においては、ガラス基板上に形
成される膜の空気側の最外層に非晶質酸化膜を形成し、
高耐久性が要求される用途に使用可能な、耐摩耗性と化
学的安定性に優れたガラスを実現するものである。
成よりなるが、場合によっては図1の基板1と第1層2
、第1層2と第2層3、あるいは、図2の基板10と第
1層11、第1層11と第2層12、又は第2層12と
第3層13との間に1層、又は複数の層を形成して付着
力向上や光学特性の調整の機能、又はその他各種機能を
持たしても良い。本発明においては、ガラス基板上に形
成される膜の空気側の最外層に非晶質酸化膜を形成し、
高耐久性が要求される用途に使用可能な、耐摩耗性と化
学的安定性に優れたガラスを実現するものである。
【0016】図1の第2層3又は図2の第3層13の非
晶質酸化膜としては特に限定はされるものではなく、X
線的にみて非晶質であれば良い。具体的には、チタン、
ジルコニウム、ハフニウム、錫、タンタル及びインジウ
ムの群から選ばれる少なくとも1種と、珪素とを含む複
合酸化膜が好ましく、これらの中でも、特にジルコニウ
ムと珪素とを含んだ複合酸化膜が耐擦傷性に優れている
と同時に、十分な化学的安定性を有しているので好まし
い。非晶質酸化膜は、チタン、ジルコニウム、ハフニウ
ム、錫、タンタル、及びインジウムの群から選ばれる少
なくとも1種と、珪素、酸素以外に、硼素等のその他の
成分を含んでいてもよい。
晶質酸化膜としては特に限定はされるものではなく、X
線的にみて非晶質であれば良い。具体的には、チタン、
ジルコニウム、ハフニウム、錫、タンタル及びインジウ
ムの群から選ばれる少なくとも1種と、珪素とを含む複
合酸化膜が好ましく、これらの中でも、特にジルコニウ
ムと珪素とを含んだ複合酸化膜が耐擦傷性に優れている
と同時に、十分な化学的安定性を有しているので好まし
い。非晶質酸化膜は、チタン、ジルコニウム、ハフニウ
ム、錫、タンタル、及びインジウムの群から選ばれる少
なくとも1種と、珪素、酸素以外に、硼素等のその他の
成分を含んでいてもよい。
【0017】このように、第2層3又は第3層13に、
ジルコニウムと珪素とを含んだ酸化物を用いる場合の珪
素の含有割合は特に限定されるものではない。珪素の含
有割合が増加するにつれ、この膜の屈折率は2.1 か
ら1.8 以下まで減少するが、耐摩耗性と化学的安定
性はいずれも良好である。従って光学的に必要な屈折率
を基にして珪素含有量を選択すれば良い。一般的にはジ
ルコニウム100 部に対して原子比で1部以上、好ま
しくは3部以上、特に5部以上の珪素が望ましい。これ
より珪素が少ないと十分な非晶質化が得られないため耐
摩耗性能が低下し、通常の珪素を含まない酸化ジルコニ
ウムに対しての優位性が認められなくなる。
ジルコニウムと珪素とを含んだ酸化物を用いる場合の珪
素の含有割合は特に限定されるものではない。珪素の含
有割合が増加するにつれ、この膜の屈折率は2.1 か
ら1.8 以下まで減少するが、耐摩耗性と化学的安定
性はいずれも良好である。従って光学的に必要な屈折率
を基にして珪素含有量を選択すれば良い。一般的にはジ
ルコニウム100 部に対して原子比で1部以上、好ま
しくは3部以上、特に5部以上の珪素が望ましい。これ
より珪素が少ないと十分な非晶質化が得られないため耐
摩耗性能が低下し、通常の珪素を含まない酸化ジルコニ
ウムに対しての優位性が認められなくなる。
【0018】一方、珪素含有量の上限は特に限定はない
が、ジルコニウム100 部に対して原子比で2000
部以下、好ましくは1000部以下、特に500 部以
下が望ましい。これより珪素が多いと屈折率が非常に小
さくなるとともに、化学的安定性が不十分となり、又、
耐摩耗性も低下するので好ましくない。
が、ジルコニウム100 部に対して原子比で2000
部以下、好ましくは1000部以下、特に500 部以
下が望ましい。これより珪素が多いと屈折率が非常に小
さくなるとともに、化学的安定性が不十分となり、又、
耐摩耗性も低下するので好ましくない。
【0019】かかるジルコニウムと珪素とを含んだ酸化
膜は、ジルコニウム、珪素、酸素の3成分だけに限定さ
れるものではなく、耐久性向上、光学定数調整、成膜時
の安定性、あるいは成膜速度の向上などのために他の成
分を含んでいても差し支えないことは言うまでもないこ
とである。また本発明の非晶質酸化膜は必ずしも透明で
ある必要はなく、酸素欠損の状態の吸収性膜や、一部窒
素を含有していても同様に有効である。
膜は、ジルコニウム、珪素、酸素の3成分だけに限定さ
れるものではなく、耐久性向上、光学定数調整、成膜時
の安定性、あるいは成膜速度の向上などのために他の成
分を含んでいても差し支えないことは言うまでもないこ
とである。また本発明の非晶質酸化膜は必ずしも透明で
ある必要はなく、酸素欠損の状態の吸収性膜や、一部窒
素を含有していても同様に有効である。
【0020】最外層である第2層3又は第3層13の膜
厚は特に限定されるものではない。用途に応じて透過色
や反射色を考慮して決定すればよいが、あまり薄いと十
分な耐久性が得られないため、50Å以上好ましくは1
00 Å以上、特に200 Å以上であることが望まし
い。
厚は特に限定されるものではない。用途に応じて透過色
や反射色を考慮して決定すればよいが、あまり薄いと十
分な耐久性が得られないため、50Å以上好ましくは1
00 Å以上、特に200 Å以上であることが望まし
い。
【0021】第2層3又は第3層13の膜形成法も特に
限定されない。真空蒸着法、イオンプレーティング法、
スパッタリング法などいずれも可能であるが、熱線反射
ガラスなど、自動車や建築用などの大面積コーティング
が必要な場合は、均一性に優れる反応性スパッタリング
法が好ましい。
限定されない。真空蒸着法、イオンプレーティング法、
スパッタリング法などいずれも可能であるが、熱線反射
ガラスなど、自動車や建築用などの大面積コーティング
が必要な場合は、均一性に優れる反応性スパッタリング
法が好ましい。
【0022】第1層2の膜材料は特に限定されず、用途
によって、あるいは要求仕様によって金属、窒化物、炭
化物、硼化物、酸化物、珪化物あるいはこれらの複合物
から選択される。
によって、あるいは要求仕様によって金属、窒化物、炭
化物、硼化物、酸化物、珪化物あるいはこれらの複合物
から選択される。
【0023】熱線反射ガラスの場合は第1層2として窒
化チタン、窒化ジルコニウム、窒化ハフニウム、窒化ク
ロム、窒化タンタルなどの窒化物、または錫をドープし
た酸化インジウム(ITO) 等が主に選ばれる。
化チタン、窒化ジルコニウム、窒化ハフニウム、窒化ク
ロム、窒化タンタルなどの窒化物、または錫をドープし
た酸化インジウム(ITO) 等が主に選ばれる。
【0024】第1層2の窒化物膜の膜厚は、希望する透
過率にもよるが、1000Å以下、好ましくは500
Å以下が望まれる。1000Åを超えると窒化物膜の吸
収が大きくなり過ぎ、又、内部応力のため剥離が生じ易
くなる。
過率にもよるが、1000Å以下、好ましくは500
Å以下が望まれる。1000Åを超えると窒化物膜の吸
収が大きくなり過ぎ、又、内部応力のため剥離が生じ易
くなる。
【0025】窒化物膜を用いる場合、ガラス界面との付
着力を増すために基板と窒化物膜間にもう1層を形成し
図2のような3層構成とするのは有効である。かかる第
1層11としては、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸
化ハフニウム、酸化錫、酸化タンタル、酸化インジウム
などの酸化物や、硫化亜鉛などからなる透明誘電体膜が
好ましい。
着力を増すために基板と窒化物膜間にもう1層を形成し
図2のような3層構成とするのは有効である。かかる第
1層11としては、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸
化ハフニウム、酸化錫、酸化タンタル、酸化インジウム
などの酸化物や、硫化亜鉛などからなる透明誘電体膜が
好ましい。
【0026】第2層12の窒化物膜との付着力やスパッ
タリングでの生産性を考えると、第2層の窒化物膜と同
様な元素を含む誘電体膜が好ましいが、特にこれだけに
限定されるものではなく、第1層11/第2層12の組
み合わせは酸化タンタル/窒化チタン、酸化ジルコニウ
ム/窒化チタン、あるいは酸化錫/窒化ジルコニウムな
ど種々となりうる。かかる第1層11の透明誘電体膜は
、前述したような非晶質膜と同様なものを用いてもよい
。
タリングでの生産性を考えると、第2層の窒化物膜と同
様な元素を含む誘電体膜が好ましいが、特にこれだけに
限定されるものではなく、第1層11/第2層12の組
み合わせは酸化タンタル/窒化チタン、酸化ジルコニウ
ム/窒化チタン、あるいは酸化錫/窒化ジルコニウムな
ど種々となりうる。かかる第1層11の透明誘電体膜は
、前述したような非晶質膜と同様なものを用いてもよい
。
【0027】かかる誘電体膜11の膜厚は特に限定され
ないが、これらの誘電体は屈折率も大きく、適当な膜厚
を選択すれば、干渉効果も利用して反射率や色調の調節
も可能である。特に、干渉効果を利用して可視域での高
透過、低反射を目的とする熱線反射ガラスに用いる場合
は、第1層11と第3層13の膜厚は光学的膜厚で10
00〜1800Åの範囲で調節されるのが好ましい。第
1層11と第3層13の屈折率は2.0 〜2.5 の
範囲で選択されるのが望ましいが、この範囲外でも、光
学的膜厚が適正な範囲内であればよい。
ないが、これらの誘電体は屈折率も大きく、適当な膜厚
を選択すれば、干渉効果も利用して反射率や色調の調節
も可能である。特に、干渉効果を利用して可視域での高
透過、低反射を目的とする熱線反射ガラスに用いる場合
は、第1層11と第3層13の膜厚は光学的膜厚で10
00〜1800Åの範囲で調節されるのが好ましい。第
1層11と第3層13の屈折率は2.0 〜2.5 の
範囲で選択されるのが望ましいが、この範囲外でも、光
学的膜厚が適正な範囲内であればよい。
【0028】又、第2層12の窒化物膜の膜厚は、希望
する透過率にもよるが、1000Å以下が好ましく、5
0〜500 Åの範囲が最適である。1000Åを超え
ると窒化物膜の吸収が大きくなり過ぎ、又、内部応力の
ため剥離が生じ易くなる。
する透過率にもよるが、1000Å以下が好ましく、5
0〜500 Åの範囲が最適である。1000Åを超え
ると窒化物膜の吸収が大きくなり過ぎ、又、内部応力の
ため剥離が生じ易くなる。
【0029】第2層3又は第3層13の最外層がジルコ
ニウムと珪素とを含んだ酸化膜である場合、第1層2と
第2層3の間、又は、第2層12と第3層13の層間付
着力を向上させ、且つ第1層2又は第2層12の内部応
力を低減させるために、第1層2又は第2層12として
珪素を含む窒化物、特に珪窒化ジルコニウムを用いるこ
とは有効である。
ニウムと珪素とを含んだ酸化膜である場合、第1層2と
第2層3の間、又は、第2層12と第3層13の層間付
着力を向上させ、且つ第1層2又は第2層12の内部応
力を低減させるために、第1層2又は第2層12として
珪素を含む窒化物、特に珪窒化ジルコニウムを用いるこ
とは有効である。
【0030】第1層2として錫をドープした酸化インジ
ウム(ITO) を用いる場合、熱線反射性能を上げる
ためにはキャリア濃度と移動度が大きく、且つ4000
Å以上の膜厚のITO が望ましい。干渉による反射色
を抑えるためには、ITO を少なくとも7000Å以
上形成するのが好ましい。その上に保護層として第2層
3を形成する。
ウム(ITO) を用いる場合、熱線反射性能を上げる
ためにはキャリア濃度と移動度が大きく、且つ4000
Å以上の膜厚のITO が望ましい。干渉による反射色
を抑えるためには、ITO を少なくとも7000Å以
上形成するのが好ましい。その上に保護層として第2層
3を形成する。
【0031】このような低抵抗で透過率が高く、且つ耐
久性のある光学薄膜は熱線反射ガラスとしてばかりでは
なく、単板で電磁波シールド用の窓ガラス、自動車のフ
ロントガラスの電熱風防、リアガラスの曇り止め、ある
いは透明アンテナとしても用いることができる。更に、
化学的耐久性を利用してエレクトロクロミック表示素子
の ITO(給電電極)の保護コートとしても使える。
久性のある光学薄膜は熱線反射ガラスとしてばかりでは
なく、単板で電磁波シールド用の窓ガラス、自動車のフ
ロントガラスの電熱風防、リアガラスの曇り止め、ある
いは透明アンテナとしても用いることができる。更に、
化学的耐久性を利用してエレクトロクロミック表示素子
の ITO(給電電極)の保護コートとしても使える。
【0032】低反射ガラスの場合は、空気側の最外層3
より高屈折率を有する膜を第1層2として形成するか、
又は3層、あるいはそれ以上の多層膜構成をとる。3層
膜の場合は、図1の基板1と第1層2、又は第1層2と
第2層3の間にもう一層形成して、屈折率と膜厚を調整
することにより、反射率を低減させる。第1層2と新た
に挿入する層は、特に限定されないが、珪素含有量の異
なる低屈折率膜と高屈折率膜を用いることも可能である
。
より高屈折率を有する膜を第1層2として形成するか、
又は3層、あるいはそれ以上の多層膜構成をとる。3層
膜の場合は、図1の基板1と第1層2、又は第1層2と
第2層3の間にもう一層形成して、屈折率と膜厚を調整
することにより、反射率を低減させる。第1層2と新た
に挿入する層は、特に限定されないが、珪素含有量の異
なる低屈折率膜と高屈折率膜を用いることも可能である
。
【0033】低放射ガラスの場合は、基板/酸化膜/A
g/非晶質酸化膜(特に、珪素とジルコニウムを含んだ
酸化膜)の3層構成、又は、基板/酸化膜/Ag/酸化
膜/Ag/非晶質酸化膜の5層構成にすると有効である
。かかる酸化膜としては、特に限定はされないが、Zn
O が一例として上げられる。又、ジルコニウムと珪素
とを含む酸化膜を用いても良い。
g/非晶質酸化膜(特に、珪素とジルコニウムを含んだ
酸化膜)の3層構成、又は、基板/酸化膜/Ag/酸化
膜/Ag/非晶質酸化膜の5層構成にすると有効である
。かかる酸化膜としては、特に限定はされないが、Zn
O が一例として上げられる。又、ジルコニウムと珪素
とを含む酸化膜を用いても良い。
【0034】表面鏡に応用する場合は、基板上に、金属
としてガラスとの接着力の良好なクロムなどを第1層2
として形成し、その上に第2層3として本発明の非晶質
酸化膜、特に、珪素とジルコニウムとを含んだ酸化膜を
形成すれば良い。その他の応用として、光学薄膜ではな
いが、サーマルヘッドや磁気ディスクなどのメモリーデ
ィスク等にも用いることもできる。
としてガラスとの接着力の良好なクロムなどを第1層2
として形成し、その上に第2層3として本発明の非晶質
酸化膜、特に、珪素とジルコニウムとを含んだ酸化膜を
形成すれば良い。その他の応用として、光学薄膜ではな
いが、サーマルヘッドや磁気ディスクなどのメモリーデ
ィスク等にも用いることもできる。
【0035】又、本発明においては、図1及び図2に示
したように基板の片面だけに光学薄膜を形成してもよい
し、基板の両面に形成してもよい。
したように基板の片面だけに光学薄膜を形成してもよい
し、基板の両面に形成してもよい。
【0036】
【作用】本発明における光学体の空気側の最外層である
非晶質酸化物膜、即ち、図1第2層3又は図2第3層1
3は、ガラス構成元素である珪素を含むことで非晶質化
されており、表面の平滑さが増すため摩擦抵抗が低減し
、これによって高い耐久性を有しているので、本発明の
光学体において、耐摩耗性や耐薬品性を向上させるため
の保護層の役割を持つ。更にその屈折率、膜厚などの調
整により、光学的な機能、即ち、透過率、反射率、色調
などの調整機能を有する。
非晶質酸化物膜、即ち、図1第2層3又は図2第3層1
3は、ガラス構成元素である珪素を含むことで非晶質化
されており、表面の平滑さが増すため摩擦抵抗が低減し
、これによって高い耐久性を有しているので、本発明の
光学体において、耐摩耗性や耐薬品性を向上させるため
の保護層の役割を持つ。更にその屈折率、膜厚などの調
整により、光学的な機能、即ち、透過率、反射率、色調
などの調整機能を有する。
【0037】特に、かかる最外層がジルコニウムと珪素
とを含む酸化物膜である場合における珪素は、酸、アル
カリなどに強い化学的安定性を有する酸化ジルコニウム
に珪素を添加することにより膜が非晶質化し、耐摩耗性
と化学的安定性の両方を満足する大変優れた耐久性を有
する膜の実現に寄与している。
とを含む酸化物膜である場合における珪素は、酸、アル
カリなどに強い化学的安定性を有する酸化ジルコニウム
に珪素を添加することにより膜が非晶質化し、耐摩耗性
と化学的安定性の両方を満足する大変優れた耐久性を有
する膜の実現に寄与している。
【0038】又、珪素は、膜の屈折率調節にも寄与する
。即ち、珪素の含有割合を増やすことにより屈折率を下
げることができる。本発明において最外層以外の層は主
に光学的な面での作用を有し、透過や反射性能などを担
っている。
。即ち、珪素の含有割合を増やすことにより屈折率を下
げることができる。本発明において最外層以外の層は主
に光学的な面での作用を有し、透過や反射性能などを担
っている。
【0039】又、熱線反射性能を有する光学体において
、窒化物膜は熱線反射機能を受け持つものである。 又、干渉効果を利用して可視域での高透過、低反射を目
的とした熱線反射ガラスにおいては、図2の第2層12
は熱線反射機能を受け持ち、第1層11及び第3層13
は、窒化物膜の可視域での反射を防止する機能を有する
。
、窒化物膜は熱線反射機能を受け持つものである。 又、干渉効果を利用して可視域での高透過、低反射を目
的とした熱線反射ガラスにおいては、図2の第2層12
は熱線反射機能を受け持ち、第1層11及び第3層13
は、窒化物膜の可視域での反射を防止する機能を有する
。
【0040】
【実施例】[実施例1]ガラス基板をスパッタリング装
置の真空槽にセットし1×10−6 Torr まで排
気した。アルゴンと窒素の混合ガスを導入して圧力を2
×10−3Torrとした後、チタンを反応性スパッタ
リングして窒化チタン(第1層)を約200 Å形成し
た。次にアルゴンと酸素の混合ガスに切り替え圧力を2
×10−3 Torr にして、ジルコニウム/珪素タ
ーゲット(原子比70/30)を反応性スパッタリング
してジルコニウムと珪素からなる非晶質酸化膜 ZrS
ixOy(第2層)を約530 Å形成した。
置の真空槽にセットし1×10−6 Torr まで排
気した。アルゴンと窒素の混合ガスを導入して圧力を2
×10−3Torrとした後、チタンを反応性スパッタ
リングして窒化チタン(第1層)を約200 Å形成し
た。次にアルゴンと酸素の混合ガスに切り替え圧力を2
×10−3 Torr にして、ジルコニウム/珪素タ
ーゲット(原子比70/30)を反応性スパッタリング
してジルコニウムと珪素からなる非晶質酸化膜 ZrS
ixOy(第2層)を約530 Å形成した。
【0041】こうして得られた熱線反射ガラスの可視光
透過率TV 、太陽光線透過率TE 、コート面可視光
反射率RVF、ガラス面可視光反射率RVGは、それぞ
れ54, 44, 5,27(%)であった。膜の耐久
性を調べるために1規定の塩酸、水酸化ナトリウム中に
6時間、あるいは沸騰水中に2時間浸漬したが、いずれ
も透過率、反射率の変化は1%以内であった。
透過率TV 、太陽光線透過率TE 、コート面可視光
反射率RVF、ガラス面可視光反射率RVGは、それぞ
れ54, 44, 5,27(%)であった。膜の耐久
性を調べるために1規定の塩酸、水酸化ナトリウム中に
6時間、あるいは沸騰水中に2時間浸漬したが、いずれ
も透過率、反射率の変化は1%以内であった。
【0042】砂消しゴムによる擦り試験(プラス社字消
しゴムNo.48−100 、直径5mmのカミソリ切
断面を向け、荷重 500gをかけ、50mm/分で5
回往復)でも、傷は殆どつかず極めてすぐれた耐摩耗性
を示した。又、JIS R3212 に規定されている
耐摩耗性試験(テーバー試験、摩耗輪CS−10F、加
重 500g、1000回転)を実施したところ、試験
前後の可視光線透過率TV の変化ΔTV 、及びヘイ
ズ値の変化ΔHは、いずれも4%以内であり、優れた耐
摩耗性能を示した。
しゴムNo.48−100 、直径5mmのカミソリ切
断面を向け、荷重 500gをかけ、50mm/分で5
回往復)でも、傷は殆どつかず極めてすぐれた耐摩耗性
を示した。又、JIS R3212 に規定されている
耐摩耗性試験(テーバー試験、摩耗輪CS−10F、加
重 500g、1000回転)を実施したところ、試験
前後の可視光線透過率TV の変化ΔTV 、及びヘイ
ズ値の変化ΔHは、いずれも4%以内であり、優れた耐
摩耗性能を示した。
【0043】[実施例2]実施例1と同様にガラス基板
上に窒化チタン(第1層)を約200 Å形成した後、
アルゴンと酸素の混合ガスに切り替え圧力を2×10−
3Torrにした。次にジルコニウム/珪素ターゲット
(原子比33/67)を反応性スパッタリングしてジル
コニウムと珪素からなる非晶質酸化膜 ZrSixOy
(第2層)を約530 Å形成した。
上に窒化チタン(第1層)を約200 Å形成した後、
アルゴンと酸素の混合ガスに切り替え圧力を2×10−
3Torrにした。次にジルコニウム/珪素ターゲット
(原子比33/67)を反応性スパッタリングしてジル
コニウムと珪素からなる非晶質酸化膜 ZrSixOy
(第2層)を約530 Å形成した。
【0044】得られた熱線反射ガラスの光学性能TV
、TE 、RVF、RVGは、それぞれ55,43,
3, 18(%)であった。実施例1と同様な耐久性試
験を行ったが、同様に優れた性能を示した。
、TE 、RVF、RVGは、それぞれ55,43,
3, 18(%)であった。実施例1と同様な耐久性試
験を行ったが、同様に優れた性能を示した。
【0045】[実施例3]ガラス基板をスパッタリング
装置の真空槽にセットし1×10−6 Torr まで
排気した。 アルゴンと酸素の混合ガスを導入して圧力を2×10−
3Torrとし、基板を350 ℃程度に加熱をしなが
らITO ターゲットをスパッタリングしてITO (
第1層)を約1μ形成した。次にアルゴンと酸素の混合
ガスの割合を変えたジルコニウム/珪素ターゲット(原
子比33/67) を反応性スパッタリングして非晶質
酸化膜ZrSixOy (第2層)を約800 Å形成
した。
装置の真空槽にセットし1×10−6 Torr まで
排気した。 アルゴンと酸素の混合ガスを導入して圧力を2×10−
3Torrとし、基板を350 ℃程度に加熱をしなが
らITO ターゲットをスパッタリングしてITO (
第1層)を約1μ形成した。次にアルゴンと酸素の混合
ガスの割合を変えたジルコニウム/珪素ターゲット(原
子比33/67) を反応性スパッタリングして非晶質
酸化膜ZrSixOy (第2層)を約800 Å形成
した。
【0046】このようにして得られた熱線反射ガラスの
耐久性を、実施例1と同様に評価したところ極めて優れ
た耐久性を示した。
耐久性を、実施例1と同様に評価したところ極めて優れ
た耐久性を示した。
【0047】[実施例4]ガラス基板をスパッタリング
装置の真空槽にセットし1×10−6 Torr まで
排気した。 アルゴンと酸素の混合ガスを導入して圧力を2×10−
3Torrとした後、タンタルを反応性スパッタリング
して酸化タンタル(第1層)を約620 Å形成した。 続けてジルコニウム/珪素ターゲット(原子比33/
67) を同じく反応性スパッタリングして非晶質酸化
膜 ZrSixOy(第2層)を約800 Å形成した
。
装置の真空槽にセットし1×10−6 Torr まで
排気した。 アルゴンと酸素の混合ガスを導入して圧力を2×10−
3Torrとした後、タンタルを反応性スパッタリング
して酸化タンタル(第1層)を約620 Å形成した。 続けてジルコニウム/珪素ターゲット(原子比33/
67) を同じく反応性スパッタリングして非晶質酸化
膜 ZrSixOy(第2層)を約800 Å形成した
。
【0048】一旦、真空をリークし基板を裏返して、再
び同様な二層膜を裏面にも形成した。このようにして得
られた低反射ガラスの片面の反射率は約1.6 %であ
った。また耐久性も実施例1と同様に極めて優れていた
。
び同様な二層膜を裏面にも形成した。このようにして得
られた低反射ガラスの片面の反射率は約1.6 %であ
った。また耐久性も実施例1と同様に極めて優れていた
。
【0049】[実施例5]ガラス基板をスパッタリング
装置の真空槽にセットし、1×10−6 Torr ま
で排気した。アルゴンと酸素の混合ガスを導入して圧力
を2×10−3Torrとした後、珪素を含むジルコニ
ウムターゲット(原子比Zr/Si=33/67)を高
周波マグネトロンスパッタリングして非晶質酸化膜 Z
rSixOy(第1層)を約600 Å形成した。次に
、アルゴンと窒素の混合ガスに切り替え圧力を2×10
−3Torrにしてチタンターゲットを高周波マグネト
ロンスパッタリングして窒化チタン(第2層)を約50
Å形成した。その後、再び第1層と同じ条件で ZrS
ixOy膜(第3層)を約600 Å形成した。
装置の真空槽にセットし、1×10−6 Torr ま
で排気した。アルゴンと酸素の混合ガスを導入して圧力
を2×10−3Torrとした後、珪素を含むジルコニ
ウムターゲット(原子比Zr/Si=33/67)を高
周波マグネトロンスパッタリングして非晶質酸化膜 Z
rSixOy(第1層)を約600 Å形成した。次に
、アルゴンと窒素の混合ガスに切り替え圧力を2×10
−3Torrにしてチタンターゲットを高周波マグネト
ロンスパッタリングして窒化チタン(第2層)を約50
Å形成した。その後、再び第1層と同じ条件で ZrS
ixOy膜(第3層)を約600 Å形成した。
【0050】こうして得られた試料のTV 、TE 、
RVF、RVGは、それぞれ約80、72、7 、10
(%)であった。実施例1と同様の耐久性試験を行った
が、実施例1と同様に優れた性能を示した。
RVF、RVGは、それぞれ約80、72、7 、10
(%)であった。実施例1と同様の耐久性試験を行った
が、実施例1と同様に優れた性能を示した。
【0051】[実施例6]ガラス基板をスパッタリング
装置の真空槽にセットし、1×10−6 Torr ま
で排気した。アルゴンと酸素の混合ガスを導入して圧力
を2×10−3Torrとした後、珪素を含むチタニウ
ムターゲットを高周波マグネトロンスパッタリングして
非晶質酸化膜TiSixOy 膜(第1層)を約600
Å形成した。
装置の真空槽にセットし、1×10−6 Torr ま
で排気した。アルゴンと酸素の混合ガスを導入して圧力
を2×10−3Torrとした後、珪素を含むチタニウ
ムターゲットを高周波マグネトロンスパッタリングして
非晶質酸化膜TiSixOy 膜(第1層)を約600
Å形成した。
【0052】次に、アルゴンと窒素の混合ガスに切り替
え圧力を2×10−3Torrにしてチタンターゲット
を高周波マグネトロンスパッタリングして窒化チタン(
第2層)を約50Å形成した。その後、再び第1層と同
じ条件で非晶質酸化膜 TiSixOy(第3層)を約
600 Å形成した。こうして得られた試料の可視光透
過率、太陽光透過率は、実施例5とほぼ同様な性能であ
った。又、耐久性も実施例5と同様の結果が得られた。
え圧力を2×10−3Torrにしてチタンターゲット
を高周波マグネトロンスパッタリングして窒化チタン(
第2層)を約50Å形成した。その後、再び第1層と同
じ条件で非晶質酸化膜 TiSixOy(第3層)を約
600 Å形成した。こうして得られた試料の可視光透
過率、太陽光透過率は、実施例5とほぼ同様な性能であ
った。又、耐久性も実施例5と同様の結果が得られた。
【0053】[実施例7]青色のガラス基板上に実施例
2と同様にして窒化チタン(第1層)を約20Å、その
上に非晶質酸化膜 ZrSixOy(膜中のZrとSi
の原子比はZr/Si=33/67)(第2層)を約
100Å形成した。
2と同様にして窒化チタン(第1層)を約20Å、その
上に非晶質酸化膜 ZrSixOy(膜中のZrとSi
の原子比はZr/Si=33/67)(第2層)を約
100Å形成した。
【0054】得られた熱線反射ガラスの光学性能をTV
、TE、RVF、RVGは、それぞれ、72、56、
9、 9(%)であった。実施例1と同様な耐久性試
験を行ったが、同様に優れた性能を示した。
、TE、RVF、RVGは、それぞれ、72、56、
9、 9(%)であった。実施例1と同様な耐久性試
験を行ったが、同様に優れた性能を示した。
【0055】[比較例1]実施例5の効果を見るために
、珪素を含まない酸化ジルコニウム膜(第1層)をガラ
ス基板面上に約600 Å形成した。次に、アルゴンと
窒素の混合ガスに切り替え圧力を2×10−3Torr
にしてチタンターゲットを高周波マグネトロンスパッタ
リングして窒化チタン(第2層)を約50Å形成した。 その後、再び第1層と同じ条件で酸化ジルコニウム膜(
第3層)を約600 Å形成した。こうして得られた試
料を砂消しゴム試験にかけたところ、耐摩耗性は劣り多
数の傷が生じた。
、珪素を含まない酸化ジルコニウム膜(第1層)をガラ
ス基板面上に約600 Å形成した。次に、アルゴンと
窒素の混合ガスに切り替え圧力を2×10−3Torr
にしてチタンターゲットを高周波マグネトロンスパッタ
リングして窒化チタン(第2層)を約50Å形成した。 その後、再び第1層と同じ条件で酸化ジルコニウム膜(
第3層)を約600 Å形成した。こうして得られた試
料を砂消しゴム試験にかけたところ、耐摩耗性は劣り多
数の傷が生じた。
【0056】[比較例2]実施例6の効果を見るために
、珪素を含まない酸化チタン膜(第1層)をガラス基板
面上に約600 Å形成した。次に、アルゴンと窒素の
混合ガスに切り替え圧力を2×10−3Torrにして
チタンターゲットを高周波マグネトロンスパッタリング
して窒化チタン(第2層)を約50Å形成した。その後
、再び第1層と同じ条件で酸化チタン膜(第3層)を約
600 Å形成した。こうして得られた試料を砂消しゴ
ム試験にかけたところ、耐摩耗性は劣り多数の傷が生じ
た。
、珪素を含まない酸化チタン膜(第1層)をガラス基板
面上に約600 Å形成した。次に、アルゴンと窒素の
混合ガスに切り替え圧力を2×10−3Torrにして
チタンターゲットを高周波マグネトロンスパッタリング
して窒化チタン(第2層)を約50Å形成した。その後
、再び第1層と同じ条件で酸化チタン膜(第3層)を約
600 Å形成した。こうして得られた試料を砂消しゴ
ム試験にかけたところ、耐摩耗性は劣り多数の傷が生じ
た。
【0057】
【発明の効果】本発明は、ガラス基板からみて一番外側
、即ち、空気側の最外層に非晶質酸化膜を用いることに
より、実施例1〜7に示すように、被膜付きでないガラ
ス基板とそれほど遜色のない化学的安定性と耐摩耗性に
優れた光学体を得ることを可能にするものである。これ
により従来は使用できなかった苛酷な用途にも本発明の
光学体を使用することができる。
、即ち、空気側の最外層に非晶質酸化膜を用いることに
より、実施例1〜7に示すように、被膜付きでないガラ
ス基板とそれほど遜色のない化学的安定性と耐摩耗性に
優れた光学体を得ることを可能にするものである。これ
により従来は使用できなかった苛酷な用途にも本発明の
光学体を使用することができる。
【0058】又、非晶質酸化膜として珪素を含んだもの
を用いる場合は、珪素の含有割合を変えることにより、
かかる酸化膜の屈折率を調節することができ、光学的な
膜設計の自由度が拡大するという効果も奏する。
を用いる場合は、珪素の含有割合を変えることにより、
かかる酸化膜の屈折率を調節することができ、光学的な
膜設計の自由度が拡大するという効果も奏する。
【図1】本発明に係わる光学体の一例の一部断面図
【図
2】本発明に係わる熱線反射性能を有する光学体の一例
の一部断面図
2】本発明に係わる熱線反射性能を有する光学体の一例
の一部断面図
1 ガラス基板
2 金属、窒化物、炭化物、硼化物、酸化膜、珪化物
、あるいはこれらの複合物からなる膜(第1層)3
非晶質酸化膜(第2層) 10 ガラス基板 11 透明誘電体膜(第1層) 12 窒化膜(第2層) 13 非晶質酸化膜(第3層)
、あるいはこれらの複合物からなる膜(第1層)3
非晶質酸化膜(第2層) 10 ガラス基板 11 透明誘電体膜(第1層) 12 窒化膜(第2層) 13 非晶質酸化膜(第3層)
Claims (5)
- 【請求項1】ガラス基板上に少なくとも2層からなる光
学薄膜が形成された光学体において、空気側の最外層が
、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、錫、タンタル、
及びインジウムの群から選ばれる少なくとも1種と、珪
素とを含む酸化物を主成分とする非晶質酸化膜からなる
ことを特徴とする耐久性の優れた光学体。 - 【請求項2】非晶質酸化膜が少なくともジルコニウムと
珪素とを含む酸化膜からなることを特徴とする請求項1
記載の耐久性の優れた光学体。 - 【請求項3】ガラス基板上に、該ガラス基板側から順に
窒化物膜、非晶質酸化膜の少なくとも2層が形成されて
なることを特徴とする請求項1又は2記載の耐久性の優
れた光学体。 - 【請求項4】ガラス基板上に、該ガラス基板側から順に
透明誘電体膜、窒化物膜、非晶質酸化膜の少なくとも3
層が形成されてなることを特徴とする請求項1又は2記
載の耐久性の優れた光学体。 - 【請求項5】窒化物膜が窒化チタン、窒化ジルコニウム
、窒化ハフニウム、窒化タンタル及び窒化クロムの群か
ら選ばれる少なくとも1種からなることを特徴とする請
求項3又は4記載の耐久性の優れた光学体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3149550A JP2518116B2 (ja) | 1988-03-03 | 1991-05-24 | 耐久性の優れた光学体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63-48765 | 1988-03-03 | ||
JP4876588 | 1988-03-03 | ||
JP3149550A JP2518116B2 (ja) | 1988-03-03 | 1991-05-24 | 耐久性の優れた光学体の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63076202A Division JPH0682163B2 (ja) | 1988-03-03 | 1988-03-31 | 耐久性の優れた光学体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04265252A true JPH04265252A (ja) | 1992-09-21 |
JP2518116B2 JP2518116B2 (ja) | 1996-07-24 |
Family
ID=26389081
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3149550A Expired - Lifetime JP2518116B2 (ja) | 1988-03-03 | 1991-05-24 | 耐久性の優れた光学体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2518116B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03122031A (ja) * | 1988-10-21 | 1991-05-24 | Asahi Glass Co Ltd | 耐擦傷性保護膜付透明体 |
JPH06347640A (ja) * | 1993-04-28 | 1994-12-22 | Boc Group Inc:The | 放射率の低い太陽熱制御型耐久性薄膜コーティング |
JP2010013345A (ja) * | 2008-06-30 | 2010-01-21 | Schott Ag | 熱放射反射配列構造体、同製造方法、及び同利用方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5614614A (en) * | 1979-07-11 | 1981-02-12 | Akio Chiba | Screw |
JPS57174240A (en) * | 1981-04-22 | 1982-10-26 | Teijin Ltd | Selective beam transmitting laminate |
JPS62216943A (ja) * | 1986-03-10 | 1987-09-24 | ロイ ジエラルド ゴ−ドン | ソ−ラ−遮へいフイルム用保護被覆 |
JPS62216944A (ja) * | 1985-12-06 | 1987-09-24 | ライボルト−ヘレ−ウス・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング | 可視スペクトル範囲内で高い透過特性及び熱線に対する高い反射特性を有するウインド−ガラスの製法 |
-
1991
- 1991-05-24 JP JP3149550A patent/JP2518116B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JPS62216943A (ja) * | 1986-03-10 | 1987-09-24 | ロイ ジエラルド ゴ−ドン | ソ−ラ−遮へいフイルム用保護被覆 |
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JP2010013345A (ja) * | 2008-06-30 | 2010-01-21 | Schott Ag | 熱放射反射配列構造体、同製造方法、及び同利用方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2518116B2 (ja) | 1996-07-24 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19960319 |