JPH03122031A - 耐擦傷性保護膜付透明体 - Google Patents
耐擦傷性保護膜付透明体Info
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- JPH03122031A JPH03122031A JP1224482A JP22448289A JPH03122031A JP H03122031 A JPH03122031 A JP H03122031A JP 1224482 A JP1224482 A JP 1224482A JP 22448289 A JP22448289 A JP 22448289A JP H03122031 A JPH03122031 A JP H03122031A
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Landscapes
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- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
この発明は、バーコードリーダーのバーコード読取部の
保護板及びバーコードリーダーに関するものである。
保護板及びバーコードリーダーに関するものである。
[従来の技術]
バーコードリーダーのバーコード読取部にはガラスが用
いられている。それは、バーコードの読み取りが光学的
に行なわれるため、読取部は可視領域の波長の光に対す
る透過率が高(なければないこと、また、バーコードの
ついた商品に強く擦られたり押されたりするため、読取
部は硬く疵つきに<(シなければならないことなどの理
由による。通常、フロートガラスが用いられるが、耐擦
傷性や割れ強度を改善する目的で、風冷または化学強化
されたガラスが用いられることもある。上記の理由のう
ち、疵つきに(いことは、疵による透過光の成孔から透
過率が落ち、読み取りの不正や不能が誘起されるという
点から特に重要である。ガラスそのものの耐擦傷性では
疵つきにくさの点では不十分であるため、従来より、ガ
ラス表面にdjp又は5pray法によりチタニア(T
iO□)、酸化スズ(Sn02)などの被膜のコーティ
ングが施され、面寸擦傷性の向上が図られている。
いられている。それは、バーコードの読み取りが光学的
に行なわれるため、読取部は可視領域の波長の光に対す
る透過率が高(なければないこと、また、バーコードの
ついた商品に強く擦られたり押されたりするため、読取
部は硬く疵つきに<(シなければならないことなどの理
由による。通常、フロートガラスが用いられるが、耐擦
傷性や割れ強度を改善する目的で、風冷または化学強化
されたガラスが用いられることもある。上記の理由のう
ち、疵つきに(いことは、疵による透過光の成孔から透
過率が落ち、読み取りの不正や不能が誘起されるという
点から特に重要である。ガラスそのものの耐擦傷性では
疵つきにくさの点では不十分であるため、従来より、ガ
ラス表面にdjp又は5pray法によりチタニア(T
iO□)、酸化スズ(Sn02)などの被膜のコーティ
ングが施され、面寸擦傷性の向上が図られている。
[発明の解決しようとする課題]
しかしながら、先に述べたTiO2,SnO□などの保
護膜の耐擦傷性はあまり十分ではなかった。
護膜の耐擦傷性はあまり十分ではなかった。
例えば、食料8店において使用されているバーコードリ
ーダーではガラスがバーコードのついたガラス壜や缶な
ど固いもので擦られるため、疵つきやすく、従来用いら
れている保護膜を用いたものでは月1回の頻度でガラス
を交換しなくてはならなかった。
ーダーではガラスがバーコードのついたガラス壜や缶な
ど固いもので擦られるため、疵つきやすく、従来用いら
れている保護膜を用いたものでは月1回の頻度でガラス
を交換しなくてはならなかった。
[課題を解決するための手段]
本発明は前述の問題点を解決すべくなされたものであり
、透明基体上に、Zr、 Ti、 Hf、 Sn。
、透明基体上に、Zr、 Ti、 Hf、 Sn。
Ta、Inのうち少なくとも1種と、B(ホウ素)とS
i(ケイ素)のうち少なくとも1種とを含む酸化物を主
成分とする非晶質酸化物膜からなる耐擦傷性保護膜を有
することを特徴とするバーコード読取部の保護板及び透
明基体上に、Zr。
i(ケイ素)のうち少なくとも1種とを含む酸化物を主
成分とする非晶質酸化物膜からなる耐擦傷性保護膜を有
することを特徴とするバーコード読取部の保護板及び透
明基体上に、Zr。
Ti、t(f、Sn、Ta、Inのうち少なくとも1種
と、B(ホウ素)とSi (ケイ素)のうち少なくとも
1種とを含む酸化物を主成分とする非晶質酸化物膜から
なる耐擦傷性保護膜が形成されたバーコード読取部の保
護板を宵することを特徴とするバーコードリーダーを提
供するものである。
と、B(ホウ素)とSi (ケイ素)のうち少なくとも
1種とを含む酸化物を主成分とする非晶質酸化物膜から
なる耐擦傷性保護膜が形成されたバーコード読取部の保
護板を宵することを特徴とするバーコードリーダーを提
供するものである。
第1図に本発明のバーコード読取部の保護板の一例の概
略断面図を示す。
略断面図を示す。
本発明で用いる透明基体2はソーダ石灰ガラス、ホウケ
イ酸ガラス、鉛ケイ酸ガラス、アルミノケイ酸ガラス、
アルミノホウ酸ガラス、石英ガラス、バリウムホウ酸ガ
ラスなどであるが、その他固体のガラスであればいかな
る成分を持つものでも良い。又、プラスチック基板やフ
ィルムを用いることもできる。基体の形状は平板ばかり
ではなく、曲げ形状、その他いかなる形状をもつもので
も良い。安全性の点から、ガラス基板の場合は風冷強化
、化学強化により強度アップしたもの、また、合せによ
り破壊時のガラス破片の飛散防止がなされたものが好ま
しい。
イ酸ガラス、鉛ケイ酸ガラス、アルミノケイ酸ガラス、
アルミノホウ酸ガラス、石英ガラス、バリウムホウ酸ガ
ラスなどであるが、その他固体のガラスであればいかな
る成分を持つものでも良い。又、プラスチック基板やフ
ィルムを用いることもできる。基体の形状は平板ばかり
ではなく、曲げ形状、その他いかなる形状をもつもので
も良い。安全性の点から、ガラス基板の場合は風冷強化
、化学強化により強度アップしたもの、また、合せによ
り破壊時のガラス破片の飛散防止がなされたものが好ま
しい。
本発明は、Zr、Ti、Hf、Sn、Ta、Inのうち
少なくとも1種と、B、Siのうち少なくとも1種を含
む酸化物を主成分とする非晶質酸化物膜が耐擦傷性、耐
摩耗性、化学的耐久性に優れた薄膜であることを見出し
て成されたものであり、かがる膜を耐擦傷性保護膜1と
して用いることを特徴とするものである。
少なくとも1種と、B、Siのうち少なくとも1種を含
む酸化物を主成分とする非晶質酸化物膜が耐擦傷性、耐
摩耗性、化学的耐久性に優れた薄膜であることを見出し
て成されたものであり、かがる膜を耐擦傷性保護膜1と
して用いることを特徴とするものである。
表1は、本発明における耐擦傷i生保護膜1として好適
な各種非晶質酸化物膜の性質を示したものである。それ
ぞれ表に挙げた組成のターゲットを用いて、反応性スパ
ッタリングにより製膜したものである。同じターゲット
を用いても、膜組成や屈折率は成膜条件により若干変動
することがあるので表1ばあ(までも−例を示したもの
である。
な各種非晶質酸化物膜の性質を示したものである。それ
ぞれ表に挙げた組成のターゲットを用いて、反応性スパ
ッタリングにより製膜したものである。同じターゲット
を用いても、膜組成や屈折率は成膜条件により若干変動
することがあるので表1ばあ(までも−例を示したもの
である。
結晶性は、薄膜X線回折により観測した。
又、耐擦傷性は、砂消しゴムによる擦り試験の結果で、
○は傷が殆どつかなかったもの、×は容易に傷が生じた
ものである。
○は傷が殆どつかなかったもの、×は容易に傷が生じた
ものである。
耐摩耗性は、テーパー試験(摩耗輪C5−10F、加重
500g、1000回転)の結果、ヘイズ4%以内のも
のを○、ヘイズ4%超のものをXとした。耐酸性は0.
1N H2SO4中に240時間浸漬した結果、TV
(可視光透過率)、Rv (可視光反射率)の浸漬前
に対する変化率が1%以内のものを○、1〜4%のもの
を△、膜が溶解して消滅してしまったものを×とした。
500g、1000回転)の結果、ヘイズ4%以内のも
のを○、ヘイズ4%超のものをXとした。耐酸性は0.
1N H2SO4中に240時間浸漬した結果、TV
(可視光透過率)、Rv (可視光反射率)の浸漬前
に対する変化率が1%以内のものを○、1〜4%のもの
を△、膜が溶解して消滅してしまったものを×とした。
耐アルカリ性は0.IN NaOH中に240時間浸漬
した結果、Tv、Rvの浸漬前に対する変化率が1%以
内のものをO1膜が溶解してしまったものを×とした。
した結果、Tv、Rvの浸漬前に対する変化率が1%以
内のものをO1膜が溶解してしまったものを×とした。
煮沸テストは、1気圧下、100℃の水に2時間浸漬し
た後、TV、Rvの浸漬前に対する変化率が1%以内で
あるときO11%超のとき×とした。
た後、TV、Rvの浸漬前に対する変化率が1%以内で
あるときO11%超のとき×とした。
本発明の耐擦傷性保護膜1において、ホウ素やケイ素の
含有割合は特に限定されるものではないが、以下のよう
な範囲が好ましい。
含有割合は特に限定されるものではないが、以下のよう
な範囲が好ましい。
ZrBつOy膜に関しては、表1から明らかなように、
膜中のBが少ないと結晶性の膜ができ、Bが多いと非晶
質の膜ができる傾向があることがわかる。そして、結晶
性の膜は耐擦傷性及び耐摩耗性が劣るのに対して非晶質
の膜は優れていることがわかる。これは非晶質の膜は、
表面が平滑である為であると考えられる。従って、Zr
BxOy膜(膜中のZrに対するBの原子比Xが0、1
0< x )の膜は耐擦傷性、■摩耗性に優れている。
膜中のBが少ないと結晶性の膜ができ、Bが多いと非晶
質の膜ができる傾向があることがわかる。そして、結晶
性の膜は耐擦傷性及び耐摩耗性が劣るのに対して非晶質
の膜は優れていることがわかる。これは非晶質の膜は、
表面が平滑である為であると考えられる。従って、Zr
BxOy膜(膜中のZrに対するBの原子比Xが0、1
0< x )の膜は耐擦傷性、■摩耗性に優れている。
B2O3は吸湿性で空気中の水分を吸収して溶けてしま
うので、ZrB、O,膜においてX≦3程度が好ましい
。
うので、ZrB、O,膜においてX≦3程度が好ましい
。
Z r B X Oつ膜中のZrに対するO(酸素)の
原子比は特に限定されないが、多すぎると膜構造が徂に
なりボッボッの膜になってしまうこと、又、あまり少な
いと膜が金属的になり透過率が低下したり膜の耐擦傷性
が低下する傾向があることなどの理由によりZrO□と
B2O3の複合系となる量程1度であることが好ましい
。即ち、複合酸化物をZrO□+x801 と表すと
、BがZrに対して原子比でX含まれる時に、y=2+
1.5x程度であることが好ましい。
原子比は特に限定されないが、多すぎると膜構造が徂に
なりボッボッの膜になってしまうこと、又、あまり少な
いと膜が金属的になり透過率が低下したり膜の耐擦傷性
が低下する傾向があることなどの理由によりZrO□と
B2O3の複合系となる量程1度であることが好ましい
。即ち、複合酸化物をZrO□+x801 と表すと
、BがZrに対して原子比でX含まれる時に、y=2+
1.5x程度であることが好ましい。
又、表1より、ZrBxOy膜中のBの潰が増えるにつ
れ、膜の屈折率が低下する傾向があることがわかる。膜
中のBを増やすことにより、屈折率nは2,0ぐらいか
ら1.5程度まで低下する。
れ、膜の屈折率が低下する傾向があることがわかる。膜
中のBを増やすことにより、屈折率nは2,0ぐらいか
ら1.5程度まで低下する。
従って0.10< x≦3.2<y≦6.5のZrBx
Oy膜は良好な耐擦傷性及び耐摩耗性を有し、かつ、B
の量によって自由に屈折率を選択できる本発明の目的に
好適な耐擦傷性保護膜である。
Oy膜は良好な耐擦傷性及び耐摩耗性を有し、かつ、B
の量によって自由に屈折率を選択できる本発明の目的に
好適な耐擦傷性保護膜である。
さらに、表1に示したように、膜中OBの含有量が増え
るにつれ、耐酸性、耐アルカリ性が劣化する傾向がある
。X≧2.3で耐酸性が悪(なり、X≧4で耐アルカリ
性の低下及び煮沸テストで劣化を示すようになる。従っ
て、高化学的耐久性が要求される場合には、zrB、0
. (x <2.3)の非晶質酸化物膜が好ましい。
るにつれ、耐酸性、耐アルカリ性が劣化する傾向がある
。X≧2.3で耐酸性が悪(なり、X≧4で耐アルカリ
性の低下及び煮沸テストで劣化を示すようになる。従っ
て、高化学的耐久性が要求される場合には、zrB、0
. (x <2.3)の非晶質酸化物膜が好ましい。
以上のように、1rOz膜にBを加えたことにより、膜
が非晶質化し、表面が平滑化し、これが耐摩耗性及び耐
擦傷性の向上に寄与していると考えられる。又、Bの量
で屈折率の調節が可能となり、さらに、ZrO□膜と比
べて、内部応力が小さいため、基体(ガラス、プラスチ
ック2tc)や基体上の下地膜との密着性の点で有利で
ある。これは特に厚い膜を形成する場合に有利である。
が非晶質化し、表面が平滑化し、これが耐摩耗性及び耐
擦傷性の向上に寄与していると考えられる。又、Bの量
で屈折率の調節が可能となり、さらに、ZrO□膜と比
べて、内部応力が小さいため、基体(ガラス、プラスチ
ック2tc)や基体上の下地膜との密着性の点で有利で
ある。これは特に厚い膜を形成する場合に有利である。
次に、Zr5tzOy膜に関しては、やはりアモルファ
スであり、耐擦傷性、耐摩耗性の高い膜が得られる。
スであり、耐擦傷性、耐摩耗性の高い膜が得られる。
屈折率については、Zr(h (n = 2. l−5
)と5102(n = 1.46)の間でその組成割合
によって上下する。
)と5102(n = 1.46)の間でその組成割合
によって上下する。
zrsizOy膜において、0.05≦z(膜中のZr
iこ対するSiの原子比)≦19であることが好ましい
。z<0.05だと、膜が非晶質化せず、十分な物理的
耐久性が得られない。又、Z〉19だと、耐アルカリ性
が悪くなる。又、y (ZrSi−Oy模膜中Zrに対
する0の原子比)は、ZrBxOy膜について述べたの
と同様の理由により、SiがZrに対して原子比でZ含
まれる時に、y=2+2z程度であることが好ましい。
iこ対するSiの原子比)≦19であることが好ましい
。z<0.05だと、膜が非晶質化せず、十分な物理的
耐久性が得られない。又、Z〉19だと、耐アルカリ性
が悪くなる。又、y (ZrSi−Oy模膜中Zrに対
する0の原子比)は、ZrBxOy膜について述べたの
と同様の理由により、SiがZrに対して原子比でZ含
まれる時に、y=2+2z程度であることが好ましい。
従って高耐久性が要求される場合には、0.05≦z≦
19.2.1≦y<40のZrSi、0.膜が好ましい
。
19.2.1≦y<40のZrSi、0.膜が好ましい
。
又、ZrBxStzOy膜も本発明の耐擦傷性保護膜と
して好適な膜である。かかる膜中のZrに対するBの原
子比x、siの原子比z、Oの原子比yは、X+Z≧0
.05であれば膜が非晶質化し、耐擦傷性及び耐摩耗性
の高い膜となるので好ましい。又、x+z≦19であれ
ば耐アルカリ性も良好であるので、ZrBつ5izOy
膜においては、0.05≦x+z≦19であるのが好ま
しい。ただし、上述のように、B2O3は吸湿性で空気
中の水分を吸収して溶けてしまうため、ZrB、Si、
0.膜中にあまり多く含有されない方がよい。具体的に
は、膜中において、ZrO□<25mo1%、かつSi
O2<25 mo1%で残りが8203となる程B2O
3が含まれていると化学的耐久性が不十分となる。
して好適な膜である。かかる膜中のZrに対するBの原
子比x、siの原子比z、Oの原子比yは、X+Z≧0
.05であれば膜が非晶質化し、耐擦傷性及び耐摩耗性
の高い膜となるので好ましい。又、x+z≦19であれ
ば耐アルカリ性も良好であるので、ZrBつ5izOy
膜においては、0.05≦x+z≦19であるのが好ま
しい。ただし、上述のように、B2O3は吸湿性で空気
中の水分を吸収して溶けてしまうため、ZrB、Si、
0.膜中にあまり多く含有されない方がよい。具体的に
は、膜中において、ZrO□<25mo1%、かつSi
O2<25 mo1%で残りが8203となる程B2O
3が含まれていると化学的耐久性が不十分となる。
即ち、ZrBXSi、0.膜中のZr:B:Si(原子
比)を1:x:zとすると、1 / (1+ x +
z ) <0.25、かつz / (1+ x + z
) <0.25、即ち、x+z−3>Olかつx−3
z+l>Oの組成は化学的耐久性が好ましくない。
比)を1:x:zとすると、1 / (1+ x +
z ) <0.25、かつz / (1+ x + z
) <0.25、即ち、x+z−3>Olかつx−3
z+l>Oの組成は化学的耐久性が好ましくない。
yは、ZrBxOyの場合に述べたのと同様の理由によ
りこの膜をZrO□+B2O3+ 5iO7の複合系と
考えて、yは2+1.5 x+ 2z程度であること
が好ましい。よってほぼ2<y<40程度であることが
好ましい。BやSiの含有量が多い程ZrB、5izO
,膜の屈折率は低下する。
りこの膜をZrO□+B2O3+ 5iO7の複合系と
考えて、yは2+1.5 x+ 2z程度であること
が好ましい。よってほぼ2<y<40程度であることが
好ましい。BやSiの含有量が多い程ZrB、5izO
,膜の屈折率は低下する。
Zr以外の金属、即ち、Ti、 Hf、 Sn、 Ta
、 In と、BとSiのうち少なくとも1種とを含
む酸化物も同様に非晶質と−なり、十分な耐擦傷性、及
び耐摩耗性が得られる。’ristzoy膜を表1のサ
ンプル15に一例として示した。
、 In と、BとSiのうち少なくとも1種とを含
む酸化物も同様に非晶質と−なり、十分な耐擦傷性、及
び耐摩耗性が得られる。’ristzoy膜を表1のサ
ンプル15に一例として示した。
本発明の非晶質酸化物からなる耐擦傷性保護膜1は、Z
r、 Ti、 Hf、 Sn、 Ta、 In、 B、
Si、 0以外の元素、例えばB、Siと同様にガラ
ス構成元素であるP、As等を、耐久性向上、光学定数
調整、成膜時の安定性、あるいは成膜速度の向上等のた
めに、微量に含んでいてもよい。
r、 Ti、 Hf、 Sn、 Ta、 In、 B、
Si、 0以外の元素、例えばB、Siと同様にガラ
ス構成元素であるP、As等を、耐久性向上、光学定数
調整、成膜時の安定性、あるいは成膜速度の向上等のた
めに、微量に含んでいてもよい。
本発明で用いる耐擦(易性保護膜1の膜厚は通常100
〜5000人であることが好ましい。あまり薄すぎると
十分な耐擦傷性が得られず、又、あまり厚すぎると膜の
剥離が生じやすく、又、生産性も悪いからである。
〜5000人であることが好ましい。あまり薄すぎると
十分な耐擦傷性が得られず、又、あまり厚すぎると膜の
剥離が生じやすく、又、生産性も悪いからである。
バーコードリーダー読取部に用いる保護板の場合、波長
6328人のレーザービームの透過率を考慮すると、厚
さ5mmのソーダ石灰ガラスを用い、耐擦傷性保護膜の
膜厚は300〜600人とすることが望ましい。
6328人のレーザービームの透過率を考慮すると、厚
さ5mmのソーダ石灰ガラスを用い、耐擦傷性保護膜の
膜厚は300〜600人とすることが望ましい。
本発明の耐擦傷性保護膜1のツリ法として、蒸イ2ン去
、スパッタと去、イオンブレーティング(去などの成膜
法を用いることができ、特に製法を限るものではない。
、スパッタと去、イオンブレーティング(去などの成膜
法を用いることができ、特に製法を限るものではない。
しかし、スパック法はこれらのうちでも原料を熔融させ
ることがなく、膜組成のコントロールや再現性が良好で
あり、基体に到達する粒子のエネルギーが高く、密着性
の良い膜が得られるなど、容易に本発明の非晶質膜から
なる耐擦傷性保護膜lを得ることができる。また、膜の
基体との密着性を高める手段としてイオン注入法を併用
してもよい。即ち、ガラス基板上に形成された耐擦傷性
保護膜1上から数10keV程度の高エネルギーのアル
ゴンイオン、酸素イオン等を照射して、該耐擦傷性保護
膜とガラス基板との間に混合層を形成することによって
、ガラス基板への密着性を高めることもできる。さらに
、耐擦傷性保護膜1上に薄い有機系の潤滑膜を塗布して
、より摩擦係数を低減することも用途によって有効であ
る。
ることがなく、膜組成のコントロールや再現性が良好で
あり、基体に到達する粒子のエネルギーが高く、密着性
の良い膜が得られるなど、容易に本発明の非晶質膜から
なる耐擦傷性保護膜lを得ることができる。また、膜の
基体との密着性を高める手段としてイオン注入法を併用
してもよい。即ち、ガラス基板上に形成された耐擦傷性
保護膜1上から数10keV程度の高エネルギーのアル
ゴンイオン、酸素イオン等を照射して、該耐擦傷性保護
膜とガラス基板との間に混合層を形成することによって
、ガラス基板への密着性を高めることもできる。さらに
、耐擦傷性保護膜1上に薄い有機系の潤滑膜を塗布して
、より摩擦係数を低減することも用途によって有効であ
る。
第2図にバーコードリーダーの一例の憑略図を示す。3
はバーコード読取部の保護板である。この上をバーコー
ドを貼付した商品などを滑らせ、バーコードの読み取り
が行なわれる。
はバーコード読取部の保護板である。この上をバーコー
ドを貼付した商品などを滑らせ、バーコードの読み取り
が行なわれる。
[作 用]
保護膜の耐擦傷性を左右する要因として膜の潤滑性、膜
の硬度、膜の基体との密着性が考えられる。本発明にお
いては上記の要因のうち、特に膜の潤滑性を従来の膜に
比べて向上せしめていると考えられる。TiO□やSn
O□のような従来の膜においては、X II的には非晶
質であるとされている膜でも、電子顕微鏡によるミクロ
な観察によると非常に細かな微結晶の集合であると考え
られている。この様な報告は例えば、Japanese
Journal of Applied Physi
cs 1979年18巻1937ページに掲載されてい
る。本発明の特徴はジルコニウムの酸化膜にホウ素(B
)やケイ素(Si)を添加することであるが、ホウ素の
原子半径は0.41人、ケイ素の原子半径は0.54人
で、ジルコニウム、酸素のそれぞれ0.98人、1.2
6人に比べて小さく、ホウ素又はケイ素は酸化ジルコニ
ウム(Z r O□)の格子の間隔に入りこむと考えら
れる。このことは酸化ジルコニウムの格子を破壊し、酸
化ジルコニウムの結晶粒の成長を妨げ、膜をより非晶質
に近いものとすると考えられる。膜表面の凹凸は微結晶
の集合である膜よりも非晶質の膜の方が少ないと考えら
れ、その結果、本発明の非晶質膜は摩擦係数を低減され
ているものと考えられる。このため、本発明の非晶質膜
は非常に潤滑性に優れ、引っかかりが少ないため、摩擦
により疵つきにくく、高耐(7傷性能が得られるものと
考えられる。
の硬度、膜の基体との密着性が考えられる。本発明にお
いては上記の要因のうち、特に膜の潤滑性を従来の膜に
比べて向上せしめていると考えられる。TiO□やSn
O□のような従来の膜においては、X II的には非晶
質であるとされている膜でも、電子顕微鏡によるミクロ
な観察によると非常に細かな微結晶の集合であると考え
られている。この様な報告は例えば、Japanese
Journal of Applied Physi
cs 1979年18巻1937ページに掲載されてい
る。本発明の特徴はジルコニウムの酸化膜にホウ素(B
)やケイ素(Si)を添加することであるが、ホウ素の
原子半径は0.41人、ケイ素の原子半径は0.54人
で、ジルコニウム、酸素のそれぞれ0.98人、1.2
6人に比べて小さく、ホウ素又はケイ素は酸化ジルコニ
ウム(Z r O□)の格子の間隔に入りこむと考えら
れる。このことは酸化ジルコニウムの格子を破壊し、酸
化ジルコニウムの結晶粒の成長を妨げ、膜をより非晶質
に近いものとすると考えられる。膜表面の凹凸は微結晶
の集合である膜よりも非晶質の膜の方が少ないと考えら
れ、その結果、本発明の非晶質膜は摩擦係数を低減され
ているものと考えられる。このため、本発明の非晶質膜
は非常に潤滑性に優れ、引っかかりが少ないため、摩擦
により疵つきにくく、高耐(7傷性能が得られるものと
考えられる。
[実施例]
本発明のバーコード読取部の保護板を厚さ5mmのソー
ダ石灰ガラスを用い、以下の方法でDCスパッタ法によ
り作成した。ターゲットにはホウ素(B)の割合(原子
%)が67%である、ジルコニウム(Zr)とホウ素(
B)の焼結体を用いた。導入ガスは酸素(0□)の流量
比が30%である酸素(0□)とアルゴン(Ar)の混
合ガスを用い、真空槽内の真空度が3.5mTorrに
なるようにした。ターゲットにDC電源を接続し、−6
00Vを印加し、グロー放電を生じさせた。このときの
放電電流密度は20mA/cm2であった。このような
状態でシャッターを37.5秒間あけ、厚さ5mmのソ
ーダ石灰ガラス板上にZrBxOy非晶質膜を成膜した
(サンプル1とする)。
ダ石灰ガラスを用い、以下の方法でDCスパッタ法によ
り作成した。ターゲットにはホウ素(B)の割合(原子
%)が67%である、ジルコニウム(Zr)とホウ素(
B)の焼結体を用いた。導入ガスは酸素(0□)の流量
比が30%である酸素(0□)とアルゴン(Ar)の混
合ガスを用い、真空槽内の真空度が3.5mTorrに
なるようにした。ターゲットにDC電源を接続し、−6
00Vを印加し、グロー放電を生じさせた。このときの
放電電流密度は20mA/cm2であった。このような
状態でシャッターを37.5秒間あけ、厚さ5mmのソ
ーダ石灰ガラス板上にZrBxOy非晶質膜を成膜した
(サンプル1とする)。
基体に成膜された膜の厚さは500人であり、膜は無色
透明で屈折率は1.8であった。膜におけるホウ素の含
有量をESCAで調べたところ、ジルコニウムに対する
ホウ素の原子比Xは2.0であった。
透明で屈折率は1.8であった。膜におけるホウ素の含
有量をESCAで調べたところ、ジルコニウムに対する
ホウ素の原子比Xは2.0であった。
別に、ターゲットにケイ素(Si)の割合(原子%)が
67%である、ジルコニウム(Zr)とケイ素(Si)
の焼結体を用いて、上記と同様の条件でスパッタリング
を行い、厚さ5mmのソーダ石灰ガラス板上にZrSi
□Oy非晶質膜を形成した(サンプル2とする)。
67%である、ジルコニウム(Zr)とケイ素(Si)
の焼結体を用いて、上記と同様の条件でスパッタリング
を行い、厚さ5mmのソーダ石灰ガラス板上にZrSi
□Oy非晶質膜を形成した(サンプル2とする)。
膜厚は900人であり、膜は無色透明で屈折率は1.7
であった。膜中のZrに対するSiの原子比2は2.0
であった。
であった。膜中のZrに対するSiの原子比2は2.0
であった。
荷重50g、基体の移動速度150mm/分で直径6m
mのステンレス球による動摩擦係数を、従来より使用さ
れている5prayによりコーティングされたTlO2
およびSnO2、ソーダ石灰ガラス表面、本発明による
ZrBxOy(サンプル1)ZrS+、zOy(サン
プル2)非晶質膜からなる耐擦個性保護膜について表面
をアセI・ンにひたした布で拭きとってから新東化学社
製tleidon 14型表面性測定器を用いて測定し
たところ、上記5種類のサンプルについてそれぞれ0.
204.0.2820.145.0.142 (サンプ
ル1 ) 、 0.138(サンプル2)という値を得
た。このように本発明の耐擦傷性保護膜は非常に潤滑性
に優れており、引っかかりが少ないため、摩擦により疵
つきにくいと考えられる。実際、荷重500gをかけ、
直径5mmの砂消しゴムを30mmのストロークでIO
往復させる試験をしたところ、目視によれば、上記5種
類のサンプルのうち本発明によるZrBxOyZrSi
zOyからなる耐擦傷性保護膜は疵の数がDも少なかっ
た。
mのステンレス球による動摩擦係数を、従来より使用さ
れている5prayによりコーティングされたTlO2
およびSnO2、ソーダ石灰ガラス表面、本発明による
ZrBxOy(サンプル1)ZrS+、zOy(サン
プル2)非晶質膜からなる耐擦個性保護膜について表面
をアセI・ンにひたした布で拭きとってから新東化学社
製tleidon 14型表面性測定器を用いて測定し
たところ、上記5種類のサンプルについてそれぞれ0.
204.0.2820.145.0.142 (サンプ
ル1 ) 、 0.138(サンプル2)という値を得
た。このように本発明の耐擦傷性保護膜は非常に潤滑性
に優れており、引っかかりが少ないため、摩擦により疵
つきにくいと考えられる。実際、荷重500gをかけ、
直径5mmの砂消しゴムを30mmのストロークでIO
往復させる試験をしたところ、目視によれば、上記5種
類のサンプルのうち本発明によるZrBxOyZrSi
zOyからなる耐擦傷性保護膜は疵の数がDも少なかっ
た。
[発明の効果]
本発明のバーコード読取部の保護板における保護膜1は
従来用いられていたTiO□、 SnO□などの保護膜
に比べて潤滑性が向上している。従って、本発明におけ
る耐擦傷性保護膜は十分な耐擦傷性を有しているので、
優れたバーコードリーダーの読取部の保護板を提供でき
る。
従来用いられていたTiO□、 SnO□などの保護膜
に比べて潤滑性が向上している。従って、本発明におけ
る耐擦傷性保護膜は十分な耐擦傷性を有しているので、
優れたバーコードリーダーの読取部の保護板を提供でき
る。
第1図は本発明のバーコード読取部の保護板の一例の断
面図である。1は耐擦傷性保護膜、2は透明基体、3は
バーコード読取部の保護板である。第2図はバーコード
リーダーの顆路斜視図である。3はバーコード読取部に
取りつけられた、本発明の耐擦偏性保護膜付バーコード
読取部の保護板である。
面図である。1は耐擦傷性保護膜、2は透明基体、3は
バーコード読取部の保護板である。第2図はバーコード
リーダーの顆路斜視図である。3はバーコード読取部に
取りつけられた、本発明の耐擦偏性保護膜付バーコード
読取部の保護板である。
Claims (5)
- (1)透明基体の片面又は両面に、Zr,Ti,Hf,
Sn,Ta,Inのうち少なくとも1種とB(ホウ素)
とSi(ケイ素)のうち少なくとも1種とを含む酸化物
を主成分とする非晶質酸化物膜からなる耐擦傷性保護膜
を一層形成したことを特徴とする耐擦傷性保護膜付透明
体。 - (2)耐擦傷性保護膜が、Zr(ジルコニウム)とB(
ホウ素)を含む酸化物(ZrB_xO_y)を主成分と
し、膜中のホウ素のジルコニウムに対する原子比xが、
0.10<x≦3であり、酸素のジルコニウムに対する
原子比yが2<y≦6.5である非晶質酸化物膜である
ことを特徴とする請求項1記載の耐擦傷性保護膜付透明
体。 - (3)耐擦傷性保護膜が、Zr(ジルコニウム)とB(
ホウ素)を含む酸化物(ZrB_xO_y)を主成分B
(ホウ素)を含む酸化物(ZrB_xO_y)を主成分
とし、膜中のホウ素のジルコニウムに対する原子比xが
、0.10<x≦3であり、酸素のジルコニウムに対す
る原子比yが2<y≦6.5である非晶質酸化物膜であ
ることを特徴とする請求項1記載のバーコード読取部の
保護板又は請求項2記載のバーコードリーダー。 - (4)耐擦傷性保護膜が、Zr(ジルコニウム)とSi
(ケイ素)とを含む酸化物(ZrSi_zO_y)を主
成分とし、SiのZrに対する原子比zが0.05≦z
≦19であり、OのZrに対する原子比yが2.1≦y
<40である非晶質酸化物膜であることを特徴とする請
求項1記載のバーコード読取部の保護板又は請求項2記
載のバーコードリーダー。 - (5)耐擦傷性保護膜が、Zr(ジルコニウム)とB(
ホウ素)とSi(ケイ素)とを含む酸化物(ZrB_x
Si_zO_y)を主成分とし、膜中のホウ素のジルコ
ニウムに対する原子比をx、Siのジルコニウムに対す
る原子比をz、酸素のZrに対する原子比をyとすると
、0.05≦x+z≦19(ただしx+z−3>0かつ
x−3z+1>0の組成は除く)であり、2<y<40
である非晶質酸化物膜であることを特徴とする請求項1
記載のバーコード読取部の保護板又は請求項2記載のバ
ーコードリーダー。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1224482A JP2601546B2 (ja) | 1988-10-21 | 1989-09-01 | 耐擦傷性保護膜付ガラス基体の製造方法 |
SG1996006789A SG43272A1 (en) | 1989-08-01 | 1990-08-01 | Film based on silicon dioxide and production thereof |
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63-264163 | 1988-10-21 | ||
JP26416388 | 1988-10-21 | ||
JP1-53009 | 1989-03-07 | ||
JP5300989 | 1989-03-07 | ||
JP1224482A JP2601546B2 (ja) | 1988-10-21 | 1989-09-01 | 耐擦傷性保護膜付ガラス基体の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03122031A true JPH03122031A (ja) | 1991-05-24 |
JP2601546B2 JP2601546B2 (ja) | 1997-04-16 |
Family
ID=27294815
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2601546B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010232569A (ja) * | 2009-03-30 | 2010-10-14 | Lintec Corp | 太陽電池モジュール用保護シート及び太陽電池モジュール |
JP2010238736A (ja) * | 2009-03-30 | 2010-10-21 | Lintec Corp | 太陽電池モジュール保護用シート及び太陽電池モジュール |
KR20150065830A (ko) * | 2012-10-03 | 2015-06-15 | 코닝 인코포레이티드 | 유리 표면 보호용 물리적 기상 증착층 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57100943A (en) * | 1980-12-10 | 1982-06-23 | Asahi Glass Co Ltd | Substrate coated with silicon oxide having excellent durability |
JPS61167546A (ja) * | 1985-12-25 | 1986-07-29 | 東レ株式会社 | 積層フイルム |
JPS62216944A (ja) * | 1985-12-06 | 1987-09-24 | ライボルト−ヘレ−ウス・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング | 可視スペクトル範囲内で高い透過特性及び熱線に対する高い反射特性を有するウインド−ガラスの製法 |
JPH04265252A (ja) * | 1988-03-03 | 1992-09-21 | Asahi Glass Co Ltd | 耐久性の優れた光学体の製造方法 |
-
1989
- 1989-09-01 JP JP1224482A patent/JP2601546B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57100943A (en) * | 1980-12-10 | 1982-06-23 | Asahi Glass Co Ltd | Substrate coated with silicon oxide having excellent durability |
JPS62216944A (ja) * | 1985-12-06 | 1987-09-24 | ライボルト−ヘレ−ウス・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング | 可視スペクトル範囲内で高い透過特性及び熱線に対する高い反射特性を有するウインド−ガラスの製法 |
JPS61167546A (ja) * | 1985-12-25 | 1986-07-29 | 東レ株式会社 | 積層フイルム |
JPH04265252A (ja) * | 1988-03-03 | 1992-09-21 | Asahi Glass Co Ltd | 耐久性の優れた光学体の製造方法 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010232569A (ja) * | 2009-03-30 | 2010-10-14 | Lintec Corp | 太陽電池モジュール用保護シート及び太陽電池モジュール |
JP2010238736A (ja) * | 2009-03-30 | 2010-10-21 | Lintec Corp | 太陽電池モジュール保護用シート及び太陽電池モジュール |
KR20150065830A (ko) * | 2012-10-03 | 2015-06-15 | 코닝 인코포레이티드 | 유리 표면 보호용 물리적 기상 증착층 |
JP2015536892A (ja) * | 2012-10-03 | 2015-12-24 | コーニング インコーポレイテッド | ガラス表面を保護するための物理蒸着層 |
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---|---|
JP2601546B2 (ja) | 1997-04-16 |
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