JPH04264107A - スチレン系重合体のスルホン化方法 - Google Patents
スチレン系重合体のスルホン化方法Info
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- JPH04264107A JPH04264107A JP4751191A JP4751191A JPH04264107A JP H04264107 A JPH04264107 A JP H04264107A JP 4751191 A JP4751191 A JP 4751191A JP 4751191 A JP4751191 A JP 4751191A JP H04264107 A JPH04264107 A JP H04264107A
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- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、副生物が少なく、純度
の高い水溶性のスチレン系重合体スルホン化物を高収率
で製造するスルホン化方法に関するものである。
の高い水溶性のスチレン系重合体スルホン化物を高収率
で製造するスルホン化方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術及び問題点】これまでにポリスチレン系重
合体のスルホン化方法として種々の方法が提案されてい
る。例えば、塩素化炭化水素中でクロルスルホン酸を用
いてポリスチレンをスルホン化する際に、水、硫酸、塩
酸、メチルアルコール、エチルアルコールの単独又は併
用をモノマー当り特定量添加する方法(特公昭50−3
3838号)、スルホン化の際に、ポリスチレンスルホ
ン酸塩等の陰イオン系化合物及び/又はメチルセルロー
ス等の非イオン系化合物を添加する方法(特公昭51−
37226号)、及びスルホン化の際にルイス塩基のハ
ロゲン化水素塩(例えばNaCl等のハロゲン化アルカ
リ)を添加する方法(特公昭51−37227号)など
である。これらの方法は、いずれもスルホン化に際し、
ポリスチレン分子間又は分子内にSO2による架橋が生
成するのを防止し、副生物の量が少なく、かつ高収率で
水溶性のポリスチレンスルホン化物を得ることを目的と
するものである。しかしながら、特公昭50−3383
8号及び特公昭51−37226号に記載された方法は
、反応系中に水が存在するため、ハロゲン化炭化水素溶
媒に水を均一に分散させて、より均一な系に保つのがむ
ずかしく、又水がスルホン化剤と反応するためにスルホ
ン化剤の必要量が多くなるという問題がある。一方、特
公昭51−37227号の方法では、無機塩を添加する
ので反応終了後に分離する必要があり、工業的プロセス
としては効果的でないといった問題がある。さらに上記
の方法はいずれも、分子間、分子内架橋の防止について
も、また収率等の点においても未だ不十分であり、特に
工業化スケールにおいては一定品質の製品を得ることが
困難であるという問題があった。
合体のスルホン化方法として種々の方法が提案されてい
る。例えば、塩素化炭化水素中でクロルスルホン酸を用
いてポリスチレンをスルホン化する際に、水、硫酸、塩
酸、メチルアルコール、エチルアルコールの単独又は併
用をモノマー当り特定量添加する方法(特公昭50−3
3838号)、スルホン化の際に、ポリスチレンスルホ
ン酸塩等の陰イオン系化合物及び/又はメチルセルロー
ス等の非イオン系化合物を添加する方法(特公昭51−
37226号)、及びスルホン化の際にルイス塩基のハ
ロゲン化水素塩(例えばNaCl等のハロゲン化アルカ
リ)を添加する方法(特公昭51−37227号)など
である。これらの方法は、いずれもスルホン化に際し、
ポリスチレン分子間又は分子内にSO2による架橋が生
成するのを防止し、副生物の量が少なく、かつ高収率で
水溶性のポリスチレンスルホン化物を得ることを目的と
するものである。しかしながら、特公昭50−3383
8号及び特公昭51−37226号に記載された方法は
、反応系中に水が存在するため、ハロゲン化炭化水素溶
媒に水を均一に分散させて、より均一な系に保つのがむ
ずかしく、又水がスルホン化剤と反応するためにスルホ
ン化剤の必要量が多くなるという問題がある。一方、特
公昭51−37227号の方法では、無機塩を添加する
ので反応終了後に分離する必要があり、工業的プロセス
としては効果的でないといった問題がある。さらに上記
の方法はいずれも、分子間、分子内架橋の防止について
も、また収率等の点においても未だ不十分であり、特に
工業化スケールにおいては一定品質の製品を得ることが
困難であるという問題があった。
【0003】一方、重量平均分子量が1000〜50,
000のポリスチレンのスルホン化を連続的に行うに際
し、前記欠点を改良した方法として、反応器の撹拌条件
の特定化に関するもの(特開昭62−174205号)
及び反応器に対するスルホン化剤の導入速度、原料溶液
の導入速度及び溶媒量の特定化に関するもの(特開昭6
3−172703号)が提案されている。
000のポリスチレンのスルホン化を連続的に行うに際
し、前記欠点を改良した方法として、反応器の撹拌条件
の特定化に関するもの(特開昭62−174205号)
及び反応器に対するスルホン化剤の導入速度、原料溶液
の導入速度及び溶媒量の特定化に関するもの(特開昭6
3−172703号)が提案されている。
【0004】しかし、このような連続的スルホン化にお
いては、その反応器内における反応混合物の滞留時間に
制約があり、その滞留時間を短縮してスルホン化物の生
産効率を向上させようとすると、未反応物が生成物中に
多量混入するようになり、高純度の製品を得ることがで
きなかった。
いては、その反応器内における反応混合物の滞留時間に
制約があり、その滞留時間を短縮してスルホン化物の生
産効率を向上させようとすると、未反応物が生成物中に
多量混入するようになり、高純度の製品を得ることがで
きなかった。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、従来技術に
見られる前記問題を解決し、高い生産効率でかつ高純度
のスチレン系重合体スルホン化物を得るためのスルホン
化方法を提供することをその課題とする。
見られる前記問題を解決し、高い生産効率でかつ高純度
のスチレン系重合体スルホン化物を得るためのスルホン
化方法を提供することをその課題とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、前記課題
を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、本発明を完成する
に至った。
を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、本発明を完成する
に至った。
【0007】すなわち、本発明によれば、重量平均分子
量が1000〜50,000のスチレン系重合体をハロ
ゲン化炭化水素溶媒中でスルホン化剤によりスルホン化
する方法において、高剪断型反応器を用い、温度15〜
60℃及び滞留時間0.5〜20分の条件で該重合体を
スルホン化して、スルホン化率が80〜95%のスルホ
ン化生成物を得るスルホン化工程と、得られたスルホン
化生成物を、低剪断型反応器を用い、温度30〜70℃
及び滞留時間30〜120分の条件で、該スルホン化生
成物中に含まれる未反応スルホン化剤と未反応重合体と
を反応させる熟成工程からなるスチレン系重合体のスル
ホン化方法が提供される。
量が1000〜50,000のスチレン系重合体をハロ
ゲン化炭化水素溶媒中でスルホン化剤によりスルホン化
する方法において、高剪断型反応器を用い、温度15〜
60℃及び滞留時間0.5〜20分の条件で該重合体を
スルホン化して、スルホン化率が80〜95%のスルホ
ン化生成物を得るスルホン化工程と、得られたスルホン
化生成物を、低剪断型反応器を用い、温度30〜70℃
及び滞留時間30〜120分の条件で、該スルホン化生
成物中に含まれる未反応スルホン化剤と未反応重合体と
を反応させる熟成工程からなるスチレン系重合体のスル
ホン化方法が提供される。
【0008】なお、本明細書中で言うスルホン化率とは
、スチレン重合体を構成するスチレン系単量体当りのス
ルホン化率を意味する。
、スチレン重合体を構成するスチレン系単量体当りのス
ルホン化率を意味する。
【0009】本発明においては、スルホン化工程で高剪
断型反応器及び熟成工程で低剪断型反応器を用いること
を特徴とし、これによってスチレン系重合体スルホン化
物の単位生産量当りの装置コストを著しく軽減させると
ともに、得られるスチレン系重合体スルホン化物の純度
を高純度に保持することができる。
断型反応器及び熟成工程で低剪断型反応器を用いること
を特徴とし、これによってスチレン系重合体スルホン化
物の単位生産量当りの装置コストを著しく軽減させると
ともに、得られるスチレン系重合体スルホン化物の純度
を高純度に保持することができる。
【0010】高剪断型反応器は、消費エネルギーが大き
く、しかも低剪断型反応器に比較して著しく高価であり
、従って、装置設備コストの点からは、できるだけ小型
のもので済ますことが好ましい。高剪断型反応器の使用
のみで高純度のスルホン化物を得ようとすると、滞留時
間を長く必要とするため、結果的に大型の反応器を使用
する必要が生じる。本発明者らは、高剪断反応器の大型
化を回避してスルホン化生成物の生産効率を向上させる
べく鋭意研究した結果、高剪断型反応器において、スル
ホン化率が80〜95%のスルホン化物を得た後、得ら
れたスルホン化物を低剪断型反応器において熟成するこ
とにより、その目的を達成し得ることを見出した。即ち
、本発明者らの研究によれば、スルホン化率が95%以
上という高度スルホン化物は、未反応のスルホン化剤が
固相のスルホン化反応生成物内に取込まれてしまって拡
散しにくくなり、この状態では高剪断力を作用させても
反応速度が遅く、それ以上のスルホン化率を得ようとす
ると滞留時間を長くする必要があること、また、この未
反応スルホン化剤を含むスルホン化物は、低剪断型反応
器を用い、滞留時間20〜120分でゆっくりと撹拌す
るだけでその未反応スルホン化剤を反応させ得ることが
判明した。本発明はこれらの知見に基づいてなされたも
のである。
く、しかも低剪断型反応器に比較して著しく高価であり
、従って、装置設備コストの点からは、できるだけ小型
のもので済ますことが好ましい。高剪断型反応器の使用
のみで高純度のスルホン化物を得ようとすると、滞留時
間を長く必要とするため、結果的に大型の反応器を使用
する必要が生じる。本発明者らは、高剪断反応器の大型
化を回避してスルホン化生成物の生産効率を向上させる
べく鋭意研究した結果、高剪断型反応器において、スル
ホン化率が80〜95%のスルホン化物を得た後、得ら
れたスルホン化物を低剪断型反応器において熟成するこ
とにより、その目的を達成し得ることを見出した。即ち
、本発明者らの研究によれば、スルホン化率が95%以
上という高度スルホン化物は、未反応のスルホン化剤が
固相のスルホン化反応生成物内に取込まれてしまって拡
散しにくくなり、この状態では高剪断力を作用させても
反応速度が遅く、それ以上のスルホン化率を得ようとす
ると滞留時間を長くする必要があること、また、この未
反応スルホン化剤を含むスルホン化物は、低剪断型反応
器を用い、滞留時間20〜120分でゆっくりと撹拌す
るだけでその未反応スルホン化剤を反応させ得ることが
判明した。本発明はこれらの知見に基づいてなされたも
のである。
【0011】本明細書で言う高剪断型反応器とは、5m
/sec以上の周速度で回転する撹拌羽根を備えた撹拌
装置を意味する。このようなものとしては、例えば、T
.K.ホモミキサー、エッジタービン翼等が例示される
。これらの高剪断撹拌装置の詳細については、例えば、
技術情報協会著「新しい撹拌技術の実際」技術情報社出
版(1989)p240〜241、p23〜24に記載
されている。本発明においては、特に、周速度が10m
/sec以上の撹拌羽根を有するものの使用が好ましい
。
/sec以上の周速度で回転する撹拌羽根を備えた撹拌
装置を意味する。このようなものとしては、例えば、T
.K.ホモミキサー、エッジタービン翼等が例示される
。これらの高剪断撹拌装置の詳細については、例えば、
技術情報協会著「新しい撹拌技術の実際」技術情報社出
版(1989)p240〜241、p23〜24に記載
されている。本発明においては、特に、周速度が10m
/sec以上の撹拌羽根を有するものの使用が好ましい
。
【0012】また、本明細書で言う低剪断型反応器とは
、単位体積当りの撹拌所要動力が0.1〜3kw/m3
という低い一般の撹拌装置を意味するもので、5m/s
ecより低い周速度で回転する撹拌羽根を備えたものや
、パドル翼、プロペラ翼、アンカー翼、リボン翼を備え
た型の撹拌装置が包含される。このような低剪断型撹拌
装置については、例えば、技術情報協会著「新しい撹拌
技術の実際」技術情報出版(1989)p26〜29に
詳述されている。
、単位体積当りの撹拌所要動力が0.1〜3kw/m3
という低い一般の撹拌装置を意味するもので、5m/s
ecより低い周速度で回転する撹拌羽根を備えたものや
、パドル翼、プロペラ翼、アンカー翼、リボン翼を備え
た型の撹拌装置が包含される。このような低剪断型撹拌
装置については、例えば、技術情報協会著「新しい撹拌
技術の実際」技術情報出版(1989)p26〜29に
詳述されている。
【0013】本発明において原料として用いるスチレン
系重合体は重量平均分子量1000〜50,000の範
囲のものである。すなわち、重量平均分子量が50,0
00を越えると反応系の粘度が高くなり、ハンドリング
が困難となるからであり、一方、重量平均分子量が10
00未満だと、未反応スチレン系モノマーが存在し、こ
のスチレン系モノマーの重合反応が併発して水不溶性ス
ルホン化物量が増大するからである。
系重合体は重量平均分子量1000〜50,000の範
囲のものである。すなわち、重量平均分子量が50,0
00を越えると反応系の粘度が高くなり、ハンドリング
が困難となるからであり、一方、重量平均分子量が10
00未満だと、未反応スチレン系モノマーが存在し、こ
のスチレン系モノマーの重合反応が併発して水不溶性ス
ルホン化物量が増大するからである。
【0014】本発明では上記スチレン系重合体をハロゲ
ン化炭化水素溶媒に溶解させて反応系を形成する。ここ
で用いるハロゲン化炭化水素溶媒としては、炭素数1〜
2の脂肪族ハロゲン化炭化水素が好ましく、具体的には
、メチレンジクロリド、1,2−ジクロルエタン、塩化
エチル、四塩化炭素、1,1−ジクロルエタン、1,1
,2,2−テトラクロロエタン、クロロホルム、エチレ
ンジブロミドなどのスルホン化剤に不活性なものが例示
される。溶媒の使用量は、原料のポリスチレン1重量部
に対して1〜30重量部、好ましくは5〜20重量部と
するのがよい。
ン化炭化水素溶媒に溶解させて反応系を形成する。ここ
で用いるハロゲン化炭化水素溶媒としては、炭素数1〜
2の脂肪族ハロゲン化炭化水素が好ましく、具体的には
、メチレンジクロリド、1,2−ジクロルエタン、塩化
エチル、四塩化炭素、1,1−ジクロルエタン、1,1
,2,2−テトラクロロエタン、クロロホルム、エチレ
ンジブロミドなどのスルホン化剤に不活性なものが例示
される。溶媒の使用量は、原料のポリスチレン1重量部
に対して1〜30重量部、好ましくは5〜20重量部と
するのがよい。
【0015】本発明では、スルホン化剤としては液体S
O3、SO3ガス、SO3含有ガス、SO3錯体を用い
ることができるし、また発煙硫酸、クロルスルホン酸等
を用いることができる。これらのうち、SO3含有ガス
としては、窒素、乾燥空気、アルゴン等の不活性ガスで
SO3濃度が1〜12vol%、好ましくは3〜4vo
l%としたものを用いるのがよい。又、SO3錯体とし
ては、誘電率(25℃)が11.5以下、好ましくは9
以下の気体又は液体の無機あるいは有機化合物との錯体
を用いるのが望ましい。具体的には、ジオキサン、チオ
キサン、ジメチルアニリン、トリエチルアミン、塩化水
素、安息香酸、トリエチルフォスフェート、酢酸エチル
、パルミチン酸エチル、ジエチルエーテル、モルホリン
、イソキノリン等とのSO3錯体が例示される。
O3、SO3ガス、SO3含有ガス、SO3錯体を用い
ることができるし、また発煙硫酸、クロルスルホン酸等
を用いることができる。これらのうち、SO3含有ガス
としては、窒素、乾燥空気、アルゴン等の不活性ガスで
SO3濃度が1〜12vol%、好ましくは3〜4vo
l%としたものを用いるのがよい。又、SO3錯体とし
ては、誘電率(25℃)が11.5以下、好ましくは9
以下の気体又は液体の無機あるいは有機化合物との錯体
を用いるのが望ましい。具体的には、ジオキサン、チオ
キサン、ジメチルアニリン、トリエチルアミン、塩化水
素、安息香酸、トリエチルフォスフェート、酢酸エチル
、パルミチン酸エチル、ジエチルエーテル、モルホリン
、イソキノリン等とのSO3錯体が例示される。
【0016】スルホン化剤の使用量は、原料スチレン系
重合体を構成するスチレン系単量体単位当りのスルホン
化剤のモル比で0.8〜1.5、好ましくは1.0〜1
.3モルである。このモル比が小さすぎるとスルホン化
度が不十分で水不溶分が増加し、一方、モル化が大きす
ぎると、分子内、分子間架橋が起りやすくなる上、スル
ホン酸塩とした時に無機塩等の副生物が増加する。
重合体を構成するスチレン系単量体単位当りのスルホン
化剤のモル比で0.8〜1.5、好ましくは1.0〜1
.3モルである。このモル比が小さすぎるとスルホン化
度が不十分で水不溶分が増加し、一方、モル化が大きす
ぎると、分子内、分子間架橋が起りやすくなる上、スル
ホン酸塩とした時に無機塩等の副生物が増加する。
【0017】本発明のスチレン系重合体のスルホン化法
は、2段階の工程により達成される。第1工程は、高剪
断型反応器を用い、温度15〜60℃及び滞留時間0.
5〜20分の条件で、スルホン化率が80〜95%のス
ルホン化生成物を得るためのスルホン化工程である。第
2工程は、第1工程で得られたスルホン化生成物を、低
剪断型反応器を用い、温度30〜70℃及び滞留時間2
0〜120分の条件で、該スルホン化生成物中に含まれ
る未反応スルホン化剤と未反応ポリスチレンとを反応さ
せる熟成工程である。
は、2段階の工程により達成される。第1工程は、高剪
断型反応器を用い、温度15〜60℃及び滞留時間0.
5〜20分の条件で、スルホン化率が80〜95%のス
ルホン化生成物を得るためのスルホン化工程である。第
2工程は、第1工程で得られたスルホン化生成物を、低
剪断型反応器を用い、温度30〜70℃及び滞留時間2
0〜120分の条件で、該スルホン化生成物中に含まれ
る未反応スルホン化剤と未反応ポリスチレンとを反応さ
せる熟成工程である。
【0018】第1段階のスルホン化工程における反応温
度は、15〜60℃、好ましくは30〜55℃である。 温度が低すぎると反応の進行が遅く、逆に高すぎると重
合体の分子内、分子間架橋が増加する。この第1段階の
スルホン化工程での滞留時間は0.5〜20分、好まし
くは1〜10分である。滞留時間がこれより短くなると
反応が不十分となり水不溶分が増加し、一方長すぎると
生産効率が悪くなり、工業的な大量生産プロセスにおい
て装置が大きくなるため経済上好ましくない。
度は、15〜60℃、好ましくは30〜55℃である。 温度が低すぎると反応の進行が遅く、逆に高すぎると重
合体の分子内、分子間架橋が増加する。この第1段階の
スルホン化工程での滞留時間は0.5〜20分、好まし
くは1〜10分である。滞留時間がこれより短くなると
反応が不十分となり水不溶分が増加し、一方長すぎると
生産効率が悪くなり、工業的な大量生産プロセスにおい
て装置が大きくなるため経済上好ましくない。
【0019】本発明の第1段階のスルホン化工程では、
80〜95%、好ましくは、90〜95%のスルホン化
率が得られるようにスチレン系重合体をスルホン化する
。これより高いスルホン化率を得ようとすると、反応器
における滞留時間を長くする必要が生じるため、生産効
率が悪化し、一方、これより低いスルホン化率では、第
2段階の熟成工程の負荷が大きくなりすぎ、第1段階の
スルホン化工程と同様の高価な高剪断型反応器を用いる
必要が生じるようになり、好ましくない。第2段階の熟
成工程における反応温度は、30℃〜70℃、好ましく
は40〜60℃である。反応温度がこれより低いと熟成
の効果は低くなり、高すぎると分子間架橋が一部生じ易
くなる。
80〜95%、好ましくは、90〜95%のスルホン化
率が得られるようにスチレン系重合体をスルホン化する
。これより高いスルホン化率を得ようとすると、反応器
における滞留時間を長くする必要が生じるため、生産効
率が悪化し、一方、これより低いスルホン化率では、第
2段階の熟成工程の負荷が大きくなりすぎ、第1段階の
スルホン化工程と同様の高価な高剪断型反応器を用いる
必要が生じるようになり、好ましくない。第2段階の熟
成工程における反応温度は、30℃〜70℃、好ましく
は40〜60℃である。反応温度がこれより低いと熟成
の効果は低くなり、高すぎると分子間架橋が一部生じ易
くなる。
【0020】熟成工程における滞留時間は、温度にもよ
るが、通常、20〜120min、好ましくは30〜6
0minである。滞留時間がこれより短かくなると熟成
の効果は見られない。一方長すぎると効果はあるが、工
業的プロセスでは経済的に好ましくない。また上記熟成
工程はバッチ式でも連続式の反応のいずれでも実施する
ことができる。
るが、通常、20〜120min、好ましくは30〜6
0minである。滞留時間がこれより短かくなると熟成
の効果は見られない。一方長すぎると効果はあるが、工
業的プロセスでは経済的に好ましくない。また上記熟成
工程はバッチ式でも連続式の反応のいずれでも実施する
ことができる。
【0021】上記熟成反応において、スルホン化物中の
未反応物が反応するが、この場合、撹拌の影響はあまり
見られず無撹拌でも反応は進行する。従って、反応固体
のスルホン化物中にとり込まれた未反応のスルホン化剤
が内部拡散し徐々に反応するものと考えられる。それ故
、この熟成工程で用いる反応器は、前記したように低剪
断型の安価なもので十分であり、スルホン化物粒子の沈
殿を防止するに十分な撹拌力を有するものであればよい
。本発明の熟成工程から得られるスチレン系重合体のス
ルホン化物は、95%以上のスルホン化率を有するもの
で、不純物含有量の非常に少ない高純度のものである。
未反応物が反応するが、この場合、撹拌の影響はあまり
見られず無撹拌でも反応は進行する。従って、反応固体
のスルホン化物中にとり込まれた未反応のスルホン化剤
が内部拡散し徐々に反応するものと考えられる。それ故
、この熟成工程で用いる反応器は、前記したように低剪
断型の安価なもので十分であり、スルホン化物粒子の沈
殿を防止するに十分な撹拌力を有するものであればよい
。本発明の熟成工程から得られるスチレン系重合体のス
ルホン化物は、95%以上のスルホン化率を有するもの
で、不純物含有量の非常に少ない高純度のものである。
【0022】本発明においては、熟成反応終了後、スチ
レン系重合体のスルホン酸がハロゲン化炭化水素溶媒中
に分散した状態で得られる。そして、これを中和、溶媒
分離することによって高純度の水溶性スチレン系重合体
のスルホン酸塩が得られる。
レン系重合体のスルホン酸がハロゲン化炭化水素溶媒中
に分散した状態で得られる。そして、これを中和、溶媒
分離することによって高純度の水溶性スチレン系重合体
のスルホン酸塩が得られる。
【0023】
【発明の効果】本発明によれば、スルホン化工程の後に
熟成工程を設けることにより、スルホン化工程をコンパ
クトな反応器で行なうことができ、さらに水不溶分が少
なくNa2SO4やCaSO4等の副生成物の含有量が
少ないスチレン系重合体のスルホン酸塩を高収率で得る
ことができる。
熟成工程を設けることにより、スルホン化工程をコンパ
クトな反応器で行なうことができ、さらに水不溶分が少
なくNa2SO4やCaSO4等の副生成物の含有量が
少ないスチレン系重合体のスルホン酸塩を高収率で得る
ことができる。
【0024】これは、スルホン化工程においては滞留時
間が短かいため、スルホン化剤としてSO3を用いた場
合でも、比較的高い温度でも架橋構造が少ないスルホン
化物が得られ、さらに熟成工程を設けることにより、ス
ルホン化反応を促進させるため、水不溶分が少ない高純
度のスチレン系重合体のスルホン酸を高収率で得ること
ができる。
間が短かいため、スルホン化剤としてSO3を用いた場
合でも、比較的高い温度でも架橋構造が少ないスルホン
化物が得られ、さらに熟成工程を設けることにより、ス
ルホン化反応を促進させるため、水不溶分が少ない高純
度のスチレン系重合体のスルホン酸を高収率で得ること
ができる。
【0025】本発明では、スチレン系重合体を構成する
スチレン系単量体当りのスルホン化剤のモル比を低く抑
えて高いスルホン化率が得られるのでスルホン化剤の使
用量を低減でき、かつ未反応スルホン化剤の中和により
得られる無機塩などの生成が少ないので分離精製工程を
省略できるといった利点がある。さらにプロセスとして
品質を安定に保持でき工業的に極めてすぐれている。従
って、本方法により得られたスチレン系重合体のスルホ
ン化物は、紙や樹脂の帯電防止剤、コンクリート用混合
剤、石炭−水スラリー用分散剤、乳化重合用乳化分散剤
、顔料、染料、塗料、顕色剤、マイクロカプセル等の有
機物を分散させる分散剤、シリカ、TiO2等の無機物
を分散させる分散剤、その他各種樹脂添加剤などとして
幅広く利用される。
スチレン系単量体当りのスルホン化剤のモル比を低く抑
えて高いスルホン化率が得られるのでスルホン化剤の使
用量を低減でき、かつ未反応スルホン化剤の中和により
得られる無機塩などの生成が少ないので分離精製工程を
省略できるといった利点がある。さらにプロセスとして
品質を安定に保持でき工業的に極めてすぐれている。従
って、本方法により得られたスチレン系重合体のスルホ
ン化物は、紙や樹脂の帯電防止剤、コンクリート用混合
剤、石炭−水スラリー用分散剤、乳化重合用乳化分散剤
、顔料、染料、塗料、顕色剤、マイクロカプセル等の有
機物を分散させる分散剤、シリカ、TiO2等の無機物
を分散させる分散剤、その他各種樹脂添加剤などとして
幅広く利用される。
【0026】
【実施例】次に実施例により本発明を具体的に説明する
。
。
【0027】実施例1
重量平均分子量が3000又は10,000のポリスチ
レン(PS)、溶媒として1,2−ジクロロエタン(E
DC)を用いて種々の原料溶液を調製した。この原料溶
液を表−1に示す条件でスルホン化反応器に供給してス
ルホン化反応を行なった後、熟成反応器に導入して反応
を行った。この場合、スルホン化剤としては液状無水硫
酸を用いた。また、スルホン化反応器はタービン型撹拌
機付きの容器で槽容量200のものを用いた。このスル
ホン化反応器はジャケットを有し、温度コントロールす
ることができる。また、熟成反応器はパドル型撹拌機付
きの容器で槽容量600〜1500mlのものを用いた
。得られたスルホン化物は、10%NaOH水溶液を用
いて中和しポリスチレンスルホン酸ナトリウムを得た。
レン(PS)、溶媒として1,2−ジクロロエタン(E
DC)を用いて種々の原料溶液を調製した。この原料溶
液を表−1に示す条件でスルホン化反応器に供給してス
ルホン化反応を行なった後、熟成反応器に導入して反応
を行った。この場合、スルホン化剤としては液状無水硫
酸を用いた。また、スルホン化反応器はタービン型撹拌
機付きの容器で槽容量200のものを用いた。このスル
ホン化反応器はジャケットを有し、温度コントロールす
ることができる。また、熟成反応器はパドル型撹拌機付
きの容器で槽容量600〜1500mlのものを用いた
。得られたスルホン化物は、10%NaOH水溶液を用
いて中和しポリスチレンスルホン酸ナトリウムを得た。
【0028】以上の反応実験の結果をまとめて表1に示
す。尚、表中、水溶性ポリスチレンスルホン酸ナトリウ
ムの収率Rは次式によって求めた。 また中和工程でスルホン化剤の中和により副成した
Na2SO4分はイオンクロマト法により求めた。スル
ホン化率は、元素分析により全S、Cを求め、次式によ
り算出した。
す。尚、表中、水溶性ポリスチレンスルホン酸ナトリウ
ムの収率Rは次式によって求めた。 また中和工程でスルホン化剤の中和により副成した
Na2SO4分はイオンクロマト法により求めた。スル
ホン化率は、元素分析により全S、Cを求め、次式によ
り算出した。
【0029】
【表1】
Claims (3)
- 【請求項1】 重量平均分子量が1000〜50,0
00のスチレン系重合体をハロゲン化炭化水素溶媒中で
スルホン化剤によりスルホン化する方法において、高剪
断型反応器を用い、温度15〜60℃及び滞留時間0.
5〜20分の条件で該重合体をスルホン化して、スルホ
ン化率が80〜95%のスルホン化生成物を得るスルホ
ン化工程と、得られたスルホン化生成物を、低剪断型反
応器を用い、温度30〜70℃及び滞留時間20〜12
0分の条件で、該スルホン化生成物中に含まれる未反応
スルホン化剤と未反応重合体とを反応させる熟成工程か
らなるスチレン系重合体のスルホン化方法。 - 【請求項2】 スルホン化剤の使用割合が、スチレン
系重合体を構成するスチレン系単量体1モルに対し、0
.8〜1.5モルの範囲にある請求項1の方法。 - 【請求項3】 スルホン化剤が三酸化イオウである請
求項1又は2の方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3047511A JP3030444B2 (ja) | 1991-02-19 | 1991-02-19 | スチレン系重合体のスルホン化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3047511A JP3030444B2 (ja) | 1991-02-19 | 1991-02-19 | スチレン系重合体のスルホン化方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04264107A true JPH04264107A (ja) | 1992-09-18 |
JP3030444B2 JP3030444B2 (ja) | 2000-04-10 |
Family
ID=12777137
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3047511A Expired - Fee Related JP3030444B2 (ja) | 1991-02-19 | 1991-02-19 | スチレン系重合体のスルホン化方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3030444B2 (ja) |
-
1991
- 1991-02-19 JP JP3047511A patent/JP3030444B2/ja not_active Expired - Fee Related
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---|---|
JP3030444B2 (ja) | 2000-04-10 |
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