JPH04263086A - シリコン基板のエッチング方法 - Google Patents
シリコン基板のエッチング方法Info
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- JPH04263086A JPH04263086A JP2309191A JP2309191A JPH04263086A JP H04263086 A JPH04263086 A JP H04263086A JP 2309191 A JP2309191 A JP 2309191A JP 2309191 A JP2309191 A JP 2309191A JP H04263086 A JPH04263086 A JP H04263086A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はシリコン基板のエッチン
グ方法に関する。
グ方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造においては、シリコン
基板表面の機械的歪層の除去および汚染物除去のために
シリコン基板の表面をエッチングする必要がある。
基板表面の機械的歪層の除去および汚染物除去のために
シリコン基板の表面をエッチングする必要がある。
【０００３】従来からこのエッチングにはエッチングレ
ートが比較的速く、混成比によりレート調整が可能なフ
ッ硝酸水溶液が用いられている。図２はフッ硝酸水溶液
を用いたシリコン基板のエッチングに用いる装置を示す
断面図であり、図中、１はシリコン基板、２はエッチン
グ槽、６はフッ硝酸水溶液である。
ートが比較的速く、混成比によりレート調整が可能なフ
ッ硝酸水溶液が用いられている。図２はフッ硝酸水溶液
を用いたシリコン基板のエッチングに用いる装置を示す
断面図であり、図中、１はシリコン基板、２はエッチン
グ槽、６はフッ硝酸水溶液である。
【０００４】シリコン基板をフッ硝酸水溶液に浸漬させ
ると、つぎの反応によりシリコン基板がエッチングされ
る。
ると、つぎの反応によりシリコン基板がエッチングされ
る。
【０００５】Ｓｉ ＋ ４ＨＮＯ３ → ＳｉＯ２ ＋
４ＮＯ２ ＋ ２Ｈ２ＯＳｉＯ２ ＋ ６ＨＦ → Ｈ
２ＳｉＦ６ ＋ ２Ｈ２Ｏ
４ＮＯ２ ＋ ２Ｈ２ＯＳｉＯ２ ＋ ６ＨＦ → Ｈ
２ＳｉＦ６ ＋ ２Ｈ２Ｏ
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来のエッチング方法
は前記のような反応によるものであるため、二酸化チッ
素（ＮＯ２）が発生し、人体に悪影響を及ぼすなどの問
題がある。
は前記のような反応によるものであるため、二酸化チッ
素（ＮＯ２）が発生し、人体に悪影響を及ぼすなどの問
題がある。
【０００７】本発明は前記のような問題を解消するため
になされたものであり、有害な二酸化チッ素を発生させ
ないエッチング方法を提供することを目的とする。
になされたものであり、有害な二酸化チッ素を発生させ
ないエッチング方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、オゾンをバブ
リングさせたフッ酸水溶液中にシリコン基板を浸漬させ
ることを特徴とするシリコン基板のエッチング方法に関
する。
リングさせたフッ酸水溶液中にシリコン基板を浸漬させ
ることを特徴とするシリコン基板のエッチング方法に関
する。
【０００９】
【作用】本発明では硝酸のかわりにオゾンが用いられる
ため、つぎの反応によりシリコン基板がエッチングされ
、二酸化チッ素が発生することがない。
ため、つぎの反応によりシリコン基板がエッチングされ
、二酸化チッ素が発生することがない。
【００１０】Ｓｉ ＋ ２Ｏ３ → ＳｉＯ２ ＋ ２
Ｏ２ＳｉＯ２ ＋ ６ＨＦ → Ｈ２ＳｉＦ６ ＋ ２
Ｈ２Ｏ
Ｏ２ＳｉＯ２ ＋ ６ＨＦ → Ｈ２ＳｉＦ６ ＋ ２
Ｈ２Ｏ
【００１１】
【実施例】本発明においては、オゾンをバブリングさせ
たフッ酸水溶液が用いられる。前記フッ酸水溶液の濃度
にはとくに限定はないが、シリコン基板表面のＳｉＯ２
をエッチングするという点から１００ｐｐｍ〜５０％が
好ましい。また、水溶液の温度は沸点および凝固点の点
から−１０〜１２０ ℃が好ましい。
たフッ酸水溶液が用いられる。前記フッ酸水溶液の濃度
にはとくに限定はないが、シリコン基板表面のＳｉＯ２
をエッチングするという点から１００ｐｐｍ〜５０％が
好ましい。また、水溶液の温度は沸点および凝固点の点
から−１０〜１２０ ℃が好ましい。
【００１２】オゾンをバブリングさせる方法にも限定は
なく、たとえば図１に示されるようにフッ酸水溶液３中
に入れられたシリコン基板１の下からオゾン４を放出す
るなどすればよい。オゾンをバブリングさせる割合は、
槽内のフッ酸水溶液中へのオゾンの充満の点から０．１
〜１００ リットル／分、さらには１〜１０リットル／
分であるのが好ましい。
なく、たとえば図１に示されるようにフッ酸水溶液３中
に入れられたシリコン基板１の下からオゾン４を放出す
るなどすればよい。オゾンをバブリングさせる割合は、
槽内のフッ酸水溶液中へのオゾンの充満の点から０．１
〜１００ リットル／分、さらには１〜１０リットル／
分であるのが好ましい。
【００１３】前記水溶液中へのシリコン基板の浸潰時間
は、通常５〜２００ 分程度である。
は、通常５〜２００ 分程度である。
【００１４】つぎに本発明の実施例を図１を用いてさら
に具体的に説明する。図中、１はシリコン基板、２はエ
ッチング槽、３はフッ酸水溶液、４はオゾン、５はオゾ
ンバブラーである。
に具体的に説明する。図中、１はシリコン基板、２はエ
ッチング槽、３はフッ酸水溶液、４はオゾン、５はオゾ
ンバブラーである。
【００１５】［実施例１］濃度１％で２５℃のフッ酸水
溶液４の中にオゾン５を１０リットル／分の割合でバブ
リングさせ、それにシリコン基板１を１０分間浸漬した
ところ、シリコン基板表面が平坦にエッチングされた。 また、発生したガスは水素のみであり、毒性が従来より
低いものであった。
溶液４の中にオゾン５を１０リットル／分の割合でバブ
リングさせ、それにシリコン基板１を１０分間浸漬した
ところ、シリコン基板表面が平坦にエッチングされた。 また、発生したガスは水素のみであり、毒性が従来より
低いものであった。
【００１６】
【発明の効果】本発明のシリコン基板のエッチング方法
では硝酸のかわりにオゾンを用いるので、エッチング中
に発生するガスの毒性を低減することができる。
では硝酸のかわりにオゾンを用いるので、エッチング中
に発生するガスの毒性を低減することができる。
【図１】本発明のエッチング方法に用いる装置の断面図
である。
である。
【図２】従来のエッチング方法に用いる装置の断面図で
ある。
ある。
１ シリコン基板
２ エッチング槽
３ フッ酸水溶液
４ オゾン
５ オゾンバブラー
６ フッ硝酸水溶液
Claims (1)
- 【請求項１】 オゾンをバブリングさせたフッ酸水溶
液中にシリコン基板を浸漬させることを特徴とするシリ
コン基板のエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2309191A JPH04263086A (ja) | 1991-02-18 | 1991-02-18 | シリコン基板のエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2309191A JPH04263086A (ja) | 1991-02-18 | 1991-02-18 | シリコン基板のエッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04263086A true JPH04263086A (ja) | 1992-09-18 |
Family
ID=12100761
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2309191A Pending JPH04263086A (ja) | 1991-02-18 | 1991-02-18 | シリコン基板のエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04263086A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5567244A (en) * | 1992-12-24 | 1996-10-22 | Goldstar Electron Co., Ltd. | Process for cleaning semiconductor devices |
| JPH1160377A (ja) * | 1997-08-12 | 1999-03-02 | Fujitsu Ltd | シリコンの表面処理方法と半導体装置の製造方法 |
| JPH11258409A (ja) * | 1998-03-13 | 1999-09-24 | Kanagawa Acad Of Sci & Technol | 集光素子の製造方法 |
| KR20030054732A (ko) * | 2001-12-26 | 2003-07-02 | 주식회사 실트론 | 웨이퍼 에칭장치 |
-
1991
- 1991-02-18 JP JP2309191A patent/JPH04263086A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5567244A (en) * | 1992-12-24 | 1996-10-22 | Goldstar Electron Co., Ltd. | Process for cleaning semiconductor devices |
| JPH1160377A (ja) * | 1997-08-12 | 1999-03-02 | Fujitsu Ltd | シリコンの表面処理方法と半導体装置の製造方法 |
| JPH11258409A (ja) * | 1998-03-13 | 1999-09-24 | Kanagawa Acad Of Sci & Technol | 集光素子の製造方法 |
| KR20030054732A (ko) * | 2001-12-26 | 2003-07-02 | 주식회사 실트론 | 웨이퍼 에칭장치 |
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