JPH04258901A - 均一に光を拡散する反射基材 - Google Patents
均一に光を拡散する反射基材Info
- Publication number
- JPH04258901A JPH04258901A JP3020907A JP2090791A JPH04258901A JP H04258901 A JPH04258901 A JP H04258901A JP 3020907 A JP3020907 A JP 3020907A JP 2090791 A JP2090791 A JP 2090791A JP H04258901 A JPH04258901 A JP H04258901A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- base material
- fine particles
- coating layer
- range
- spherical fine
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 48
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims abstract description 39
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 claims description 51
- -1 silane compound Chemical class 0.000 claims description 25
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 13
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 10
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 9
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 9
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 4
- 125000002252 acyl group Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 claims description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 abstract description 4
- 239000012798 spherical particle Substances 0.000 abstract 2
- 239000002585 base Substances 0.000 description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 description 24
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 11
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 11
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 7
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 7
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 7
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 7
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 6
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000003301 hydrolyzing effect Effects 0.000 description 5
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Chemical compound NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 4
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 3
- BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N methyltrimethoxysilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)OC BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 2
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N Tert-Butanol Chemical compound CC(C)(C)O DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000011054 acetic acid Nutrition 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 2
- 239000004202 carbamide Substances 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N dimethylselenoniopropionate Natural products CCC(O)=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000693 micelle Substances 0.000 description 2
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OEPOKWHJYJXUGD-UHFFFAOYSA-N 2-(3-phenylmethoxyphenyl)-1,3-thiazole-4-carbaldehyde Chemical compound O=CC1=CSC(C=2C=C(OCC=3C=CC=CC=3)C=CC=2)=N1 OEPOKWHJYJXUGD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LBLYYCQCTBFVLH-UHFFFAOYSA-N 2-Methylbenzenesulfonic acid Chemical compound CC1=CC=CC=C1S(O)(=O)=O LBLYYCQCTBFVLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HNNQYHFROJDYHQ-UHFFFAOYSA-N 3-(4-ethylcyclohexyl)propanoic acid 3-(3-ethylcyclopentyl)propanoic acid Chemical compound CCC1CCC(CCC(O)=O)C1.CCC1CCC(CCC(O)=O)CC1 HNNQYHFROJDYHQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KSCAZPYHLGGNPZ-UHFFFAOYSA-N 3-chloropropyl(triethoxy)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCCl KSCAZPYHLGGNPZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OXYZDRAJMHGSMW-UHFFFAOYSA-N 3-chloropropyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCCl OXYZDRAJMHGSMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KNTKCYKJRSMRMZ-UHFFFAOYSA-N 3-chloropropyl-dimethoxy-methylsilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)CCCCl KNTKCYKJRSMRMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- URDOJQUSEUXVRP-UHFFFAOYSA-N 3-triethoxysilylpropyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCOC(=O)C(C)=C URDOJQUSEUXVRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UUEWCQRISZBELL-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropane-1-thiol Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCS UUEWCQRISZBELL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOC(=O)C(C)=C XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GZVHEAJQGPRDLQ-UHFFFAOYSA-N 6-phenyl-1,3,5-triazine-2,4-diamine Chemical compound NC1=NC(N)=NC(C=2C=CC=CC=2)=N1 GZVHEAJQGPRDLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005711 Benzoic acid Substances 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 101000582320 Homo sapiens Neurogenic differentiation factor 6 Proteins 0.000 description 1
- NHTMVDHEPJAVLT-UHFFFAOYSA-N Isooctane Chemical compound CC(C)CC(C)(C)C NHTMVDHEPJAVLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100030589 Neurogenic differentiation factor 6 Human genes 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000020 Nitrocellulose Substances 0.000 description 1
- IOVCWXUNBOPUCH-UHFFFAOYSA-N Nitrous acid Chemical compound ON=O IOVCWXUNBOPUCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N Succinic acid Natural products OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-N Sulfurous acid Chemical compound OS(O)=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RQVFGTYFBUVGOP-UHFFFAOYSA-N [acetyloxy(dimethyl)silyl] acetate Chemical compound CC(=O)O[Si](C)(C)OC(C)=O RQVFGTYFBUVGOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TVJPBVNWVPUZBM-UHFFFAOYSA-N [diacetyloxy(methyl)silyl] acetate Chemical compound CC(=O)O[Si](C)(OC(C)=O)OC(C)=O TVJPBVNWVPUZBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VLFKGWCMFMCFRM-UHFFFAOYSA-N [diacetyloxy(phenyl)silyl] acetate Chemical compound CC(=O)O[Si](OC(C)=O)(OC(C)=O)C1=CC=CC=C1 VLFKGWCMFMCFRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000180 alkyd Polymers 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 150000001491 aromatic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 235000010233 benzoic acid Nutrition 0.000 description 1
- DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N but-3-enoic acid;ethene Chemical compound C=C.OC(=O)CC=C DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N butanedioic acid Chemical compound O[14C](=O)CC[14C](O)=O KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N 0.000 description 1
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N carbonic acid Chemical compound OC(O)=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000006258 conductive agent Substances 0.000 description 1
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 1
- OTARVPUIYXHRRB-UHFFFAOYSA-N diethoxy-methyl-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)CCCOCC1CO1 OTARVPUIYXHRRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGWJKDPTLUDSJT-UHFFFAOYSA-N diethyl dimethyl silicate Chemical compound CCO[Si](OC)(OC)OCC VGWJKDPTLUDSJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JJQZDUKDJDQPMQ-UHFFFAOYSA-N dimethoxy(dimethyl)silane Chemical compound CO[Si](C)(C)OC JJQZDUKDJDQPMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AHUXYBVKTIBBJW-UHFFFAOYSA-N dimethoxy(diphenyl)silane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](OC)(OC)C1=CC=CC=C1 AHUXYBVKTIBBJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JVSWJIKNEAIKJW-UHFFFAOYSA-N dimethyl-hexane Natural products CCCCCC(C)C JVSWJIKNEAIKJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000001493 electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(triethoxy)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C=C FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C=C NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- DFJDZTPFNSXNAX-UHFFFAOYSA-N ethoxy(triethyl)silane Chemical compound CCO[Si](CC)(CC)CC DFJDZTPFNSXNAX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBRXLTRZCJVAPH-UHFFFAOYSA-N ethyl(trimethoxy)silane Chemical compound CC[Si](OC)(OC)OC SBRXLTRZCJVAPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 1
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-M hexanoate Chemical compound CCCCCC([O-])=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- FAHBNUUHRFUEAI-UHFFFAOYSA-M hydroxidooxidoaluminium Chemical compound O[Al]=O FAHBNUUHRFUEAI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000592 inorganic polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L magnesium carbonate Chemical compound [Mg+2].[O-]C([O-])=O ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000001095 magnesium carbonate Substances 0.000 description 1
- 229910000021 magnesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 1
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- POPACFLNWGUDSR-UHFFFAOYSA-N methoxy(trimethyl)silane Chemical compound CO[Si](C)(C)C POPACFLNWGUDSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010445 mica Substances 0.000 description 1
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 1
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001220 nitrocellulos Polymers 0.000 description 1
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N octanoic acid Chemical compound CCCCCCCC(O)=O WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 235000019260 propionic acid Nutrition 0.000 description 1
- IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N quinbolone Chemical compound O([C@H]1CC[C@H]2[C@H]3[C@@H]([C@]4(C=CC(=O)C=C4CC3)C)CC[C@@]21C)C1=CCCC1 IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 1
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N silicic acid Chemical compound O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 229920005792 styrene-acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000454 talc Substances 0.000 description 1
- 229910052623 talc Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
- UQMOLLPKNHFRAC-UHFFFAOYSA-N tetrabutyl silicate Chemical compound CCCCO[Si](OCCCC)(OCCCC)OCCCC UQMOLLPKNHFRAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N tetramethyl orthosilicate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)OC LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZUEKXCXHTXJYAR-UHFFFAOYSA-N tetrapropan-2-yl silicate Chemical compound CC(C)O[Si](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C ZUEKXCXHTXJYAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002562 thickening agent Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003606 tin compounds Chemical class 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YZVRVDPMGYFCGL-UHFFFAOYSA-N triacetyloxysilyl acetate Chemical compound CC(=O)O[Si](OC(C)=O)(OC(C)=O)OC(C)=O YZVRVDPMGYFCGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DENFJSAFJTVPJR-UHFFFAOYSA-N triethoxy(ethyl)silane Chemical compound CCO[Si](CC)(OCC)OCC DENFJSAFJTVPJR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N triethoxy(methyl)silane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)OCC CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JCVQKRGIASEUKR-UHFFFAOYSA-N triethoxy(phenyl)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C1=CC=CC=C1 JCVQKRGIASEUKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NBXZNTLFQLUFES-UHFFFAOYSA-N triethoxy(propyl)silane Chemical compound CCC[Si](OCC)(OCC)OCC NBXZNTLFQLUFES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JXUKBNICSRJFAP-UHFFFAOYSA-N triethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCOCC1CO1 JXUKBNICSRJFAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNOCGWVLWPVKAO-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(phenyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C1=CC=CC=C1 ZNOCGWVLWPVKAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQYALQRYBUJWDH-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(propyl)silane Chemical compound CCC[Si](OC)(OC)OC HQYALQRYBUJWDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOCC1CO1 BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PZJJKWKADRNWSW-UHFFFAOYSA-N trimethoxysilicon Chemical compound CO[Si](OC)OC PZJJKWKADRNWSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QHUNJMXHQHHWQP-UHFFFAOYSA-N trimethylsilyl acetate Chemical compound CC(=O)O[Si](C)(C)C QHUNJMXHQHHWQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001132 ultrasonic dispersion Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示装置及び照明
装置等に用いられる均一に光を拡散する反射基材に関す
る。
装置等に用いられる均一に光を拡散する反射基材に関す
る。
【0002】
【従来の技術】従来より、液晶表示装置及び照明装置等
の反射基材として均一に光を反射するものが求められて
いる。
の反射基材として均一に光を反射するものが求められて
いる。
【0003】このような要求の一部を満足するものとし
て、微粒子を混入した被膜を形成することによって基材
の表面を粗面化し、その表面上に光線反射膜を形成した
光線反射基材が知られている。例えば、基材の表面に表
面が粗面である層を形成させた後、金属膜を形成した光
線乱反射フィルムが提案されている(特開昭57−15
8237号公報、特公昭60−35259号公報)。ま
た、基材の表面に微粒子混入の微細二重粗面を形成し、
その上に光線反射膜を形成した光線乱反射シートも提案
されている(特公昭60−38270号公報、特公昭6
0−38276号公報、特公昭61−40188号公報
、特公昭61−40753号公報)。
て、微粒子を混入した被膜を形成することによって基材
の表面を粗面化し、その表面上に光線反射膜を形成した
光線反射基材が知られている。例えば、基材の表面に表
面が粗面である層を形成させた後、金属膜を形成した光
線乱反射フィルムが提案されている(特開昭57−15
8237号公報、特公昭60−35259号公報)。ま
た、基材の表面に微粒子混入の微細二重粗面を形成し、
その上に光線反射膜を形成した光線乱反射シートも提案
されている(特公昭60−38270号公報、特公昭6
0−38276号公報、特公昭61−40188号公報
、特公昭61−40753号公報)。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記公
報に記載されている反射基材は、反射基材表面の凹凸の
均一性に欠けるため反射基材の品質にばらつきが大きく
、また、基材の材質、大きさ等に制限を有していたり、
凹凸を形成する方法が複雑であるという欠点を有してい
た。本発明の目的は、前記従来技術の問題点に鑑み、均
一に光を拡散する反射基材を提供することにある。
報に記載されている反射基材は、反射基材表面の凹凸の
均一性に欠けるため反射基材の品質にばらつきが大きく
、また、基材の材質、大きさ等に制限を有していたり、
凹凸を形成する方法が複雑であるという欠点を有してい
た。本発明の目的は、前記従来技術の問題点に鑑み、均
一に光を拡散する反射基材を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、この課題
に関して、被覆層(B)の表面特性がそれを構成して作
製された反射基材の性能に反映される点で重要とみて、
被覆層(B)に種々の粒度分布、粒子径を有する球状微
粒子を存在させたときの被覆層(B)の表面特性と、反
射基材での入射光に対する反射光の均一性、強度の関係
を鋭意検討した結果、本発明に到達したものである。
に関して、被覆層(B)の表面特性がそれを構成して作
製された反射基材の性能に反映される点で重要とみて、
被覆層(B)に種々の粒度分布、粒子径を有する球状微
粒子を存在させたときの被覆層(B)の表面特性と、反
射基材での入射光に対する反射光の均一性、強度の関係
を鋭意検討した結果、本発明に到達したものである。
【0006】すなわち本発明は、少なくとも片面が表面
平滑な基材(A);基材(A)の平滑な表面上に、平均
粒子径が0.2〜10μmの範囲にあり、粒子径の標準
偏差値が1.0〜1.3の範囲にある球状微粒子(P)
を含有し、該球状微粒子(P)に起因する被覆層表面の
凹凸が0.03〜1μmの範囲の表面中心線平均粗さを
有し、0.2〜30μmの範囲の表面平均山間隔及び表
面平均山間隔の変動係数が20%以内にある被覆層(B
);及び、被覆層(B)の表面上に0.01〜1μmの
厚みの金属層(C)から構成されることを要旨とする均
一に光を拡散する反射基材である。以下に詳しく説明す
る。
平滑な基材(A);基材(A)の平滑な表面上に、平均
粒子径が0.2〜10μmの範囲にあり、粒子径の標準
偏差値が1.0〜1.3の範囲にある球状微粒子(P)
を含有し、該球状微粒子(P)に起因する被覆層表面の
凹凸が0.03〜1μmの範囲の表面中心線平均粗さを
有し、0.2〜30μmの範囲の表面平均山間隔及び表
面平均山間隔の変動係数が20%以内にある被覆層(B
);及び、被覆層(B)の表面上に0.01〜1μmの
厚みの金属層(C)から構成されることを要旨とする均
一に光を拡散する反射基材である。以下に詳しく説明す
る。
【0007】基材(A)の被覆層(B)に接する面は、
表面が粗いと被覆層(B)に共存させる球状微粒子(P
)の効果が現れ難いので平滑でなければならない。 表面の中心線平均粗さが好ましくは0.03μm以下、
より好ましくは0.02μm以下の平滑さを有するもの
が好適である。材質としては、具体的には、ポリオレフ
ィン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアクリル樹脂、ポリ
メタクリル樹脂、フェノール樹脂、ポリアミド樹脂、A
BS樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリイミド樹脂、ポ
リアミドイミド樹脂、フッ素樹脂等のプラスチック;鉄
、アルミ、ニッケル、銅、黄銅、チタン、ジルコニウム
、タンタル、およびそれらの合金等の金属;ガラス、ア
ルミナ、チタニア、ジルコニア等の無機材料、及びこれ
らの複合物などを挙げることができる。また、表面が平
滑でない基材の表面を塗料等でコーティングしたりメッ
キ処理する等適当な処理を施して平滑にしたものもよい
。
表面が粗いと被覆層(B)に共存させる球状微粒子(P
)の効果が現れ難いので平滑でなければならない。 表面の中心線平均粗さが好ましくは0.03μm以下、
より好ましくは0.02μm以下の平滑さを有するもの
が好適である。材質としては、具体的には、ポリオレフ
ィン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアクリル樹脂、ポリ
メタクリル樹脂、フェノール樹脂、ポリアミド樹脂、A
BS樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリイミド樹脂、ポ
リアミドイミド樹脂、フッ素樹脂等のプラスチック;鉄
、アルミ、ニッケル、銅、黄銅、チタン、ジルコニウム
、タンタル、およびそれらの合金等の金属;ガラス、ア
ルミナ、チタニア、ジルコニア等の無機材料、及びこれ
らの複合物などを挙げることができる。また、表面が平
滑でない基材の表面を塗料等でコーティングしたりメッ
キ処理する等適当な処理を施して平滑にしたものもよい
。
【0008】基材(A)の表面上に被覆層(B)がある
。被覆層(B)は、その表面特性が反射基材の性能に反
映するので重要である。本発明における被覆層(B)は
、平均粒子径が0.2〜10μmの範囲内、粒子径の標
準偏差値が1.0〜1.3の範囲内にある球状微粒子(
P)を含有してなる。該球状微粒子(P)は被覆層(B
)の表面に微細な凹凸を起こさせ、次に述べる被覆層(
B)の表面の特性を実現するために重要な役割をなす。 かつ、本発明における被覆層(B)の表面は、粗さが0
.03〜1μm、好ましくは0.1〜1μmの範囲内の
表面中心線平均粗さを有し、かつ0.2〜30μm、好
ましくは1〜20μmの範囲内の表面平均山間隔及び表
面平均山間隔の変動係数が20%以内でなければならな
い。これらの被覆層(B)の要素は、均一に光を拡散さ
せるための重要な役割をなす。表面中心線平均粗さが0
.03μmより小さい場合、又は表面平均山間隔が30
μmより大きい場合には、反射基材の反射光強度にばら
つきを生じて反射光の均一性が損なわれる。また、表面
中心線平均粗さが1μmより大きい場合、又は表面平均
山間隔が0.2μmより小さい場合には、光の散乱によ
る反射光強度が低下する問題がある。更に、表面平均山
間隔の変動係数が上記範囲外であると、反射光強度にば
らつきを生じる結果、均一に光を拡散しない。
。被覆層(B)は、その表面特性が反射基材の性能に反
映するので重要である。本発明における被覆層(B)は
、平均粒子径が0.2〜10μmの範囲内、粒子径の標
準偏差値が1.0〜1.3の範囲内にある球状微粒子(
P)を含有してなる。該球状微粒子(P)は被覆層(B
)の表面に微細な凹凸を起こさせ、次に述べる被覆層(
B)の表面の特性を実現するために重要な役割をなす。 かつ、本発明における被覆層(B)の表面は、粗さが0
.03〜1μm、好ましくは0.1〜1μmの範囲内の
表面中心線平均粗さを有し、かつ0.2〜30μm、好
ましくは1〜20μmの範囲内の表面平均山間隔及び表
面平均山間隔の変動係数が20%以内でなければならな
い。これらの被覆層(B)の要素は、均一に光を拡散さ
せるための重要な役割をなす。表面中心線平均粗さが0
.03μmより小さい場合、又は表面平均山間隔が30
μmより大きい場合には、反射基材の反射光強度にばら
つきを生じて反射光の均一性が損なわれる。また、表面
中心線平均粗さが1μmより大きい場合、又は表面平均
山間隔が0.2μmより小さい場合には、光の散乱によ
る反射光強度が低下する問題がある。更に、表面平均山
間隔の変動係数が上記範囲外であると、反射光強度にば
らつきを生じる結果、均一に光を拡散しない。
【0009】また、被覆層(B)の表面の凹凸の最大高
さは特に限定されないが、反射散乱光の強度を考慮する
と0.1〜5μmの範囲が好ましい。
さは特に限定されないが、反射散乱光の強度を考慮する
と0.1〜5μmの範囲が好ましい。
【0010】球状微粒子(P)の材質は特に限定されな
い。具体的に例示すると、ポリアミド系、フェノール系
、ポリメタクリル系、ポリスチレン系、ポリエチレン系
、エポキシ系、セルロース系、ベンゾグアナミン系等の
有機系球状微粒子;鉄、アルミ、ニッケル、銅、黄銅、
チタン、ジルコニウム、タンタル、およびそれらの合金
等の金属系球状微粒子;シリカ、シリコーン、ガラス、
チタニア、ジルコニア、酸化モリブデン、酸化タングス
テン等の無機球状微粒子等を挙げることができる。 これら球状微粒子のうち、被覆層の機械的強度、耐熱性
及び均一性を考慮すれば、無機球状微粒子が好ましく中
でもシリカ球状微粒子が好ましい。
い。具体的に例示すると、ポリアミド系、フェノール系
、ポリメタクリル系、ポリスチレン系、ポリエチレン系
、エポキシ系、セルロース系、ベンゾグアナミン系等の
有機系球状微粒子;鉄、アルミ、ニッケル、銅、黄銅、
チタン、ジルコニウム、タンタル、およびそれらの合金
等の金属系球状微粒子;シリカ、シリコーン、ガラス、
チタニア、ジルコニア、酸化モリブデン、酸化タングス
テン等の無機球状微粒子等を挙げることができる。 これら球状微粒子のうち、被覆層の機械的強度、耐熱性
及び均一性を考慮すれば、無機球状微粒子が好ましく中
でもシリカ球状微粒子が好ましい。
【0011】このシリカ球状微粒子は、通常市販品をそ
のまま用いることもできるが、一般式(I) RmS
i(OR’)4−m (但し、Rは炭素数1〜10の
有機基。R’は炭素数1〜5のアルキル基、アシル基か
らなる群から選ばれる少なくとも1種の基。mは0又は
1〜3の整数である。)で示されるシラン化合物からな
る群から選ばれる少なくとも1種(但し、一般式(I)
においてm=2または3で示されるシラン化合物のみの
場合を除く)を加水分解、縮合することによって得られ
た球状シリカ微粒子を使用することもできる。加水分解
、縮合する方法は、例えば、一般式(I)で示されるシ
ラン化合物からなる群から選ばれる少なくとも一種を、
水、触媒を含む有機性溶液中で加水分解、縮合すること
によって行われる。以下にこのシリカ球状微粒子の調製
法について詳しく述べる。
のまま用いることもできるが、一般式(I) RmS
i(OR’)4−m (但し、Rは炭素数1〜10の
有機基。R’は炭素数1〜5のアルキル基、アシル基か
らなる群から選ばれる少なくとも1種の基。mは0又は
1〜3の整数である。)で示されるシラン化合物からな
る群から選ばれる少なくとも1種(但し、一般式(I)
においてm=2または3で示されるシラン化合物のみの
場合を除く)を加水分解、縮合することによって得られ
た球状シリカ微粒子を使用することもできる。加水分解
、縮合する方法は、例えば、一般式(I)で示されるシ
ラン化合物からなる群から選ばれる少なくとも一種を、
水、触媒を含む有機性溶液中で加水分解、縮合すること
によって行われる。以下にこのシリカ球状微粒子の調製
法について詳しく述べる。
【0012】一般式(I)で示されるシラン化合物の具
体例としては、テトラメトキシシラン、テトラエトキシ
シラン、テトライソプロポキシシラン、テトラブトキシ
シラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキ
シシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエト
キシシラン、n−プロピルトリメトキシシラン、n−プ
ロピルトリエトキシシラン、i−プロピルトリメトキシ
シラン、i−プロピルトリエトキシシラン、トリメトキ
シビニルシラン、トリエトキシビニルシラン、3−グリ
シドキシプロピルトリメトキシシラン、3−クロロプロ
ピルトリメトキシシラン、3−クロロプロピルトリエト
キシシラン、3−メルカプトプロピルトリメトキシシラ
ン、3−(2−アミノエチルアミノプロピル)トリメト
キシシラン、3−グリシドキシプロピルトリエトキシシ
ラン、3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン
、3−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、フ
ェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラ
ン、ジメトキシジメチルシラン、ジエトキシ−3−グリ
シドキシプロピルメチルシラン、3−クロロプロピルジ
メトキシメチルシラン、ジメトキシジフェニルシラン、
トリメチルメトキシシラン、トリエチルエトキシシラン
、ジメトキシジエトキシシラン等のアルコキシシラン化
合物、テトラアセトキシシラン、メチルトリアセトキシ
シラン、フェニルトリアセトキシシラン、ジアセトキシ
ジメシルシラン、アセトキシトリメチルシラン等のアシ
ロキシラン化合物等を挙げることができる。
体例としては、テトラメトキシシラン、テトラエトキシ
シラン、テトライソプロポキシシラン、テトラブトキシ
シラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキ
シシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエト
キシシラン、n−プロピルトリメトキシシラン、n−プ
ロピルトリエトキシシラン、i−プロピルトリメトキシ
シラン、i−プロピルトリエトキシシラン、トリメトキ
シビニルシラン、トリエトキシビニルシラン、3−グリ
シドキシプロピルトリメトキシシラン、3−クロロプロ
ピルトリメトキシシラン、3−クロロプロピルトリエト
キシシラン、3−メルカプトプロピルトリメトキシシラ
ン、3−(2−アミノエチルアミノプロピル)トリメト
キシシラン、3−グリシドキシプロピルトリエトキシシ
ラン、3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン
、3−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、フ
ェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラ
ン、ジメトキシジメチルシラン、ジエトキシ−3−グリ
シドキシプロピルメチルシラン、3−クロロプロピルジ
メトキシメチルシラン、ジメトキシジフェニルシラン、
トリメチルメトキシシラン、トリエチルエトキシシラン
、ジメトキシジエトキシシラン等のアルコキシシラン化
合物、テトラアセトキシシラン、メチルトリアセトキシ
シラン、フェニルトリアセトキシシラン、ジアセトキシ
ジメシルシラン、アセトキシトリメチルシラン等のアシ
ロキシラン化合物等を挙げることができる。
【0013】塩基性触媒としては、アンモニア、尿素、
水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、エタノールアミン
、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド等が好
ましい。
水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、エタノールアミン
、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド等が好
ましい。
【0014】有機性溶液とは、シラン化合物を溶解しう
る有機溶剤に水及び触媒が完全に溶解しているか又は水
及び触媒がミセルとして有機溶剤中に均一に分散した溶
液をいう。有機溶剤の具体例としては、メタノール、エ
タノール、イソプロピルアルコール、n−ブタノール、
t−ブタノール、エチレングリコール、ジエチレングリ
コール等のアルコール類、アセトン、メチルエチルケト
ン等のケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチルなどのエステ
ル類、ジオキサン、ジエチルエーテル等のエーテル類、
イソオクタン、シクロヘキサン等のパラフィン類、ベン
ゼン、トルエン等の芳香族化合物等が単一で又は混合物
で用いられる。水及び触媒と相溶しない有機溶剤の場合
は、それらに界面活性剤を添加して均一なミセルにして
も良い。有機性溶液中に存在させる水、触媒量は、粒子
の形状や粒子径、分散状態に影響を及ぼすので、好まし
い量に制限する必要があるが、シラン化合物の種類、濃
度等によって変化する。
る有機溶剤に水及び触媒が完全に溶解しているか又は水
及び触媒がミセルとして有機溶剤中に均一に分散した溶
液をいう。有機溶剤の具体例としては、メタノール、エ
タノール、イソプロピルアルコール、n−ブタノール、
t−ブタノール、エチレングリコール、ジエチレングリ
コール等のアルコール類、アセトン、メチルエチルケト
ン等のケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチルなどのエステ
ル類、ジオキサン、ジエチルエーテル等のエーテル類、
イソオクタン、シクロヘキサン等のパラフィン類、ベン
ゼン、トルエン等の芳香族化合物等が単一で又は混合物
で用いられる。水及び触媒と相溶しない有機溶剤の場合
は、それらに界面活性剤を添加して均一なミセルにして
も良い。有機性溶液中に存在させる水、触媒量は、粒子
の形状や粒子径、分散状態に影響を及ぼすので、好まし
い量に制限する必要があるが、シラン化合物の種類、濃
度等によって変化する。
【0015】加水分解、縮合は、例えば上記したシラン
化合物又はその有機溶剤溶液を上記有機性溶液中に添加
し、0〜100℃の範囲、好ましくは0〜70℃の範囲
で30分〜100時間撹拌することによって行われる。
化合物又はその有機溶剤溶液を上記有機性溶液中に添加
し、0〜100℃の範囲、好ましくは0〜70℃の範囲
で30分〜100時間撹拌することによって行われる。
【0016】被覆層(B)は、上述した球状微粒子(P
)以外に、平均粒子径が球状微粒子(P)より小さい微
粒子(Q)を含ませると被覆層の機械的強度、表面特性
をより一層向上させる点で好ましい場合がある。この微
粒子(Q)は平均粒子径が球状微粒子(P)よりも小さ
ければよく、具体的にはシリカ、炭酸カルシウム、炭酸
マグネシウム、アルミナ、チタニア、タルク、マイカ等
の不定形粒子の外、前述した素材の球状微粒子を一種単
独であるいは二種以上混合して使用することが好ましい
。
)以外に、平均粒子径が球状微粒子(P)より小さい微
粒子(Q)を含ませると被覆層の機械的強度、表面特性
をより一層向上させる点で好ましい場合がある。この微
粒子(Q)は平均粒子径が球状微粒子(P)よりも小さ
ければよく、具体的にはシリカ、炭酸カルシウム、炭酸
マグネシウム、アルミナ、チタニア、タルク、マイカ等
の不定形粒子の外、前述した素材の球状微粒子を一種単
独であるいは二種以上混合して使用することが好ましい
。
【0017】次に、被覆層(B)の作製方法としては従
来公知のいずれの方法も適用できるが、球状微粒子(P
)及び場合により微粒子(Q)を含有する塗料を基材(
A)に刷毛、スプレー、ディッピング、ロールコート、
スピンコート等の方法を用い塗布した後乾燥及び/又は
硬化させる方法は、均一な表面特性を容易に得られる点
で好ましい。その際、塗料中にバインダー及び必要に応
じて溶剤を含ませる。更に、塗料中には必要に応じて、
各種レベリング剤、増粘剤、難燃剤、導電剤、染料、顔
料、界面活性剤、各種カップリング剤、無機もしくは有
機のポリマーなどの添加剤、また、バインダーの硬化を
促進させるために、ナフテン酸、オクチル酸、亜硝酸、
亜硫酸、アルミン酸、炭酸、酢酸等のアルカリ金属塩、
有機スズ化合物等の各種添加剤を添加することができる
。
来公知のいずれの方法も適用できるが、球状微粒子(P
)及び場合により微粒子(Q)を含有する塗料を基材(
A)に刷毛、スプレー、ディッピング、ロールコート、
スピンコート等の方法を用い塗布した後乾燥及び/又は
硬化させる方法は、均一な表面特性を容易に得られる点
で好ましい。その際、塗料中にバインダー及び必要に応
じて溶剤を含ませる。更に、塗料中には必要に応じて、
各種レベリング剤、増粘剤、難燃剤、導電剤、染料、顔
料、界面活性剤、各種カップリング剤、無機もしくは有
機のポリマーなどの添加剤、また、バインダーの硬化を
促進させるために、ナフテン酸、オクチル酸、亜硝酸、
亜硫酸、アルミン酸、炭酸、酢酸等のアルカリ金属塩、
有機スズ化合物等の各種添加剤を添加することができる
。
【0018】バインダーは、球状微粒子(P)間及び基
材(A)と被覆層(B)との接着強度を増加させる目的
で使用されるもので、被膜形成用として常用されている
ものはいずれも使用できる。具体的には、アクリル樹脂
、スチレン−アクリル樹脂、アクリル−酢酸ビニル樹脂
、エチレン−酢酸ビニル樹脂、塩化ビニル樹脂、塩化ビ
ニリデン樹脂、ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、アル
キド変性アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ニトロセルロー
ス樹脂、シリコーン樹脂、アクリル−シリコン樹脂、フ
ェノール樹脂、フッ素樹脂、イミド樹脂等の塗料用樹脂
及びシリカゾル、チタニアゾル等の無機酸化物ゾル、縮
合して硬化しうる無機化合物などが挙げられる。これら
バインダーのうち、耐熱性及び球状微粒子(P)間及び
基材(A)と被覆層(B)との接着強度を考慮すれば、
前記一般式(I)で示されるシラン化合物からなる群か
ら選ばれる少なくとも1種を加水分解、縮合したポリシ
ロキサン化合物が好ましい。ポリシロキサン化合物は、
一般式(I)で示されるシラン化合物を周知の手順で加
水分解するか、又は加水分解した後、さらに縮合するこ
とによって容易に得られるが、通常市販品をそのまま使
用することもできる。加水分解および縮合する方法は、
例えば、水を含む親水性有機溶媒中で加水分解するか又
は加水分解した後縮合する方法などにより代表されるが
、これに限定される物ではない。その際、触媒として塩
酸、硝酸、硫酸、リン酸などの無機酸、ギ酸、酢酸、プ
ロピオン酸、マレイン酸、クエン酸、安息香酸、トルエ
ンスルホン酸、コハク酸、シュウ酸等の有機酸、アンモ
ニア、尿素、水酸化ナトリウム、エタノールアミン、テ
トラメチルアンモニウムハイドロオキサイド等のアルカ
リを添加して加水分解、縮合しても良い。これらポリシ
ロキサン化合物は、一種単独で又は二種以上を混合して
使用することができる。しかしながら、m=2又は3で
示されるシラン化合物のみを原料として加水分解、縮合
したポリシロキサン化合物はバインダーとしての機能を
示さない。
材(A)と被覆層(B)との接着強度を増加させる目的
で使用されるもので、被膜形成用として常用されている
ものはいずれも使用できる。具体的には、アクリル樹脂
、スチレン−アクリル樹脂、アクリル−酢酸ビニル樹脂
、エチレン−酢酸ビニル樹脂、塩化ビニル樹脂、塩化ビ
ニリデン樹脂、ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、アル
キド変性アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ニトロセルロー
ス樹脂、シリコーン樹脂、アクリル−シリコン樹脂、フ
ェノール樹脂、フッ素樹脂、イミド樹脂等の塗料用樹脂
及びシリカゾル、チタニアゾル等の無機酸化物ゾル、縮
合して硬化しうる無機化合物などが挙げられる。これら
バインダーのうち、耐熱性及び球状微粒子(P)間及び
基材(A)と被覆層(B)との接着強度を考慮すれば、
前記一般式(I)で示されるシラン化合物からなる群か
ら選ばれる少なくとも1種を加水分解、縮合したポリシ
ロキサン化合物が好ましい。ポリシロキサン化合物は、
一般式(I)で示されるシラン化合物を周知の手順で加
水分解するか、又は加水分解した後、さらに縮合するこ
とによって容易に得られるが、通常市販品をそのまま使
用することもできる。加水分解および縮合する方法は、
例えば、水を含む親水性有機溶媒中で加水分解するか又
は加水分解した後縮合する方法などにより代表されるが
、これに限定される物ではない。その際、触媒として塩
酸、硝酸、硫酸、リン酸などの無機酸、ギ酸、酢酸、プ
ロピオン酸、マレイン酸、クエン酸、安息香酸、トルエ
ンスルホン酸、コハク酸、シュウ酸等の有機酸、アンモ
ニア、尿素、水酸化ナトリウム、エタノールアミン、テ
トラメチルアンモニウムハイドロオキサイド等のアルカ
リを添加して加水分解、縮合しても良い。これらポリシ
ロキサン化合物は、一種単独で又は二種以上を混合して
使用することができる。しかしながら、m=2又は3で
示されるシラン化合物のみを原料として加水分解、縮合
したポリシロキサン化合物はバインダーとしての機能を
示さない。
【0019】被覆層(B)の組成は、球状微粒子(P)
5〜80重量%好ましくは5〜50重量%、バインダー
に由来する硬化成分20〜95重量%好ましくは50〜
95重量%、微粒子(Q)0〜60重量%好ましくは0
〜30%の範囲とすると、被覆層表面の凹凸が0.03
〜1μmの範囲の表面中心線平均粗さ、0.2〜30μ
mの範囲の表面平均山間隔及び表面平均山間隔の変動係
数が20%以内にある表面特性を自在にコントロールで
きるので好ましい。球状微粒子(P)、バインダー、微
粒子(Q)の3成分以外に各種添加剤を共存させる場合
、各種添加剤の量は上述した3成分の総量に対し0〜3
0重量%の範囲内が好ましい。
5〜80重量%好ましくは5〜50重量%、バインダー
に由来する硬化成分20〜95重量%好ましくは50〜
95重量%、微粒子(Q)0〜60重量%好ましくは0
〜30%の範囲とすると、被覆層表面の凹凸が0.03
〜1μmの範囲の表面中心線平均粗さ、0.2〜30μ
mの範囲の表面平均山間隔及び表面平均山間隔の変動係
数が20%以内にある表面特性を自在にコントロールで
きるので好ましい。球状微粒子(P)、バインダー、微
粒子(Q)の3成分以外に各種添加剤を共存させる場合
、各種添加剤の量は上述した3成分の総量に対し0〜3
0重量%の範囲内が好ましい。
【0020】また、被覆層(B)の平均膜厚は、被覆層
の接着強度、表面特性の制御の容易さなどから0.1μ
m以上が好ましい。
の接着強度、表面特性の制御の容易さなどから0.1μ
m以上が好ましい。
【0021】一方、被覆層(B)の表面上にある金属層
(C)は、本発明においては、厚み0.01〜1μmの
範囲内であり、被覆層(B)の表面特性を生かして光を
均一に反射させる。金属層(C)が0.01μmより小
さい場合、光の反射率が小さくなり反射光強度が低下し
好ましくない。また、金属層(C)が1μmより大きい
場合、被覆層(B)の表面特性が発現しにくくなるため
、光を均一に反射するのが難しくなる。
(C)は、本発明においては、厚み0.01〜1μmの
範囲内であり、被覆層(B)の表面特性を生かして光を
均一に反射させる。金属層(C)が0.01μmより小
さい場合、光の反射率が小さくなり反射光強度が低下し
好ましくない。また、金属層(C)が1μmより大きい
場合、被覆層(B)の表面特性が発現しにくくなるため
、光を均一に反射するのが難しくなる。
【0022】金属層(C)の材質としては、光の反射率
が高いものがよく、例えばAl、Ni、Ag、Au、P
t、Zn、Cu、Fe、Ge、In、Snなどの金属が
挙げられ、単独の材質でも複合した材質でもよい。
が高いものがよく、例えばAl、Ni、Ag、Au、P
t、Zn、Cu、Fe、Ge、In、Snなどの金属が
挙げられ、単独の材質でも複合した材質でもよい。
【0023】金属層(C)の形成方法としては、真空蒸
着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法等の
物理的気相堆積法、熱CVD、光CVD、プラズマCV
D法等の化学的気相堆積法、電解メッキ法、無電解メッ
キ法等の化学メッキ法など種々の方法がとりうるが、こ
れらに制限されるものではない。
着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法等の
物理的気相堆積法、熱CVD、光CVD、プラズマCV
D法等の化学的気相堆積法、電解メッキ法、無電解メッ
キ法等の化学メッキ法など種々の方法がとりうるが、こ
れらに制限されるものではない。
【0024】
【発明の効果】本発明の反射基材は、その優れた表面特
性によって均一に光を拡散する。従って、液晶表示装置
の反射基材として用いた場合には反射光の角度依存性が
低減されるため表示の視認性が向上し、また、照明装置
等の反射基材として使用した場合には照明光強度の分布
が均一になり照明効率が向上するなど広範な用途に用い
られ、優れた機能を発揮する。
性によって均一に光を拡散する。従って、液晶表示装置
の反射基材として用いた場合には反射光の角度依存性が
低減されるため表示の視認性が向上し、また、照明装置
等の反射基材として使用した場合には照明光強度の分布
が均一になり照明効率が向上するなど広範な用途に用い
られ、優れた機能を発揮する。
【0025】
【実施例】以下に参考例、実施例、試験例を掲げ、本発
明を具体的に説明するが、これらに限定されるものでは
ない。
明を具体的に説明するが、これらに限定されるものでは
ない。
【0026】なお、以下の参考例、実施例において、部
は特に断わらない限り重量基準である。
は特に断わらない限り重量基準である。
【0027】参考例における粒子の形状、平均粒子径及
び粒子径の標準偏差値は下記の方法により分析、評価し
た。
び粒子径の標準偏差値は下記の方法により分析、評価し
た。
【0028】・粒子形状 5万倍の電子顕微鏡観
察により判定した。
察により判定した。
【0029】・平均粒子径、標準偏差値 5万倍
の電子顕微鏡撮影像の任意の微粒子300個の粒子径を
実測して、下記の式より求めた。
の電子顕微鏡撮影像の任意の微粒子300個の粒子径を
実測して、下記の式より求めた。
【0030】
【数1】
【0031】また、実施例における反射基材の被覆層の
膜厚、表面中心線平均粗さ、表面平均山間隔、表面平均
山間隔の変動係数、表面凹凸の最大高さ及び反射光の均
一性は、以下の方法により分析評価した。
膜厚、表面中心線平均粗さ、表面平均山間隔、表面平均
山間隔の変動係数、表面凹凸の最大高さ及び反射光の均
一性は、以下の方法により分析評価した。
【0032】・膜厚 得られた被膜の断面を電子
顕微鏡で観察した。
顕微鏡で観察した。
【0033】・表面中心線平均粗さ、表面平均山間隔、
表面凹凸の最大高さ 株式会社東京精密製表面粗
さ・輪郭形状測定機surfcom570Aに高倍率ピ
ックアップE−DT−SH01Aを取り付けて、10m
mの測定範囲で異なる10個の場所について測定を行い
平均した。
表面凹凸の最大高さ 株式会社東京精密製表面粗
さ・輪郭形状測定機surfcom570Aに高倍率ピ
ックアップE−DT−SH01Aを取り付けて、10m
mの測定範囲で異なる10個の場所について測定を行い
平均した。
【0034】・表面平均山間隔の変動係数 表面
平均山間隔の10回の測定値より次式により求めた。
平均山間隔の10回の測定値より次式により求めた。
【0035】
【数2】
【0036】・反射光の均一性 日本電色工業株
式会社製測色色差計ND−1001DP及び光沢計VG
−1Dを用いて入射光0°における反射光強度の角度依
存性について異なる10個の場所について測定し、完全
拡散面と考えられる酸化マグネシウムの反射面と比較し
た。 なお、本試験方法により評価した判定基準は下記記号に
よった。
式会社製測色色差計ND−1001DP及び光沢計VG
−1Dを用いて入射光0°における反射光強度の角度依
存性について異なる10個の場所について測定し、完全
拡散面と考えられる酸化マグネシウムの反射面と比較し
た。 なお、本試験方法により評価した判定基準は下記記号に
よった。
【0037】◎:10回の測定中8回以上完全拡散面と
同様の反射光強度の角度依存性を示す。
同様の反射光強度の角度依存性を示す。
【0038】○:10回の測定中5〜7回完全拡散面と
同様の反射光強度の角度依存性を示す。
同様の反射光強度の角度依存性を示す。
【0039】△:10回の測定中3〜4回完全拡散面と
同様の反射光強度の角度依存性を示す。
同様の反射光強度の角度依存性を示す。
【0040】×:10回の測定中0〜2回完全拡散面と
同様の反射光強度の角度依存性を示す。
同様の反射光強度の角度依存性を示す。
【0041】参考例1〜4
特開平2−97581号公報の参考例1に記載の方法に
よりテトラエトキシシランを原料としてシリカ球状微粒
子(P−1〜P−4)を製造した。製造したシリカ球状
微粒子(P−1〜P−4)の平均粒子径、粒子径の標準
偏差値を表1に示す。
よりテトラエトキシシランを原料としてシリカ球状微粒
子(P−1〜P−4)を製造した。製造したシリカ球状
微粒子(P−1〜P−4)の平均粒子径、粒子径の標準
偏差値を表1に示す。
【0042】参考例5
特開平2−97581号公報の比較参考例1に記載の方
法によりシリカ粒子(P−5)を製造した。製造したシ
リカ粒子(P−5)の平均粒子径、粒子径の標準偏差値
を表1に示す。
法によりシリカ粒子(P−5)を製造した。製造したシ
リカ粒子(P−5)の平均粒子径、粒子径の標準偏差値
を表1に示す。
【0043】参考例6
還流冷却器、撹拌機、温度計を備えた四つ口フラスコに
メチルトリメトキシシラン50部、i−プロピルアルコ
ール30部、水20部、35%塩酸0.02部を混合し
、70℃に加熱して2時間反応させ、メチルトリメトキ
シシランを加水分解、縮合させた後、室温まで冷却しポ
リシロキサン化合物溶液(S−1)を得た。組成比など
を表2に示す。
メチルトリメトキシシラン50部、i−プロピルアルコ
ール30部、水20部、35%塩酸0.02部を混合し
、70℃に加熱して2時間反応させ、メチルトリメトキ
シシランを加水分解、縮合させた後、室温まで冷却しポ
リシロキサン化合物溶液(S−1)を得た。組成比など
を表2に示す。
【0044】参考例7〜8
参考例6と同様の操作により、シラン化合物の種類、組
成比、親水性有機溶媒の種類、反応温度、反応時間を表
2に示したように変えてポリシロキサン化合物溶液(S
−2〜S−3)を製造した。
成比、親水性有機溶媒の種類、反応温度、反応時間を表
2に示したように変えてポリシロキサン化合物溶液(S
−2〜S−3)を製造した。
【0045】実施例1
球状微粒子(P)として参考例1で得られた球状シリカ
微粒子(P−1)を35部と参考例6で得られたポリシ
ロキサン化合物(S−1)をバインダー濃度が65部に
なるように添加し、さらにi−プロピルアルコールを加
えて全固形分濃度が20%となるように調整し、1分間
超音波分散した後ガラス基材上にスピンコーターを用い
て塗布した。この塗布基材を室温下で150℃で2時間
乾燥し室温まで冷却した後真空蒸着法により金を蒸着し
反射基材(R−1)を製造した。該反射基材(R−1)
は被覆層が3.1μmの平均膜厚を有しており、表面中
心線平均粗さは0.57μm、表面平均山間隔は10.
1μmでその変動係数は17%であった。また、金属層
である金の膜厚は、0.5μmであった。この反射基材
の組成比、表面粗さ、反射光の均一性などを表3に示す
。この反射基材(R−1)による光の反射は、酸化マグ
ネシウムの反射面と同様に均一性が良好であった。
微粒子(P−1)を35部と参考例6で得られたポリシ
ロキサン化合物(S−1)をバインダー濃度が65部に
なるように添加し、さらにi−プロピルアルコールを加
えて全固形分濃度が20%となるように調整し、1分間
超音波分散した後ガラス基材上にスピンコーターを用い
て塗布した。この塗布基材を室温下で150℃で2時間
乾燥し室温まで冷却した後真空蒸着法により金を蒸着し
反射基材(R−1)を製造した。該反射基材(R−1)
は被覆層が3.1μmの平均膜厚を有しており、表面中
心線平均粗さは0.57μm、表面平均山間隔は10.
1μmでその変動係数は17%であった。また、金属層
である金の膜厚は、0.5μmであった。この反射基材
の組成比、表面粗さ、反射光の均一性などを表3に示す
。この反射基材(R−1)による光の反射は、酸化マグ
ネシウムの反射面と同様に均一性が良好であった。
【0046】実施例2〜8
実施例1と同様の操作により球状微粒子(P)の種類、
量、バインダーの種類、量、及び微粒子(Q)の種類、
量を表3に示したように変えて、反射基材(R−2〜R
−8)を製造した。これらの操作によって製造された反
射基材(R−2〜R−8)はいずれも反射光の均一性が
良好であった。結果を表3に示す。
量、バインダーの種類、量、及び微粒子(Q)の種類、
量を表3に示したように変えて、反射基材(R−2〜R
−8)を製造した。これらの操作によって製造された反
射基材(R−2〜R−8)はいずれも反射光の均一性が
良好であった。結果を表3に示す。
【0047】実施例9〜10
実施例1と同様の操作により球状微粒子(P)の種類、
量、バインダーの種類、量、及び微粒子(Q)の種類、
量を表3に示したように変えて、反射基材(R−9〜R
−10)を製造した。これらの操作によって製造された
反射基材(R−9〜R−10)はいずれも反射光の均一
性が良好であった。しかしながら、膜の強度が弱いもの
であった。結果を表3に示す。
量、バインダーの種類、量、及び微粒子(Q)の種類、
量を表3に示したように変えて、反射基材(R−9〜R
−10)を製造した。これらの操作によって製造された
反射基材(R−9〜R−10)はいずれも反射光の均一
性が良好であった。しかしながら、膜の強度が弱いもの
であった。結果を表3に示す。
【0048】比較例1〜4
実施例1と同様の操作により表3に示すように球状微粒
子(P)の種類、量、バインダーの種類、量、及び微粒
子(Q)の種類、量を変えて、反射基材(R−11〜R
−14)を製造した。これらの操作によって得られた反
射基材(R−11〜R−14)の反射光の均一性は良好
ではなかった。結果を表3に示す。
子(P)の種類、量、バインダーの種類、量、及び微粒
子(Q)の種類、量を変えて、反射基材(R−11〜R
−14)を製造した。これらの操作によって得られた反
射基材(R−11〜R−14)の反射光の均一性は良好
ではなかった。結果を表3に示す。
【0049】
【表1】
【0050】
【表2】
【0051】
【表3】
【0052】
【表4】
Claims (6)
- 【請求項1】少なくとも片面が表面平滑な基材(A);
基材(A)の平滑な表面上に、平均粒子径が0.2〜1
0μmの範囲にあり、粒子径の標準偏差値が1.0〜1
.3の範囲にある球状微粒子(P)を含有し、該球状微
粒子(P)に起因する被覆層表面の凹凸が0.03〜1
μmの範囲の表面中心線平均粗さを有し、0.2〜30
μmの範囲の表面平均山間隔及び表面平均山間隔の変動
係数が20%以内にある被覆層(B);及び、被覆層(
B)の表面上に0.01〜1μmの厚みの金属層(C)
から構成されることを特徴とする均一に光を拡散する反
射基材。 - 【請求項2】被覆層(B)の表面の凹凸の最大高さが0
.1〜5μmの範囲にある請求項1に記載の反射基材。 - 【請求項3】球状微粒子(P)が球状シリカ微粒子であ
る請求項1または2に記載の反射基材。 - 【請求項4】被覆層(B)の組成が球状微粒子(P)5
〜80重量%、バインダー20〜95重量%、平均粒子
径が球状微粒子(P)より小さい微粒子(Q)0〜60
重量%である請求項1〜3のいずれかに記載の反射基材
。 - 【請求項5】バインダーが一般式(I) RmSi(
OR’)4−m (但し、Rは炭素数1〜10の有機
基。 R’は炭素数1〜5のアルキル基、アシル基からなる群
から選ばれる少なくとも1種の基。mは0又は1〜3の
整数である。)で示されるシラン化合物からなる群から
選ばれる少なくとも1種(但し、一般式(I)において
m=2または3で示されるシラン化合物のみの場合を除
く)を加水分解、縮合したポリシロキサン化合物である
請求項4に記載の反射基材。 - 【請求項6】微粒子(Q)が球状微粒子である請求項4
または5に記載の反射基材。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3020907A JPH04258901A (ja) | 1991-02-14 | 1991-02-14 | 均一に光を拡散する反射基材 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3020907A JPH04258901A (ja) | 1991-02-14 | 1991-02-14 | 均一に光を拡散する反射基材 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04258901A true JPH04258901A (ja) | 1992-09-14 |
Family
ID=12040303
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3020907A Pending JPH04258901A (ja) | 1991-02-14 | 1991-02-14 | 均一に光を拡散する反射基材 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04258901A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6747719B2 (en) | 2000-12-19 | 2004-06-08 | Tomoegawa Paper Co., Ltd. | Light reflecting layer having thin metal film directly or via a primer coating on individual particles of single-layer coating |
JP5176950B2 (ja) * | 2006-02-27 | 2013-04-03 | 日本ゼオン株式会社 | 微細凹凸形状を有するフィルム、およびその製造方法 |
JP2014095917A (ja) * | 2006-06-23 | 2014-05-22 | Toray Ind Inc | 白色反射フィルム |
JP2021182137A (ja) * | 2020-05-15 | 2021-11-25 | 大日本印刷株式会社 | 防眩フィルム及び画像表示装置 |
JP2022125156A (ja) * | 2020-05-15 | 2022-08-26 | 大日本印刷株式会社 | 防眩フィルム及び画像表示装置 |
TWI827521B (zh) * | 2020-05-15 | 2023-12-21 | 日商大日本印刷股份有限公司 | 防眩膜及影像顯示裝置 |
-
1991
- 1991-02-14 JP JP3020907A patent/JPH04258901A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6747719B2 (en) | 2000-12-19 | 2004-06-08 | Tomoegawa Paper Co., Ltd. | Light reflecting layer having thin metal film directly or via a primer coating on individual particles of single-layer coating |
JP5176950B2 (ja) * | 2006-02-27 | 2013-04-03 | 日本ゼオン株式会社 | 微細凹凸形状を有するフィルム、およびその製造方法 |
JP2014095917A (ja) * | 2006-06-23 | 2014-05-22 | Toray Ind Inc | 白色反射フィルム |
JP2021182137A (ja) * | 2020-05-15 | 2021-11-25 | 大日本印刷株式会社 | 防眩フィルム及び画像表示装置 |
JP2022125156A (ja) * | 2020-05-15 | 2022-08-26 | 大日本印刷株式会社 | 防眩フィルム及び画像表示装置 |
TWI827521B (zh) * | 2020-05-15 | 2023-12-21 | 日商大日本印刷股份有限公司 | 防眩膜及影像顯示裝置 |
US11960162B2 (en) | 2020-05-15 | 2024-04-16 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Anti-glare film and image display device |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN103376480B (zh) | 光学部件、光学部件的制造方法和光学部件的光学膜 | |
JP5187495B2 (ja) | 反射防止膜、反射防止膜の製造方法、反射防止膜用鋳型、反射防止膜用鋳型を用いて得られた反射防止膜及びレプリカ膜を用いて得られた反射防止 | |
JP4913129B2 (ja) | 低屈折率膜形成用コーティング組成物及びこれから製造された膜 | |
CN104781262B (zh) | 稳定的金属化合物、它们的组合物以及它们的使用方法 | |
WO2004052640A1 (ja) | 機能性皮膜被覆物品、その製造方法及び機能性皮膜形成用塗工材料 | |
JP6071318B2 (ja) | 光学部材および光学部材の製造方法 | |
WO2006093748A2 (en) | Inorganic-organic hybrid nanocomposite antiglare and antireflection coatings | |
JP2006052128A (ja) | 無機酸化物粒子 | |
JP2004533656A (ja) | 光拡散フィルム | |
JP2007025077A (ja) | 反射防止構造及びその製造方法並びに低屈折率層用塗布組成物 | |
JPH04258901A (ja) | 均一に光を拡散する反射基材 | |
JP4540979B2 (ja) | ハードコート膜付基材および該ハードコート膜形成用塗布液 | |
JP3873397B2 (ja) | 画像表示装置用帯電防止性反射防止フィルム | |
CN113543964A (zh) | 层叠膜 | |
WO2003003076A1 (en) | Light scattering reflection substrate-use photosensitive resin composition, light scattering reflection substrate, and production methods therefor | |
JP2002182006A (ja) | 反射防止膜、それを備えた基材および光電変換装置 | |
JP2011068000A (ja) | 耐指紋性塗膜形成品及び耐指紋性コーティング材組成物 | |
EP3373048A1 (en) | Optical member, image pickup apparatus, and method for manufacturing optical member | |
CN1289923C (zh) | 凸状膜及其形成方法 | |
Beganskiene et al. | Sol-gel derived antireflective coating with controlled thickness and reflective index | |
JP4889135B2 (ja) | 反射防止膜フィルム | |
JP3818836B2 (ja) | 被膜形成用組成物 | |
CN100392435C (zh) | 形成突起膜的方法 | |
TW200300162A (en) | Composition comprising a hydrolyzable organosilicon compound and coating obtained from the same | |
TW200426175A (en) | Additive for optical resins, and optical resin composition |