JPH04254915A - 無電解めっき型磁気ディスク媒体のめっき膜厚制御方法 - Google Patents

無電解めっき型磁気ディスク媒体のめっき膜厚制御方法

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Publication number
JPH04254915A
JPH04254915A JP3531291A JP3531291A JPH04254915A JP H04254915 A JPH04254915 A JP H04254915A JP 3531291 A JP3531291 A JP 3531291A JP 3531291 A JP3531291 A JP 3531291A JP H04254915 A JPH04254915 A JP H04254915A
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JP
Japan
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plating
electroless
plated
disk medium
plating film
Prior art date
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Pending
Application number
JP3531291A
Other languages
English (en)
Inventor
Tadashi Auchi
阿内 正
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NEC Ibaraki Ltd
Original Assignee
NEC Ibaraki Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Ibaraki Ltd filed Critical NEC Ibaraki Ltd
Priority to JP3531291A priority Critical patent/JPH04254915A/ja
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  • Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、無電解めっき型磁気デ
ィスク媒体のめっき方法に関し、特に、無電解めっき皮
膜の膜厚制御方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、この種の無電解めっき皮膜の膜厚
制御方法としては、めっきの析出時の発生気泡量を目視
し、めっき析出開始点を知る気泡目視法、あるいは、磁
気ディスク媒体と、めっき析出検知棒(ステンレス製の
棒に、析出めっき皮膜と同一組成のめっき皮膜を形成さ
せた棒)との間の電位差が0ボルトとなるか否かを測定
する、電位差検知法がある。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】従来の気泡目視法では
、人間が肉眼で発生気泡量を観察して判断を下すため、
50個を1ロットとして、めっきされた磁気ディスク媒
体の各ロット間もしくは、1ロット内でも磁気ディスク
媒体のめっき皮膜の膜厚のばらつきが大きくなり、良好
な歩留が得られないという欠点があった。又、従来の電
位差検知法では、ディスク媒体基板を留めているめっき
冶具の電気抵抗が大きいため、所定のめっき析出量が終
了しているにもかかわらず、磁気ディスク媒体と析出検
知棒間の電位差が0ボルトにならない場合が起る。 このため、めっき冶具間での抵抗のばらつきも影響して
、磁気ディスク媒体のめっき皮膜の膜厚のばらつきが大
きくなり、良好な歩留が得られないという欠点があった
。そこで、磁気ディスク媒体のめっき皮膜の膜厚を0.
01μmのオーダーで制御できれば、製品の歩留が良く
なる。
【0004】そこで本発明の目的は、無電解めっき膜厚
制御方法を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明のめっき膜厚制御
方法は、無電解めっき対象物の無電解めっき工程で、被
無電解めっき対象物に所定時間負バイアスを加えて、強
制的に、めっきの析出を開始させる。すなわち、めっき
析出開始点を強制的に定めることで、所定時間に所定量
のめっき析出量を定める製造方法である。これによって
、無電解めっき対象物の膜厚のばらつきが抑えられ、所
定のめっき膜厚の形成を制御できることを特徴とする。
【0006】
【実施例】実施例1 図1は、無電解めっき対象物をCo−Ni−P磁性膜4
を有する無電解めっきCo−Ni−P型磁気ディスク媒
体とした、本発明によるめっき膜厚制御方法による実施
例の断面図を示す。
【0007】図1を参照して、本発明のめっき膜厚制御
方法で実施した無電解めっきCo−Ni−P型磁気ディ
スク媒体の製造実施例を説明する。
【0008】すでに、非磁性アルミニウムディスク基板
1に約15μmのNi−P膜層2が形成されている市販
の磁気ディスク用9インチ非磁性Ni−Pディスク媒体
基板を無電解めっきNi−Pめっき液に浸漬し、本発明
の負バイアス−1.0〜−2.0ボルトを非磁性Ni−
Pディスク媒体基板に2〜6秒間加えて、Ni−Pめっ
きの析出開始点を定め、Ni−Pめっき皮膜層3の膜厚
を0.1〜0.4μmに制御して、形成させて成るNi
−Pめっきディスク媒体を得る。これを洗浄した後、次
に無電解Co−Ni−Pめっき液に浸漬し、同様な操作
を行う。負バイアス−1.0〜−2.0ボルトをNi−
PめっきされたNi−Pディスク媒体基板に2〜6秒間
加えて、Co−Ni−Pめっき析出開始点を定め、Co
−Ni−Pめっき磁性膜層4の膜厚を0.03〜0.0
6μmに制御して、形成させて成る無電解Co−Ni−
Pめっき型磁気ディスク媒体を得る。
【0009】次に上述のとおり実施した被めっき対象物
として、市販の磁気ディスク用9インチNi−Pディス
ク媒体基板を本発明方法,気泡目視法および電位差検知
法で、実施例におけるCo−Ni−Pめっき皮膜の膜厚
制御の効果を比較するため、Co−Ni−Pめっき槽の
各ロットごと、あるいは、1ロットの内でも、ディスク
を留める冶具間での、めっき皮膜の膜厚変動係数(めっ
き皮膜厚の標準偏差/平均めっき膜厚)結果と製品の歩
留の結果をCo−Ni−Pめっき型磁気ディスク媒体を
例にとって、表1に示した。
【0010】
【表1】
【0011】
【0012】気泡目視法(0.121),電位差検知法
(0.098),本発明方法(0.063)の順にめっ
き皮膜の膜厚変動係数が小さくなり、この変動係数が小
さいほど、Co−Ni−Pめっき皮膜の膜厚制御が良好
に行われて、効果を上げたことを示すもので、当然、予
想が可能なように、無電解めっき型磁気ディスク媒体の
製品の歩留の結果は、気泡目視法(61%),電位差検
知法(78%),本発明方法(93%)の順に大きくな
り、この製品の歩留が大きいほど、製品のロスがなく、
Co−Ni−Pめっき皮膜の膜厚制御が良好に行われて
いることを示している。
【0013】以上から本発明の負バイアスを加えて無電
解めっき膜厚制御方法は、無電解めっき対象物が、請求
項2の無電解Co−Ni−Pめっき型磁性ディスク媒体
だけでなく、他の無電解めっき工程すなわち、Ni−P
ディスク媒体基板のNi−Pめっき工程や、ノイズ防止
用表面無電解めっき導体層付きプラスチックプレート,
鋼板,金属板等の無電解めっき対象物の無電解めっき工
程のほとんどに適用が出来る。
【0014】
【発明の効果】以上説明したように、所定の時間、所定
の負バイアスを加える本発明方法は、被めっき対象物(
被無電解めっき磁気ディスク媒体基板)の無電解めっき
製造工程で重要な、無電解めっきの析出開始点を強制的
に定められるという効果が、めっきの析出量のばらつき
を抑え、所定のめっき皮膜の膜厚形成速度を制御しつつ
、所定のめっき皮膜の膜厚形成を制御可能とした効果を
示し、結果的には、無電解めっき皮膜の膜厚変動係数を
小さくする効果を上げる事となり、無電解めっき製造工
程の改善に継がる効果を示す事となり、且つ、所定基準
のめっき膜厚の製品の歩留を改善し得た効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例における負バイアスを加えた無
電解Co−Ni−Pめっき型磁気ディスク媒体を示す断
面図である。
【符号の説明】
1  非磁性Alディスク媒体基板 2  非磁性Ni−Pディスク媒体基板のNi−P膜層
3  Ni−Pめっき皮膜層 4  Co−Ni−Pめっき磁性膜層

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】無電解めっき対象物の無電解めっき工程に
    おけるめっき膜厚制御方法であって、被無電解めっき物
    に所定時間負バイアスを加えて、めっきの析出開始点を
    定めると共に、所定量のめっき析出量を定めることを特
    徴とする無電解めっき対象物のめっき膜厚制御方法。
  2. 【請求項2】無電解めっき型磁気ディスク媒体製造方法
    における無電解めっき工程において、ディスク媒体基板
    に所定時間負バイアスを加えて、めっきの析出開始点を
    定めると共に、所定量のめっき析出量を定めることを特
    徴とする無電解めっき型磁気ディスク媒体のめっき膜厚
    制御方法。
JP3531291A 1991-02-05 1991-02-05 無電解めっき型磁気ディスク媒体のめっき膜厚制御方法 Pending JPH04254915A (ja)

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JP3531291A JPH04254915A (ja) 1991-02-05 1991-02-05 無電解めっき型磁気ディスク媒体のめっき膜厚制御方法

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11109493B2 (en) 2018-03-01 2021-08-31 Hutchinson Technology Incorporated Electroless plating activation

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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