JPH04254366A - 両面金属箔張フィルム基材及びこれを主材とする電子部品搭載用フィルムキャリア並びにこれらの製造方法 - Google Patents

両面金属箔張フィルム基材及びこれを主材とする電子部品搭載用フィルムキャリア並びにこれらの製造方法

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JPH04254366A
JPH04254366A JP3009725A JP972591A JPH04254366A JP H04254366 A JPH04254366 A JP H04254366A JP 3009725 A JP3009725 A JP 3009725A JP 972591 A JP972591 A JP 972591A JP H04254366 A JPH04254366 A JP H04254366A
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film
metal foil
overhang
layer
double
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JP3009725A
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Yoji Yanagawa
柳川 洋二
Koji Ukai
鵜飼 耕士
Katsumi Kosaka
克己 匂坂
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Ibiden Co Ltd
Original Assignee
Ibiden Co Ltd
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    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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    • HELECTRICITY
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    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
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    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、電子部品を搭載するた
めのフィルムキャリアとその材料、及びこれらの製造方
法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】半導体素子等の電子部品を実装できる形
にするために、この電子部品を基板に搭載して所謂パッ
ケージ化されるのであるが、このような電子部品を搭載
するための基板としては種々なタイプのものが提案され
、実用化されてきている。その中でも、可撓性を有する
ベースフィルム(電気絶縁性を有する合成樹脂を主材と
するものが多い)を使用して形成したフィルムキャリア
と言われる電子部品搭載用基板は、ベースフィルムの可
撓性によって製造が容易であること、薄型化できること
等の理由によって、例えばカメラや時計のような小型製
品に多く採用されてきているものである。
【0003】このようなフィルムキャリアは、一般に、
ベースフィルム上に金属膜を形成しておき、この金属膜
を所定の形状にエッチングすることにより必要な導体回
路を形成して構成されるものであり、最終的に図12及
び図13に示すようなものとして形成されるものである
。そして、このように形成したフィルムキャリアに対し
て、図12及び図13に示したように、その所定位置に
電子部品30を搭載してこれと各導体回路とを例えばボ
ンディングワイヤ31によって電気的に接続した後、そ
の略全体を樹脂等によって封止することにより、所謂電
子部品パッケージとするものである。
【0004】以上のようなフィルムキャリアにおいては
、ベースフィルムに対してこれとは異種の材料からなる
導体回路を形成するものであり、一方電子部品パッケー
ジとされた後においては搭載した電子部品30からの熱
を受けるものであるから、ベースフィルムと導体回路と
の熱膨張率の違いによって当該フィルムキャリアに反り
が生ずることがある。特に、導体回路が接着剤によって
ベースフィルムに一体化されるものである場合には、こ
の反りが生じ易いものである。そして、後述のフィルム
キャリアにおいては、導体回路等が片面側に偏って形成
されていることが多いため、この反りの問題は一層顕著
に現れるものである。フィルムキャリアに反りが生ずる
と、電子部品30を実装する際の作業が困難となるもの
であり、また電子部品パッケージとされた場合には内部
応力となって電子部品30の破損やボンディングワイヤ
31の断線といった問題を生じさせることになるから、
フィルムキャリアに反りが生じてはならないものである
【0005】また、従来のフィルムキャリアにおいては
、各導体回路が銅を材料として形成してあるものである
が、導体回路を銅によって形成すれば電気伝導性が良く
なる半面、ベースフィルムとの熱膨張率の差が大きくな
るものである。そうなると、前述したような反りの問題
を内在させることになるため、この種のフィルムキャリ
アに対しては、この点についての改良も必要になってく
るものである。
【0006】さらに、この種のフィルムキャリアにおい
ては、その導体回路が、図12及び図13において示し
たように、電子部品パッケージとしたときに外部接続端
子となるべき所謂リードの役割をも果たすものとなるの
であるが、この導体回路が上記のように銅によって形成
してあると、リードそれ自体が銅を材料として形成され
ることになる。外部接続端子となるリードは、これにあ
る程度の曲げ加工をしなければならないし、接続のため
のハンダメッキをも施さなければならず、しかも電子部
品パッケージから外方に突出するものであるから、銅を
材料とした場合には折曲され易いものとなって取り扱い
に注意を有するものとなるのである。換言すれば、この
ようなリードは銅よりも剛性の高い材料によって形成す
ることが、より好ましいのである。
【0007】以上のことをまとめると、この種のベース
フィルムを基材とした電子部品搭載用フィルムキャリア
においては、次のようなことが要求されるのである。す
なわち、■反りの発生がないか、もしくは小さく、内部
応力の発生をも抑えられるものであること。■リードと
なる部分の剛性が十分高いものであること。■勿論、各
導体回路やスルーホールの電気伝導性が優れていること
。■電子部品の高密度化に応じてファイン化が容易にで
きること。等が、この種のフィルムキャリアに必要な特
性なのである。
【0008】そこで、本発明者等は、以上のような特性
を備えたフィルムキャリアを開発すべく種々な研究を重
ねてきた結果、まずフィルムキャリアの材料であるフィ
ルム基材の改良から行なう必要性を痛感しながら、以下
に詳述する各発明を完成したのである。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記のような
経緯に基づいてなされたもので、その主たる解決しよう
とする課題は、フィルムキャリアにおける反りである。 そして、まず請求項1に係る発明の目的とするところは
、熱膨張率の差による反りの発生を極力抑えることがで
きて、フィルムキャリアの材料として適した両面金属箔
張フィルム基材を提供することにあり、そのようなフィ
ルム基材を確実かつ容易に製造することのできる方法を
提供しようとするのが請求項2に係る発明である。また
、請求項3に係る発明の目的とするところは、反りの発
生を極力抑えることができて、しかも各導体回路の電気
的導伝性を十分確保することのできる電子部品搭載用フ
ィルムキャリアを提供することにあり、そのようなフィ
ルムキャリアを確実かつ容易に製造することのできる方
法を提供しようとするのが請求項4に係る発明なのであ
る。
【0010】
【課題を解決するための手段及び作用】以上のような課
題を解決するために、各発明が採った手段を、実施例に
おいて使用する符号を付しながら、その作用とともに項
を分けて説明すると、次の通りである。
【0011】・請求項1に係る両面金属箔張フィルム基
材10について この両面金属箔張フィルム基材10の構成は、「可撓性
のベースフィルム11を使用して形成され電子部品30
を搭載するためのフィルムキャリアを構成するためのフ
ィルム基材10において、ベースフィルム11の両面に
接着剤12を介してそれぞれ一体化され、ベースフィル
ム11とともにオーバーハング開口13が形成された第
1金属箔層15と、オーバーハング開口13上をも覆う
オーバーハング部14を有した第2金属箔層16とを備
えたことを特徴とする両面金属箔張フィルム基材10」
である。
【0012】すなわち、この両面金属箔張フィルム基材
10は、図1において示すように、可撓性のベースフィ
ルム11の両面に接着剤12を介して第1金属箔層15
及び第2金属箔層16を一体化したものであり、かつ第
1金属箔層15とベースフィルム11には図12におい
ても示すようなオーバーハング開口13を形成するとと
もに、このオーバーハング開口13の図示上方を第2金
属箔層16と一体的なオーバーハング部14によって覆
ったものである。
【0013】以上のように構成した両面金属箔張フィル
ム基材10においては、そのベースフィルム11の両側
に第1金属箔層15及び第2金属箔層16が接着剤12
によって一体化してあるから、両金属箔層15、16と
ベースフィルム11間に熱膨張率の差があったとしても
、その差により生じる応力はベースフィルム11の両側
において略均等に加わることになり、この両面金属箔張
フィルム基材10を使用して例えば電子部品搭載用フィ
ルムキャリア20として構成した場合に、この電子部品
搭載用フィルムキャリア20に反りを発生させることは
ないのである。
【0014】また、この両面金属箔張フィルム基材10
においては、第2金属箔層16の一部であるオーバーハ
ング部14がオーバーハング開口13から露出したもの
となっているから、このオーバーハング開口13をエッ
チングして導体回路21、つまり電子部品パッケージと
して完成された場合のリードとする際の加工性を良好に
しているものである。従って、この両面金属箔張フィル
ム基材10は、これを採用して例えば後述の電子部品搭
載用フィルムキャリア20とする場合に非常に好適なも
のとなっているのである。
【0015】・請求項2の製造方法についてこの製造方
法は、請求項1の両面金属箔張フィルム基材10を製造
するためのものであり、その採った手段は、「電子部品
30を搭載するフィルムキャリアを構成するための請求
項1に係る両面金属箔張フィルム基材10を、次の工程
を含んで製造する方法。 (1)可撓性のベースフィルム11の一方の面に、接着
剤12を介して第1金属箔層15を50℃〜100℃の
低温でラミネート接着する工程; (2)ベースフィルム11の他方の面に接着剤層12を
形成してから、この接着剤層12とともにベースフィル
ム11及び第1金属箔層15を打ち抜いてオーバーハン
グ開口13を形成する工程; (3)ベースフィルム11の他方の面に、その接着剤層
12を介してオーバーハング開口13を覆うオーバーハ
ング部14を有した第2金属箔層16を、(1)の工程
と略同じ条件でラミネート接着する工程」である。
【0016】すなわち、この方法においては、まず(1
)可撓性のベースフィルム11の一方の面に、接着剤1
2を介して第1金属箔層15を50℃〜100℃の低温
でラミネート接着する必要がある。特に、この場合の接
着剤12のラミネート硬化は、上記の温度のような低温
で行う必要がある。その理由は、接着剤12が硬化する
際に内部応力を残存させた状態になっていると、完成さ
れた両面金属箔張フィルム基材10及びこれによって形
成される電子部品搭載用フィルムキャリア20の反りの
原因となるからである。
【0017】その後、(2)ベースフィルム11の他方
の面に接着剤層12を形成してから、この接着剤層12
とともにベースフィルム11及び第1金属箔層15を打
ち抜いてオーバーハング開口13を形成するのである。 ここで、ベースフィルム11と第1金属箔層15とを打
ち抜いてオーバーハング開口13を形成しておくのは、
後述の第2金属箔層16を一体化した後においてこのよ
うなオーバーハング開口13を形成することは困難だか
らである。また、このようなオーバーハング開口13を
必要とするのは、次の第2金属箔層16のオーバーハン
グ部14によって導体回路21のリード部(図12のオ
ーバーハング開口13上に橋架されている部分)を形成
することを容易にするためのである。
【0018】そして、(3)ベースフィルム11の他方
の面に、その接着剤層12を介してオーバーハング開口
13を覆うオーバーハング部14を有した第2金属箔層
16を、(1)の工程と略同じ条件でラミネート接着す
るのである。ここで重要なことは、第2金属箔層16の
接着剤12による接着は最初の工程(1)と略同じ条件
によって行うことである。その理由は、この第2金属箔
層16のための接着剤12の硬化による内部応力の残存
を解避するためである。特に、第1金属箔層15側の接
着剤12の硬化においてこの接着剤12に内部応力が仮
に残存していたとしても、これと同じ条件で第2金属箔
層16側の接着剤12を硬化させれば、上下各接着剤1
2内に残存している内部応力はベースフィルム11の両
側において均等となるから、そのような残存する内部応
力が仮にあったとしても、当該両面金属箔張フィルム基
材10の反りの原因とすることをなくすことができるか
らである。
【0019】なお、以上のように、ベースフィルム11
の両面に接着剤12による両金属箔膜15、16を一体
化した後に、両接着剤12を完全硬化させるために、例
えば170℃程度の温度で約60分間キュアを行うと、
より効果的である。しかしながら、各接着剤12の材料
を選択することによって、このキュアが絶対に必要な工
程となることはなく、このキュア工程は適宜選択し得る
ものである。
【0020】以上のような各工程は、従来から使用され
ている装置等をそのまま利用して実施し得るものであり
、反りの発生しにくい両面金属箔張フィルム基材10を
確実かつ容易に製造し得るのである。
【0021】・請求項3に係る電子部品搭載用フィルム
キャリア20についてこの電子部品搭載用フィルムキャ
リア20の採った手段は、図6及び図7を参照して説明
すると、「可撓性のベースフィルム11の両面に接着剤
12を介して第1及び第2金属箔層15、16を一体化
して、オーバーハング開口13及びこれを覆うオーバー
ハング部14を有した請求項1に係る両面金属箔張フィ
ルム基材10を主材とした電子部品搭載用フィルムキャ
リア20であって、第1及び第2金属箔層15、16と
して42アロイ材を採用するとともにこれをエッチング
して形成した導体回路21と、両金属箔層15、16の
適宜部分に両者を貫通して形成したスルーホール部22
aと、このスルーホール部22a及び導体回路21の表
面に銅及びニッケルによるメッキ層23を形成したこと
を特徴とする電子部品搭載用フィルムキャリア20」で
ある。
【0022】すなわち、この電子部品搭載用フィルムキ
ャリア20においては、その基本的構造として請求項1
に係る構造を採用しているのであるが、ここで重要なこ
とは、両金属箔層15、16として42アロイ材を採用
していることである。42アロイ材は、熱膨張率が比較
的少ないもの(4.4×10−6/℃)であって、ベー
スフィルム11との熱膨張率の差による反りの問題を生
じさせにくいものであり、かつ一般に製造されている電
子部品30との熱膨張率の差が非常に小さく、これによ
ってこの42アロイ材から形成されることとなる導体回
路21との電気的接続の信頼性を十分なものとすること
ができるからである。
【0023】以上のように、この電子部品搭載用フィル
ムキャリア20においては、ベースフィルム11に一体
的に形成される各導体回路21が42アロイ材によって
形成してあるから、この42アロイ材からなるリード(
図12及び図13においてベースフィルム11側のオー
バーハング開口13上に橋架されることになる部分)の
剛性が、従来一般の銅を主材としたリードに比して、高
くなっているのである。これを、引張強さ(kgf/m
m2)によって具体的に示すと、次の通りである。
【0024】従って、このような電子部品搭載用フィル
ムキャリア20に電子部品30を実装して電子部品パッ
ケージとしたとき、その各(アウター)リードの剛性は
従来のものより優れたものとなっており、その各種取り
扱いを容易にし得るものとなっているだけでなく、この
電子部品パッケージの他の基板等に対する接続信頼性及
び耐衝激性を十分なものとし得るのである。
【0025】また、この電子部品搭載用フィルムキャリ
ア20においては、そのスルーホール部22aと各導体
回路21の表面に、銅メッキ膜23a及びニッケルメッ
キ膜23bからなるメッキ層23が形成してあるので、
その電気的伝導性を十分なものとしているのである。つ
まり、各工程が42アロイ材によって形成したままのも
のであるとすると、各導体回路21は42アロイ材の言
わば低い電気的伝導性(抵抗値が約5.8×10−6Ω
・m)を有したもののままとなるのであるが、各導体回
路21の表面に言わば電気的伝導性の高い(30〜10
0×10−6Ω・m)材料によるメッキ層23を形成し
たことによって、このような高い電気的伝導性を確保す
ることができるのである。しかも、このようなメッキ層
23を形成したとしても、各導体回路21がその優れた
剛性を保持しているものであることは当然である。特に
、この電子部品搭載用フィルムキャリア20におけるよ
うに、42アロイ材からなる両金属箔層15、16の両
面の大部分に、まず銅メッキ膜23aを形成してからニ
ッケルメッキ膜23bを形成することにより、42アロ
イ材とは熱膨張率の異なる銅メッキ膜23aを、42ア
ロイ材と略同じ熱膨張率を有するニッケルメッキ膜23
bによって言わばサンドイッチ構造としているので、電
気的伝導性を良好にするために使用した銅による反りの
問題は全くなくなったことになるのである。
【0026】さらに、本発明に係る電子部品搭載用フィ
ルムキャリア20においては、スルーホール部22a内
にまず銅メッキ膜23aを形成しておき、その表面側に
さらにニッケルメッキ膜23bを形成してスルーホール
22としたから、これら各スルーホール22の電気的信
頼性は十分なものとなっているのである。一般に、スル
ーホール22は基材(両面金属箔張フィルム基材10)
に対して直交状態で形成されるものであるから、そのコ
ーナー部のメッキ層23の強度が問題となる。つまり、
スルーホール22のコーナー部において、熱衝撃等を受
けたときにクラックが入りやすいものであるが、本発明
においてはスルーホール部22a内のメッキ層23をも
銅メッキ膜23a及びニッケルメッキ膜23bによって
言わば二重構造のものとすること、換言すれば十分な電
気的導電性を銅メッキ膜23aによって確保し、ニッケ
ルメッキ膜23bによってクラックを生じさせないよう
な構造のものとしたから、各スルーホール22における
電気的接続の信頼性は十分確保されているのである。
【0027】従って、この電子部品搭載用フィルムキャ
リア20に電子部品30を実装して電子部品パッケージ
としたとき、その電子部品30の作動によって熱が発生
したとしても内部応力による反りが生ずることはなく、
耐久性に優れたものとし得るのであり、各リードの剛性
が高くかつ各導体回路21及びスルーホール22の電気
的伝導性に優れていて、しかも各導体回路21のファイ
ン化を達成し得るのである。
【0028】・請求項4に係る製造方法について以上の
ような請求項3に係る電子部品搭載用フィルムキャリア
20を製造するために、この請求項4に係る発明の採っ
た手段は、「請求項3に係る電子部品搭載用フィルムキ
ャリア20を、次の工程を含んで製造する方法。 (1)請求項2に係る製造方法における第1及び第2金
属箔層15、16として42アロイ材を採用して両面金
属箔張フィルム基材10を形成する工程;(2)この両
面金属箔張フィルム基材10の所定箇所にスルーホール
部22aを穴明けした後、このスルーホール部22aを
含む全面に銅メッキ膜23aを形成する工程; (3)オーバーハング部14のオーバーハング開口13
側にメッキされた銅メッキ膜23aをエッチング除去し
た後、スルーホール部22a内及び両金属箔層15、1
6の銅メッキ膜23a上にニッケルメッキ膜23bを形
成する工程; (4)各スルーホール部22a内及びオーバーハング部
14のオーバーハング開口13側の面にのみ金メッキ層
24を形成するとともに、両金属箔層15、16表面に
導体回路21のためのエッチングレジストを形成する工
程; (5)このエッチングレジストを露光・現象したものと
金メッキ層24とをエッチングレジストとして、両金属
箔層15、16及びその表面のメッキ層23をエッチン
グすることにより、所定の導体回路21を形成する工程
」である。
【0029】すなわち、この方法においては、まず(1
)請求項2に係る製造方法における第1及び第2金属箔
層15、16として42アロイ材を採用して両面金属箔
張フィルム基材10を形成することが必要である。 その理由は、42アロイ材の性質を有効に引き出すため
には、この段階で使用する必要があるからである。特に
、この段階において、ベースフィルム11と第1金属箔
層15とにオーバーハング開口13を形成しておき、こ
のオーバーハング開口13を覆うオーバーハング部14
を有した第2金属箔層16をベースフィルム11に一体
化することは、後述するように、このオーバーハング部
14を利用してメッキ層23を有した導体回路21を形
成する上で非常に重要である。
【0030】次には、この42アロイ材を使用して構成
した(2)両面金属箔張フィルム基材10の所定箇所に
スルーホール部22aを穴明けした後、このスルーホー
ル部22aを含む全面に銅メッキ膜23aを形成するこ
とが必要である。その理由は、この銅メッキ膜23aは
、後述のニッケルメッキ膜23bとともにメッキ層23
を42アロイ材の表面に形成することにより、導体回路
21となる42アロイ材の比較的低い電気伝導性を十分
補償するものとしなければならないからである。勿論、
両面金属箔張フィルム基材10側に形成したスルーホー
ル部22a内にもこの銅メッキ膜23aを形成するわけ
であるが、この銅メッキ膜23aによってスルーホール
部22aを所謂スルーホール22とするために、是非と
も必要となるものであることは当然である。しかも、こ
のスルーホール部22a内への銅メッキ膜23aの形成
を、各導体回路21の電気的伝導性を補償するためのメ
ッキ層23とするための銅メッキ膜23aとの形成と同
時に行うことは、電子部品搭載用フィルムキャリア20
全体を形成する工程を簡略化し得るものでもあるのであ
る。
【0031】次いで、(3)オーバーハング部14のオ
ーバーハング開口13側にメッキされた銅メッキ膜23
aをエッチング除去した後、スルーホール部22a内及
び両金属箔層15、16の銅メッキ膜23a上にニッケ
ルメッキ膜23bを形成するのである。このように、オ
ーバーハング開口13内に露出しているオーバーハング
部14の裏面の銅メッキ膜23aを除去するのは、銅メ
ッキ膜の厚みの変動により、リードのエッチング仕上り
幅のバラツキが発生するのを防ぐというためである。ま
た、その後の銅メッキ膜23aの表面にニッケルメッキ
膜23bを形成するのは、まずスルーホール部22a内
の銅メッキ膜23aをニッケルメッキ膜23bによって
十分な強度を有したものとすることにより、各スルーホ
ール22の電気的接続の信頼性を高めるためであり、ま
たその他の部分については42アロイ材と同様な熱膨張
率を有するニッケルメッキ膜23bを形成することによ
って、42アロイ材とは熱膨張率の異なる銅メッキ膜2
3aを挟み込んで特に各導体回路21において反りが発
生しないようにするためである。
【0032】そして、(4)各スルーホール部22a内
及びオーバーハング部14のオーバーハング開口13側
の面にのみ金メッキ層24を形成するとともに、両金属
箔層15、16表面に導体回路21のためのエッチング
レジストを形成するのである。このように部分的に金メ
ッキ層24を形成するのは、この金メッキ層24を42
アロイからなる第1金属箔層15及び第2金属箔層16
をエッチングして導体回路21とする場合のエッチング
レジストとする必要があるからである。特に、オーバー
ハング部14のオーバーハング開口13側に金メッキ層
24を形成しておくのは、通常一般に採用されているエ
ッチングレジストは印刷手段によって形成されるもので
あるが、このようなエッチングレジストをオーバーハン
グ開口13内のオーバーハング部14に形成することは
困難だからである。ところが、メッキ技術を採用するこ
とにより、オーバーハング開口13内のような印刷が困
難な場所においても、エッチングレジスト、この場合は
金メッキ層24であるが、この金メッキ層24の形成を
極めて容易かつ確実に行うことができるのである。なお
、金は高価なものであるが、その回収技術は現在十分確
立されているため、レジストとして使用した後に不要な
ものとなったとしても、この金を容易に回収することが
できるから、金メッキ層24の形成はそれ程電子部品搭
載用フィルムキャリア20の製造コストには影響のない
ものである。この段階のものが、図11に示したもので
ある。
【0033】そして、最後に、(5)このエッチングレ
ジストを露光・現象したものと金メッキ層24とをエッ
チングレジストとして、両金属箔層15、16及びその
表面のメッキ層23をエッチングすることにより、所定
の導体回路21を形成するのである。ここで重要なこと
は、金メッキ層24が第2金属箔層16のオーバーハン
グ開口13内部分からエッチングされることを阻止して
いる点である。この場合のエッチング液は、主として4
2アロイ材をエッチングするためのものであって、ニッ
ケル及び銅をもエッチングする塩化鉄のような強力なも
のであるから、これに十分耐え得る金属、すなわち金で
あることが必要なのである。また、第2金属箔層16の
オーバーハング部14においてこのような金メッキ層2
4というレジスト層を形成しておき、言わば強力なエッ
チング液を使用可能としたから、第2金属箔層16のエ
ッチングによるファイン化を十分可能にしたのである。
【0034】なお、以上のままでは、各導体回路21は
特にオーバーハング開口13内の金メッキ層24によっ
て互いに電気的に接続されたままの状態にあるから、こ
の金メッキ層24をエッチングによって除去することが
なされる。この場合、各スルーホール22においては、
これを構成している銅メッキ膜23aがニッケルメッキ
膜23bによって被覆されているとともに、各導体回路
21の図示上側面及び下面が同じくニッケルメッキ膜2
3bによって被覆されているから、金をエッチングしニ
ッケルをエッチングしない選択エッチング液(例えばシ
アン化ナトリウム)によるエッチングを行うことによっ
て金のみを除去し得ることは当然である。これにより、
特にオーバーハング開口13の上方に位置する各導体回
路21は電気的に独立したものとされるのである。
【0035】
【実施例】次に、各請求項に係る発明を、図面に示した
実施例に従って説明するが、この実施例においては、両
面金属箔張フィルム基材10における両金属箔層15、
16を構成する材料として42アロイ材を使用するとと
もに、この両面金属箔張フィルム基材10を使用して最
終的に図12及び図13に示した電子部品搭載用フィル
ムキャリア20を形成する場合を中心として説明してい
く。勿論、請求項1に係る両面金属箔張フィルム基材1
0においては、その両金属箔層15、16を構成するた
めの材料として、42アロイ材だけでなく銅等の他の金
属材を採用できるものであることは言うまでもない。
【0036】さて、電子部品搭載用フィルムキャリア2
0を構成するための材料である両面金属箔張フィルム基
材10は、図1に示すように、ベースフィルム11の両
側にそれぞれ接着剤12を介して第1金属箔層15及び
第2金属箔層16を一体化したものであるが、この両面
金属箔張フィルム基材10は次のようにして製造した。
【0037】すなわち、まず図2に示すように、厚さ5
0μmのポリイミドからなるベースフィルム11の裏面
に、厚さ35μmの42アロイ材からなる第1金属箔層
15を、接着剤12を介して接着するとともに、この接
着剤12を50℃の低温にて硬化させた。そして、図3
に示すように、今度はベースフィルム11の表面側に接
着剤12を塗布して、これを半硬化状態にした後、図4
に示すように、これら両接着剤12、ベースフィルム1
1及び第1金属箔層15の所定箇所に対して打ち抜き加
工を施すことにより、例えば図12に例示したような状
態をオーバーハング開口13を形成した。このオーバー
ハング開口13の形成は、本実施例におけるような打ち
抜き加工による他、切削加工によって形成してもよい。 また、このオーバーハング開口13を形成するには、ま
ず第1金属箔層15のオーバーハング開口13となる部
分をエッチングによって除去しておき、残っている接着
剤12及びベースフィルム11を打ち抜きまたは切削に
よって除去することにより行ってもよいものであり、こ
の場合には第1金属箔層15のオーバーハング開口13
となる部分に所謂バリの発生を防止することができると
いう利点があるものである。
【0038】以上のようなオーバーハング開口13を形
成したものに対しては、図5に示したように、厚さ35
μmの42アロイ材からなる第2金属箔層16をベース
フィルム11の上側にある接着剤12を利用して一体化
するのであり、これによりオーバーハング開口13の図
示上方にはこれを覆うオーバーハング部14が自動的に
形成されるのである。なお、この後において、必要があ
れば各接着剤12に対してキュアを行うものであり、本
実施例においては170℃の温度で約60分のキュアを
行うことにより、各接着剤12を完全硬化させている。
【0039】以上のようにすることにより、請求項1に
係る両面金属箔張フィルム基材10が完成されたことに
なるのであり、この両面金属箔張フィルム基材10を使
用して今度は、次のように図6及び図7に示したような
電子部品搭載用フィルムキャリア20を形成していくの
である。
【0040】すなわち、この図6及び図7に示した電子
部品搭載用フィルムキャリア20は請求項3に係るもの
であるが、より具体的には、図12に示したように、そ
の図示上面側に搭載されるべき電子部品30に向かう複
数の導体回路21を備えたものであり、これら各導体回
路21のオーバーハング開口13上に位置する部分は(
アウター)リードとなるものである。換言すれば、この
電子部品搭載用フィルムキャリア20に対して、図13
にも示したように、図示上面側に搭載した電子部品30
と同じ側にある各導体回路21とをボンディングワイヤ
31によって電気的に接続した後、これらの電子部品3
0及びボンディングワイヤ31を中心として樹脂封止す
ることにより電子部品パッケージとするのであるが、オ
ーバーハング開口13上に位置していた各導体回路21
の部分はこの電子部品パッケージ外に突出する外部接続
用のリードとされるものである。また、この電子部品搭
載用フィルムキャリア20は、図6、図7及び図13に
示したように、その図示下面にも導体回路21を有する
ものであり、これら上下の導体回路21は両面金属箔張
フィルム基材10を貫通して形成したスルーホール22
によって電気的接続が選択的になされているものである
【0041】以上のような電子部品搭載用フィルムキャ
リア20の形成は、まず前述した両面金属箔張フィルム
基材10の所定部分にスルーホール22となるスルーホ
ール部22aを形成した後に、このスルーホール部22
a内を含む両面金属箔張フィルム基材10の全表面に、
図8に示すように、銅メッキ膜23aを形成することか
ら始まる。本実施例においては、この銅メッキ膜23a
は、無電解によって厚さ5μmのものとして形成したが
、このような厚さとしたのは、後述の金メッキ層24を
エッチングレジストとして第2金属箔層16等から各導
体回路21を形成する際にエッチングオーバーハングを
小さくすると同時に、導体回路21としたときの電気伝
導性を確保するためである。
【0042】以上のような銅メッキ膜23aを形成した
両面金属箔張フィルム基材10に対して、主としてオー
バーハング開口13内及びこれに露出している第2金属
箔層16以外にエッチングレジストを形成して、図9に
示すように、この部分の銅メッキ膜23aをエッチング
により除去したのである。この場合には、アルカリエッ
チャントによって上記部分の銅メッキ膜23aのみを選
択エッチングしたのである。そして、以上のようにした
ものの全表面、すなわちスルーホール部22a内の銅メ
ッキ膜23a表面も含めた全表面に、図10に示したよ
うに、厚さ5μmのニッケルメッキ膜23bを形成して
、オーバーハング開口13内に露出しているオーバーハ
ング部14以外の部分に銅メッキ膜23a及びニッケル
メッキ膜23bからなるメッキ層23を形成したもので
ある。これにより、スルーホール部22aにおいては、
銅メッキ膜23a及びニッケルメッキ膜23bによるメ
ッキ層23が形成されて、この部分においてまず必要な
スルーホール22が完成されるのであり、このスルーホ
ール22は第1金属箔層15及び第2金属箔層16を電
気的に接続している。
【0043】その後に、各スルーホール22内及びオー
バーハング開口13内のニッケルメッキ膜23b表面以
外を金マスク(耐金メッキフォトレジスト)して、各ス
ルーホール22内及びオーバーハング開口13内のニッ
ケルメッキ膜23b表面に、厚さ0.5〜2μmの金メ
ッキ層24を電解金メッキによって形成したのである。 この必要な金メッキ層24が形成された後は、上記の金
マスクを剥離した。これが、図11に示した状態のもの
である。
【0044】以上のように金メッキ層24を形成したも
のに対して、図示上面側にフォトレジストを塗布して、
このフォトレジストを必要な各導体回路21に対応させ
た状態に露光・現象して第2金属箔層16の表面側のエ
ッチングレジストとした。なお、裏面側にある第1金属
箔層15に対しても同様なエッチングレジストを形成す
ることは言うまでもないが、オーバーハング開口13内
に臨んでいるオーバーハング部14については既にエッ
チングレジストとなる金メッキ層24が形成されている
から、何等処理する必要はない。勿論、各スルーホール
22内についても金メッキ層24が存在しているから耐
エッチング構造となっていることは言うまでもない。
【0045】これらのフォトレジスト及び金メッキ層2
4をエッチングレジストとして、これらから露出してい
るニッケルメッキ膜23bから始まって銅メッキ膜23
a及び両金属箔膜15、16をエッチングしていくこと
により、必要な導体回路21を形成するのである。
【0046】その後は、ニッケルメッキ膜23bをエッ
チングレジストとしながら、シアン化ナトリウム等によ
って金メッキ層24を除去するとともに、金を回収する
のである。また、各導体回路21上に対しては必要なソ
ルダーレジスト等を形成してこれを保護するとともに、
各導体回路21のボンディングワイヤ31がボンディン
グされる部分に対しては金メッキを施すのである。なお
、この導体回路21のボンディングワイヤ31がボンデ
ィングされる部分は予め分かっているから、オーバーハ
ング部14の裏面に金メッキ層24を形成すると同時に
その部分への金メッキを形成するように実施してもよく
、その場合には、オーバーハング部14の裏面の金メッ
キ層24を除去する際に、このボンディング部の金メッ
キも除去されてしまわないように金のエッチングレジス
トによって覆う必要はある。
【0047】以上のようにして、図12及び図13に示
したような電子部品搭載用フィルムキャリア20が完成
されるのである。
【0048】
【発明の効果】以上詳述した通り、各請求項に係る発明
においては、上述したような構成を有しているので、次
のような効果をそれぞれ有しているのである。
【0049】・請求項1に係る両面金属箔張フィルム基
材10について この両面金属箔張フィルム基材10によれば、第1金属
箔層15及び第2金属箔層16が接着剤12を介してベ
ースフィルム11の両面に一体化してあるから、ベース
フィルム11が可撓性を有している材料によって形成さ
れていたとしても、その全体に反りが生ずることはない
のである。従って、この両面金属箔張フィルム基材10
を加工して電子部品搭載用フィルムキャリア20とした
場合に、反りの原因となる内部応力の極めて少ない電子
部品搭載用フィルムキャリア20とすることができるの
であり、この両面金属箔張フィルム基材10をベースフ
ィルム11と同様に長尺なもののまま採用して電子部品
搭載用フィルムキャリア20とする場合にその加工作業
性が非常に良いものとなっているのである。また、この
両面金属箔張フィルム基材10は、電子部品搭載用フィ
ルムキャリア20における各導体回路21となるべきオ
ーバーハング部14をオーバーハング開口13上に言わ
ば宙吊り状態で有したものであるから、後述の電子部品
搭載用フィルムキャリア20を形成する上でその加工作
業を非常に効率良くすることができるものである。
【0050】・請求項2に係る製造方法についてこの製
造方法によれば、上記請求項1に係る両面金属箔張フィ
ルム基材10を確実かつ容易に製造することができるの
である。特に、各接着剤12を介しての第1金属箔層1
5及び第2金属箔層16のベースフィルム11に対する
一体化を低温でかつ同じ条件で行うようにしたことによ
って、反りのない両面金属箔張フィルム基材10を確実
に製造することができるのである。
【0051】・請求項3に係る電子部品搭載用フィルム
キャリア20について この電子部品搭載用フィルムキャリア20においては、
その主材として請求項1に係る両面金属箔張フィルム基
材10を採用しているので反りの問題は全くなくなって
いるだけでなく、第1金属箔層15及び第2金属箔層1
6として42アロイ材を採用しているから、各導体回路
21の特にリードとなる部分の剛性を十分高いものとす
ることができるとともに、これら各導体回路21が搭載
される電子部品30との熱膨張率に殆ど差がないから、
これによっても反りの発生を十分抑制することができる
のである。
【0052】また、この電子部品搭載用フィルムキャリ
ア20によれば、各42アロイ材の表面に銅メッキ膜2
3a及びニッケルメッキ膜23bからなるメッキ層23
を形成したから、このメッキ層23の銅メッキ膜23a
によって十分な電気的導伝性を確保しているとともに、
特にスルーホール22においてこの銅メッキ膜23aを
ニッケルメッキ膜23bよって保護するようにしている
から、その耐熱衝撃性に優れたものとすることができて
接続信頼性の高いスルーホール22を有した電子部品搭
載用フィルムキャリア20とすることができるのである
【0053】・請求項4に係る製造方法についてこの製
造方法によれば、請求項3に係る電子部品搭載用フィル
ムキャリア20の製造を容易かつ確実に行うことができ
るのである。特に、この製造方法においては、オーバー
ハング開口13内に露出するオーバーハング部14の裏
面側に金メッキ層24を形成しておき、この金メッキ層
24をエッチングレジストとして各導体回路21を形成
するようにしたから、各導体回路21のファイン化に十
分対応することができるのである。
【図面の簡単な説明】
【図1】請求項1の発明に係る両面金属箔張フィルム基
材の断面図である。
【図2】ベースフィルムに接着剤を介して第1金属箔層
を一体化した状態を示す部分拡大断面図である。
【図3】ベースフィルム上に別の接着剤を形成した状態
の部分拡大断面図である。
【図4】図3に示したものの必要な部分にオーバーハン
グ開口を形成した状態の部分拡大断面図である。
【図5】ベースフィルム上に形成しておいた接着剤を利
用して第2金属箔層を一体化した状態の部分拡大断面図
である。
【図6】請求項3の発明に係る電子部品搭載用フィルム
キャリアの拡大断面図である。
【図7】図6に示した電子部品搭載用フィルムキャリア
の要部拡大断面図である。
【図8】図1に示した両面金属箔張フィルム基材の全表
面に銅メッキ膜を形成した状態の断面図である。
【図9】図8に示したもののオーバーハング部の下面の
銅メッキ膜をエッチング除去した状態の断面図である。
【図10】図9に示したものの全面にニッケルメッキ膜
を形成した状態の断面図である。
【図11】図10に示したものの各スルーホール内及び
オーバーハング部の裏面側に金メッキ層を形成した状態
の断面図である。
【図12】電子部品搭載用フィルムキャリアに対して電
子部品を実装した状態の拡大斜視図である。
【図13】図12の13−13線に沿ってみた断面図で
ある。
【符号の説明】
10  両面金属箔張フィルム基材 11  ベースフィルム 12  接着剤 13  オーバーハング開口 14  オーバーハング部 15  第1金属箔層 16  第2金属箔層 20  電子部品搭載用フィルムキャリア21  導体
回路 22  スルーホール 22a  スルーホール部 23  メッキ層 23a  銅メッキ膜 23b  ニッケルメッキ膜 24  金メッキ層 30  電子部品

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  可撓性のベースフィルムを使用して形
    成され電子部品を搭載するためのフィルムキャリアを構
    成するためのフィルム基材において、前記ベースフィル
    ムの両面に接着剤を介してそれぞれ一体化され、前記ベ
    ースフィルムとともにオーバーハング開口が形成された
    第1金属箔層と、前記オーバーハング開口上をも覆うオ
    ーバーハング部を有した第2金属箔層とを備えたことを
    特徴とする両面金属箔張フィルム基材。
  2. 【請求項2】  電子部品を搭載するフィルムキャリア
    を構成するための請求項1に係る両面金属箔張フィルム
    基材を、次の工程を含んで製造する方法。 (1)可撓性のベースフィルムの一方の面に、接着剤を
    介して第1金属箔層を50℃〜100℃の低温でラミネ
    ート接着する工程; (2)前記ベースフィルムの他方の面に接着剤層を形成
    してから、この接着剤層とともに前記ベースフィルム及
    び第1金属箔層を打ち抜いてオーバーハング開口を形成
    する工程; (3)前記ベースフィルムの他方の面に、その前記接着
    剤層を介して前記オーバーハング開口を覆うオーバーハ
    ング部を有した第2金属箔層を、前記(1)の工程と略
    同じ条件でラミネート接着する工程。
  3. 【請求項3】  可撓性のベースフィルムの両面に接着
    剤を介して第1及び第2金属箔層を一体化して、オーバ
    ーハング開口及びこれを覆うオーバーハング部を有した
    請求項1に係る両面金属箔張フィルム基材を主材とした
    電子部品搭載用フィルムキャリアであって、前記第1及
    び第2金属箔層として42アロイ材を採用するとともに
    これをエッチングして形成した導体回路と、前記両金属
    箔層の適宜部分に両者を貫通して形成したスルーホール
    部と、このスルーホール部及び前記導体回路の表面に銅
    及びニッケルによるメッキ層を形成したことを特徴とす
    る電子部品搭載用フィルムキャリア。
  4. 【請求項4】  前記請求項3に係る電子部品搭載用フ
    ィルムキャリアを、次の工程を含んで製造する方法。 (1)前記請求項2に係る製造方法における第1及び第
    2金属箔層として42アロイ材を採用して前記両面金属
    箔張フィルム基材を形成する工程; (2)この両面金属箔張フィルム基材の所定箇所にスル
    ーホール部を穴明けした後、このスルーホール部を含む
    全面に銅メッキ膜を形成する工程; (3)前記オーバーハング部の前記オーバーハング開口
    側にメッキされた前記銅メッキ膜をエッチング除去した
    後、前記スルーホール部内及び両金属箔層の銅メッキ膜
    上にニッケルメッキ膜を形成する工程;(4)前記各ス
    ルーホール部内及び前記オーバーハング部のオーバーハ
    ング開口側の面にのみ金メッキ層を形成するとともに、
    前記両金属箔層表面に前記導体回路のためのエッチング
    レジストを形成する工程;(5)このエッチングレジス
    トを露光・現象したものと前記金メッキ層とをエッチン
    グレジストとして、前記両金属箔層及びその表面のメッ
    キ層をエッチングすることにより、所定の前記導体回路
    を形成する工程。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5977617A (en) * 1996-05-10 1999-11-02 Nec Corporation Semiconductor device having multilayer film carrier
JP2021120991A (ja) * 2020-01-30 2021-08-19 大口マテリアル株式会社 リードフレーム

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5977617A (en) * 1996-05-10 1999-11-02 Nec Corporation Semiconductor device having multilayer film carrier
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