JPH0424935A - プローバ - Google Patents

プローバ

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Publication number
JPH0424935A
JPH0424935A JP12492790A JP12492790A JPH0424935A JP H0424935 A JPH0424935 A JP H0424935A JP 12492790 A JP12492790 A JP 12492790A JP 12492790 A JP12492790 A JP 12492790A JP H0424935 A JPH0424935 A JP H0424935A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
stage
downflow
prober
down flow
semiconductor wafers
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP12492790A
Other languages
English (en)
Inventor
Wataru Karasawa
唐沢 渉
Itaru Takao
高尾 至
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Tokyo Electron Yamanashi Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Tokyo Electron Yamanashi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd, Tokyo Electron Yamanashi Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP12492790A priority Critical patent/JPH0424935A/ja
Publication of JPH0424935A publication Critical patent/JPH0424935A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は半導体ウェハの電気特性を測定し、不良品の検
出を行うプローバに関する。
[従来の技術] 従来から、半導体ウェハ上に形成されたICチップの良
・不良を識別する装置にプローバが用いられている。プ
ローバには複数の半導体ウェハを水平に所定間隔積層し
て支持するキャリアを垂直移動可能な移動装置に接続さ
れた載置台と、所定間隔で移動させた載置台上のキャリ
アから半導体ウェハを真空吸着等で支持し搬送する搬送
アームと、搬送アームで搬出した半導体ウェハのオリフ
ラ合せを行うプリアライメントステージ等とを備えた収
納部が設けられる。さらにプローバは収納部から搬送さ
れるオリフラ合せ済の半導体ウェハの精アライメント及
び測定を行うプロービングステージを備えた測定部が設
けられ、半導体ウェハのICチップの多数の電極列と、
電極列に対応して設けられたプローブ針列とを接触させ
、ICチップ毎に電気特性をテスタで測定し、順次プロ
ービングステージをICチップのピッチで断続移動させ
ながら、半導体ウェハ上の全ICチップの渭定検査を行
っている。
[発明が解決しようとする課題] 集積回路の超微細化が進むにつれ、半導体ウェハの環境
が厳しく、空気中のパーティクル、ゴミ等が問題となり
、超微細化に対応できる清浄化か要求されている。通常
、ブローμはクリーンルーム内に配置され、クリーンル
ームのダウンフローに晒されてパーティクル、ゴミから
守られているしかし、ブロービングが行われているブロ
ーμ内部は、光に対して反応しやすい膜が形成された半
導体ウェハ等では光を遮断した状態が好ましく、そのた
め半導体ウェハは密閉状態に置かれているしかし、密閉
状態でのキャリア載置台、搬送アーム、プリアライメン
トステージ、あるいは測定部のプロービングステージ、
搬送系等移動機構等の駆動は、必然的にそのための潤滑
油等から発生するゴミ、パーティクルの発生を伴うもの
である。
そのため、本出願人によりクリーンルームのダウンフロ
ーをブローバ内に取り入れる装置(特開昭63−151
03号公報)等が開発されてはいるがブローμ内全体に
ダウンフローが行頁らずとぅしても極部的にしかダウン
フローを取り入れることができなかった。
また、半導体ウェハはキャリア内に長時間滞在するため
、収納部における汚染源も問題であった。
本発明は上記の欠点を解消するためなされたものであっ
て、クリーンルームのダウンフローをブローμ内全体に
取入れ、半導体ウェハを汚染源がら守り、品質の向上を
図るブローμを提供することを目的とする。
[課題を解決するための手段] 上記の目的を達成するため、本発明のブローμは、複数
枚の半導体ウェハを収納したキャリアを載置する載置台
と、前記キャリアがら前記半導体ウェハを搬入出する搬
送手段と、前記半導体ウェハを粗アライメントするプリ
アライメントステージとを有する収納部と、前記収納部
がら搬送される前記半導体ウェハを載置するプロービン
グステージを有する測定部とを備えクリーンルーム内に
配置されるブローμにおいて、筐体に設けた前記クリー
ンルームのダウンフローを取り入れる取込口と、前記取
込口に接続され少なくとも前記測定部のヘッドプレート
に前記ダウンフローを供給する流路を備えたものである
。また、前記流路は多孔質体である。
[作用] ブローμの収納部及び測定部の筐体のヘッドプレートの
全面に多孔質体から成る板状体を取着させ、この板状体
と筐体に設けたクリーンルームのダウンフローを取入れ
る取入口を接続し、取入口から取入れたダウンフローを
ブローバ内部全体に行頁るようにする。あるいはこの多
孔質体の代りにヘッドプレートの全面に流路を設け、流
路にダウンフローを排気するような多数の孔を設け、プ
ローバ内部全体にダウンフローが漏洩するようにする。
さらにブローμの下部に吸引装置を設け、強制的にダウ
ンフローを発生させることができる。
このようにすることでブローμ内部を暗室に保ち、しか
もダウンフローを取込むことができる。
[実施例] 本発明のブローμの一実施例を図面を参照して説明する
第1図に示すブローμ1は、主としてウェハキャリアを
収納する収納部2、測定部3及びテスタ部4とから成る
。収納部2は半導体ウェハ5を複数収納するキャリア6
を例えば2箇セツト可能なキャリア収納部7を備え、キ
ャリアカバー71で密閉して被われる。キャリア収納部
7からキャリア6を受取る載置台8及び載置台8が螺合
されモータ9の回転を上下動に変換される軸10が設け
られる。さらに載置台8上のキャリア6に収納される半
導体ウェハ5を搬出する搬送手段であるロボットアーム
11が備えられ、半導体ウェハ5のオリフラ合せして粗
アライメントを行うプリアライメントステージ12を有
している。プリアライメントステージ12の上方には投
受光装置(図示せず)が設けられ、半導体ウェハ5の周
縁部の検出を行い、オリフラ合せをするようになってい
る。
これら収納部2の装置はインデクサ方坊台13により支
持されている。
粗アライメントが行われた半導体ウェハが搬送される測
定部3は半導体ウェハを載置するプロービングステージ
14がXYZ方向及びθ回転移動装置15に接続されて
設けられる。測定部3にはこの他図示しないCCDカメ
ラやハイドセンサが設けられ精アライメントを行う時に
半導体ウェハ5の実際の位置と、予め記憶されている情
報とを比較してずれ量の検出を行うようになっている。
測定部3及び収納部2は、厚い鋼板等から成る定盤16
上に設置され、寸分狂わず位置を固定され、外周を筐体
17で被われる。筐体の上部はヘッドプレート18、下
部は底板19から成る。底板19の下部には吸引装置に
接続された吸収口19−1が設けられる。
この測定部3の上方に配置されるテスタ部4はICチッ
プの電極に接触させてICチップの電気特性を測定する
プローブ針20を植設したプローブカード21がセット
される。このテスタ部4の上方にはオペレータがプロー
ビングステージ14上のICチップの電極とプローブ針
20との接触状態を観察するマイクロスコープ22が設
けられる。
このような構成のブローバ1のヘッドプレート18及び
キャリアカバー71の内部側には第2図及び第3図に示
すようなゴミに対して気密に構成されている例えば板状
体の多孔質体23が金属枠24で支持されて取着される
。多孔質体23はアルミナシリカ等金属の焼結体等が好
適に用いられる。これらの多孔質体23は筐体17ある
いはキャリアカバー71の側壁に設けられたダウンフロ
ーの取込口25に接続される。取込口25は複数であっ
ても構わない。そして、第4図に示すように収納部のイ
ンデクサ支持台13に多数の孔26を穿孔し、さらに定
盤16にもインデクサ支持台13に設けた孔26より大
きな孔を複数設け、底板19にもインデクサ支持台13
と同様の大きさの孔を多数設ける。
また、他の実施例として第5図に示すように、多孔質体
の代わりにヘッドプレート18の内側にダウンフローの
取込口25に接続して流路を形成する溝18−1を形成
し、第6図に示すように溝18−1の位置に溝18−1
と垂直な方向に多数の孔27を設けた金属板28を添着
させてもよい。
以上のような構成のブローバの動作を説明する。
キャリア収納部7にセットされたキャリア6をモータ9
及び軸10により下方に移動させる。所定間隔で下降す
るキャリアから順次ロボットアーム11が半導体ウェハ
5を搬出し、プリアライメントステージ12上に載置さ
せる。搬出が開始されると同時に底板19の下部に設け
られた真空装置に接続された吸引口19−1から吸引を
行う。これにより取込口25からダウンフローが積極的
に取入れられ、インデクサ支持台13、定盤16、底板
19に設けられた孔26を通過してダウンフローが生じ
る。このダウンフロー中でプリアライメントステージ1
2上でオリフラ合せされた半導体ウェハ5は測定部3に
搬送され、プロービングステージ14上に載置される。
そして、移動装置15によりプロービングステージ14
が上昇され、プローブ針20とICチップの電極の接触
が行われ、電気特性が特定される。測定後、図示しない
搬送系によりキャリア6内にアンロードされ測定終了す
る。そのため、密閉されたプローバ内で半導体ウェハの
移動やロボットアーム搬送等のプリアライメントステー
ジやプロービングステージの移動が行われて塵、パーテ
ィクルが発生してもダウンフローがプローバ全体に亘っ
ているため除去され清浄な雰囲気で、しかも暗室内での
ブロービングか可能である。
本発明は上記実施例に限定されず、測定の行われない収
納部では、単にキャリアカバーに孔を設け、ダウンフロ
ーを取込むようにしてもよい。
[発明の効果コ 以上の説明からも明らかなように、本発明のプローバに
よれば、ヘッドプレートにダウンフロー取込口に接続さ
れたゴミに対して気密な例えば多孔質体あるいは流路を
設け、定盤、底板に孔を設は底板の下部から吸収したた
め、ブロービングに亘ってダウンフローを取入れること
ができ、暗室内でも清浄な環境でブロービングを行える
。そCため、光に反応しやすい膜を形成された半導体1
エバであっても良好な環境でブロービングが行メる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明のブローバの構成図、第2図、第3図及
び第4図は第1図に示す一実施例の要杏を示す図、第5
図及び第6図は他の実施例を示1図である。 1・・・・・・プローバ 2・・・・・・収納部 3・・・・・・測定部 5・・・・・・半導体ウェハ 6・・・・・・キャリア 12・・・・・・・プリアライメントステージ14・・
・・・・・プロービングステージ18・・・・・・・ヘ
ッドプレート 18−1・・・溝(流路) 23・・・・・・・多孔質体 ン 25・・・・・・・取込口 CR・・・・・・・クリーンルーム DF・・・・・・・ダウンフロー

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、複数枚の半導体ウェハを収納したキャリアを載置す
    る載置台と、前記キャリアから前記半導体ウェハを搬入
    出する搬送手段と、前記半導体ウェハを粗アライメント
    するプリアライメントステージとを有する収納部と、前
    記収納部から搬送される前記半導体ウェハを載置するプ
    ロービングステージを有する測定部とを備えクリーンル
    ーム内に配置されるプローバにおいて、筐体に設けた前
    記クリーンルームのダウンフローを取り入れる取込口と
    、前記取込口に接続され少なくとも前記測定部のヘッド
    プレートに前記ダウンフローを供給する流路を備えたこ
    とを特徴とするプローバ。 2、前記流路は多孔質体であることを特徴とする請求項
    1記載のプローバ。
JP12492790A 1990-05-15 1990-05-15 プローバ Pending JPH0424935A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5473258A (en) * 1991-08-02 1995-12-05 Tokyo Electron Limited Probe apparatus for carrying away dust created by probe testing
US5910727A (en) * 1995-11-30 1999-06-08 Tokyo Electron Limited Electrical inspecting apparatus with ventilation system
US6762616B2 (en) 2001-12-13 2004-07-13 Tokyo Electron Limited Probe system
US7055290B2 (en) 2000-06-13 2006-06-06 Flooring Industries Ltd. Floor covering, floor panels for forming such floor covering, and method for realizing such floor panels

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