JPH04247276A - 超音波洗浄装置 - Google Patents

超音波洗浄装置

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Publication number
JPH04247276A
JPH04247276A JP3012024A JP1202491A JPH04247276A JP H04247276 A JPH04247276 A JP H04247276A JP 3012024 A JP3012024 A JP 3012024A JP 1202491 A JP1202491 A JP 1202491A JP H04247276 A JPH04247276 A JP H04247276A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cleaning
ultrasonic
vibrator
tank
cleaning tank
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP3012024A
Other languages
English (en)
Inventor
Takeshi Yoshizawa
吉沢 威
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP3012024A priority Critical patent/JPH04247276A/ja
Publication of JPH04247276A publication Critical patent/JPH04247276A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

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Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/10Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
    • B08B3/12Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration by sonic or ultrasonic vibrations

Landscapes

  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、洗浄槽内の液体に浸漬
した露光用マスク等の平板状の被洗浄物の表面を洗浄す
る超音波洗浄装置、特に被洗浄物の全表面を確実に洗浄
することのできる超音波洗浄装置に関する。4MDRA
Mや16MDRAM等の半導体装置で代表されるように
、最近の半導体装置の配線パターンはサブミクロン領域
になっている。したがって、かかる半導体装置を歩留り
良く製造するには、半導体ウェーハは勿論、露光用マス
クやレチクル等に付着している微細な異物、例えば粒径
が0.2mμ程度の微細異物を洗浄により除去すること
が不可欠である。
【0002】そして、このような微細異物をレチクル等
の表面から除去するために、発振周波数が1MHz前後
の超音波洗浄装置が多く使用されている。
【0003】
【従来の技術】次に、発振周波数が1MHz領域の従来
の超音波洗浄装置について、図2を参照して説明する。 図2は、従来の超音波洗浄装置を説明するための図であ
る。なお、本明細書においては同一部品、同一材料等に
対しては全図をとおして同じ符号を付与してある。
【0004】従来の超音波洗浄装置は、図2に示す如く
洗浄用の液体、例えば純水31を入れる洗浄槽21、洗
浄槽21の底板に貼着した複数の振動子22、それぞれ
の振動子22に高周波電圧、例えば1MHzの交流電圧
を供給し、振動子22を振動させて洗浄槽21中の純水
31に超音波Uを発射させる高周波電源23とで構成し
たものである。かかる構成をした超音波洗浄装置による
被洗浄物、例えばレチクル32の表面の洗浄は、高周波
電源23と振動子22とにより超音波Uが連続的に発射
されている洗浄槽21内の純水31にレチクル32を浸
漬することにより行われる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ところが、周波数が1
MHz程度になると超音波Uは、液体、例えば純水31
中での指向性が鋭いために、振動子22の配列領域の直
上部においても殆ど超音波Uが存在しない領域、すなわ
ち超音波希薄領域Vができることとなる。このため、レ
チクル32を洗浄する際、超音波Uが十分存在する領域
、すなわち超音波充満領域Wにレチクル32を入れれば
十分な洗浄ができるが、レチクル32を超音波希薄領域
Vに入れてしまうと十分な洗浄が出来ないという問題が
あった。
【0006】本発明は、このような問題を解消するため
になされたもので、その目的は被洗浄物の全表面を確実
に洗浄することのできる超音波洗浄装置の提供にある。
【0007】
【課題を解決するための手段】前記目的は、図1に示す
ように洗浄槽11内の洗浄用の液体31に超音波Uを発
射する振動子12を有する超音波洗浄装置において、振
動子12が、その振動面12a を洗浄槽11の液体3
1の深さ方向と平行にしていることを特徴とする超音波
洗浄装置により達成される。
【0008】
【作用】本発明の超音波洗浄装置は、図1に示すように
振動子12の振動面12a を洗浄槽11内の洗浄用の
液体31の深さ方向と平行にして構成している。したが
って、かかる配置をした振動子12が発射して略水平方
向に伝播する超音波Uは洗浄槽11内の液体31の深さ
方向に略一定となり、被洗浄物、例えばレチクル32の
全表面を確実に洗浄できることとなる。
【0009】
【実施例】以下、本発明の一実施例について、図1を参
照して説明する。図1は、本発明の一実施例の超音波洗
浄装置を説明するための図である。本発明の一実施例の
超音波洗浄装置は、図1に示すように洗浄用の液体、例
えば、純水31を入れる直方体状の洗浄槽11と、洗浄
槽11の相対する二つの垂直な側板11a,11b の
それぞれに2個ずつその振動面12a を貼着した合計
4個の振動子12と、それぞれの振動子12に高周波電
圧、例えば1MHzの交流電圧を供給して当該振動子1
2を振動させて洗浄槽11中の純水31に超音波Uを発
射させる高周波電源13とを含んで構成したものである
【0010】かかる構成をした超音波洗浄装置において
、振動子12と高周波電源13により洗浄槽11内の純
水31中に超音波Uを発射すると、図1に示すように純
水31の深さ方向で振動子12の振動面12a に対向
する領域においては超音波希薄領域Vは極めて小さくな
る。したがって、レチクル32は、図1に示すように洗
浄槽11内の純水31に浸漬すると、超音波充満領域W
に入ることとなり、レチクルの全表面を確実に洗浄でき
ることとなる。なお、洗浄槽11内の純水31に浸漬さ
れて超音波洗浄中のレチクル32を、矢印Aで示すよう
に上下方向に移動するとその洗浄はより完全になること
は勿論である。
【0011】また、本発明の一実施例の超音波洗浄装置
は、洗浄槽11の相対する二つの側板11a,11b 
にそれぞれ2個ずつ振動子12(計2個)を装着したも
のであるが、二つの側板11a,11b 以外の二つの
側板(図示せず)にも、例えばそれぞれ2個ずつ振動子
12を追加して装着して構成することも当然可能である
【0012】
【発明の効果】以上説明したように本発明の超音波洗浄
装置は、大きな被洗浄物であってもその全表面を確実に
洗浄できることとなる。したがって、半導体製造工程に
本発明の超音波洗浄装置を採用することにより、半導体
装置を歩留り良く製造できることとなる。
【図面の簡単な説明】
【図1】は、本発明の一実施例の超音波洗浄装置を説明
するための図、
【図2】は、従来の超音波洗浄装置を説明するための図
である。
【符号の説明】
11と21は、洗浄槽、12と22は、振動子、13と
23は、高周波電源、31は、洗浄用の液体 (純水)
 、32は、被洗浄物 (レチクル) をそれぞれ示す

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  洗浄槽(11)内の洗浄用の液体(3
    1)に超音波(U)を発射する振動子(12)を有する
    超音波洗浄装置において、前記振動子(12)が、その
    振動面(12a) を前記洗浄槽(11)の液体(31
    )の深さ方向と平行にしていることを特徴とする超音波
    洗浄装置。
JP3012024A 1991-02-01 1991-02-01 超音波洗浄装置 Withdrawn JPH04247276A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1999035672A1 (de) * 1997-12-31 1999-07-15 Steag Microtech Gmbh Verfahren und vorrichtung zum behandeln von substraten

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1999035672A1 (de) * 1997-12-31 1999-07-15 Steag Microtech Gmbh Verfahren und vorrichtung zum behandeln von substraten
US6607604B1 (en) 1997-12-31 2003-08-19 Steag Microtech Gmbh Method and apparatus for treating substrates

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Effective date: 19980514